「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device comprises two trench capacitors 2a and 2b formed inside a semiconductor substrate 1, a first diffusion area 12 formed on those two trench capacitors 2a and 2b, a gate electrode 13 formed on a portion of the first diffusion area 12 and a second diffusion area 16 formed in the periphery of a gate electrode 13 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１内部に形成された２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂと、この２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂ上に形成された第１の拡散領域１２と、この第１の拡散領域１２上の一部に形成されたゲート電極１３と、半導体基板１表面であってゲート電極１３の周縁に形成された第２の拡散領域１６とを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

The protected diffusion film to be used for the surface light source device provided with the lens film is provided with a transparent base material, a 1st light diffusion layer consisting of ionizing radiation curing type resin and formed on one surface of the base material and a 2nd light diffusion layer consisting of thermosetting type resin or thermoplastic resin and formed on the other surface of the base material.例文帳に追加

レンズフィルムを備えた面光源装置に用いられる保護拡散フィルムであって、透明基材と、前記透明基材の一方の面上に設けられ、電離放射線硬化型樹脂よりなる第１の光拡散層と、前記透明基材のもう一方の面上に設けられ、拡散剤を含む熱硬化型樹脂又は熱可塑性樹脂よりなる第２の光拡散層とを備える保護拡散フィルム。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

HEAD CAP, LIQUID JET DEVICE HAVING THE SAME, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMITTING DEVICE, PDP DEVICE, CATAPHORESIS DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER, AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METALLIC WIRING PATTERN, LENS, RESIST AND LIGHT DIFFUSION BODY例文帳に追加

ヘッドキャップおよびこれを備えた液滴吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁

To provide a light guide plate device capable of retaining a longitudinal center side of a light guide plate on a support without preventing light diffusion inside the light guide plate in the light guide plate device having a plurality of light guide plates arranged in parallel, a light source device having the light guide plate device, a display device capable of equalizing luminance distribution at a center of a screen, and a television device including the display device.例文帳に追加

並置される複数の導光板を備える導光板装置において、導光板内部の光拡散を阻害することなく導光板の長手方向中央側を支持体に保持することができる導光板装置、該導光板装置を備える光源装置、画面の中央部分の輝度分布を均一化することができる表示装置、及びこれを含むテレビ受像装置を提供する。 - 特許庁

Further, a magnetic field shield 8 for preventing diffusion of the plasma produced at the plasma irradiation part 6, the charged particle and the charged dust is provided between the plasma irradiation part 6 and the unwinding device 4 and the winding device 5 at both sides of the part 6.例文帳に追加

そして、プラズマ照射部６とその両側の巻出装置４及び巻取装置５との間にプラズマ照射部６にて生成したプラズマや荷電粒子や帯電したダストなどの拡散を防止する磁場シールド８を設けている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device in which an enclosure covering a semiconductor light-emitting element has fire-retardancy complying with a UL standard and diffusion light is emitted from the enclosure, and a lighting fixture equipped with this light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子を覆う包囲体がＵＬ規格に適合する難燃性を有するとともに、当該包囲体から拡散光が出射される発光装置およびこの発光装置を具備する照明器具を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MONTHLY GPD CALCULATION, RECORDING MEDIUM WHERE PROCESS FOR SAME IS RECORDED, DEVICE AND METHOD FOR ECONOMICAL DIFFUSION INDEX CALCULATION, AND RECORDING MEDIUM WHERE PROCESS FOR SAME IS RECORDED例文帳に追加

月次ＧＤＰ算出装置、月次ＧＤＰ算出方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体、並びに、景気判断指数算出装置、景気判断指数算出方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体 - 特許庁

With this setup, even if the nitride semiconductor device is possessed of an N-type electrode formed of multilayred thin film, diffusion of elements into the N-type electrode can be controlled easily, and the nitride semiconductor device with an N-type electrode which is high in adhesion and excellent in ohmic properties can be obtained.例文帳に追加

このことにより、薄膜の多層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型電極を有する窒化物半導体素子となる。 - 特許庁

To provide a method and device for image formation and a spectroscope capable of casting a particle beam having an energy distribution and angular distribution in a sensing device as image formation with the quality of image formation heightened through widening of the diffusion light image and improvement of the image resolution.例文帳に追加

散乱光像を広げることと像の分解能を高めて結像品質を高めた、エネルギ分布及び角度分布を有する粒子ビームを検出装置に結像させる結像装置、その方法及び分光器を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which diffusion layers obtained from a desired channel width can be formed without depending on a transistor size, in the semiconductor device consolidated with memories or logics of different transistor sizes.例文帳に追加

トランジスタサイズの異なるメモリ、ロジックなどを混載する半導体装置において、トランジスタサイズに依存することなく、所望のチャネル幅が得られる拡散層を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light that has been diffused at the light diffusion part 7 and returned toward the inside of the light-emitting device 1, among the light emitted from the LED31, is reflected on the high reflection layer 22 and then directed toward the outside of the light-emitting device 1 again.例文帳に追加

ＬＥＤ３１から出射された光のうち、光拡散部７において拡散されて発光装置１の内部方向へ戻ってきた光は、高反射層２２により反射され、再び発光装置１の外部方向へ向かう。 - 特許庁

To provide a plating treatment device for electronic parts substrates, etc., which prevents the diffusion of metal contamination in and out of a plating device, does not dissolve seed layers and cleans only the outer peripheral edges without the occurrence of defects by splashing of a cleaning tank.例文帳に追加

めっき装置内外での金属汚染の拡散を防止し、シード層が溶解せず、洗浄液が飛散して欠陥が発生せず、外周縁部のみを洗浄する電子部品基板等のめっき処理装置とその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plating treatment device for an electronic component substrate or the like, with which the diffusion of metal contamination at the inside and outside of the plating device is prevented, the dissolution of a seed layer is suppressed, the defects caused by scattering of a cleaning liquid are suppressed, and only the peripheral edge part is cleaned.例文帳に追加

めっき装置内外での金属汚染の拡散を防止し、シード層が溶解せず、洗浄液が飛散して欠陥が発生せず、外周縁部のみを洗浄する電子部品基板等のめっき処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a perfume releasing device and a perfume releasing method which enable the sufficient suppression of the diffusion of a perfume to a surrounding environment by reducing the releasing amount of the perfume.例文帳に追加

香料の放出量を少なくして、周囲の環境への香料の拡散を充分に抑えることのできる香料放出装置及び方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device wherein a high-concentration diffusion layer is formed at a lower portion of a light-receiving face electrode layer without adding heat treatment, and moreover without declining in strength of a substrate.例文帳に追加

光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like.例文帳に追加

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To lower the cost by facilitating the maintenance of a device by forming a diffusion part for diffusing a reaction gas and a guide part guiding the diffused gas on the surface of a substrate separately and enabling them to be exchanged individually.例文帳に追加

拡散性能を損なうことなく、耐久性が向上してメンテナンスが容易になり、かつ製造及びランニングコストが低廉な成膜装置用ガスシャワー装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加

均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたＭＯＳゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing device and manufacturing method of an electrode for a polymer electrolyte fuel cell capable of efficiently bonding slurry of material of an electrode to a gas diffusion layer at a low price.例文帳に追加

電極の材料のスラリをガス拡散層に低コストで効率よく付着できる固体高分子形燃料電池の電極の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ventilation device for a dissecting room, which prevents the diffusion of formaldehyde so as to clear the legal management concentration, and efficiently performs ventilation without simply increasing the amount of the ventilation.例文帳に追加

ホルムアルデヒドの拡散を防止して法定管理濃度をクリアでき、しかも換気量を単純に増大させることなく効率的に換気できる解剖室の換気装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a mercury vapor diffusion device to enhance the optical characteristics and the life of a discharge tube, by diffusing a required quantity of mercury in a glass bulb.例文帳に追加

本発明は、ガラスバルブ内に充分な必要量の水銀を拡散させて、放電管の光特性及び寿命を向上させる水銀拡散装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of diffusion bit lines 108, a plurality of word lines 114, a plurality of trap films 102 having a charge holding function, and a plurality of bit line insulating film 110.例文帳に追加

半導体装置は、複数の拡散ビット線１０８と、複数のワード線１１４と、電荷保持機能を有する複数のトラップ膜１０２と、複数のビット線絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

To provide a potable cigarette smoke cleaning device preventing not only diffusion of cigarette smoke to the periphery but also dispersion of cigarette ash to periphery, and enabling to safely smoke.例文帳に追加

タバコの煙が周囲に拡散するのを防止するとともに、タバコの灰が周囲に飛散するのを防止し、かつ安全に喫煙することができる携帯用タバコ煙清浄器を得る。 - 特許庁

To minimize diffusion of heat and fluid by arranging each device in every operating temperature and in every function to improve thermal efficiency using generated heat effectively.例文帳に追加

各機器を作動温度毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化するとともに、発生熱を有効に利用して熱効率の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can obtain superior electric characteristic by improving the end-part shape of an element diffusion layer in contact with an element isolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜に接する素子拡散層の端部形状を改善することにより、優れた電気的特性を得ることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるＰ型の拡散層７、１７を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁

To prevent the sheet resistance from increasing due to aggregation of metal silicide layer in a high integration semiconductor device where diffusion layer resistance, and the like, are decreased by employing the metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層の採用により、拡散層抵抗等を低減した高集積度半導体装置における、金属シリサイド層の凝集によるシート抵抗値の上昇を防止する。 - 特許庁

To provide a display device using an organic EL element having excellent long-term reliability without deteriorating characteristics by suppressing diffusion of moisture into an organic EL layer being a luminescent part from an organic resin.例文帳に追加

有機樹脂中から発光部である有機ＥＬ層中への水分の拡散を抑止し、特性が劣化しない長期信頼性に優れた有機ＥＬ素子を用いた表示装置を得る。 - 特許庁

The device is provided with a member between the optical element and the diffusion member, which absorbs an ultraviolet light that transmits the extended projection optical system and proceeds through a light path of the coherent light in the reverse direction.例文帳に追加

光学素子から拡散部材までの間に、拡大投射光学系を透過してコヒーレント光の光路を逆方向に進む紫外線光を吸収する部材を設ける。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide an open type hot water circulation device of a simple constitution capable of suppressing diffusion of water from a water expansion tank, and keeping at least a stable operation within a time of periodic inspection.例文帳に追加

水膨張タンクからの水の放散を抑制し、定期点検の期間内では少なくとも安定運転を維持可能な簡便な構成の開放型温水循環装置を提供する。 - 特許庁

In the LED lighting device, a special diffusion sheet with a transmission efficiency of nearly 100% is installed at a constant distance from a point light-emitting source for reducing glare of its light.例文帳に追加

本発明はその光のぎらつきを点発光源から一定の距離に１００％に近い透過効率の特殊拡散シートを設置することでこの問題の解決策を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion film having sufficient light diffusibility and high front contrast of a display image, a light diffusible polarizer, and a liquid crystal display device using them.例文帳に追加

十分な光拡散性を有し、且つ、表示画像の正面コントラストが高い光拡散フィルム、光拡散性偏光板、および、それを用いた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To further suppress diffusion of tin in a solder ball to a columnar electrode in a semiconductor device where the solder ball is provided on the columnar electrode of copper.例文帳に追加

銅からなる柱状電極上に半田ボールが設けられた半導体装置において、半田ボール中の錫が柱状電極への拡散をより一層抑制することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses GIDL in a depletion layer formed between an impurity diffusion layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、不純物拡散層と半導体基板との間に形成される空乏層中におけるＧＩＤＬを抑制することのできる半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The backlight device includes a straight tube type fluorescent lamp as a light source, a diffusion plate 4 disposed on the liquid crystal panel side of the lamp, a prism sheet, and a reflection plate disposed on the rear side of the lamp.例文帳に追加

このバックライト装置は、光源として直管型蛍光ランプと、ランプの液晶パネル側に配置される拡散板４と、プリズムシートと、ランプの後方に配置される反射板とを備える。 - 特許庁

To provide an electronic watermark embedding device and an electronic watermark detector capable of preventing the energy of electronic watermark information embedded by a direct diffusion method from being distributed to a high frequency side in an inverse spectrum spreading process and making the electronic watermark information hardly losable.例文帳に追加

直接拡散法で埋め込まれた電子透かし情報のエネルギーが、逆スペクトル拡散過程において高周波側に配分されないようにすることができる。 - 特許庁

In this carrying device, the front end of a carrier head 1 is formed with a gas guide face 3 and a gas diffusion face 4 on both sides of an edge line part 5, respectively set as slant faces to the work W.例文帳に追加

搬送ヘッド１の先端に、稜線部５を介してその両側に、ワークＷに対してそれぞれ傾斜面に設定された気体案内面３と気体拡散面４とを設ける。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加

不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In manufacturing a light emitting device 100, a light emitting layer portion 24 and a current diffusion layer 7 each comprising a III-V compound semiconductor are formed on a single crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁