「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device is provided with an active element 2, a storage capacitance part connected to the active element 2 and having a high ferroelectric film 9, and an insulating film formed as a diffusion barrier for suppressing the diffusion of hydrogen into the storage capacitance part.例文帳に追加

能動素子２と、能動素子２に接続される高強誘電体膜９を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

The backlight unit is a parallel-light light source device that emits collimated light of which the half-luminance angle is 3 to 35° toward the liquid crystal cell and the ratio Fw(BL)/Fw(FD) of the half-diffusion angle Fw(FD) of the light diffusion element to the half-luminance angle Fw(BL) of the collimated light is 0.5 or less.例文帳に追加

バックライトユニットは、液晶セルに向かって輝度半値角が３°〜３５°であるコリメート光を出射する平行光光源装置であり、光拡散素子の光拡散半値角Ｆｗ（ＦＤ）とコリメート光の輝度半値角Ｆｗ（ＢＬ）との比Ｆｗ（ＢＬ）／Ｆｗ（ＦＤ）は、０．５以下である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

A diffusion and charging device K is provided with raw material charge openings 1 for charging a raw material, rotating shafts 3 and diffusion panels 4 rotating around the rotating shafts 3 and diffusing the raw material charged from the raw material charge opening 1 onto a net face 5 of a screen and charging the same.例文帳に追加

拡散投入装置Ｋは、原料を投入するための原料投入口１と、回転軸３と、その回転軸３を中心に回転することで、前記原料投入口１から投下された原料を、篩の網面５上に、拡散させて投入する拡散盤４とを備えている。 - 特許庁

To provide a diffusion plate having both of excellent brightness and brightness uniformity in a backlight which has a desired thickness and in which the small number of point-like light sources difficult to have been achieved by a conventional technique are arranged; and also to provide a backlight device using the diffusion plate.例文帳に追加

本発明の目的は、所望のバックライト厚み、且つ従来技術では達成し得なかった少ない個数の点光源を配置したバックライトにおいて、優れた輝度及び輝度均一性の両立が可能となる拡散板、及び前記拡散板を用いたバックライト装置を提供することである。 - 特許庁

A semiconductor device has a diffusion layer 205 constituting source-drain and a gate 203 formed on the diffusion layer 205 which are formed, respectively, on a semiconductor substrate, and includes a plurality of MISFETs 201 and 202 constituted of a plurality of unit MISFETs connected in parallel with each other.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれが半導体基板に形成され、ソースドレインを構成する拡散層２０５及び該拡散層２０５の上に形成されたゲート２０３を有し、且つ互いに並列接続された複数の単位ＭＩＳＦＥＴから構成される複数のＭＩＳＦＥＴ２０１、２０２を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層（３）とを具備するＭＩＳトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

Since light emitted from the LED light source is reflected from the reflecting plate and then enters the diffusion plate in the rear of the LED light source, the thickness of the back light device can be decreased while the distance capable of sufficiently mixing light before it enters the diffusion plate is ensured.例文帳に追加

こうすると、LED光源から放出された光が反射板から反射した後LED光源後方の拡散板に入射するので、光が拡散板に入射するまで互いに充分に混合され得る距離を確保しながらもバックライト装置の厚さを縮小させることができる。 - 特許庁

Then, the brightness of the just-under type liquid crystal display device 1100 can be partially adjusted by properly changing the distance(s) between the light diffusion member and the lamp(s) and thereby compensating for the brightness at both end parts of the light diffusion member to improve the display quality.例文帳に追加

この時、光拡散部材とランプ３１０との間の距離を適切に変更することにより、光拡散部材の両端部での輝度を補償して表示品質を向上させ、直下型液晶表示装置１１００の輝度を部分的に調整することができる。 - 特許庁

The surface light source device 20 includes a plurality of light sources 21 arranged in parallel each in separation, a lamp box 22 housing the light sources, a light diffusion plate 23 arranged on the lamp box, and a plurality of spacer pins 25 which are arranged in the lamp box 22 and support the light diffusion plate 23.例文帳に追加

面光源装置２０は、互いに離間して並列配置される複数の光源２１と、複数の光源を収容するランプボックス２２と、ランプボックス上に設けられる光拡散板２３と、ランプボックス２２内に設けられており光拡散板２３を支持する複数のスペーサピン２５とを備える。 - 特許庁

Further, diffusion blades rotated at the position above the sprinkling blades by an almost vertical rotary shaft 40 and accumulated air bubbles are gathered to be taken in the air bubble taking-in port 15 of the defoaming device opened to the ceiling surface 11 of the treatment tank by the rotation of the diffusion blades.例文帳に追加

さらに、散布翼より上側の位置で略垂直回転軸（４０）をもって回転する拡散翼（５）を配置し、該拡散翼の回転によって、処理槽の天井面（１１）に開口させた上記消泡装置の気泡取込口（１５）へ、滞積した気泡を寄せて取り込むようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A lens barrier 2, comprising light diffusion and light transmission properties, is provided in the aperture part of the bent lens barrel 20, and external light can be converted into predetermined diffusion light (detection light) and guided to the imaging device 25, so that black defective pixels can be detected, while closing the lens barrier 2.例文帳に追加

屈曲型鏡胴２０の開口部には、光拡散性及び光透過性を備えたレンズバリア２が設けられ、外部の光を所定の拡散光（検出光）に変換して前記撮像素子２５へ導光可能とされ、レンズバリア２を閉じた状態で黒欠陥画素が検出可能とされている。 - 特許庁

A semiconductor device has the silicon pillar 15A, a gate electrode 20A coating the side face of the silicon pillar 15A through a gate insulating film 19A, a diffusion layer 26 arranged to the upper section of the silicon pillar 15A and a cylindrical sidewall insulating film 25 insulating the diffusion layer 26 and the gate electrode 20A.例文帳に追加

シリコンピラー１５Ａと、ゲート絶縁膜１９Ａを介してシリコンピラー１５Ａの側面を覆うゲート電極２０Ａと、シリコンピラー１５Ａの上部に配置された拡散層２６と、拡散層２６とゲート電極２０Ａとを絶縁する筒状のサイドウォール絶縁膜２５とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of introducing the impurity into a semiconductor substrate while depositing a layer to become an impurity diffusion source on a surface of the substrate, and then heat treating the substrate for a sufficient time to stabilize a quality of the deposited layer to become the impurity diffusion source.例文帳に追加

半導体基板表面に不純物拡散源となる層を堆積させながら半導体基板内に不純物を導入した後、堆積した不純物拡散源となる層の膜質を安定化させるのに十分な時間熱処理することからなる半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by sharply and shallowly junction impurity concentration profiles in a channel-diffusion layer and to realize a microfabricated device that maintains high drive power by the channel-diffusion layer of low resistance with full activation density.例文帳に追加

チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

By using the diffusion barrier which is disclosed in the invention, the diffusion of ions from the NFET side to the PFET side via a common gate in a CMOS technology semiconductor device node can be greatly reduced and even prevented completely.例文帳に追加

本明細書中で開示されるような拡散バリアを使用することによって、ＣＭＯＳ技術半導体デバイス・ノードにおけるＮＦＥＴ側からＰＦＥＴ側への共通ゲートを通してのイオンの拡散は、大いに低減されることができる又は完全に防止することさえもできる。 - 特許庁

In a semiconductor device having dual gate electrodes 17 and 18 and such a structure that an insulating film 9 for preventing diffusion of impurity is formed in the dual gate electrodes 17 and 18, the insulating film 9 is selectively formed only in the electrode 18 having the higher impurity diffusion coefficient.例文帳に追加

デュアルゲート電極１７，１８を有し、かつ、デュアルゲート電極中に不純物拡散防止のための絶縁膜９を配した構造を持つ半導体装置において、該絶縁膜９を、ゲート電極中の不純物の拡散係数の高い方の電極１８にのみ選択的に形成する。 - 特許庁

This semiconductor device 100 includes an MOSFET 110 having: a gate electrode 115 formed above a silicon substrate 101; and a first impurity diffusion region 103 and a second impurity diffusion region 105, formed in the silicon substrate 101 in different sides of the gate electrode 115.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１の上部に設けられたゲート電極１１５と、ゲート電極１１５の異なる側方においてシリコン基板１０１に設けられた第一不純物拡散領域１０３および第二不純物拡散領域１０５とを有するＭＯＳＦＥＴ１１０を含む。 - 特許庁

To provide an air cleaning device capable of effectively preventing the diffusion of pollutant at the working space where the diffusion of a pollutant such as dioxins could occur, to ensure the safety of a worker and also to prevent air pollution and to complete a safe hygiene managing system.例文帳に追加

ダイオキシン類等の汚染物が拡散するおそれがある作業スペースにおいて汚染物の拡散を効果的に防止することができる空気清浄装置を提供して、作業者の安全を確保するとともに大気汚染の防止を図り、安全衛生管理体制を充実させる。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device, which is applicable to a hollow cylindrical semiconductor pillar, and provides a source drain diffusion layer having high position control in high concentration at low manufacturing costs, and also to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

中空円筒型の半導体ピラーに適用でき、高濃度で位置制御性の高いソースドレイン拡散層を低製造コストで実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A strobe device is provided with a diffusion member for diffusing light made incident on a light receiving sensor in the strobe device and has constitution capable of fixing the light receiving sensor in a direction approximately parallel with a photographing optical axis at the time of photometric processing.例文帳に追加

ストロボ装置は内部の受光センサに入射する光を拡散するための拡散部材を具備し、測光時には、この受光センサを撮影光軸と略平行な方向に固定できる構成を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulation film wherein its reaction on the gate electrode of the device is suppressed, and any impurity diffusion performed from the gate electrode to it can be suppressed, and further, its film thickness calculated in terms of a silicon oxide film is made small.例文帳に追加

ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The infiltration promotion device 2150 promotes infiltration and diffusion into the recording paper by breaking foam of the foamed fixing solution attached on the surface of the recording paper on which the toner image is fixed by the fixing device 2050.例文帳に追加

そして、浸透促進装置２１５０は、定着装置２０５０でトナー画像が定着された記録紙の表面に付着している泡状定着液を破泡して記録紙内への浸透・拡散を促進させる。 - 特許庁

To provide a light distribution control device which can control the direction of light irradiated from a diffusion light source and can give directivity, and has an excellent utilization efficiency of light with a simple structure and a surface light source device using it.例文帳に追加

拡散光源から放射される光の方向を制御して指向性を与えることができる、簡単な構造で光の利用効率の良い配光制御装置及びそれを用いた面光源装置の提供。 - 特許庁

To provide an inner illumination signboard or a fluorescent tube type LED illumination device, in which a light guide plate or a diffusion sheet necessary for a conventional indirect illumination device are unnecessary and the number of light sources can be significantly reduced.例文帳に追加

従来の間接照明装置が必要とした導光板や拡散シートなどが不要で、光源の数を大幅に減じることが可能な内照式看板や、蛍光管式ＬＥＤ照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加

膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents not only the metal ion diffusion from a gate insulating layer to an organic semiconductor layer but also the deterioration of the characteristics, a high-reliability electronic circuit, a display device and electronic device.例文帳に追加

ゲート絶縁層から有機半導体層への金属イオンの拡散が防止され、特性の低下を抑制し得る薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

One kind of optical signal remote controller with a confine working angle, mainly at least one light signal emitting device and a light guiding element are provided adjacently to the light signal emitting device to confine a diffusion angle of a light signal.例文帳に追加

一種の作用角度狭小化光信号式リモコン装置、主に少なくとも一つの光信号発射器および導光素子を光信号発射器に隣接して設け、光信号の拡散角度を狭める。 - 特許庁

To provide a treatment liquid sampling mechanism for a substrate treating device, which can prevent the treatment liquid from diffusion to the environmental outside of the substrate treating device and can easily perform a sampling work by the treatment liquid.例文帳に追加

処理液の雰囲気の基板処理装置の外部への拡散を防止して、処理液のサンプリング作業を容易に行うことができる基板処理装置における処理液サンプリング機構を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type light emitting device that can reduce reflection of light caused while the light is guided out of the light emitting device and sufficiently stop impurity diffusion from a substrate to a transistor.例文帳に追加

発光装置外部へ発光を取り出す課程で生じる発光の反射を低減すると共に、基板からトランジスタへの不純物拡散も十分に阻止できるようなアクティブマトリクス型の発光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical diffusion film for realizing widening of a viewing angle of a liquid crystal display device, in particular, gray scale reversal in a downward direction of a panel at a higher level and further realizing a picture without blurring even in a high precision liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置の広視野角化、特にパネルの下方向の階調反転を高度に実現し、かつ高精細液晶表示装置でも呆けのない画像を実現できる光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁

A cleaning device physically and biologically purifying contaminated water, in which a diffusion means 5 is added to a treating tank 1 utilizing physical action such as settlement and filtering, is installed, and the contaminated water from river is introduced into the device.例文帳に追加

沈殿、ろ過等の物理的作用による処理槽１に散気手段５を付加した、物理的及び生物学的に浄化処理のできるようにした浄化装置を設置し、これに河川よりの汚濁水を導入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve discriminating accuracy, expand applicable fields, and promote the diffusion of a device using myoelectricity as an interface by reducing deviation of the distribution by using a logarithm converting device.例文帳に追加

本発明は、対数変換装置を用いて分布の偏りを小さくすることによって、識別精度を改善して、適用可能な応用分野を広げ、筋電をインタフェースとする装置の普及を促進することを目的としている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁