「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein diffusion profile of impurities to be introduced to a substrate can be accurately controlled by selectively removing a natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を選択的に除去することにより、基板に導入する不純物の拡散プロファイルを精度良くコントロールすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes an antireflection film 106 which contains hydrogen and is arranged above a photodiode 102, and a hydrogen diffusion preventing film 107, arranged above the reflection preventing film 106.例文帳に追加

フォトダイオード１０２の上方に配置された、水素を含有する反射防止膜１０６と、反射防止膜１０６の上方に配置された水素拡散防止膜１０７とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device containing a ferroelectric capacitor having such a structure as to prevent the diffusion of hydrogen into a ferroelectric film without needing an additional process.例文帳に追加

追加の工程を必要とすることなく強誘電体膜への水素拡散を防止することができる構造の強誘電体キャパシタを備える半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the reduction in the breakdown voltage of the capacitor dielectric film formed on the impurities diffusion region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の不純物拡散領域上に形成されるキャパシタ誘電体膜の耐圧が低下するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, impurities used for forming source/drain regions in the silicon semiconductor substrate can be restrained from thermal diffusion, and a fine MOS device can be formed.例文帳に追加

したがって、シリコン半導体基板中の、例えば、ソース／ドレイン領域形成に用いられるドーパント不純物の熱拡散を抑えることができるので微細ＭＯＳ素子を形成することができる。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 10 includes a first main electrode, connected to the third diffusion layer 2, a second main electrode connected to the semiconductor substrate 21 and a bus line 12 connected to both ends of the gate electrode.例文帳に追加

さらに、第３の拡散層２７と接続する第１主電極と、半導体基板２１と接続する第２主電極と、ゲート電極の両端に接続されるバスライン１２とを含む。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer capable of suppressing the diffusion of a p-type dopant to an active layer during crystalline growth or LED energization, and to provide a semiconductor luminescent device using the wafer.例文帳に追加

結晶成長時又はＬＥＤ通電時のｐ型ドーパントの活性層への拡散を抑制することが可能なエピタキシャルウェハ及びそのウェハを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition excellent in relative permittivity having ≤3.5 and crack resistance and having a function preventing diffusion of copper as an interlaminar insulating film in such as semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、３．５以下の比誘電率とクラック耐性に優れ、かつ銅の拡散防止機能を有する膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a new deep trench(DT) collar process which reduces disturbance of strap diffusion to an array metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのアレイ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に対するストラップ拡散の侵害を低減する、新しいディープ・トレンチ（ＤＴ）カラー・プロセスを提供する。 - 特許庁

Accordingly, even when metal lithium is dropped from the negative electrode current collector 23 of the negative electrode 15, the diffusion of the metal lithium in the electric storage device 10 can be prevented.例文帳に追加

これにより、負極１５の負極集電体２３上から金属リチウムが脱落した場合であっても、金属リチウムの蓄電デバイス１０内への拡散を防止することが可能となる。 - 特許庁

To surely form a diffusion prevention layer on columnar electrodes by a simple process, in a semiconductor device called a CSP wherein solder balls are formed on the columnar electrodes made of copper.例文帳に追加

銅からなる柱状電極上に半田ボールが設けられたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極上に拡散防止層を簡単な工程で確実に形成する。 - 特許庁

To provide a gradation pattern formation method and a formation device thereof capable of forming a light diffusion face preventing the occurrence of bright unevenness and luminescent point on a light guiding plate or a light guiding plate formation mold.例文帳に追加

導光板又は導光板成形型に光輝むらや輝点の発生しない光拡散面を形成できるグラデーションパターン形成法及びその形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an edge light type illumination device which can irradiate the light of a light source introduced into a light guide material efficiently to the front as light having no directionality with high diffusion performance.例文帳に追加

導光材内に導入された光源の光を、拡散性の高い指光性の無い光として効率良く前方に照射することができるエッジライト式照明装置を提供する。 - 特許庁

This fluorescent screen 22 is composed of lamination of a clear electrode layer 12, an optical diffusion layer 24 and the phosphor layer 14 on an inner face of a panel 16 of the display device 10.例文帳に追加

本蛍光面２２は表示装置１０のパネル１６内面に透明電極層１２と、光拡散物質層２４と、蛍光体層１４とを積層して構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a LCD(liquid crystal display) 2, a diffusion sheet 3, a lighting plate 4, a reflective sheet 5, a conductive rubber 6, and a light source 7, which are cased in a holder 8.例文帳に追加

液晶表示装置１は、ＬＣＤ２と、拡散シート３と、採光板４と、反射シート５と、導電ゴム６と、光源７とを備え、これらがホルダ８内に収納されている。 - 特許庁

This device reflects the light inward by the light reflection planes of the side frames and diffuses the light via the light diffusion sheet so as to form a wide-range and uniform-light emission plane.例文帳に追加

サイドフレームの光反射面で光を内方へ反射させるとともに、光拡散シートを介して光を拡散させることで、広い範囲で光均一な発光面を形成する。 - 特許庁

The operating device includes: a light emitting device; an inner shell formed in a hollow shape, made of a light diffusion material for diffusing light emitted from the light emitting device, and disposed at a position for receiving the light emitted from the light emitting device; and a colored and translucent outer shell for covering the outside of the inner shell.例文帳に追加

操作デバイスは、発光素子と、前記発光素子から発せられる光を拡散する光拡散材料により中空状に形成されるとともに、前記発光素子から発せられる光を受ける位置に設けられる内殻と、前記内殻の外側を覆う有色且つ透光性の外殻と、を備える。 - 特許庁

To provide a prism sheet improved in optical characteristics such as light diffusion property, refractivity and scattering property and specifically usable for a retroreflection sheet usable for a traffic sign, a construction sign, or the like, and for a light guide plate and a diffusion plate used for a backlight of a liquid crystal display device.例文帳に追加

光拡散性、屈折性、散乱性などの光学特性の改善にあり、具体的な用途としては、交通標識や工事標識等に用いることのできる再帰反射シートおよび液晶表示装置のバックライトに用いる導光板、拡散板に用いることのできるプリズムシートを提供する。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域１３が、高濃度拡散領域１３より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層１２を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子１０内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

When erasing information in the non-volatile semiconductor memory device, the semiconductor substrate 1 is made to be in a floating state, and a voltage having a first polarity is applied to the first diffusion region 2 or the second diffusion region 3, and a pulsing voltage having a second polarity which is the opposite polarity of the first polarity is applied to the gate electrode 7.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の消去時は、半導体基板１をフローティングの状態とし、第１の拡散領域２または第２の拡散領域３に第１の極性を持つ電圧を印加し、ゲート電極７に第１の極性とは逆の極性である第２の極性を持つパルス状の電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a super junction semiconductor device having a super junction structure including parallel pn layers, that can be manufactured at low cost with improved production efficiency by reducing thermal diffusion time and the number of steps needed for making the parallel pn layers serving as drift layers successive impurity diffusion regions.例文帳に追加

ドリフト層となる並列ｐｎ層を連続する不純物拡散領域とするために必要な工程回数および熱拡散時間を削減して生産効率を改善し、低コストで製造できる並列ｐｎ層を含む超接合構造を有する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加

半導体素子は、素子領域内の半導体基板１１に離間して設けられた１対の第２拡散層２１５と、１対の第２拡散層２１５間の素子領域表面上に設けられた第１絶縁膜１１１ｂと、第１絶縁膜１１１ｂ上に設けられた第１ゲート電極１１２ｂとを備える。 - 特許庁

The micro fluid device is equipped with a flow passage plate 10 having flow passage grooves 11, 12, a diffusion member 20 which is arranged opposed to the flow passage plate 10, and in which a supplying material supplied from the flow passage groove 11 is diffused, and a supply suppressing member 50 interposed between the flow passage plate 10 and the diffusion member 20.例文帳に追加

マイクロ流体デバイスは、流路溝１１，１２を有する流路板１０と、流路板１０に対向するように配置され、流路溝１１から供給された供給物質を拡散させる拡散部材２０と、流路板１０と拡散部材２０との間に介装された供給抑制部材５０とを備える。 - 特許庁

To provide a metal wiring and a method of manufacturing the same employing liquid phase method for dissolving further a trouble due to diffusion while having flatness, a thin film transistor prevented from the deterioration of characteristics caused by diffusion and the deterioration of the flatness, and an electro-optical device and an electronic apparatus which are equipped with the thin film transistor.例文帳に追加

液相法を用いて形成され、さらに拡散による不都合を解消するとともに、平坦性をも有した金属配線とその製造方法、さらには拡散や平坦性の低下に起因する特性の低下を防止した薄膜トランジスタと、これを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

To provide a fuel vapor adsorption device for preventing diffusion of fuel leaking to an intake system when an engine is stopped to atmospheric air in which intake resistance is not increased when the engine is actuated, and in which diffusion of fuel vaporized when the engine is stopped to be emitted to the atmospheric air is prevented.例文帳に追加

エンジン停止時における吸気系に漏れ出した燃料の大気への拡散防止するための燃料蒸気吸着装置において、エンジン作動時における吸気抵抗を増加させず、エンジン停止時に蒸発した燃料が拡散することによって大気へ放出されることの防止を目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity.例文帳に追加

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁

A fuel absorber 100 for internal diffusion is wound together with a strip heating element consisting of a flat sheet and a corrugated sheet to form a heater 31 for vaporization and with the fuel absorber 100 for internal diffusion brought into contact with a fuel absorbing substance 29b for a bottom, a liquid fuel vaporizing device 7 is constituted.例文帳に追加

平板と波板とからなる帯状発熱体とともに内部拡散用燃料吸収体１００を巻き込んで蒸発用ヒータ３１を形成し、その内部拡散用燃料吸収体１００を底用燃料吸収体２９ｂに当接した状態で液体燃料気化装置７を構成した。 - 特許庁

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

A body RH with light transmitters PH1 and PH2 and a mask with a diffusion part DF provided in a free way of relative displacement to the body RH for diffusing the incidence light to the body RH are mounted to an exposure device, so that the aberration of the lens of the projection optical system may be measured by rotating the diffusion part.例文帳に追加

光透過部ＰＨ１、ＰＨ２を有する本体部ＲＨと、本体部ＲＨに相対移動自在に設けられ、本体部ＲＨへの入射光を拡散する拡散部ＤＦとを有するマスクを露光装置に搭載し、拡散部を回転しながら投影光学系のレンズの収差を測定する。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a diffusion layer for forming a drain 9 and a source 11, a gate layer 3 formed on the diffusion layer between the drain 9 and the source 11, metallic layers 12 and 13 formed on the upper surface side of the gate layer 3, and first sidewalls 7 and 8 formed between the gate layer 3 and metallic layers 12 and 13.例文帳に追加

ドレイン９、ソース１１を形成するための拡散層と、ドレイン９とソース１１との間に位置し拡散層よりも上層のゲート層３と、ゲート層３の上面側に形成される金属層１２，１３と、ゲート層３と金属層１２，１３との間に形成される第１サイドウオール７，８とからなる。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a device 200 for moving dispersion liquid which is improved in mechanical durability to reduce scintillation without requiring a mechanical moving part for movement of light diffusion particles for diffusing projection light, and to provide a display device 100 including a projection part 2 or the like in the device 200.例文帳に追加

投射光を光拡散させる光拡散粒子の移動に機械的な可動部を必要とせず、機械的な耐久性を向上してシンチレーションを低減する分散液移動装置２００と、分散液移動装置２００に投射部２等を備えた表示装置１００とを提供する。 - 特許庁

An operation control device 210 carries out operation of separating each polarization of the stack 200 based on the power generating history of the fuel cell stored in the data log device 209 and an activation polarization deterioration database and a diffusion polarization deterioration database built in the operation control device 210.例文帳に追加

演算制御装置２１０は、データログ装置２０９に記憶した燃料電池の発電履歴と、演算制御装置２１０が内蔵する活性化分極劣化データベース及び拡散分極劣化データベースに基づいて、スタック２００の各分極を分離する演算を行う。 - 特許庁

To provide a contamination control device for preventing diffusion of contaminants leaking from a connecting part provided in a pipeline for transporting process gas or chemical, a contamination control system including the contamination control device, and a contamination control method of a clean room using the contamination control device.例文帳に追加

工程ガス又はケミカルを輸送するための配管に設けられた連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するための汚染制御装置と、その汚染制御装置を備える汚染管理システムと、汚染制御装置を用いた、クリーンルームの汚染制御方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a lamp annealing unit, which realizes the temperature rises or drops quickly so as to thermally diffuse impurities into an impurity diffusion region accurately and quickly in a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体装置における不純物拡散領の熱拡散などを迅速的確に行うために、ランプアニール装置の高速昇降温を実現する半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light guide plate capable of curtailing a diffusion sheet conventionally held between the light guide plate and a prism sheet in order to attain thinning of the device and cost reduction for processing and assembling in an edge light type plane lighting device such as a backlight for a liquid crystal display, and the plane lighting device using the light guide plate.例文帳に追加

液晶表示装置用バックライト等のエッジライト型面照明装置において、装置の薄型化と加工、組み立てコスト削減のため、従来導光板とプリズムシートの間に挟まれている拡散シートの削減を可能にする導光板および面照明装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁