「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The automatic photographic device has an illuminator 13 having a diffusion board 60, a vertically long camera unit 19 and a horizontally long light shielding board 66.例文帳に追加

本発明による自動写真撮影装置は、拡散板６０を有する照明装置１３と、縦長のカメラユニット１９と、横長の遮光板６６とを備える。 - 特許庁

The CDMA receiving/demodulating device has a constitution for performing the memory write processing, back diffusion processing and integration processing of received data in a unit time corresponding to one over the integer of one symbol.例文帳に追加

１シンボルの整数分の１を単位とする時間で、受信データのメモリ書込み処理、逆拡散処理及び積分処理を行う構成とする。 - 特許庁

To provide a surface light source device having a structure that damages are hard to be generated on a member supporting a diffusion plate, and that dust (rubbish, powder) or the like is hard to be generated.例文帳に追加

拡散板を支持する部材に損傷が発生し難く、しかも、ダスト（ゴミ、粉）等が発生し難い構造を有する面状光源装置を提供する。 - 特許庁

With these through holes, the gas permeability is enhanced, so that it is possible to improve significantly the energy efficiency of an electrochemical device which uses the gas- diffusion electrode.例文帳に追加

かかる貫通孔によりガス透過性が高められるので、これを用いた電気化学デバイスのエネルギー効率を大きく向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 10 comprises an n-type diffusion layer 17 between an insulating layer 15 formed on the surface of a trench 19 and an n-type semiconductor region 11.例文帳に追加

半導体素子１０は、トレンチ１９の表面に形成された絶縁層１５とＮ型半導体領域１１との間にＮ型拡散層１７を備える。 - 特許庁

A three-dimensional diffusion panel 1 composed of six transparent panels is disposed on an optical path of image light from the device 2 and is periodically moved in the depth direction.例文帳に追加

この装置２からの画像光の光路上に６枚の透明パネルからなる立体拡散パネル１を配置し、奥行き方向に周期的に移動させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing a parasitic capacity between two impurity diffusion regions having opposite conductive types mutually.例文帳に追加

相互に反対導電型を有する２つの不純物拡散領域の間の寄生容量を低減させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, for example, the MOS transistor, a p-type diffusion layer 5 as a back gate region is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層３には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and its manufacturing method by which leak between diffusion layers forming source and drain areas associated with miniaturization can be prevented.例文帳に追加

微細化に伴うソース、ドレイン領域となる拡散層間のリークを防止することのできる半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing impurity diffusion to a silicide layer, and for sufficiently transferring impurity in a silicon layer.例文帳に追加

シリサイド層への不純物拡散を抑制し、シリコン層中に不純物を十分行き渡ることのできる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device that can solve problems in the error diffusion method and control the gamma characteristics of an output image.例文帳に追加

誤差拡散法における問題点を解決することができ、かつ出力画像のγ特性の制御を行なうことができる画像作成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat transport device 100 of high airtightness can thereby be manufactured without increasing the total load F applied when diffusion-joined.例文帳に追加

これにより、拡散接合時に加えられる全体荷重Ｆを大きくすることなく、気密性の高い熱輸送デバイス１００を製造することができる。 - 特許庁

MICROLENS, OPTICAL PLATE, LIGHT DIFFUSION PLATE, LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT, SCREEN FOR PROJECTION, PROJECTION SYSTEM, ELECTROOPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MICROLENS例文帳に追加

マイクロレンズ、光学板、拡散板、導光板、バックライト、プロジェクション用スクリーン、プロジェクションシステム、電気光学装置および電子機器、並びにマイクロレンズの製造方法 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, in which a carbon-containing region is formed for preventing dopant diffusion during production of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造中にドーパントの拡散を防止するために、炭素含有領域が形成される半導体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique for applying a silicide layer to a diffusion layer on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated-circuit device having a logic and DRAMs.例文帳に追加

ロジックとＤＲＡＭとを備えた半導体集積回路装置において、半導体基板の拡散層にシリサイド層を適用することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid transport device having a piezoelectric actuator that suppresses diffusion of atoms of a base material to a drive portion of a piezoelectric layer.例文帳に追加

基材の原子が、圧電層の駆動部分に拡散するのを抑制する、圧電アクチュエータを有する液体移送装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This fluid motion analyzing device 1 is provided with an integral data calculating part 151 for integrating and calculating an advection term included in the non-steady advection diffusion equation.例文帳に追加

流体運動解析装置１に非定常移流拡散方程式に含まれる移流項を積分して計算する積分データ計算部１５１を設ける。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device contains a second conductivity-type first diffusion region tub formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor substrate sub.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、第１導電型の半導体基板ｓｕｂの表面に形成された第２導電型の第１拡散領域ｔｕｂを含む。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device capable of restraining an output from lowering owing to hydrogen diffusion of an undesired amount to a crystalline semiconductor.例文帳に追加

結晶系半導体への不所望な量の水素拡散に起因する出力の低下を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of luminance irregularities in the case of viewing from the front in a signal lamp device using a light emitting diode and also using a convex type diffusion lens.例文帳に追加

発光ダイオードを使用し、かつ凸型拡散レンズを使用する信号灯器において、前方から見た場合の輝度むらが発生しないようにする。 - 特許庁

When a certain area is judged to be image data, the image forming device uses an image processing method suited to image data such as an error diffusion method, a blue noise method or the like.例文帳に追加

また、ある領域が画像データと判別された場合、誤差拡散法、ブルーノイズ法などの画像データに適した画像処理方法を用いる。 - 特許庁

To provide a display device driving method capable of taking measures to EMI due to frequency diffusion and suppressing the generation of display defects.例文帳に追加

周波数拡散によるＥＭＩ対策を行うことができ、かつ表示不良の発生を抑えることができる表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor and an image forming device which perform error diffusion in consideration of scan deviation for image formation.例文帳に追加

画像形成時の走査ずれを考慮した誤差拡散を行うことができる画像処理装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A method of manufacturing an optical flat plate member includes a product molding process S200 of molding a light diffusion plate and a product inspection process S300 of inspecting an optical property of the light diffusion plate molded by the product molding process using an inspection device including an inspection light source and an imaging device on the basis of an evaluation criterion obtained in advance.例文帳に追加

光拡散板を成形する製品成形工程Ｓ２００と、製品成形工程により成形された光拡散板の光学特性を予め取得した評価基準に基づいて、検査用光源および撮像装置を備える検査装置を用いて検査する製品検査工程Ｓ３００とを備えている。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which satisfies both of eliminating moire and eliminating luminance unevenness by preventing both of the moire and the luminance unevenness generated when a surface is made a light-diffusive finely uneven surface to apply light diffusivity, while maintaining front surface luminance, and to provide a surface light source device using the light diffusion sheet and an image display device.例文帳に追加

正面輝度を維持しつつ光拡散性を付与する為に表面を光拡散性微凹凸面としたときに発生するモアレと輝度ムラとを共に防ぎ、モアレ解消と輝度ムラ解消とが両立する光拡散シートと、この光拡散シートを用いた面光源装置と画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor device for ensuring stability in device characteristics by suppressing device characteristic deterioration, with the passage of time, caused by diffusion of 1A base elements on a p/n bonding interface or p/i/n bonding interface.例文帳に追加

ｐ／ｎ接合界面又はｐ／ｉ／ｎ接合界面における１Ａ族元素の拡散による素子特性の経時的劣化を抑制し、素子特性の安定性を確保することを目的とした酸化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To easily enlarge the dynamic range of an output signal in a charge detecting device receiving a signal charge in a stray diffusion region formed on a semiconductor substrate 20 and outputting the output signal corresponding to the potential VFD of the stray diffusion region 22.例文帳に追加

半導体基板２０上に形成された浮遊拡散領域２２に信号電荷を受けて、その浮遊拡散領域２２の電位ＶＦＤに応じた出力信号を出力する電荷検出装置において、簡単に、出力信号のダイナミックレンジを広げること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a stable low on voltage characteristic, by activating a rear-surface diffusion layer and improving the front-surface concentration of the rear-surface diffusion layer so as to obtain satisfactory contact of prescribed injection efficiency and a rear-surface electrode.例文帳に追加

裏面拡散層の活性化を図り、かつ裏面拡散層の表面濃度を高くし、所定の注入効率と裏面電極との良好なコンタクトを得ることで、安定した低オン電圧特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrooptical device includes a laminated structure diffusion film 16a and a columnar structure diffusion film 16b on an external surface side of one substrate 10 of the pair of the substrates 10, 11 and a reflector 14 on the other substrate 11 of the pair of the substrates 10, 11.例文帳に追加

一対の基板１０，１１のうちの一方の基板１０の外面側に積層構造拡散フィルム１６ａ及び柱状構造拡散フィルム１６ｂが設けられ、一対の基板１０，１１のうちの他方の基板側１１に反射体１４が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A front surface side diffusion plate 101 is inclined at a +θ angle with respect to a center line 104 of the backlight device 100, which is the alignment center line of lamps 102, and a rear surface side diffusion plate 101 is inclined at a -θ angle with respect to the center line 104.例文帳に追加

前面側の拡散板１０１は、ランプ１０２の配列中心線であるバックライト装置１００の中心線１０４に対して＋θの傾きを有し、背面側の拡散板１０１は、中心線１０４に対して−θの傾きを有する。 - 特許庁

To provide a diffusion port device capable of generating efficiently an induced air current to enhance diffusion performance, by arranging properly guide vanes for generating a vortex flow, capable of exhibiting an air conditioning effect to the maximum, and capable of preventing surely dew from being condensed.例文帳に追加

旋回流を生じさせる案内羽根を適切な箇所に配置して、誘引気流を効率よく生じさせて拡散性能を向上させ、空気調和効果を最大限発揮できる上、結露の発生も確実に防止できる吹出口装置を提供する。 - 特許庁

The display device is configured such that a supporting surface 9c for supporting the edge of the diffusion plate 10 is formed at a lamp holder 9 for holding a fluorescent tube 8, and a plurality of ribs 90 are made contiguous with the supporting surface 9c to support the inner side of the edge of the diffusion plate 10 with the ribs 90.例文帳に追加

蛍光管８を保持するランプホルダ９に、拡散板１０の縁を支持する支持面９ｃを形成し、該支持面９ｃに複数のリブ９０を隣接させて、拡散板１０における縁の内側をリブ９０にて支持する構成とした。 - 特許庁

The collected soil in a field is irradiated with an infrared ray, using a diffusion reflection measuring instrument (soil diagnostic device 1), a converged diffusion reflection light is analyzed spectrally, and an effective element component amount in the soil is measured to be compared with the optimum effective element component amount.例文帳に追加

拡散反射測定装置（土壌診断装置１）を用いて、採取した圃場の土壌に赤外線を照射して、集められた拡散反射光をスペクトル分析して、土壌中の有効元素成分量を測定し、最適な有効元素成分量と比較する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

In a structure introducing sewage into the soil bed 4 surrounded by a water impermeable tank 8 to purify the same, an air diffusion pipe 7 to which an air pressure feed device or a water supply pump is connected is provided under a perforated sewage diffusion pipe 5 for introducing sewage along with a drain pipe 6, is provided.例文帳に追加

周囲を不透水性槽で囲んだ土壌層に汚水を導入して浄化させる構造において、汚水を導入するための有孔汚水散水管より下方に、排水管と共に空気圧送装置や給水ポンプを連結した散気管を設ける。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁