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diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2294件
To enhance maintainability of a sub-tank, while minimizing atmospheric diffusion of evaporated fuel from an installation part of the sub-tank of an evaporated fuel release restraining device.例文帳に追加
蒸発燃料放出抑制装置のサブタンクの取付部からの蒸発燃料の大気放散を最小限に抑えながら、サブタンクのメンテナンス性を高める。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of high reliability by surely suppressing source/drain lateral direction diffusion so as to satisfy requirements of further micronization and high performance.例文帳に追加
ソース/ドレインの横方向拡散を確実に抑止し、更なる微細化及び高性能化の要請を満たし、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁
Also, the side light type back light device which is extremely high in luminance and hardly gives rise to the luminance unevenness can be obtained by applying a diffusion layer on the polymer film.例文帳に追加
また、高分子フィルム上に拡散層を塗布して、輝度が極めて高く輝度ムラが発生し難いサイドライト型バックライト装置を得ることが出来る。 - 特許庁
To remove reset noise according to a small signal and a large signal by providing a plurality of floating diffusion parts in a CMOS solid state imaging device.例文帳に追加
CMOS固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor wafer and a highly reliable light-emitting device which suppress deterioration in the output of light emission based on the diffusion of an impurity to an active layer.例文帳に追加
活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a structure that prevents the generation of color mixture in a solid-state imaging device where the depth of an n-type diffusion layer that serves as a light-receiving region for each color is changed.例文帳に追加
色毎に受光領域となるn型拡散層の深さを変化させた固体撮像装置において、混色の発生を防止した構造を提供する。 - 特許庁
A detection part 101 of the air/fuel ratio-detecting device is provided with a zirconia solid electrolyte 102, an atmosphere-side electrode 104, an exhaust-side electrode 105, and a diffusion resistor 106.例文帳に追加
検出部101は、ジルコニア固体電解質102、大気側電極104、排気側電極105、拡散抵抗体106を備える。 - 特許庁
The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加
実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第1導電型の第1、第2不純物拡散層206-10,206-12と、第1、第2トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing diffusion to the interlayer insulating film of a wiring material, such as a barrier metal and Cu.例文帳に追加
バリアメタルやCuなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a vaporized fuel processing device capable of securely restricting diffusion of vaporized fuel and fuel components into atmospheric air.例文帳に追加
蒸発燃料及び燃料成分が大気に拡散してしまうのを確実に抑制することのできる蒸発燃料処理装置の提供を図る。 - 特許庁
To reduce a leakage current in a floating diffusion region and variations in the amount of leakage current between pixels in a CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加
CMOS固体撮像装置において、フローティングディフージョン領域のリーク電流を少なく、かつ画素間のリーク電流量ばらつきを少なくする。 - 特許庁
In the method of forming a display device, a base insulating layer is provided on a substrate, and a first copper diffusion-preventing layer is provided on the layer along a wiring pattern.例文帳に追加
表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第1の銅拡散防止層を設ける。 - 特許庁
To improve efficiency of charge transfer from a charge holding part to an FD (floating diffusion) in a solid-state imaging device having the charge holding part in a pixel.例文帳に追加
画素内に電荷保持部を有する固体撮像装置において、電荷保持部からFDへの電荷転送効率を向上させることを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which suppresses the diffusion of p-type impurities into adjacent semiconductor crystal layers and in turn has good and stable characteristics.例文帳に追加
p型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.例文帳に追加
消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a planar lighting device of side light type having a light guide plate which has diffusion action of emission light and is improved in blemish-proof.例文帳に追加
出射光の拡散作用を有すると共に、耐傷付き性を向上させた導光板を有するサイドライト型の面状照明装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a phase transition memory device capable of preventing a decrease of a reading speed caused by an influence of a capacity of a diffusion layer while arranging phase transition elements in high density.例文帳に追加
相変化素子を高密度に配置しつつ拡散層容量の影響による読み出し速度の低下を防止可能な相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To manufacture a semiconductor device including low resistance n-type diffusion region in germanium or silicon germanium containing 20% germanium and higher.例文帳に追加
ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が20%以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のn型拡散領域を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor device improved in electrical and optical characteristics by enhancing current diffusion effect and giving surface roughness.例文帳に追加
電流拡散効果を改善し、さらに表面粗さを与えることにより、電気的、光学的特性が向上した窒化物半導体素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加
配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
This light source device uses a semiconductor laser 1 having a small diffusion of emitted light and exhibiting a large speckle amount, and is applied to IrDA1.1.例文帳に追加
光源装置は、出射光の拡散程度が小さく大きなスペックル量を呈する半導体レーザ1を用いており、IrDA1.1に適用される。 - 特許庁
To provide an exhaust gas treatment device and an exhaust gas treatment method capable of suppressing the re-diffusion of mercury dissolved in an absorbing liquid of a lime-gypsum method.例文帳に追加
石灰石膏法の吸収液中に溶解した水銀の再放散を抑制することができる排ガス処理装置及び排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide an error diffusion processing circuit for a display device by which data appearance starting position is never displaced when signals in a specific fixed pattern are inputted.例文帳に追加
特定の固定パターンの信号が入力された場合に、データ出現開始位置がずれることがない表示装置の誤差拡散処理回路を提供する。 - 特許庁
To provide an optical device having a novel structure to be suitably used for a directional diffusion film by a process simpler than a conventional one.例文帳に追加
従来よりも簡便なプロセスによって、指向性拡散フィルムに好適に使用することのできる新規な構造を有する光学素子を提供する。 - 特許庁
To provide alternative techniques for maximizing light diffusion from a back plane in a display device and/or reducing glare from such a plane.例文帳に追加
ディスプレイ装置のバックプレーンにおける光拡散を最大化し、及び/又はこのような表面からのグレアを低減するための代替となる手法を提供すること。 - 特許庁
To form a film for preventing diffusion of solder at a low cost, and to provide a reliable wiring board or semiconductor device.例文帳に追加
本発明の目的は、はんだの拡散を防止する膜を低コストで形成し、信頼性の高い配線基板または半導体装置を提供することである。 - 特許庁
To form a light distribution pattern P4 for visually recognizing a pedestrian on an opposite lane side while avoiding darkening of a diffusion light distribution pattern P2 and an increase in cost of a whole device.例文帳に追加
拡散配光パターンP2が暗くなること及び装置全体のコストアップを回避しつつ、対向車線側歩行者視認用配光パターンP4を形成する。 - 特許庁
The diffusion layer is formed on the active matrix device structure and has a plurality of projected bumps having a variety of film thickness, a variety of height and shapes.例文帳に追加
拡散層はアクティブマトリクスデバイス構造の上に形成されて各種フィルム厚及び各種高度及び形状を有する突出する複数のバンプを有する。 - 特許庁
To raise the selecting ratio of a diffusion prevention film/low dielectric constant film when an LSI device structure having a Cu wiring and a low dielectric constant film is etched.例文帳に追加
Cu配線と低誘電率膜とで構成されるLSIデバイス構造をエッチングする際、拡散防止膜/低誘電率膜の選択比を高める。 - 特許庁
To suppress increase of wire resistance by a barrier film while securing a function as a diffusion barrier of the barrier film, in wiring of a semiconductor device or a circuit board.例文帳に追加
半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する - 特許庁
To accelerate data transform processing such as ciphering/deciphering and data diffusion by configuring the device to perform a plurality of sub- transform processing in parallel.例文帳に追加
複数の副変換処理を並列で行えるように構成して、暗号化・復号化及びデータ拡散等のデータ変換処理の高速化を目的とする。 - 特許庁
To provide a power source device in which further improvement of efficiency and cost reduction in a power source circuit and an inverter circuit are achieved to meet a rapid diffusion and expansion of a liquid crystal TV.例文帳に追加
液晶テレビの急速な普及拡大に伴い電源回路、インバータ回路の更なる効率改善とコスト低減が求められている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor device in which generation of a junction leak current is suppressed by suppressing diffusion of metal.例文帳に追加
金属の拡散を抑えることによって、接合リーク電流の発生を抑制するとともに信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a light source device that allows a light source to have a light diffusion effect easily and can improve work environment for manufacturing lamps at low cost.例文帳に追加
光源に光拡散効果を簡単に持たせることができる低コストでランプ製造上の作業環境を改善する光源装置を提供する。 - 特許庁
IMPURITY DIFFUSION METHOD IN SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, IMPURITY DIFFUSING DEVICE FOR USE THEREIN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM例文帳に追加
半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子 - 特許庁
To provide a diffusion sheet capable of suppressing hue shifting by a visual angle peculiar to a liquid crystal panel in a liquid crystal display device.例文帳に追加
液晶ディスプレイ装置における液晶パネル固有の視角による色相シフトを抑制することができる拡散シートを提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of lowering the contact resistance of a gate diffusion layer and a gate electrode and realizing a high- speed operation, and a manufacturing method.例文帳に追加
ゲート拡散層とゲート電極との接触抵抗が低くて高速な動作を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
This cushioning device maintains the initially inflating pressure for an extended period of time by employing a phenomenon referred to in the industry as diffusion pumping.例文帳に追加
このクッション装置は拡散注入と称する現象を用いることにより延長された期間にわたって、初期のふくらんだ状態の圧力を維持する。 - 特許庁
The automatic photographic device has an illuminator 13 having a diffusion board 60, a vertically long camera unit 19 and a horizontally long light shielding board 66.例文帳に追加
本発明による自動写真撮影装置は、拡散板60を有する照明装置13と、縦長のカメラユニット19と、横長の遮光板66とを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein a gap between a plurality of adjacent guard ring diffusion layers is narrowed and a breakdown voltage at a terminating part is increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
複数の隣り合うガードリング拡散層間の間隔を狭め、終端部における耐圧を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a treatment device and a treatment method for a to-be-treated object capable of suppressing the diffusion of gas from liquid without sealing the liquid.例文帳に追加
液体を密閉することなく液体からの気体の気散を抑制することが可能な被処理物の処理装置及び処理方法を提供する。 - 特許庁
The CDMA receiving/demodulating device has a constitution for performing the memory write processing, back diffusion processing and integration processing of received data in a unit time corresponding to one over the integer of one symbol.例文帳に追加
1シンボルの整数分の1を単位とする時間で、受信データのメモリ書込み処理、逆拡散処理及び積分処理を行う構成とする。 - 特許庁
To provide a surface light source device having a structure that damages are hard to be generated on a member supporting a diffusion plate, and that dust (rubbish, powder) or the like is hard to be generated.例文帳に追加
拡散板を支持する部材に損傷が発生し難く、しかも、ダスト(ゴミ、粉)等が発生し難い構造を有する面状光源装置を提供する。 - 特許庁
With these through holes, the gas permeability is enhanced, so that it is possible to improve significantly the energy efficiency of an electrochemical device which uses the gas- diffusion electrode.例文帳に追加
かかる貫通孔によりガス透過性が高められるので、これを用いた電気化学デバイスのエネルギー効率を大きく向上させることが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
By altering the distance between the third and fourth high concentration diffusion regions, the breakdown voltage of the ESD protection device is adjusted.例文帳に追加
そのうち、第三及び第四高濃度拡散区は相互に分かれ、第三と第四拡散区の距離を変え、静電防護装置の崩壊電圧を調整する。 - 特許庁
To make a semiconductor device finer, and suppress a current leak in a common contact connecting a gate electrode and an impurity diffusion area.例文帳に追加
半導体装置を微細化するとともに、ゲート電極と不純物拡散領域とを接続する共通コンタクトにおける電流リークを抑制する。 - 特許庁
To form a diffusion prevention layer of copper with a material which does not cause a decrease in the performance of a resistance change type semiconductor storage device.例文帳に追加
本発明は、抵抗変化型の半導体記憶装置の性能低下を引き起こさない材料で銅の拡散防止層が形成されることを可能にする。 - 特許庁
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