「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an impurity diffusion method, capable of stable etching having reproducibility, to reduce waveguide losses and to improve manufacturing yield and reliability, in a semiconductor laser device having an end surface window structure.例文帳に追加

端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The display can be observed with both of illumination light by built-in illumination and external illumination, and the device is provided with a diffusion body partly or wholly consisting of a diffraction element which diffuses the illumination light.例文帳に追加

内蔵照明と外光照明双方の照明光で観察可能なディスプレイであって、その照明光を拡散させる一部もしくは全部が回折要素からなる拡散体を設けたことを特徴とするディスプレイ装置である。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device.例文帳に追加

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate need for etching of high melting point metal and to prevent deterioration in short-channel characteristics caused by diffusion of source and drain when a high melting point metal gate electrode is formed in a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、高融点金属ゲート電極を形成するに際し、高融点金属のエッチングを不要とし、また、ソース及びドレインが拡散して短チャネル特性を劣化させることがないようにする。 - 特許庁

To provide a substrate for a display which can prevent abnormal operation of the device due to thermal diffusion of movable ions and prevent decrease in the life of the element due to electrification of the substrate even when the substrate is manufactured in a high temperature manufacture process.例文帳に追加

高温製造プロセスで製造される場合であっても、可動イオンの熱拡散による素子の動作異常を防止し、且つ基板の帯電による素子寿命の低下を防止することができるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a sea pollution diffusion preventing method and device capable of effectively preventing, with reduced labor, aquatic organisms from sticking to a float and a shielding member connected to the float and sunk in the sea.例文帳に追加

フロートおよびこのフロートに連結されて海中に没している遮蔽部材に水棲生物が付着するのを、軽減された労力の下に有効に防止することのできる海洋汚濁拡散防止方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To crystallize with a minute amount of a sample using a gel counter diffusion method, and to mount a crystal producing instrument as it is without taking out crystal to the sample holder of an X-ray diffraction device.例文帳に追加

ゲル・カウンタ・ディフュージョン法を用いて微量のサンプルで結晶化を実施できて、かつ、結晶を取り出すことなく結晶作製器具をそのままの状態でＸ線回折装置の試料ホルダーに取り付けることができるようにする。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for forming an electrode member of a fuel cell, which reduces the manufacturing cost of a catalyst layer and a gas diffusion layer as an electrode member without requiring preparation of ink and solvent.例文帳に追加

インクの調製や溶剤を必要とせず、電極用部材としての触媒層およびガス拡散層の製造コストを低減することができる、燃料電池の電極用部材の形成方法、および形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of diffusion capable of uniformly forming a second conductive semiconductor layer for a great amount of crystal silicon particles and further to provide a photoelectric conversion device at low cost having high performance and high reliability.例文帳に追加

大量の結晶シリコン粒子に対して均一に第２の導電型の半導体層を形成することのできる拡散方法を提供し、さらに低コストかつ高性能で信頼性の高い光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure, where a silicon diffusion layer 3 having a silicide layer 6 on its surface and a polysilicon doped with impurities are connected together, wherein only a part of the silicide layer 6 directly under a contact hole is removed in a self-aligned manner.例文帳に追加

シリサイド層６を表面に持つシリコンの拡散層３と不純物がドープされたポリシリコンとを接続した構造を有する半導体装置において、シリサイド層６のコンタクト孔１２の直下のみが自己整合的に除去される。 - 特許庁

To extend the lifetime of an adsorbent by improving purge characteristics of the adsorbent in a power generating device provided with the adsorbent preventing diffusion of evaporating fuel to atmospheric air by adsorbing the evaporating fuel from the inside of a combustion tank.例文帳に追加

燃焼タンク内からの蒸発燃料を吸着して、大気への拡散を防止する吸着剤を備えた発電装置において、吸着剤のパージ特性を向上させ、この吸着剤の寿命を向上させるようにする。 - 特許庁

To provide methods for manufacturing and evaluating a semiconductor device, that improves the coherence between metal wiring such as Cu and a Cu diffusion preventing, film such as SiN and SiC films formed by CVD.例文帳に追加

Ｃｕなどの金属配線とＣＶＤにより形成されたＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜などのＣｕ拡散防止膜との密着性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light guide plate for planer light source device, in which the ratio of a light diffusion pattern to the other rough surface part can be easily adjusted even if the plate thickness of the light guide plate is reduced, and uniform planar lighting can be performed.例文帳に追加

導光板の板厚を薄くしても、光拡散パターンとその他の粗面部との比率の調整が容易にでき、均一な面照明を可能にする面光源装置用の導光板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured by a simple manufacturing method, capable of preventing a contact plug from becoming a high resistance, and causing no diffusion of constituting materials of the contact plug into a source-drain region.例文帳に追加

本発明は、コンタクトプラグの高抵抗化を抑制することができ、また当該コンタクトプラグの構成材料のソース・ドレイン領域への拡散が起こらず、かつ簡略な製造プロセスにより作製可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lighting device is provided with at least one or more light sources (1), a light source substrate (2) mounted with the light sources, and a cover member (5) which covers the surrounding of a light-irradiating part of the light source and has translucency and a light diffusion property.例文帳に追加

本発明に係る照明装置は、少なくとも一つ以上の光源(1)と、該光源を実装する光源基板(2)と、該光源の出光部の周囲を覆い、かつ透光性及び光拡散性を有するカバー部材(5)とを備えている。 - 特許庁

To solve the problems that work is complicated and errors are liable to occur when mounting an optical component such as a diffusion lens or the like for improving the light distribution characteristics of a light-emitting element, with respect to light sources such as a direct LED backlight and a lighting device.例文帳に追加

直下型ＬＥＤバックライトや照明装置等における光源において、発光素子の配光特性を改善するために拡散レンズ等の光学部材を取り付ける場合、作業が煩雑であり、誤差が発生し易い。 - 特許庁

In a printing quality inspection device, if a to-be-printed member is a vapor deposition sheet 2A, light radiated from a light source 22 and reflected at a reflection point 24a of a diffusion reflection plate 24 irradiates an inspection point 2a, and enters a camera 23 through an incident route 32.例文帳に追加

被印刷部材が蒸着紙２Ａの場合は、光源２２から出射され、拡散反射板２４の反射点２４ａで反射した光が被検査点２ａに照射された後、入射経路３２を経てカメラ２３に入射する。 - 特許庁

To provide a pattern defect detection device that detects a fluorescent image, a diffusion light image, and a reflection light image of a substrate formed by laminating dry films so as to easily detect various defects occurring in an exposure process.例文帳に追加

ドライフィルムが積層された基板の蛍光イメージと散乱光イメージ、そして反射光イメージをさらに検出して、露光工程で発生する様々な欠陥を容易に検出できるようにしたパターン欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

To prevent blooming of the readout gate section of a solid-state image pickup device, in which an impurity region for potential barrier is formed in the deep portion of a photodiode section, by suppressing the influence of thermal diffusion in the impurity region on the adjacent readout gate section.例文帳に追加

フォトダイオード部の深部にポテンシャルバリア用の不純物領域を形成する固体撮像装置において、不純物領域の熱拡散が隣接する読み出しゲート部に及ぶことを抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which a plurality of pixel cells are arranged in the line direction or the column direction, each pixel cell includes: a photoelectric conversion part; a transfer transistor; a floating diffusion part; a source follower transistor; a selection transistor; and a rest transistor.例文帳に追加

複数の画素セルを行方向または列方向に並べた固体撮像素子において、各画素セルは、光電変換部と、転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部と、ソースフォロアトランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタとを備える。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises second Cu wiring 105 provided on the first barrier insulating film 103 and a second barrier insulating film 106 that is provided on the second Cu wiring 105 and prevents diffusion of Cu from the second Cu wiring 105.例文帳に追加

また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a floating gate semiconductor storage device which operates fast with a low voltage and its manufacturing method by decreasing the resistance of a bit line by shortening the total distance of a buried diffusion layer in the bit-line direction.例文帳に追加

ビットライン方向の埋め込み拡散層の総延長距離を短縮して、ビットラインの電気抵抗を低減することにより、高速、低電圧で動作するフローティングゲート型半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring with which unit cost of production is reduced and device characteristics are improved by reducing steps of forming a barrier film for copper diffusion in forming copper (Cu) wiring with a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、デュアルダマシン(Dual Damascene)工程で銅(Cu)配線形成時、銅の拡散防止膜の製造工程を減らすことにより生産単価を減らし、デバイスの特性を改善させる金属配線形成方法の提供を目的とする - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a recess structure with a gate electrode made of Ti, Pt and Au, and suppresses diffusion of Pt or Au on Ti into an AlGaAs layer on a surface of an element region.例文帳に追加

Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕからなるゲート電極を有するリセス構造を有し、Ｔｉ上のＰｔ若しくはＡｕが、素子領域表面のＡｌＧａＡｓ層に拡散することを抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simultaneously prevent a crosstalk between pixels in a solid-state image sensing device owing to reflection (cause (I)) on the surface of a semiconductor chip or on metal wirings arranged on the outside of the surface, and owing to lateral diffusion (cause (II)).例文帳に追加

固体撮像素子において、半導体チップ表面、又は表面の外側の金属配線での反射に起因する画素間のクロストーク（原因（Ｉ））と、横方向拡散（原因（ＩＩ））に起因する画素間クロストークを同時に防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-breakdown voltage semiconductor device, which can avoid increase in a junction leakage, due to a damaged region generated on a semiconductor substrate at the formation of an LDD low-concentration impurity diffusion structure in the case where an offset region is provided.例文帳に追加

オフセット領域を設ける場合、ＬＤＤ構造を形成する際に半導体基板に生成するダメージ領域に起因して接合リークが増加することを回避できる高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a ventilation method for tunnel work and ventilation device for tunnel work capable of minimizing the diffusion area of dust in the vicinity of a working face as much as possible and enhancing the suction efficiency of the dust.例文帳に追加

切羽近傍における粉塵の拡散領域を極力小さくするとともに、前記粉塵の吸引効率を高めることの可能なトンネル工事における換気方法およびトンネル工事用換気装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces the occurrence of junction leakage and reduces the resistor of a silicide layer, and to provide a manufacturing method therefor, by suppressing the penetration of a spike and a contact of the silicide layer formed on a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層に形成されるシリサイド層のスパイクやコンタクトの突き抜けを抑制して、接合リークの発生を低減するとともに、シリサイド層を低抵抗化した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１１において、ソース・ドレイン領域１５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層１８に達して形成される。 - 特許庁

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure.例文帳に追加

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル／窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにＰ＋拡散領域１１２ を形成した。 - 特許庁

Therefore, the emitter diffusion layer 5 is a shallow junction and the impurity concentration of an emitter becomes high, thereby realizing a high-performance semiconductor device which simultaneously obtains a high current amplification factor without reducing an early voltage or emitter-collector voltage resistance.例文帳に追加

従って、エミッタ拡散層５は浅い接合で、且つエミッタの不純物濃度は高くなるので、アーリー電圧やエミッタ・コレクタ耐圧を低下させることなく、同時に高い電流増幅率を得る高性能な半導体装置を実現できる。 - 特許庁

To provide a transparent electrode for a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device in which ohmic contact and current diffusion are good and the bonding strength of a bonding pad is large.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。 - 特許庁

To provide a device having a light diffusion sheet capable of preventing formation of images of light emitting diodes while preventing degradation in illuminance over the entire part of a liquid crystal screen and suppressing a manufacturing cost and a light source.例文帳に追加

液晶画面の全体にわたった照度の低下を防ぎつつ、発光ダイオードのイメージが生ずることを防ぐとともに、製造コストを抑えることも可能な光拡散シートおよび光源を備える装置を提供することである。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for controlling dispersion of ion implantation and diffusion of dopant in an field effect transistor(FET) with a shallow junction that reduces a short-channel effect, and provide a device in this method.例文帳に追加

短チャンネル効果を軽減するため浅い接合深さを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）におけるイオン注入散在およびドーパント拡散を制御する方法およびその方法を使用して製作されるデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which a contact can be made easily in a diffusion layer located between gate electrodes of relatively narrow interval without short-circuiting the gate electrode even when a salicide process is employed.例文帳に追加

サリサイドプロセスを用いた場合でも、ゲート電極とショートすることなく、比較的間隔の狭いゲート電極の相互間に位置する拡散層に容易にコンタクトをとることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a system like this, laser equipment having a proper pulse frequency and wavelength is selected and an irradiation system or diffusion system using a slit is used to effectively repair a pixel defect of the display device.例文帳に追加

このような方式で、適切なパルス周波数及び波長を有するレーザ装備を選択し、スリットを使用した照射方式または拡散方式を使用することによって、表示装置の画素不良を効果的に修理することができる。 - 特許庁

To provide a technology can raising heat radiation performance of heat emitted from a light-emitting element and improving diffusion of light emitted from the light-emitting element, with a simple structure without causing the liquid crystal display device large in size.例文帳に追加

液晶表示装置の大型化を招くことなく、簡易な構成で、発光素子から発せられた熱の放熱性を高めるとともに発光素子から発せられた光の拡散性を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a protective method and a protective device for an alkali chloride electrolytic cell, which is capable of securing the high performance of the electrolytic cell of its own through a long period by preventing the degradation of a gas diffusion electrode and the corrosion of an cathode chamber in the period of stoppage.例文帳に追加

停止中のガス拡散陰極の劣化及び陰極室の腐食を防止し、これによって電解槽本来の高い性能を長期にわたって維持できる塩化アルカリ電解槽の保護方法及び保護装置を提供する。 - 特許庁