「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device containing a composite thin film, wherein chemical stability is obtained in any semiconductor device, diffusion or the like is not generated to any element constituting various kinds of thin films arranged vertically in a laminated structure, and application to a protective film or a charge preventing film of semiconductor is possible, and a manufacturing method of a semiconductor device using the composite thin film.例文帳に追加

本発明は、何れの半導体装置においても化学的に安定で、その積層構造において上下に配設される種々の薄膜を構成する何れの元素に対しても拡散等が起きることがない、半導体の保護膜又は帯電防止膜として用い得る複合薄膜を含む半導体装置及び、該複合薄膜を利用する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a signal converting device that is suitably constituted as a solid-state imaging element including a floating diffusion amplifier formed of an FD region, assuring small capacity and higher charge-voltage converting efficiency as a signal charge detecting means; and to provide a method for manufacturing the same device ensuring higher productivity and manufacturing yield, and a signal measuring system using the same signal converting device.例文帳に追加

信号電荷検出手段として、容量が小さく、電荷−電圧変換効率の高いＦＤ領域からなるフローティングディフュージョン増幅器を備え、固体撮像素子などとして構成されるに好適な信号変換装置、及び生産性および製造歩留まりに優れたその製造方法、並びにその信号変換装置を用いた信号計測システムを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

To provide an optical branching element which is capable of suppressing diffusion of branched signal light and also reducing polarization dependency of an optical element for receiving the branched signal light, and to provide an optical branching element unit, an optical branching device, and a wavelength multiplex optical transmission sytem.例文帳に追加

分岐した信号光の拡散を抑制できると共に、分岐した信号光を受光する光学素子の偏波依存性を低減することができる光分岐素子、光分岐素子ユニット、光分岐デバイスおよび波長多重光伝送システムを提供すること。 - 特許庁

An air diffusion device includes a pipe part formed with a gas flow passage thereinside, and extending from a first position to a second position not overlapping the first position when viewing a state that the pipe part is incorporated in a wastewater treatment apparatus downward from above.例文帳に追加

散気装置は、ガス流路を内部に形成するパイプ部であって、排水処理装置に組み込まれた状態を上方から下方に向かって見た場合に、第１の位置から、第１の位置とは重ならない第２の位置まで延びる部分であるパイプ部を備える。 - 特許庁

To provide a picture display device permitting to perform accurate adjustment and confirmation of a black level and a gain and those of the white balance independently of each other while watching the screen, and permitting to perform accurate error diffusion processing even if the white balance is adjusted.例文帳に追加

黒レベル及びゲインの調整・確認と白バランスの調整・確認とを互いに独立して画面を見ながら正確に調整することができ、白バランスを調整しても、正確な誤差拡散処理を行うことができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The drain diffusion regions 20a and 20b are enhanced in resistance/cm2 by injection of reverse conductivity impurities, so that a semiconductor integrated circuit device of this constitution can be protected against electrostatic breakdown even if a distance L' between a transistor gate 20c and a substrate contact 28 is lessened.例文帳に追加

ドレイン拡散領域２０ａ，２２ａでは、逆導電型の不純物を注入することによって単位面積当たりの抵抗値が増大されているので、トランジスタゲート２０ｃ、基板コンタクト２８間の距離Ｌ’を小さくしても、静電破壊防止を図ることができる。 - 特許庁

To provide an insulating film material whose dielectric constant is low, whose heat resistance is high and which is superior in barrier property against the diffusion of CU on an organic insulating film material, the manufacturing method, the forming method of an organic insulating film, and a semiconductor device where the organic insulating film is installed.例文帳に追加

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Ｃｕの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。 - 特許庁

To reduce the luminance unevenness of illumination light passing through a display unit while suppressing the degradation in the luminance in a display device equipped with the display unit, a light source for transmissively illuminating the same, and a diffusion plate for transmissively illuminating the display unit by uniformizing the light from the light source.例文帳に追加

表示器と、これを透過照明する光源と、光源からの光を均一化して表示器を透過照明させる拡散板とを備える表示装置において、表示器を透過する照明光の輝度の低下を抑えつつ、その輝度ムラを低減させる。 - 特許庁

To restrain generation of a moire without damaging display quality, in a direct-view type liquid crystal display device in which a light diffusion layer having a stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction is provided on an observer side of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.例文帳に追加

トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical function film preventing separation caused by defective bonding or deterioration caused by diffusion of moisture, and a method of manufacturing the same; and to provide a display device restraining degradation of brightness by a view angle and color change therein, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接着不良による剥離または水分拡散による劣化を抑えることが可能な光学機能膜およびその製造方法、並びに視野角による輝度低下、色変化を抑えることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a liquid crystal cell; a polarizing plate arranged on both sides of the liquid crystal cell; an optical diffusion element disposed on the outside of the polarizing plate of the viewing side; and a backlight unit disposed on the outside of the polarizing plate of the side opposite to the viewing side.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、液晶セルと、該液晶セルの両側に配置された偏光板と、視認側の偏光板の外側に設けられた光拡散素子と、視認側と反対側の偏光板の外側に設けられたバックライトユニットと、を備える。 - 特許庁

The movable performance device 100 rotates the rotary movable body 130 to vary a relationship between light diffusion structure formed in the rotary movable body 130 and the LEDs 104, and hence diffuses light emitted from the LEDs 104 intricately.例文帳に追加

可動演出装置１００は、回転可動体１３０を回転することで、該回転可動体１３０に形成された光拡散構造とＬＥＤ１０４との関係を変動し、これによりＬＥＤ１０４から照射した光を複雑に拡散するようになっている。 - 特許庁

To provide a volatile agent diffusion device which has a low cost simple structure not using a fan and the like, does not require the maintenance of battery exchange and the like, and has a sufficient effect diffusing a volatile agent in air without especially enhancing the vapor pressure of the volatile agent.例文帳に追加

ファン等を設けることなく簡単な構造で低コスト化を図り、かつ、電池交換等のメンテナンスも不要にし、しかも、揮発性剤の蒸気圧を特別に高めることなく、揮発性剤の空気中への拡散効果を十分に得ることができるようにする。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

The optical device includes: an optical propagation element having a waveguide for propagating a light and a first diffraction grating for optically coupling a light with the waveguide, and a diffusion means for widening a luminous flux of a light made incident on the first diffraction grating to diffuse the light.例文帳に追加

光を伝搬する導波路と、光を該導波路に光結合する第１の回折格子とを備えた光伝搬素子を有する光学装置において、前記第１の回折格子に入射する光の光束を広げ発散状態とする発散手段を有する。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加

従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

The lighting system of the present invention is constructed by attaching many fluorescent lamps on a surface of a ceiling and covering them with the illumination cover made by stretching the light diffusion sheet on a frame, wherein the lighting device is characterized in that a reflector which reflects light irregularly is disposed on the surface of the ceiling.例文帳に追加

本発明の照明装置は、天井面に多数の蛍光管を取り付け、該蛍光管を枠体に光拡散シートを張った照明カバーで覆った照明装置において、天井面に光を乱反射させる反射材を設けることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a method and device for processing images by which superior high-quality halftone-processed image can be obtained at a high speed, with an extremely simple constitution by improving the problem of image quality deterioration at uniform density time, which tends to occur when the error diffusion method is applied.例文帳に追加

誤差拡散法を適用した際に生じ易い均一濃度時の画質劣化問題を改善し、優れた高画質な中間調処理画像を高速に、しかも極めて簡単な構成によって得られる画像処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An irradiation part of an optical detection unit provided to a head unit to a surface mounting device comprises a light source 40 and an optical system member 41 which makes a diffusion light emitted from the light source 40 into a parallel light beam of a specified width which heads for a light receiving part.例文帳に追加

表面実装機のヘッドユニットに装備される光学的検知ユニットの照射部に、光源４０と、この光源４０から照射される拡散光を受光部に向かう所定幅の平行光線にする光学系部材４１とが設けられている。 - 特許庁

An electronic device 1 includes a case 2, a light source 31 arranged inside the case 2, the curved light guide 32 mounted on the surface of the case 2, and a light diffusion section 50 for covering the curved light guide 32 at an outer side of the case 2.例文帳に追加

電子機器１は、筐体２と、筐体２の内側に設けられた光源３１と、筐体２の表面に取り付けられた曲線状導光体３２と、筐体２の外側において曲線状導光体３２を覆った光拡散部５０と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a contact plug for connecting the source-drain of a transistor with an interconnection by polysilicon in which junction leak current can be reduced, especially, by reducing defects remaining in a diffusion layer.例文帳に追加

本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel printer, printing program, printing method, image processing apparatus, image processing program, image processing method, recording medium with the programs recorded thereon, and display device in which trouble peculiar for error diffusion processing can be effectively and easily canceled.例文帳に追加

誤差拡散処理特有の不都合を効果的、且つ容易に解消することができる新規な印刷装置、印刷プログラム、印刷方法および画像処理装置、画像処理プログラム、画像処理方法並びに前記プログラムを記録した記録媒体、表示装置の提供。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device at least having a portion of capacitor electrodes 14, 16 or an information memory part above a gate electrode 5, a MISFET has at least one first plug 9 respectively connected to each of source/drain diffusion layers 7.例文帳に追加

ゲート電極５より上方に少なくともキャパシタ電極１４，１６または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層７に接続する少なくとも１つずつの第１のプラグ９を有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of which an abrasive trace is formed on a surface; and a part of a dopant diffusion region that extends along the abrasive trace, forming an angle to the abrasive trace within a range of -5° to +5°.例文帳に追加

半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−５°〜＋５°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting device that does not need alloying heat treatment under electron radiation, high temperature annealing or oxygen atmosphere, and has proper translucency and low contact resistance, being superior in diffusion of electric current.例文帳に追加

電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluid motion analyzing device capable of stably and easily analyzing the fluid motion even when an hardly analyzable item instable in analysis is included in a non-steady advection diffusion equation under a specific condition.例文帳に追加

特定条件下、非定常移流拡散方程式内に解析を困難とする解析不安定性を示す項がある場合であっても、流体運動の解析を安定かつ簡易に行うことができる流体運動解析装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To control diffusion of wiring metal on an electron emission element film (dielectric thin film) of wiring metal and electron emission part causing deterioration of electron emission characteristics in an electron source substrate used as a electron beam source of a large screen flat type image forming device.例文帳に追加

大画面の平面型の画像形成装置の電子ビーム源として用いられる電子源基板において、電子放出特性の劣化の原因となる配線金属の電子放出素子膜（導電性薄膜）上及び電子放出部上への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a copper oxide is sufficiently removed from copper wiring and an insulating film for preventing the diffusion of a water content and Cu can be made of a low-dielectric-constant insulating material, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a drain drift region including a RESURF region formed on a semiconductor substrate, the drain drift region and/or the RESURF region having a diffusion region having a lower surface in a wave shape in a gate width direction.例文帳に追加

半導体基板上に形成したリサーフ領域を含むドレインドリフト領域を備える半導体装置であり、ドレインドリフト領域及び／又はリサーフ領域がゲート幅方向に波型（ウェーブ）状の下面形状の拡散領域を有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu buried wiring of low contact resistance and which is applied to a logic system LSI requiring high speed operation by forming a Cu diffusion preventing barrier metal of low resistance before a wiring connecting hole and a wiring groove are filled with Cu.例文帳に追加

配線接続用ホールおよび配線溝にＣｕを埋め込む前に低抵抗のＣｕ拡散防止用バリアメタルが形成でき、Ｃｕ埋め込み配線のコンタクト抵抗が低く、高速動作が要求される論理系ＬＳＩに適用し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

A rear projection display device is constituted of a projection type screen consisting of a Fresnel lens for converging light by total reflection or a method mixing both of total reflection and refraction and translucent diffusion plate as the minimum number of constitutional elements and a projector.例文帳に追加

全反射あるいは全反射と屈折両方を混在させた方式で光線を集光するフレネルレンズと、透過型拡散板とを最低構成要素とする投写型スクリーンとプロジェクタからなる事を特徴とする背面投写型ディスプレイ装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁