「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

In this configuration, heat radiation efficiency on the second substrate side on which the light emission unit is placed can be improved without interrupting light from the light emitting device 100, since the heat diffusion plates connected to the heat radiation plate for allowing light diverged from the phosphor layer to pass through is formed on the second substrate.例文帳に追加

かかる構成によれば、放熱板と連結されて、蛍光層から発散した光を透過させる熱拡散板が第２基板上に形成されるので、発光装置１００からの光を遮断することなしに、発光ユニットが配置された第２基板側の放熱効率を改善することができる。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

A deep diffusion part with high conductivity of a conductivity type same as a drift region is provided between adjacent trenches of a trench type IGBT and at the lower part of these trenches to reduce the resistance of a drift region to the electric current at the time when a device is turned on and the resistance component at the time when spreading resistance is turned on.例文帳に追加

デバイスがターンオンしているときの電流に対するドリフト領域の抵抗、および広がり抵抗のターンオン時の抵抗成分を小さくするように、トレンチタイプのＩＧＢＴの隣接するトレンチの間であって、これらトレンチの下方に、ドリフト領域と同じ導電性タイプの大きい導電度の深い拡散部を設ける。 - 特許庁

To provide a carrier diffusion control means which prevents the increase of the loss of the main circuit element of an inverter device and also minimizes the error in element loss estimating operation and besides reduces the noise caused by electromagnetic sound and further does not exert a bad influence on current control at the time of low carrier frequency.例文帳に追加

鉄道車両において、インバータ装置の主回路素子の損失増加を防止するとともに、素子損失推定演算誤差を最小限にし、かつ電磁音による騒音を低減し、さらに低キャリア周波数時に電流制御に悪影響を与えないキャリア拡散制御手段を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor with a structure capable of regulating a base input signal voltage bringing the transistor forming a conductive diffusion region that is different from a base region at the contact part of a base electrode to ON-state and controlling a base current in the case when this is a digital transistor.例文帳に追加

ベース電極のコンタクト部にベース領域と異なる導電形の拡散領域を形成するトランジスタのオンするベース入力信号電圧を調整し得ると共に、これをデジタルトランジスタとする場合に、ベース電流を制御し得る構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 has: a backlight unit 10; the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of pixels (dots) arranged in a matrix shape having rows and columns; and the light diffusion layer 30a disposed on the viewer side of the liquid crystal display panel and having the stripe structure extending in the vertical direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal cell substrate which is thin, light in weight, excellent in mechanical strength, gas barrier properties, heat resistance and light diffusion properties and has low changing ratio of the degree of yellowing since the substrate is hardly yellowed and to provide a liquid crystal display device using the reflection type liquid crystal cell substrate.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量であり、機械強度やガスバリア性に優れ、黄変しにくいため黄色度変化率が低く、耐熱性に優れ、光拡散性に優れた反射型液晶セル基板および上記反射型液晶セル基板を用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an optical sheet, back-light, and a liquid crystal display device, which can be improved in control of a diffusion angle of outgoing light from a light source and in a utilization factor of the outgoing light to realize high luminance, an appropriate viewing angle, and high contrast without using a diffuser having strong diffuseness.例文帳に追加

強い拡散性を有する拡散板を使用することなく、高輝度、適切な視野角、高コントラスト等を実現するために、光源からの出射光の拡散角度の制御及び出射光の利用効率の向上が可能な光学シート及びバックライト、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a select gate 3a formed in a first region on a substrate 1; the floating gate 6a formed in a second region adjacent to the first one; a second diffusion region 7b formed in a third region adjacent to the second one; and the control gate 11 formed on the floating gate.例文帳に追加

基板１上の第１の領域に配設されたセレクトゲート３ａと、第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたフローティングゲート６ａと、第２の領域と隣接する第３の領域に配設された第２の拡散領域７ｂと、フローティングゲートの上に配設されたコントロールゲート１１と、を備える。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

Since an impurity concentration profile in the thickness direction of the N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 thus formed is formed in a way suitable for the generation and movement of carriers, the semiconductor device 30 provided with the light receiving element unit A with a high response speed and excellent light receiving sensitivity is obtained.例文帳に追加

このようにして形成されるＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３の厚み方向における不純物濃度プロファイルは、キャリアの発生と移動とに好適なように形成されるので、応答速度と受光感度とに優れる受光素子部Ａを備える半導体装置３０が実現される。 - 特許庁

In a liquid combustion device having a burner for burning premix gas with combustion gas and primary air mixed therein, a connection member with its one end connected to the oil feed pipe and its another end connected to a fuel diffusion member is provided, and the connection member is configured to be cooled by combustion air in an air supply chamber.例文帳に追加

燃焼用ガスと一次空気とを混合した予混合ガスを燃焼するバーナを有する液体燃料装置において、一端は送油管と連結し、他端は燃料拡散部材と連結した連結部材を設けると共に、連結部材は給気室の燃焼用空気により冷却される構成とした。 - 特許庁

For the hydrogen barrier to protect the ferroelectric capacitor (C_FE) from the hydrogen diffusion in the semiconductor device (102), nitride-aluminum oxide (N-AlOx) is formed on the ferroelectric capacitor (C_FE), and one or more silicon nitride layers (112, 117) are formed on the nitride-aluminum oxide (N-AlOx).例文帳に追加

半導体装置（１０２）内の水素拡散から強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）を保護するための水素障壁は、強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）上に酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）が形成され、そして酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）上に１つ又はそれ以上の窒化シリコン層（１１２、１１７）が形成される。 - 特許庁

To improve hygroscopicity while raising a mechanical strength in a barrier insulating film or a main insulating film on it, and to further reduce a dielectric constant, and particularly to provide a film depositing method and a semiconductor device which can further reduce a specific dielectric constant while especially maintaining a copper diffusion preventing function in the barrier insulating film.例文帳に追加

バリア絶縁膜やその上の主絶縁膜において機械的強度を高めるとともに、吸湿性を改善し、かつ、更なる低誘電率化を図ること、特にバリア絶縁膜では銅拡散防止機能を維持しつつ、比誘電率を更に低減させることができる成膜方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate 10, and a capacitor connected electrically with the transistor wherein a hydrogen supply film 44 is formed between the transistor and the capacitor and a hydrogen anti-diffusion film 45 is formed between the hydrogen supply film 44 and the capacitor.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、トランジスタとキャパシタとの間に形成された水素供給膜４４と、水素供給膜４４とキャパシタとの間に形成された水素拡散防止膜４５とを有する。 - 特許庁

To provide an auxiliary cleaning device for efficiently carrying out an operation by considering that when a diffusion washer is cleaned in periodic inspection, an operator riding on a screen plate holds a cleaning nozzle, sprays cleaning water on the screen plate, however, the operator has an operation in an unstable state by reaction force by cleaning water spray.例文帳に追加

ディフュージョンウォッシャーを定期点検時に洗浄する場合、スクリーンプレートに乗った作業員が洗浄用ノズルを保持して、洗浄水をスクリーンプレートに吹き付けて行うが、洗浄水の噴射による反力により不安定な状態での作業となることに鑑みて、効率よく作業を行える洗浄補助装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a diffusion testing device, enabling casting surely even with 1 mm or less of sample diameter, reduced in the possibility of contamination in a sample by an impurity in a gas, not affected by Marangoni convection caused by a free surface, and precluded from the possibility that the gas infiltrates into a capillary even in a gravity-free or very low gravity environment.例文帳に追加

試料径が１ｍｍ程度以下でも確実に鋳込むことができ、ガス中の不純物による試料の汚染のおそれが少なく、自由表面によるマランゴニ対流の影響がなく、無重力又は微小重力環境下でも、ガスがキャピラリー内に入り込むおそれがない拡散試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

The shift lever device comprises a light source 20, a lens 30 to illuminate a shift position display 52 by diffusing the light from the light source 20, and a light diffusion member 40 illuminate a shift lever passage opening 51 by introducing the light from the light source 20 via the lens 30.例文帳に追加

光源２０と、光源２０からの光を拡散してシフトポジション表示５２を照明するレンズ３０と、シフトレバー通路開口５１の縁の全周または一部に配置されレンズ３０を介して光源２０からの光を導入してシフトレバー通路開口５１を照明する光拡散部材４０と、を有する。 - 特許庁

To obtain a longitudinal diffusion device and its control system for predicting the arrival of a washing period by constantly displaying the number of use of a dummy wafer and a port on a monitor screen in real time, displaying washing operation items simultaneously with the washing period, and eliminating the need for controlling the washing period by human work.例文帳に追加

ダミーウェーハ及びボートの使用回数を、常時、リアルタイムでモニター画面上に表示させることにより洗浄時期の到来が予知でき、そして洗浄時期に同時に洗浄作業項目を表示させ、人為的に洗浄時期の管理を行わなくてもよい縦型拡散装置及びその制御システムを得ること。 - 特許庁

An MEAG 20 formed with an electrolyte membrane-electrode assembly 23 and gas diffusion layers 22, 24 is interposed between an upper mold 60a and a lower mold 60b of a seal integral assembly manufacturing device 100 such that the tip is placed in a cavity 64.例文帳に追加

シール一体アセンブリ製造装置１００の上金型６０ａと下金型６０ｂとの間に、電解質膜・電極接合体２３とガス拡散層２２，２４とで形成されるＭＥＧＡ２０を、その先端部がキャビティ６４中に置かれるようにして、上金型６０ａと下金型６０ｂとで挟持して固定する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

When an excessive positive surge voltage is generated at a source electrode 16 of a semiconductor device 20, a parasitic diode 27 including parasitic diodes 25 and 26 plus the high-concentration diffusion layer 13 and electrode extraction layer 14 as current paths is turned on, which causes a ESD current to escape from the source electrode 16 toward the drain electrode 17.例文帳に追加

半導体装置２０のソース電極１６に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード２５，２６に加えて、高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４を経路として含む寄生ダイオード２７がオンしてソース電極１６側からドレイン電極１７側にＥＳＤ電流を逃がす。 - 特許庁

This light emitting device 1 composed by installing a lamp 3 behind its light emitting surface is equipped with: diffusion films 11 and 13 used as blurring parts for blurring the lamp image by diffusing light from the lamp 3 to a level leaving the lamp image; and lens parts 12b and 14 for increasing the number of the blurred lamp images in the surface direction by lenses.例文帳に追加

発光面の背後にランプ３が配置された発光装置１において、ランプ３からの光をランプイメージが残る程度に散乱させてランプイメージをぼかすためのぼかし部としての拡散フィルム１１，１３と、ぼかされたランプイメージの数をレンズによって面方向に増加させるレンズ部１２ｂ、１４と、を備えている。 - 特許庁

The display device 1 includes: the plurality of light emitting bodies 7 arranged on a board 11 at prescribed intervals; and a transparent light diffusion board 13 for continuously covering at least the upper parts of the light emitting bodies 7, and also diffusing the lights from the light emitting bodies 7 in a direction of arrangement of the bodies 7.例文帳に追加

表示装置１は、基板１１上に所定間隔で配設された複数個の発光体７と、この複数個の発光体７の少なくとも上方を連続して覆うと共にこの発光体７からの光を該発光体７が並ぶ方向へ拡散する透明な光拡散板１３とを備える。 - 特許庁

To provide a safety valve device capable of preventing inverse diffusion when a safety valve is operated, and a gas sampling container capable of preventing the contamination of the sample gas in a gas sampling container even if the gas pressure in the gas sampling container is raised by any cause and the safety valve is operated.例文帳に追加

安全弁が作動したときの逆拡散を防止できる安全弁装置を提供するとともに、ガスサンプリング容器内のガス圧力が何らかの原因で上昇し、安全弁が作動したとしてもガスサンプリング容器内の試料ガスが汚染されることを防止できるガスサンプリング容器を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A video display device has a display section having a diffusion layer and a half-mirror stacked, has a means of projecting an image on the display section and detecting movements and states of the user through a sensor, a camera, a microphone, an IC card reader, etc., and has a means of presenting information of video etc., in the display section based upon the detected information.例文帳に追加

拡散層とハーフミラーが重ねられた表示部を有し、その表示部に対しプロジェクタで投射し、センサ，カメラ，マイク，ＩＣカードリーダなどから、ユーザの動作，状態を検出する手段を有し、検出した情報に基づき、映像などの情報を表示部に提示する手段を有する映像表示装置。 - 特許庁

The heat exchanger is prepared by mutually bonding many metal plates 6 having fine passages formed on their surfaces using diffusion bonding, into a device having an integrated structure wherein many fine flow passages are laminated, and is also prepared as a highly pressure resistant structure which can attain the flow at a high flow rate and can endure high pressure, thereby realizing the increase in the amount of heat transferred.例文帳に追加

表面に微細流路を形成した多数の金属板６を、拡散接合を用いて互いに接合し、微細流路を多数積層した一体構造を有するデバイスとするとともに、高流速を流すことが可能で、高い圧力にも耐えることができる高耐圧構造とし、移動熱量の増大を実現する。 - 特許庁

The heating air rotation guiding injection device 20 is disposed around the after burner for burning a high-temperature combustible gas while rotating in a direction opposite to the spiral within the diffusion type fire blast nozzle of diffusion type spiral heating air mixing method.例文帳に追加

焼却炉３、回転式火台４、拡散型超高温熱分解火墳出口１と超高温アフターバーナー２、加熱空気回転誘導噴射装置２０などを内部構造として設け、拡散型超高温熱分解火墳出口１と、超高温アフターバーナー２と、拡散型螺旋加熱空気混合方法の拡散型火墳出口で螺旋の反対方向に高温の可燃性ガスが回転しながら燃焼するアフターバーナーの周りに装置された加熱空気回転誘導噴射装置２０等を主要な特徴としている拡散型螺旋加熱空気混合方法のＰＣＢ超高温焼却熱分解炉。 - 特許庁

This invented exhaust emission control device for an internal combustion engine suppresses diffusion of particulate matter contained in exhaust gas of the internal combustion engine to atmosphere and collecting the same with a filter and is provided with an exhaust gas passage leading exhaust gas discharged from the internal combustion engine and a fine particle supply device supplying particle having capacity adsorbing particulate matter contained in the exhaust gas.例文帳に追加

本発明の内燃機関の排気浄化装置は、内燃機関の排気ガスに含まれる粒子状物質を、大気拡散を抑制すると同時にフィルタで捕集するためのものであり、内燃機関から排出される排気ガスを導く排気通路と、前記排気通路に、前記排気ガス中に含まれる粒子状物質に対して吸着能を有する微粒子を供給する微粒子供給装置と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

Moreover, the driving method for driving this liquid crystal display device according to this invention is a method letting the current detection means detect a current at the time when a transfer voltage pulse for transferring the liquid crystal layer into bend alignment is applied, and applying an ion diffusion voltage pulse in accordance with the current value to eliminate the display unevenness.例文帳に追加

また本発明の駆動方法は、この液晶表示装置を駆動するにおいて、液晶層をベンド配向に転移させるための、転移用電圧パルスが印加された時の電流を電流検出手段により検出し、その電流値に応じた、イオンを拡散させるためのイオン拡散電圧パルスを印加し、ムラを解消する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

This reflection type image encoding device has: an emitter 101 emitting light; a diffusion type reflective encoder 120 reflecting the light from the emitter; an image forming lens 135 forming a reverse image of the light reflected from the encoder; and a detector 140 receiving the revere image from the image forming lens.例文帳に追加

本発明の一実施例の反射型画像符号化装置は、光を放射するエミッタ（１０１）と、前記エミッタからの光を反射させる拡散型反射性符号器（１２０）と、前記符号器から前記反射した光の反転画像を形成する結像レンズ（１３５）と、前記結像レンズから前記反転画像を受ける検出器（１４０）とを具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第ＩＶ族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

A diffusion state estimating device generates the gas flow field data of each of the divided areas 50 formed by dividing the specific region A3 into a plurality of areas, combines the gas flow field data of each of the plurality of generated divided areas 50, sets the specific region A3 of wider range, and generates the gas flow field data corresponding to the specific region A3.例文帳に追加

拡散状況予測装置は、特定領域Ａ３を複数の領域に分割した分割領域５０毎に気流場データを生成し、生成された複数の分割領域５０毎の気流場データを結合し、より広い領域の特定領域Ａ３を設定し、該特定領域Ａ３に対応する気流場データを生成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a gate insulation film 20 formed on a semiconductor substrate 10, a cap film 22 formed on the gate insulation film, a silicon oxide film 23 formed on the cap film, a metal gate electrode 24 formed on the silicon oxide film, and source/drain diffusion layers 48 formed in the semiconductor substrate beside both sides of the metal gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜上に形成されたキャップ膜２２と、キャップ膜上に形成されたシリコン酸化膜２３と、シリコン酸化膜上に形成された金属ゲート電極２４と、金属ゲート電極の両側の半導体基板内に形成されたソース／ドレイン拡散層４８とを有している。 - 特許庁

The lighting device includes: a case including a bottom plate, sidewalls substantially vertically extended from both ends of the bottom plate, and louvers provided on both ends of the sidewalls in a tilting manner with respect to surfaces of the sidewalls; a light emitting unit provided safely on the bottom plate; and diffusion plates disposed on both ends of the sidewalls, being parallel to and away from the light emitting unit.例文帳に追加

実施例による照明装置は底板、前記底板の両側端から実質的に垂直に延長された側壁、前記側壁の両端から前記側壁の面に対して傾いたルーバーを有するケース；前記底板に安着された発光部；及び前記発光部と平行に離隔されて、前記側壁の両端に配置される拡散板を含む。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁