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diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2295件
A semiconductor device includes a semiconductor substrate 11, a first diffusion region 12 arranged on the semiconductor substrate, the semiconductor element 17 arranged on the first diffusion region 12, and a passage 14 which is arranged on the first diffusion region 12 and to which a fluid for cooling is supplied.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板11と、半導体基板に設けられた第1の拡散領域12と、第1の拡散領域12に設けられた半導体素子17と、第1の拡散領域12に設けられ、かつ冷却用の流体が供給される通路14とを含む。 - 特許庁
This surface light source device 3 is provided with a light diffusion plate 1, and the LED light source 2 arranged on the back side of the light diffusion plate 1, and is characterized in that the total light transmittance Tt of the light diffusion plate 1 is 50-67%, and the thickness thereof is not smaller than 2.5 mm.例文帳に追加
本発明の面光源装置(3)は、光拡散板(1)と、該光拡散板(1)の背面側に配置されたLED光源(2)とを備え、前記光拡散板(1)は、全光線透過率(Tt)が50%〜67%であり、厚みが2.5mm以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The liquid crystal display device is configured such that protrusions 14 penetrate through the through holes 24 of the fitting portions 23 of the reflection sheet 2, and each short side of the diffusion plate 4 and the diffusion sheet 5 stacked on the diffusion plate 4 fits tightly together the level difference portion 330 of a light frame 33, and each long side thereof contacts the protrusion 14.例文帳に追加
反射シート2の係合部23の貫通孔24を突部14が貫通し、なおかつ、拡散板4及び拡散板4に重ねられた拡散シート5の短辺がライトフレーム33の段差部330と係合するとともに長辺が突部14と当接するように配置されている。 - 特許庁
To provide a light diffusion member which hardly produces deflection or distortion even when using a light diffusion plate having a thickness of the extent of 0.5 mm, can be incorporated into a backlight unit and can contribute reduction of producing cost of the whole of a liquid crystal display device, to provide a frame for fitting the light diffusion member.例文帳に追加
厚さ0.5mm程度の光拡散板であっても撓みや歪みが生じにくく、かつバックライトユニットの中に組み込み易く、液晶表示装置全体の製造コストの低減に寄与し得る光拡散部材と、光拡散部材をはめ込むフレームを提供することを課題とする。 - 特許庁
In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加
バイポーラICに横型PNPトランジスタを内蔵する半導体装置1において、横型PNPトランジスタ部B直下の埋め込み拡散層8に用いる不純物は、制御回路部A直下の埋め込み拡散層5に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加
導電型がn型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、n型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which diffusion of impurity ions into an organic function layer can be prevented without elevating the drive voltage and deterioration in emission efficiency or reliability due to such diffusion can be eliminated, and to provide a light emitting device, a process for fabricating a semiconductor device, and a process for fabricating a light emitting device.例文帳に追加
駆動電圧を高めることなく、有機機能層内への不純物イオンの拡散を防止でき、かかる拡散に起因する発光効率の低下や信頼性の低下を解消可能な半導体装置、発光装置、半導体装置の製造方法、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a protective diffusion film preventing burrs from being generated in single substance processing of the protective diffusion film and being excellent in punching compatibility and further in easiness for handling in single substance manipulation and to provide a method for manufacturing the same, surface light source device and a liquid crystal display device.例文帳に追加
保護拡散フィルムの枚葉加工時のバリ発生を抑えて、打ち抜き適性に優れ、且つ枚葉取り扱い時のハンドリング性に優れた、保護拡散フィルム及びその製造方法、面光源装置及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a high reliable semiconductor device which reduces the effect due to the diffusion of nitrogen and hydrogen from silicon nitride film for suppressing diffusion of metals from a metal wiring portion to an inter layer dielectric film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加
金属配線部から、金属が層間絶縁膜に拡散することを抑制するためのシリコン窒化膜等から窒素や水素が拡散することによる影響を軽減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加
低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし,素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a lighting device easily making a portable lighting device changed into a stationary lighting device as a shape and effectively performing light-condensation and light-diffusion.例文帳に追加
簡単に携帯用照明装置を据え置き型照明装置に形態変化させることができるとともに、集光と散光を効率良く行うことができる照明装置を提供する。 - 特許庁
To suppress the formation of uneven brightness in a liquid crystal display device in a backlight device for the liquid crystal display device in which a light control member has been arranged between a tubular light source and a diffusion transmission plate.例文帳に追加
管状光源と拡散透過板の間に光制御部材が配置された液晶表示装置用バックライト装置において、液晶表示装置に輝度むらが生じないようにする。 - 特許庁
The pattern detecting device 10 is equipped with a prism 12, an optical component 14, a CCD 16, and a diffusion light source 18.例文帳に追加
パターン検出装置10は、プリズム12と光学部品14とCCD16と拡散光源18とを備えて構成される。 - 特許庁
Based on this operation result, the operation control device 210 controls the electric jack 207 and controls permeation of the gas diffusion layer.例文帳に追加
この演算結果に基づいて、演算制御装置210は、電動ジャッキ207を制御し、ガス拡散層の透過性を制御する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing diffusion of conductive metal in an insulating film.例文帳に追加
絶縁膜中への導電性金属の拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A semiconductor device comprises substrates 1 and 10, a high-concentration diffusion layer region 11, a first well 4, and a second well 3.例文帳に追加
半導体装置は、基板1、10と、高濃度拡散層領域11と、第1ウェル4と、第2ウェル3とを具備している。 - 特許庁
A cancellation device erases a global pilot signal and a traffic signal for spectrum diffusion communication system receivers for reducing a contribution noise effect.例文帳に追加
寄与雑音効果を減らすスペクトラム拡散通信システム受信機用のグローバルパイロット信号およびトラヒック信号の消去装置。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having reduced a bit line resistance and also reduced a short channel effect by diffusion of impurity.例文帳に追加
ビット線抵抗を低減すると共に、不純物の拡散による短チャネル効果が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device in which diffusion and delay of heat transfer are improved and an efficient fast heating can be performed.例文帳に追加
熱伝達の拡散と遅延を改善して、効率の良い迅速な加熱が行われる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To form a copper diffusion preventing film and a bonding pad ensuring good adhesiveness without causing contamination of device.例文帳に追加
装置の汚染等を引き起こすことなく、銅拡散防止膜及び密着性の良好なボンディングパッド部を形成可能とする。 - 特許庁
By the diffusion transmission body 64, shadow of irradiation from the lamp device 12 reflected into the side face portion 56 of the globe body 53 is reduced.例文帳に追加
拡散透過体64により、ランプ装置12からの照射の影がグローブ本体53の側面部56に映り込むのを低減する。 - 特許庁
The irradiation device 1 irradiates the inspection surface B having diffusion reflectivity of the inspection object A with light from an oblique direction.例文帳に追加
照射装置1は、検査対象Aの拡散反射性を有する被検査面Bに斜め方向から光を照射する。 - 特許庁
To improve a diffusion reflectance and a mirror surface reflectance of a light absorbing layer in an image display device such as a CRT.例文帳に追加
CRTのような画像表示装置において、光吸収層の拡散反射率および鏡面反射率を改善する。 - 特許庁
To provide a diffusion plate capable of reducing radial luminance unevenness generated in a surface light source device using point light sources.例文帳に追加
点光源を用いた面光源装置に生じる放射状の輝度ムラを低減させることのできる拡散板を提供する。 - 特許庁
To restrain diffusion of impurities through an insulative substrate to provide an exceedingly stable semiconductor device.例文帳に追加
本発明は、絶縁性基板からの不純物の拡散を抑えて、信頼性の優れた半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device by which a short-circuit can be prevented between a gate electrode and a diffusion layer and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
本発明はゲート電極と拡散層との短絡を防止する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce leakage current in a floating diffusion region without leaving an electrical charge on a photo diode to improve yield of an imaging device.例文帳に追加
フォトダイオードに電荷を残すことなく、フローティングディフュージョン領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a silicide film having a small contact resistance on an N-type diffusion layer.例文帳に追加
N型拡散層上におけるコンタクト抵抗の小さいシリサイド膜を備えた半導体装置とその製造方法とを提供する - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of increasing the impurity concentrations on the surface of a diffusion layer at low cost.例文帳に追加
低コストで拡散層の表面の不純物濃度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dual-gate semiconductor device capable of solving a problem associated with boron diffusion, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、ホウ素拡散に伴う問題点を解決可能なデュアルゲート半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The backlight device 51 has diffusion bars 52 arranged between lamps 11 in opposition to a liquid crystal display panel 2.例文帳に追加
このバックライト装置51には、ランプ11の間に、拡散棒52が液晶表示パネル2に対向するように配置されている。 - 特許庁
To obtain a transistor device excellent in high frequency characteristic by performing emitter diffusion from the bottom surface of a trench formed on a base surface.例文帳に追加
ベース表面に形成した溝の底面からエミッタ拡散を行うことにより、高周波特性に優れたトランジスタ装置を得る。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing semiconductor device for thinning metal wiring, while suppressing diffusion of a wiring material.例文帳に追加
配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent device characteristics from deteriorating due to the diffusion of metal impurities to a semiconductor substrate in CMP or the like of a material film.例文帳に追加
金属膜のCMP等において、金属不純物が半導体基板へ拡散し、デバイス特性を劣化させることを防止する。 - 特許庁
A solid state imaging device has a layout in which several structure parts comprising four photo diodes sharing floating diffusion are vertically arranged.例文帳に追加
4つのフォトダイオードで1つのフローティングディフージョンを共有した構成部を垂直方向に複数配置したレイアウトを有する。 - 特許庁
To provide a photovoltaic element and a photovoltaic device having diffusion preventing function for alkali ion such as sodium or the like.例文帳に追加
ナトリウム等のアルカリイオンに対する拡散防止機能を有する光起電力素子及び光起電力装置を提供する。 - 特許庁
To prevent generation of a compound of diethyl zinc and AsH_3 in a vertical thermal diffusion device for diffusing diethyl zinc on a GaAs wafer.例文帳に追加
GaAsウェハーにジエチル亜鉛を拡散する縦型熱拡散装置で、ジエチル亜鉛とAsH_3の化合物の生成を防ぐ。 - 特許庁
To provide a projection device by which speckles on a diffusion screen are made inconspicuous, and the entire configuration of which can be downsized and simplified.例文帳に追加
拡散スクリーン上でのスペックルを目立たなくさせることができるとともに、全体の構成を小型化および簡略化できる。 - 特許庁
To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加
ソース拡散層とウェル領域(半導体基板)との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁
To rapidly cool an object after thermal process from an annealing temperature to a room temperature, related to a vertical diffusion device.例文帳に追加
縦型拡散装置において、熱処理済みの被処理物をアニール温度から室温に高速に冷却することを可能にする。 - 特許庁
To reliably clean contaminated air such as an exhaust gas without any diffusion in a device and a method for cleaning contaminated air in a road.例文帳に追加
道路の汚染空気浄化装置及び方法において、排ガス等の汚染空気を拡散させずに確実に浄化可能とする。 - 特許庁
To provide a source estimation device and a source estimation method for a diffusion material that solve a problem of numerical instability.例文帳に追加
数値不安定性の問題を解消した拡散物質の発生源推定装置および発生源推定方法を提供する。 - 特許庁
A height H2 of an air flow direction control device 10 is specified as a height of H/2 or more based on the diffusion vertical width H.例文帳に追加
そして、気流方向制御装置10の高さH2を、拡散上下幅Hに対してH/2以上の高さと規定する。 - 特許庁
To provide a cooling device that accelerates thermal diffusion of a heating element without making discharge property of air bubbles worse.例文帳に追加
気泡の排出性を悪化させることなく、発熱体の熱拡散を促進することができる冷却装置を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern correction device capable of preventing the diffusion of odour of a solvent of a correction liquid with a simple structure.例文帳に追加
簡単な構成で修正液の溶媒の臭気の拡散を防止することが可能なパターン修正装置を提供する。 - 特許庁
To provide a transfer device capable of preventing diffusion of dust and reducing a dead space between shelves in the vertical direction.例文帳に追加
発塵の拡散防止と上下方向の棚間のデッドスペースの縮小とを実現することのできる移載装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of suppressing diffusion of impurities from source/drain regions.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域からの不純物の拡散を抑制することができるSOI構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜4,7,22,33と、銅拡散防止膜6,9とを備えている。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the diffusion region of boron can be formed in a predetermined region.例文帳に追加
所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。 - 特許庁
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