「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

Residues generated when a semiconductor layer is subjected to dry-etching in a semiconductor substrate manufacturing process are removed by the use of a cleaning agent containing an oxidizing agent and a chelating agent.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、半導体層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレ−ト剤とを含有する洗浄剤により除去する。 - 特許庁

Remaining part of the membrane film, i.e. the heating resistor 14, and the silicon nitride film 16 are removed by dry etching to form a channel 4 and an ejection opening 6 in the resin substrate 2.例文帳に追加

メンブレン膜の残りの部分である発熱抵抗体１４とシリコン窒化膜１６をドライエッチングで除去し、樹脂基板２に流路４と吐出口６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film piezoelectric resonator capable of preventing a lower electrode from being damaged resulting from dry etching during forming a piezoelectric thin film pattern.例文帳に追加

その目的は圧電体薄膜パターンの形成時にドライエッチングに起因する下部電極のダメージを防止できる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique, by which mixing phenomenon is less liable to occur between an antireflection film and a photoresist layer and by which dry etching is not required to remove the antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜とホトレジスト層とのミキシング現象が生じにくく、かつ反射防止膜の除去にドライエッチング処理を必要としない技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a wireless suspension blank by which a fine wiring part can be formed at a low cost and dry etching of an insulation layer can be performed with high accuracy.例文帳に追加

低コストで、微細な配線部を形成することができ、また絶縁層に対するドライエッチングを加工精度よく行えるワイヤレスサスペンションブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern 4 is formed and subjected to anisotropic dry etching using the pattern as a mask to form a gate electrode 5 on a gate insulating film 2, and then the resist pattern 4 is removed.例文帳に追加

レジストパターン４を形成し、それをマスクとして異方性ドライエッチングを行うことによりゲート電極５をゲート絶縁膜２上に形成し、レジストパターン４を除去する。 - 特許庁

To prevent the loss caused by the crack and air bubbles generated in core patterning by dry etching in a method for manufacturing an optical wiring layers having cores and clads.例文帳に追加

コアとクラッドを有する光配線層の製造方法において、ドライエッチングでコアパターン時に生ずる亀裂及び気泡により発生する損失を防止することを目的とする。 - 特許庁

The dry etching is applied to the silicon carbide substrate 11 from a rear side using fluorine-based gas (second gas), by which a backside viahole 18 connected to the surface viahole 14 is formed.例文帳に追加

弗素系ガス（第２のガス）を用いて裏面側から炭化ケイ素基板１１をドライエッチングすることで、表面バイアホール１４に繋がる裏面バイアホール１８を形成する。 - 特許庁

To protect side walls of prescribed circuit patterns from contamination with reaction products having low vapor pressures when the patterns are formed by subjecting a Pt film and a PZT film to dry-etching.例文帳に追加

Ｐｔ膜やＰＺＴ膜をドライエッチングして所定のパターンを形成する際に、蒸気圧の低い反応生成物がパターンの側壁に付着するのを防止する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

An Al component in the lower sacrifice layer 30 is removed by dry-etching via the upper through hole 18 and the lower through hole 12 after removing the upper sacrifice layer 34.例文帳に追加

また、下部犠牲層３０中のＡｌ成分は、上部犠牲層３４の除去後、上貫通孔１８および下貫通孔１２を介するドライエッチングにより除去される。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer which improves characteristics of a resist such as a high transmittance and good dry etching resistance and which can form a fine pattern.例文帳に追加

透過度および乾式エッチングに対する耐性など、レジスト組成物の特性を向上させる感光性ポリマーを提供し、さらに微細なパターン形成を可能にする。 - 特許庁

To reduce a liquid crystal capacity by thickening the insulating film of a non-linear element of a lateral structure without causing a failure such as charge-up and resist burning in the case of dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング時にチャージアップやレジスト焼けなどの不具合を生じさせずに、ラテラル構造の非線形素子の絶縁膜を厚膜化して液晶容量を減少させる。 - 特許庁

To provide a wafer processing system, in which a wafer can be dried surely, after removing reaction products originating from a resist and produced through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a stable gate length through an end-point detection process by monitoring a plasma emission intensity during dry etching for setting a gate length.例文帳に追加

ゲート長を決めるドライエッチングにおいてプラズマ発光をモニターすることによる終点検出方法を用いることにより半導体装置のゲート長を安定して製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for imprinting which can smoothly proceed dry etching to a hard mask layer and forms a fine pattern with high pattern accuracy.例文帳に追加

ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate for a liquid discharge head capable of forming a liquid supply port on a silicon substrate by dry etching with high accuracy and high yield.例文帳に追加

ドライエッチングでシリコン基板に液体の供給口を、高精度に歩留まり良く形成することが可能な液体吐出ヘッド用の基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer which satisfactorily ensures dry etching resistance while keeping the production cost low and has superior adhesiveness to an under film.例文帳に追加

製造コストが低く、かつ、乾式エッチングに対する耐性を十分に確保すると共に、下部膜質に対する優れた接着特性を有する感光性ポリマーを提供する。 - 特許庁

Next, amorphous regions 15A which are the heat-decomposed regions of the dry film 15 are left, and the regions excluding the amorphous regions 15A are removed by wet etching.例文帳に追加

そして、乾燥膜１５の熱分解された領域である非晶質領域１５Ａを残し、この非晶質領域１５Ａ以外の領域をウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁

The adverse effects due to damage occurring during dry etching is prevented, and conduction between the p-side contact layer 21 and the p-side electrode 71 is improved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

ドライエッチングで発生したダメージによる悪影響が防止され、ｐ側コンタクト層２１とｐ側電極７１との導通性が高くなり、信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a method of dry etching which does not deteriorate the processed shape of a copper-contained aluminum film that is a wire and can suppress the production of copper residue.例文帳に追加

配線である銅含有アルミニウム膜の加工形状を劣化させることなく、かつ銅の残さ発生の抑制可能なドライエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁

In this case, the density of the methanol gas is set so as to be 5-20% with respect to the total gas flow rate, and mixed gas plasma including methane gas trifluoride and methanol gas and helium gas is used for the dry etching.例文帳に追加

具体的には、メタノールガスは、総ガス流量に対し５〜２０％の濃度であり、ドライエッチングは、三弗化メタンガスとメタノールガスとヘリウムガスとの混合ガスプラズマを用いる。 - 特許庁

Then, the thermal oxidation film 34 on the upper surface is patterned, dry etching is applied by RIE from its upside, and the micro mirrors 1a to 1d are separated from a body and formed.例文帳に追加

そして、再度上面の熱酸化膜３４をパターニングして、その上からＲＩＥによりドライエッチングを施して、マイクロミラー１ａ〜１ｄを本体から分離し、形成する。 - 特許庁

In the optical device having an optical lens formed by dry etching as a part of a light converging means, an alignment marker is formed around the optical lens.例文帳に追加

光収束手段の一部としてドライエッチングにより形成された光学レンズを有する光学素子において、光学レンズの周囲に位置合わせマーカを形成する。 - 特許庁

After dry etching is carried out by the use of the resist patterned on the substrate as a mask, the substrate surface is irradiated with far-ultraviolet rays, having a wavelength of such as 185 nm and 254 nm.例文帳に追加

基板上にパターニングされたレジストをマスクとしてドライエッチングを行った後に、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍなどの波長の遠紫外線を基板表面に照射する。 - 特許庁

A metal conductive film 15 is dry-etched under the conditions of a fast etching speed and a low pressure, and hence a source electrode 17 and a drain electrode 18 are formed.例文帳に追加

金属導電膜１５をエッチング速度の大きな低圧の条件でドライエッチングすることによって、ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成する。 - 特許庁

A hole 321 is formed by forming a layer insulating film 101 on a substrate 100, and by executing dry etching on the basis of a resist pattern formed on a photoresist layer 102.例文帳に追加

基板１００の上に層間絶縁膜１０１を形成し、フォトレジスト層１０２に形成されたレジストパターンに基づいてドライエッチングを行い、ホール３２１を形成する。 - 特許庁

In this dry etching method of the aluminum film containing copper, the gas staying time of a chlorine gas in a plasma reaction chamber is limited between 0.15 seconds and 0.3 seconds.例文帳に追加

銅含有アルミニウム膜のドライエッチングにおいて、プラズマ反応室内の塩素系ガスのガス滞在時間が、0.15秒から0.3秒の範囲内とすることを特徴とするドライエッチング方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer which can improve the characteristics of resist compositions, such as transmittance and dry etching resistance, and to enable the formation of fine patterns.例文帳に追加

透過度および乾式エッチングに対する耐性など、レジスト組成物の特性を向上させる感光性ポリマーを提供し、さらに微細なパターン形成を可能にする。 - 特許庁

In the next step, gate electrodes are formed in the MOS-transistor forming regions while simultaneously removing the polysilicon films of the bipolar-transistor forming regions by anisotropic dry etching.例文帳に追加

次に、異方性ドライエッチングによりＭＯＳトランジスタ形成領域にゲート電極を形成すると同時にバイポーラトランジスタ形成領域のポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁

Thereafter, by peeling off a second dry film 8 and using cupric chloride as an etching solution, the part of the copper foil 1 not protected by the tin plating 7 is dissolved.例文帳に追加

その後に、第二ドライフィルム８を剥離し、塩化第二銅をエッチング溶液として使用することにより、錫メッキ７によって保護されていない銅箔１部分を溶解させる。 - 特許庁

Grooves and holes are formed in an actuator forming substrate or an Si substrate by dry etching, and the grooves and the holes are made to be flow paths comprising the pressure chamber 17 or others.例文帳に追加

Ｓｉ基板であるアクチュエータ形成基板１０などにドライエッチングによって溝および穴を形成し、この溝および穴を、圧力室１７などからなる流路とする。 - 特許庁

Next, a trench 9a leading to the connection hole 4 is made using dry etching method, and then the polyimide film within the connection hole 4 is removed by ashing.例文帳に追加

次にこのシリコン酸化膜６に、ドライエッチング法を用いて、接続孔４に通じるトレンチ９ａを形成した後、接続孔４内のポリイミド膜５をアッシング除去する。 - 特許庁

It is possible to make the side surface of the emitter layer 6 substantially perpendicular to the top surface by removing the emitter contact layer 7 and the emitter layer 6 by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによってエミッタコンタクト層７およびエミッタ層６を除去することにより、エミッタ層６の側面を上面に対してほぼ垂直にすることができる。 - 特許庁

To provide a chemically sensitizing resist for an ArF excimer laser in which resolution is improved by increasing the solubility contrast and dry etching resistance is improved.例文帳に追加

溶解コントラストを大きくすることにより、解像性を向上させ、かつドライエッチング耐性を向上させたＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅系レジストを提供する。 - 特許庁

The contact structure can be formed by forming an AlCu film with the CVD method or sputtering method and also forming the upper electrode wiring with the lithographic and dry-etching techniques.例文帳に追加

ＡｌＣｕ膜をＣＶＤ法またはスパッタ法により形成し、リソグラフィーおよびドライエッチング技術により上部電極配線を形成することでコンタクト構造が形成される。 - 特許庁

Namely, methane gas impart effects on side wall protection of the copper-containing aluminum film is added after the copper-containing aluminum film is dry-etched to prevent side etching.例文帳に追加

即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 - 特許庁

The method for dry-etching a High-k film by using plasma is configured to add a small amount of fluorocarbon gas with a high carbon element composition ratio to BCl_3 gas mixed with noble gas.例文帳に追加

プラズマを用いＨｉｇｈ−ｋ膜をドライエッチングする方法で、希ガスと混合したＢＣｌ_3ガスに、炭素元素比率の高いフルオロカーボンガスを微少添加する構成とした。 - 特許庁

Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed.例文帳に追加

次に、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）法等を用い、多結晶シリコン膜パターン１０８を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層１１５を形成する。 - 特許庁

The mold is manufactured, by forming a metal mask layer on the surface of the base plate, drawing the periodic structure by applying a resist on the metal mask layer, developing, and dry-etching the base plate.例文帳に追加

モールドは、基板の表面にメタルマスク層を成膜し、メタルマスク層上にレジストを塗布して周期構造を描画、現像し、基板をドライエッチングすることにより製造する。 - 特許庁

A cutting groove 50 is formed in the piezoelectric thin film 10 supported by the supporting substrate 30B by dry etching and is divided into areas for each piezoelectric device (S106).例文帳に追加

支持基板３０Ｂによって支持された圧電薄膜１０は、ドライエッチングにより切断用溝５０を形成することで、圧電デバイス単体毎の領域に区分けられる（Ｓ１０６）。 - 特許庁

The one surface of the silicon substrate 1 is subjected to dry etching by using the photoresist layer 3 as a mask to form triangular prism-shaped recesses 5 in the surface layer of the silicon substrate 1.例文帳に追加

このフォトレジスト層３をマスクとして、シリコン基板１の片面にドライエッチングを施し、シリコン基板１の表層部分に三角柱形状の凹部５を形成する。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing resist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and excellent in flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で、短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性および耐熱性等に優れた含フッ素レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing photoresist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and capable of retaining flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性、耐熱性等が保持できる含フッ素光レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁