「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Electrostatic attraction is performed to the supporting substrate 11, heat transmission gas is supplied between the supporting substrate 11 and a substrate mounting surface 41a, and dry etching of a crystal substrate 9 is performed.例文帳に追加

支持基板１１を静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給して水晶基板９をドライエッチングする。 - 特許庁

Therein, dry etching treatment for removing the insulation film 60b formed on the surface of the planar film 60a in the sensor area SA is not performed.例文帳に追加

しかし、そのセンサ領域ＳＡにおいて平坦化膜６０ａの表面に形成された絶縁膜６０ｂを除去するドライエッチング処理については、実施をしない。 - 特許庁

Then, the resists 3 are dissolved and eliminated using the nickel layers 4 as protective layers, the exposed chromium film layer 2 is eliminated by dry etching to expose the surface of a substrate 1 (d).例文帳に追加

次に、ニッケル層４を保護層としてレジスト３を溶解除去した後、露出したクロム膜層２をドライエッチングにより除去して、基板１表面を露出させる（ｄ）。 - 特許庁

In dry cleaning, a deposition film deposited inside a reaction both 5 of a semiconductor-manufacturing apparatus is subjected to etching removal by a cleaning gas at least containing a halogen gas.例文帳に追加

半導体製造装置の反応槽５の内部に堆積した堆積膜を少なくともハロゲンガスを含むクリーニングガスによってエッチング除去するドライクリーニングに関するものである。 - 特許庁

The benzocyclobutene film 4 and the inorganic material film 3 are continuously etched in a single process by dry etching to form a via hole 6 on the benzocyclobutene film 4.例文帳に追加

また、ベンゾシクロブテン膜４にビアホール６を形成する際には、ドライエッチングを用いて、ベンゾシクロブテン膜４と無機材料膜３を連続的に一工程でエッチングする。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing photoresist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and excellent in flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性、耐熱性等が優れた含フッ素光レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the photoresist patterns are heated and melted to make convex microlens patterns for transfer, and the microlenses are formed by whole area dry etching and transferring of the microlens patterns for transfer.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形成する。 - 特許庁

To provide a resist which has excellent adhesive properties to a substrate and excellent dry etching resistance, with respect to a dot pattern which is difficult to adhere to the substrate and which has a large aspect ratio.例文帳に追加

基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供すること。 - 特許庁

Finally, the unwanted part on the film 13 is removed through dry etching to obtain the pattern of a metal wiring 12 shown in Fig. (g) on the wafer 11.例文帳に追加

そして、最後にドライエッチングによってバリアメタル膜１３の不要な部分を除去することにより、シリコン基板１１上に、図１(g) に示すような金属配線１２のパターンを得る。 - 特許庁

At the time of dry etching of an interconnection layer M1 (indicated by a dashed line) for formation of the interconnection pattern 21, the dummy plug member 19d serves for a path for discharging plasma charge.例文帳に追加

配線パターン２１形成のために配線層Ｍ１（破線）をドライエッチングしている最中において、ダミープラグ部材１９ｄは、プラズマチャージを放電させる経路となる。 - 特許庁

The occurrence of micropeeling between the resin layer 2 and the substrate 1 by the thermal stress due to the heat of dry etching is reduced and the occurrence of the black dot is drastically reduced.例文帳に追加

ドライエッチングの熱による熱応力により、樹脂層２と基板１との間で微小剥離が発生することが少なくなり、黒ブツの発生が大幅に削減される。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus which ensures the determination of an appropriate cleaning time in a vacuum container, the profile controlling of processing of a treatment substrate, and the inhibition of sequential change.例文帳に追加

真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得るドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure control method which controls quickly and accurately the gas pressure in a chamber of vacuum process equipment and also to provide a dry etching device that uses the pressure control method.例文帳に追加

真空プロセス機器のチャンバの内部のガス圧力の制御を、迅速、適確に行なう圧力制御方法、及びそれを用いたドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

In dry etching of an interlayer dielectric 14 in which a photoresist mask 16 is used as a mask, the maximal temperature of a substrate is controlled to be lower than a resist heat resistance temperature which is regulated on the basis of the heighest temperature which is applied to the resist by treatment such as baking and UV cure before etching, and etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク１６をマスクとして用いる層間絶縁膜１４のドライエッチングにおいて、基板温度の最高到達温度を、エッチングを行う以前にベーク、ＵＶキュアなどの処理でレジストに施した最も高い温度を基に規定されるレジスト耐熱温度未満に制御してエッチングを行う。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer on a sidewall of a groove formed on a main surface of a semiconductor substrate; embedding the groove by a protective film; and etching back the protective film by a dry etching method to set the height of the surface of the protective film at a position lower than that of the opening of the groove, and etching and removing the first layer exposed by the etching back.例文帳に追加

半導体基板主表面に形成された溝の側壁に第１の層を形成する工程、溝を保護膜で埋設する工程、保護膜の表面の高さが溝の開口部よりも低い位置になるようにドライエッチング法でエッチバックし、該エッチバックにより露出した第１の層をエッチング除去する工程、とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then the protective film 18 and wiring layer 18 are dry-etched and, successively, the polymer, etc., which adhere to the protective film 24 and wiring layer 18 at the dry etching is removed with an amine-based alkaline solution, etc.例文帳に追加

次に、塗布したフォトレジストをマスクとして、金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とをドライエッチングし、続けて、エッチング時に金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とに付着したポリマー等をアミン系アルカリ溶液等により剥離する。 - 特許庁

To provide a resin composition for positive photoresist, in which a polymer itself can be solubilized upon irradiation with light, even if the polymer has an adamantane skeleton, and which has high etching resistance (in particular, high dry etching resistance) and can form a fine pattern, using a simple composition with high accuracy.例文帳に追加

アダマンタン骨格を有していても、光照射によりポリマーそのものを可溶化でき、耐エッチング性（特に耐ドライエッチング性）が高く、簡単な組成で微細なパターンを高い精度で形成できるポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

A film forming process of supplying a processing gas into a vacuum processing chamber 2, generating decomposition seeds through a heating catalyst 6, and depositing a deposit on a board 5, an etching process of dry- etching a thin film, and a cleaning process of cleaning the inside of the chamber are carried out.例文帳に追加

真空のプロセスチェンバー２内にプロセスガスを供給し、加熱触媒体６により分解種を生成して、基板５上に堆積物を堆積する成膜プロセス、薄膜をドライエッチングするプロセス又はチェンバー内をクリーニングするプロセスを実施する。 - 特許庁

In a dry etching method, a silicon substrate W is mounted on a susceptor 12 disposed in a chamber 10 in which a vacuum can be formed and an etching gas is discharged in the chamber 10 to generate plasma and a first high frequency RF_L for drawing ions is applied to the susceptor 12.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

To prevent the etching rate at the outer periphery of a wafer from becoming faster than that on the inside of the outer periphery in a dry etching system, even when no such a means is used that arranges an outer peripheral ring made of the same material as that of the wafer to be etched.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０１において、ウェーハ５の外周辺りが内部に比較してエッチング速度が速くなるのを、被エッチング物と同じ材料でできた外周リングを配置するような手段を用いなくても防止出来るようにする。 - 特許庁

The circumference of a semiconductor chip 1 is shaped into a curved shape by dry etching and at the same time, its edge is caused to have a smooth curve by simultaneously using wet etching also, and thus, the chip becomes unlikely to produce chipping and cracking even if it is machined into a thin chip and vibration conveyance can be used.例文帳に追加

半導体チップの外周をドライエッチ加工による曲線的な形状とし、同時に、ウェットエッチングを併用することで、稜がなだらかな曲線となり、薄く加工しても割れや欠けが生じにくくなり、振動搬送が使用できる。 - 特許庁

To provide a dry etching method, using a fluorine-based etching gas, especially one which uses ICP (inductively-coupled plasma) type low-pressure, high-density plasma, for effectively preventing unwanted particles without decreasing the productivity.例文帳に追加

弗素（フッ素）系エッチングガスを用いるドライエッチング方法、特にはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型の低圧高密度プラズマを用いるエッチング方法において、不所望なパーティクルの発生を効果的に防止でき、且つ生産性を損なうことのないものを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator chip whereby sufficient heat dissipation from a piezoelectric substrate can be obtained in the case of forming the piezoelectric resonator chip from the piezoelectric substrate by using dry etching, occurrence of cracks in the piezoelectric substrate is prevented and fluctuation in etching shape can be suppressed.例文帳に追加

ドライエッチングを用い圧電基板から圧電振動片を形成する際に、圧電基板からの充分な放熱が得られ、圧電基板の割れを防止し、エッチング形状のばらつきを抑える圧電振動片の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium including a protective layer having a plurality of projecting parts on the surface thereof, the projecting parts are formed by performing dry etching after an etching mask having a mask underlayer and a mask pattern layer having an island-shaped structure is formed on the protective layer.例文帳に追加

表面に複数の凸部を有する保護層を含む磁気記録媒体であって、凸部は、保護層上に、マスク下地層及び島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後、ドライエッチングを行うことにより形成されている。 - 特許庁

After a two layer mask of an aluminum film 102 and an organic film resist 103 is formed on a silicon substrate 101 and patterned through exposure, development and wet etching, first time dry etching is performed to form a recess 104 including a level difference shape of one step.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、アルミニウム膜１０２と有機膜レジスト１０３の２層のマスクを形成し、露光、現像およびウェットエッチングを経てパターニングした後、１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む凹部１０４を形成する。 - 特許庁

The data processing unit 7 calculates the difference between the two kinds of detected etching times, compares the calculated difference with a predetermined determination value, determines that the dry etching devices 1 and 2 are defective when the difference exceeds the determination value, and outputs a signal that indicating the failure.例文帳に追加

さらに、データ処理部７は、その検出した２つのエッチング時間からその差を求め、求めた差を所定の判定値と比較し、その差が判定値を超えた場合に、ドライエッチング装置１、２が異常であると判定し、その旨の信号を出力する。 - 特許庁

The silicon element substrate 3 is anodic-joined to a glass support base plate 2, a plurality of penetrated-through parts 20 ranging over from a surface 3a side of the element substrate 3 to the etching stop layer 18 is formed thereafter by dry etching to form the sensor element 1.例文帳に追加

そして、シリコンの素子基板３とガラスの支持基板２を陽極接合した後に、素子基板３の表面３ａ側からエッチングストップ層１８に至る貫通部２０をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子１を形作る。 - 特許庁

To provide a production process of a solar cell element in which cost reduction is realized by protecting a solar cell element substrate against damage when etching residue is removed after micro protrusions/recesses are formed by dry etching thereby preventing the yield of process from lowering.例文帳に追加

ドライエッチングにより微細な凹凸を形成したときのエッチング残渣を除去するときに、太陽電池素子基板にダメージが入ることを防止し、工程の歩留まりの低下を防いで低コスト化を実現した太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist lower-layer film, by which a lower-layer film can be formed, wherein the lower-layer film is excellent in etching resistance, is less likely to be bent when subjected to dry-etching process, and can transfer a resist pattern precisely with good reproducibility to a substrate to be processed.例文帳に追加

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, dry etching is performed on the condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, a crystal defect is actualized as a protrusion (convex defect), and a defect caused by processing is actualized as a pit (concave defect).例文帳に追加

本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。 - 特許庁

When an unnecessary part of the polymer optical waveguide laminate is removed by dry etching using a silicone resist after the polymer optical waveguide laminate is formed on the substrate, a post-baking treatment is performed prior to the etching.例文帳に追加

基板上にポリマー光導波路積層体を形成後、シリコンレジストを使用してポリマー光導波路積層体の不要部をドライエッチングにより除去する際に、エッチングの前にポストベーキング処理を行うことを特徴とするポリマー光導波路の製造法。 - 特許庁

This dry etching method etches the compound semiconductors 137b in an atmosphere 139 consisting of the etching gas 126X containing halogen elements, and at least any one among silicon ions, silicon radicals and Si compounds to form the substrate 141 to be etched.例文帳に追加

このドライエッチング方法では、ハロゲン元素を含むエッチングガス２６Ｘ、並びに、シリコンイオン、シリコンラジカル、及びＳｉ化合物の少なくともいずれかを含む雰囲気３９中において化合物半導体３７ｂをエッチングして被エッチ基板４１を形成している。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board has a blackening step of blackening the surface of a conductive layer provided on an insulating substrate; a photolithography step of laminating a dry film on the blackened surface, and exposing and developing the dry film; and an etching step of etching the conductive layer exposed by the photolithography step to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁基板上に設けられた導電層の表面を黒化する黒化処理工程と、黒化された該表面にドライフィルムを積層し、該ドライフィルムを露光、現像するフォトリソグラフィ工程と、該フォトリソグラフィ工程により露出した導電層をエッチングして回路パターンを形成するエッチング工程とを有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The Al taper dry etching method, which is based on resist backstep sequence method for obtaining a small Al taper angle, consists of a step of forming a resist pattern having the small resist taper angle corresponding to a desired small Al taper angle on Al or an Al alloy, and a step of performing anisotropic dry etching on Al or Al alloy having the resist pattern.例文帳に追加

所望の小さいＡｌテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するＡｌまたはＡｌ合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいＡｌテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくＡｌテーパドライエッチング方法。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.例文帳に追加

半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Next, a prescribed film is formed by a dry etching process on the through oxide film 5, after the dry etching process, an oxide film surface removing process removing the surface of the through oxide film 5 is performed, and thereafter, an impurity layer is effectively removed by injecting ions through the through oxide film 5 and the prescribed film downward of the films.例文帳に追加

次に、スルー酸化膜５上にドライエッチング工程によって所定の膜を形成し、ドライエッチング工程の後に、スルー酸化膜５の表面を除去する酸化膜表面除去工程を行い、その後、スルー酸化膜５および所定の膜を通してそれぞれの下方にイオン注入することことで、不純物層を効果的に取り除く。 - 特許庁

This dry etching method comprises the steps of: fixing the substrate 1 to a support 2 by making a grease 3 containing a thermoconductive filler exist between them; dry-etching the substrate 1 into a predetermined shape; and separating the substrate 1 from the support 2.例文帳に追加

熱伝導性フィラーを添加したグリース３を介在させることにより支持体２と基板１とを固定する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１を前記支持体２から分離させる工程とを備えたものである。 - 特許庁

In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a dry cleaning method applied to a dry etching device provided with a plasma generator employing an alumina discharge tube, which enhances the availability of the device by efficiently removing aluminum fluoride attached to the inner surface of the alumina discharge tube without disassembling a channel for a reactant gas.例文帳に追加

アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニング方法において、反応ガスの流路を分解することなくアルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置の稼働率を上げる。 - 特許庁

It is assumed that a dry etching method is employed wherein a metal conductive film containing high-fusion-point metal, the copper-containing aluminum film, and a mask layer are formed in order on an insulating film and dry-etched to form a wiring pattern of the metal conductive film and copper-containing aluminum film.例文帳に追加

絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。 - 特許庁

In a dry etching process for forming a gate, a conventional etching process is performed using gas including HBr, Cl_2 and O_2 as a general plasma gas, till a point when at least part of the oxide film of the gate is exposed (gate oxide film exposure time).例文帳に追加

ゲートを形成するためのドライエッチング工程において、ゲート酸化膜の少なくとも一部分が露出する時点（ゲート酸化膜露出時点）までは一般的なプラズマガスとしてＨＢｒ、Ｃｌ_２及びＯ_２を含むものを用いて従来のエッチング工程を行う。 - 特許庁