「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

When a rugged pattern is formed by dry etching corresponding to the shape of a mask formed on a substrate, the mask is controlled so that the mask is made to retreat as the etching proceeds and the shape of the side wall of the rugged pattern is formed in an inclined face shape.例文帳に追加

基板上に形成されたマスクの形状に対応してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに際し、マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パターンの側壁形状が傾斜面に制御されるようにする。 - 特許庁

To provide the side etching of a silicon oxide film base which is generated in a washing process after dry etching for forming a transfer elec trode, and to prevent the transfer failure of the signal charge of a vertical registor to improve the image pickup of an incidence image.例文帳に追加

転送電極を形成するドライエッチング後の洗浄工程で生じる下地の酸化シリコン膜のサイドエッチングを防止して、垂直レジスタの信号電荷の転送不良を防いで入射画像の撮像を良好にする。 - 特許庁

To realize a dry-etching method capable of obtaining wafers having stable performance even if a plurality of the wafers are subjected to processing in a case of etching a laminated gate and ensuring the same result with a case of using actual wafer samples even when dummy wafers are used in a continuous test.例文帳に追加

積層ゲートをエッチングする場合において、複数枚処理しても安定な性能が得られ、また、連続試験を行う際にＳｉダミーウェーハを用いても実ウェーハサンプルを流す場合と同様な結果が得られるようにする。 - 特許庁

To provide the gas dispersing plate of a dry etching apparatus which improves uniformity of an etching speed in a wafer surface by uniformly controlling a reaction gas supplied to the wafer with simple configuration without raising an apparatus cost.例文帳に追加

装置コストを上げることなく、簡単な構成でウェーハに供給する反応ガスの流量を均一に制御して、ウェーハ面内におけるエッチング速度の均一性を向上させたドライエッチング装置のガス分散板を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride based semiconductor laser element, after laminating nitride based semiconductor layers 2-10 on a n-type GaN substrate 1, a projecting ridge portion 11 is formed by dry etching using an ICP etching device.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a fine pattern having sufficient dry etching durability for a base film can be formed with high reproducibility while preventing spike phenomenon as etching in a photoresist film.例文帳に追加

本発明は、フォトレジスト膜がエッチングされていくスパイク現象を無くし、下地膜に対して十分なドライエッチング耐性を有し、かつ、微細なレジストパターンを再現性良く形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming method for the resin film by dry etching, a pattern forming method is characterized by using: novolak resin as a resist; and halogen-based gas as etching gas, wherein the resin film contains fluorine-containing aromatic resin.例文帳に追加

ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

When a high melting point metal film formed on a substrate via an SiO_2 film is subjected to dry etching, the transition of the plasma emission intensity in an overetching process is monitored to confirm that the etching selection ratio between the high melting point metal film and the SiO_2 film can be secured.例文帳に追加

基板上にＳｉＯ_2を介して形成された高融点金属薄膜をドライエッチングする際、オーバーエッチングにおけるプラズマ発光強度の推移をモニターすることにより、ＳｉＯ_2とのエッチング選択比の確保が確認可能となる。 - 特許庁

Wet etching by the mixed liquid of hydrobromic acid and bromine and water within a range of hydrobromic-acid concentration of 0.50±0.25 mol/l and bromine concentration of 0.02±0.01 mol/l is used for removing the damaged layer of a mesa which is formed through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより形成したメサの損傷層除去に、臭化水素酸濃度０．５０±０．２５モル／リットル、臭素濃度０．０２±０．０１モル／リットルの範囲の臭化水素酸と臭素と水の混合液によるウェットエッチングを用いる。 - 特許庁

When a CF_4 gas is used, or NF_3 and Ar gases are used as the reactant gases in conducting dry etching treatment, the O_2 gas may be added thereto.例文帳に追加

ドライエッチング処理に反応ガスとしてＣＦ_4ガスを用いたり、ＮＦ_3およびＡｒガスを用いる場合には、これらの反応ガスにＯ_2ガスを付加してドライエッチング処理を行ってもよい。 - 特許庁

In this case, the area of the overlapped machining region [C] is set to approximately 33% of the area of the second dry etching region, thus preventing the ground gate insulating film 23 from being punched.例文帳に追加

この時重複加工領域［Ｃ］の面積を２回目のドライエッチング領域の面積の約３３％として、下地のゲート絶縁膜２３が打ち抜かれるのを防止する。 - 特許庁

To obtain a hole pattern having a round form by dry-etching a film to be etched using a hole pattern formed of a chemical amplification type resist as a mask in order to form the hole pattern.例文帳に追加

化学増幅型レジストによるホールパターンをマスクとしてドライエッチングを行って被エッチング膜によるホールパターンを形成し、丸型のホールパターン形状を得るようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device with a photodiode formed with a defect site on a light-receiving part by also applying dry etching to the light-receiving part, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

受光部にも乾式エッチングを加えて受光部にディフェクトサイトが形成されたフォトダイオードを具備する有機電界発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Because of the dummy patterns 7, the problem of the residual caused by the loading effect of dry etching for pattern formation, which occurs in the inter-wiring spaces 6, is resolved.例文帳に追加

ダミーパターン７によって配線間スペース６で発生していたパターン形成のためのドライエッチングによるローディング効果に起因する残さの問題を解決できる。 - 特許庁

To remove such an ion-damaged layer as a surface oxide layer, which is generated in an antifuse film, due to a dry etching when the antifuse film is opened, and to realize a program voltage having little variations.例文帳に追加

アンチヒューズ開口の際のドライエッチングによるアンチヒューズ膜の表面酸化層のようなイオンダメージ層を除去し、ばらつきの少ないプログラム電圧を実現する。 - 特許庁

A first polymer removing liquid capable of removing a first-class polymer generated in dry etching processing is supplied to the circumferential edge portion, circumferential end surface and rear surface of a wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第１種のポリマーを除去可能な第１ポリマー除去液が供給される。 - 特許庁

To provide a pattern forming method that enables microfabrication and is able to form a resist pattern having superior basic properties such as dry etching resistance, developing performance, a pattern shape, etc.例文帳に追加

超微細加工が可能で、しかも耐ドライエッチング性、現像性、パターン形状等の基本物性に優れたレジストパターンが形成可能な、パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

By using the resin layer 5 as a mask, the refractive index control film 3 is subjected to dry etching and a micro lens array 1 on which a micro lens 6 having a curved outer surface is arranged is formed.例文帳に追加

樹脂層５をマスクに屈折率制御膜３をドライエッチングして外表面が曲面状のマイクロレンズ６が配列されたマイクロレンズアレイ１を形成する。 - 特許庁

To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device.例文帳に追加

スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device where plasma density in the direction of a diameter is made uniform for the whole wafer area without plasma induction damage at the initial stage of plasma generation.例文帳に追加

プラズマ生成初期におけるプラズマ誘導ダメッジのないウエハー全面積に渡ってプラズマ密度の径方向に均一にするドライエッチング装置を提供することである。 - 特許庁

The dry etching is conducted by setting the frequency of the second high frequency power supply within a range from 3 MHz to 6 MHz, preferably to 4 MHz.例文帳に追加

前記第２高周波電源の周波数を３ＭＨｚから６ＭＨｚの範囲内の所定値、好ましくは４ＭＨｚに設定して前記ドライエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive resist composition excellent in adhesiveness to a substrate and dry etching resistance and having various good resist performances such as resolution and sensitivity.例文帳に追加

基板への接着性や耐ドライエッチング性に優れ、また解像度や感度などの各種レジスト性能が良好な化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a metal wiring of high reliability by totally removing a deposited polymer that occurs after dry-etching while suppressing erosion of the exposed part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の露出部分の腐食を抑制しつつ、ドライエッチング後に生じた堆積ポリマーを完全に除去し、それにより高信頼性を有する金属配線を得る。 - 特許庁

The dome is formed by removing the second layer 5 and transferring the form of the dome of the second layer 5 to the first layer 2 by subjecting the first layer 2 and the second layer 5 to dry etching.例文帳に追加

第一層２および第二層５にドライエッチングを施して、第二層５を除去するとともに、第二層５のドームの形状を第一層に転写して、ドームを形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser wherein a contact area is larger than an active layer area and a transverse mode is superior by solving problems of dry etching damage and deterioration in I-V characteristic.例文帳に追加

ドライエッチングダメージやI-V特性劣化の課題を克服し、コンタクト面積が活性層面積より広く横モード特性に優れた窒化物半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The exhaust gas discharged from the dry etching device 30 is introduced into the detoxifying device 1, and a detoxifying treatment is carried out.例文帳に追加

次に、除害装置１で除害処理した後の排ガスを当該除害装置１から排出し、排出した排ガスを除害装置１に再び導入して除害処理する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.例文帳に追加

アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having good resolving power to far UV having ≤250 nm wavelength, particularly ArF excimer laser light and also having superior dry etching resistance.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下の波長の遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating sulfur hexafluoride gas to be used as an insulating medium of a gas insulation switchgear, or the like and a dry etching agent or a fluorinating agent of LSI (large scale integrated circuits).例文帳に追加

ガス絶縁開閉装置などの絶縁媒体、ＬＳＩのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤として使用されている六フッ化硫黄ガスの処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter, by which a pattern suppressed in residual film after development can be formed by a dry etching process and the color filter almost free from damage and having good surface state can be manufactured.例文帳に追加

ドライエッチング法を利用して現像残膜を抑えたパターン形成を可能とし、ダメージが抑えられ表面性状の良好なカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid ejecting head, which can secure a preferable hysteresis characteristic even when removing surface contamination of a pressure generating element by magnetron dry etching.例文帳に追加

圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去しても、良好なヒステリシス特性を確保できる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

One side face of this film 15 is retreated 5-20% of the resist film width through CDE(chemical dry etching) using a mixed gas contg.例文帳に追加

その後、Ｃｌ_2とＡｒとＣＦ_4を含むガスを用いたＣＤＥにより、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１５の一方の側面が前記レジスト膜の幅の５％乃至２０％後退される。 - 特許庁

To improve the reliability of an insulating film in the vicinity of a floating gate by sufficiently removing electric charges accumulated thereon by using plasma dry etching.例文帳に追加

プラズマドライエッチングによりフローティングゲートの近傍の絶縁膜に蓄積された電荷を十分に取り除き、フローティングゲート近傍の絶縁膜の信頼性を向上することができる。 - 特許庁

Connection terminals 9, 10 are connected to an external electrode outside the package substrate 2 electrically via through-holes 13, 14 formed by dry etching.例文帳に追加

そして、接続端子９、１０とパッケージ基台２外部の外部電極とは、ドライエッチングにより形成された貫通孔１３、１４を介して電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for doubling component life of a ring for expanding plasma arranged within a processing chamber, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device and an Si ring.例文帳に追加

処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for manufacturing semiconductor elements in which the shape of an insulating window is improved so as to correspond to the density of a plasma formed within a processing chamber.例文帳に追加

工程チャンバー内に形成されるプラズマの密度に対応して絶縁窓の形状を改善した半導体素子製造用乾式エッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for nanoimprint which causes no mold contamination or pattern defect even after repeated pattern transfer and excels in line edge roughness after dry etching.例文帳に追加

繰り返しパターン転写を行ってもモールド汚れ、パターン欠陥が発生せず、かつドライエッチング後のラインエッジラフネスに優れるナノインプリント用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.例文帳に追加

スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask and its manufacturing method which improve size precision in a stencil mask substrate surface by making the influence of microloading effect reduced in a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させ、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供する。 - 特許庁

The edge surface region 120 of an Si support substrate 102 is exposed by dry etching using a resist pattern 110a formed to expose a wafer edge region.例文帳に追加

ウエハエッジ領域を露出するように形成したレジストパターン１１０ａを用いて、ドライエッチングによりＳｉ支持基板１０２のエッジ表面領域１２０を露出させる。 - 特許庁

To prevent a substrate to be etched from static charging being attracted by electrodes on which it is placed and blocking its subsequent transfer when dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングに際し、被エッチング材である基板がエッチング中に帯電され、当該基板を載置している電極に静電吸着して以降の搬送の障害となることを防止する。 - 特許庁

Subsequently, dry etching of the SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer exposed from the underside of the support material 22 forms a groove h2 which exposes a lateral side of the SiGe layer.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable resin composition having high sensitivity and high contrast after exposure and excellent in resolution, tinting property and etching resistance and a dry film resist using the composition.例文帳に追加

高感度および露光後コントラスト性を有し、解像性、テンテイング性、耐エッチング性に優れた光重合性樹脂組成物およびそれを用いたドライフイルムレジストを提供する。 - 特許庁

The gas-liquid separation filter 3 of a gas-liquid separation chip is so-called, "black silicon" having many needle-shaped projections, formed on a silicon substrate 1 by anisotropic dry etching.例文帳に追加

気液分離チップの気液分離フィルタ部３はシリコン基板１に異方性ドライエッチングにより形成された多数の針状突起物を有するブラックシリコンと称されるものである。 - 特許庁