「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

A top wiring layer 8 connected to the tungsten plug 6' is formed on an interlayer dielectric 3 after an oxide layer including a grinding chip 7 is removed by performing dry etching or wet etching of the oxide layer including the grinding chip 7 formed on the tungsten plug 6'.例文帳に追加

タングステンプラグ６´上に形成された研磨屑７を含む酸化層のドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことにより、研磨屑７を含む酸化層を除去してから、タングステンプラグ６´に接続された上層配線層８を層間絶縁膜３上に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can reduce shape defects of a contact hole by more securely performing the formation of the contact hole in such a shape that a conductive layer is easily formed, especially, dry etching after wet etching without greatly increasing processes.例文帳に追加

工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加

ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 45 is processed in dry etching using a photoresist film 51 formed on the interlayer insulating film 45 as a mask, and wiring grooves 52, 53 are formed by stopping etching on a surface of stopper film 46 formed in a halfway portion of the interlayer insulating film 45.例文帳に追加

層間絶縁膜４５上に形成したフォトレジスト膜５１をマスクにして層間絶縁膜４５をドライエッチングし、層間絶縁膜４５の中途部に形成したストッパ膜４６の表面でエッチングを停止することによって配線溝５２、５３を形成する。 - 特許庁

Subsequently, dry etching for treating the Ni layer 8 as an etching stopper is done at high speed, thereby forming a via hole 1s on the insulating substrate 1 that goes from its back surface side to the Ni layer 8 while depositing a compound film 19 at its sidewall by cooling and the like.例文帳に追加

その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを高速で行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを、冷却等によりその側壁に化合物膜１９を堆積させながら形成する。 - 特許庁

In a parallel flat plate type dry etching device, a camera having a microscope function and a film thickness measurement function is installed inside an electrode opposite to an electrode for mounting the semiconductor substrate, and the etching state of the semiconductor substrate is observed by using this camera.例文帳に追加

平行平板型のドライエッチング装置において、半導体基板を載置する電極とは反対の電極の内部に顕微鏡機能および膜厚測定機能を有するカメラを設置し、このカメラを用いて半導体基板のエッチング状態を観測できるようにした。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

When plasma emission is monitored during dry etching and an emission wavelength derived from nitrogen is monitored, the silicon oxide nitride film in the third insulation layer 3 is eliminated and exposure of the silicon oxide nitride film in the second insulation layer 2 is detected thus ending the etching.例文帳に追加

ドライエッチング中にプラズマ発光のモニタリングを行って窒素由来の発光波長をモニタリングすることにより、第３の絶縁層３のシリコン酸窒化膜がなくなり、第２の絶縁層２のシリコン酸窒化膜が露出してきたことが検出され、エッチングを終了する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask by which an optimum etching period can be always set corresponding to changes in a device state with lapse of time upon dry-etching a shifter film of a phase shift mask, particularly for a halftone phase shift mask, etching conditions can be set considering variance in the shifter film thickness caused by formation of a shifter film or etching of a chromium light shielding film.例文帳に追加

フォトマスクの製造方法に関し、位相シフトマスクのシフター膜をドライエッチングする際、経時的な装置状態の変化に対応して常に最適なエッチング時間の設定を行うことができるように、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクにおいては、シフター膜形成やクロム遮光膜のエッチングによって生じるシフター膜厚のばらつきを考慮したエッチング条件の設定を行なうことができるようにする。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the organic EL display device carrying out etching of the wiring electrode by wet etching and etching of the insulating film by dry etching.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置の支持基板上に配置された薄膜状の配線電極であって、モリブデン、クロムおよびボロンを含む非晶質合金膜からなることを特徴とする表示装置用配線電極、該配線電極を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置、および、前記配線電極をウェットエッチングにより、絶縁膜のエッチングをドライエッチングにより行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 特許庁

A single crystal silicon base board is put under a dry-etching process using a resist film with a square checker pattern, or in another word, the resist film having an opening pattern with a square checker pattern as a mask.例文帳に追加

正方形の市松模様のレジスト膜、言い換えれば、正方形の市松模様の開口パターンを有するレジスト膜をマスクとして、単結晶シリコン基板をドライエッチングする。 - 特許庁

To appropriately control the temperature of a protective shield even in a plasma treatment device of, for instance, dry etching of a high aspect ratio or the like which processes a substrate by keeping the substrate at a relatively low temperature close to room temperature.例文帳に追加

室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。 - 特許庁

To prevent roughness formed at the bottom of a recess while preventing a resist pattern from being diminished, when a SiOC film is subjected to dry-etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＯＣ膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行なう場合に、レジストパターンの後退を抑制しつつ、凹部の底部に形成されるラフネスを抑制する。 - 特許庁

An insulation film 11 such as a 1 μm thick oxide film is deposited on a substrate 10 and a hole 12, whose lower diameter is 0.3 μm and upper diameter is 0.5 μm, is formed by lithography and dry etching.例文帳に追加

基板１０上に、酸化膜などの絶縁膜１１を１μｍ堆積し、リソグラフィーおよびドライエッチングにより、下部径が０．３μｍ、上部径が０．５μｍのホール１２を形成する。 - 特許庁

To realize a resist composition having dry etching resistance, that is less likely to cause collapse of a resist pattern, capable of preventing acid leaching, and is superior in basic properties as a resist.例文帳に追加

ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、レジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。 - 特許庁

A trench 4a is formed at a location to be split of a chip 5a on a surface of a semiconductor wafer 1 by an anisotropic dry etching, and a protection film is formed on the inner wall surface and base of of this trench 4a.例文帳に追加

半導体ウェーハ１表面チップ５ａの分割予定位置に異方性ドライエッチングにより溝４ａを形成し、この溝４ａの内壁面および底部に保護膜を形成する。 - 特許庁

After that, the insulation film 36 and surface protection film 41 on a heating region of the heating resistor film 31 are removed by using a photolithography method and a dry-etching method to open a pit 8 and to make an opening.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて発熱抵抗体部３１の発熱領域上の層間絶縁膜３６、表面保護膜４１を除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁

Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9.例文帳に追加

次に、第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト８と第２層間絶縁膜７をドライエッチングし、スルーホール９を形成する。 - 特許庁

A tray 15 of a dry etching device 1 includes substrate housing holes 19A-19I, and a substrate support unit 21 projects from porous walls 15d of each substrate housing holes 19A-19I.例文帳に追加

ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｉを備え、個々の基板収容孔１９Ａ〜１９Ｉの孔壁１５ｄから基板支持部２１が突出する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the omission of an SiO_2 layer, at the time of forming the pattern of gate electrode structure in W/WN/Poly-Si/SiO_2 laminating films by using a dry etching method.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いてW/WN/Poly-Si/SiO_2積層膜にゲート電極構造のパターンを形成する際におけるSiO_2層の抜けを防止する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform a high-precision process by suppressing the shooting-out of a resist or striation caused by resist damage when patterns are formed by dry etching by using a resist of post-ArF lithography generation as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for soft X-rays having high sensitivity, high resolution, a square pattern profile, excellent LER (line edge roughness) characteristics and dry etching resistance.例文帳に追加

高感度、高解像性で矩形なパターン形状を有し、ＬＥＲ特性及びドライエッチング耐性に優れた特性を有する軟Ｘ線用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

A rugged shape of a pattern in which projections 1 of a plurality of regular hexagonal prisms are arranged in a honeycomb form is formed on a surface of the sapphire substrate having a c-plane as a principal plane by dry etching.例文帳に追加

ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。 - 特許庁

The dry etching agent can be decomposed in the atmosphere, and contribution to global warming is much smaller than that of PFCs and HFCs, such as CF_4 and CF_3H, placing a markedly reduced load on the environment.例文帳に追加

ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。 - 特許庁

Then, in order to form a pad opening in response to at least the metal wiring in the protective film, a step of working including a dry etching step by a fluorine gas is performed (step S2).例文帳に追加

次に、保護膜上に対し少なくとも上記金属配線に応じたパッド開口部を形成するため、フッ素系のガスによるドライエッチング工程を含む加工工程を経る（処理Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent particularly in pattern shape as a chemical amplification type resist and excellent also in balance of characteristics including dry etching resistance, sensitivity and resolution.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、特にパターン形状に優れ、かつドライエッチング耐性、感度、解像度等を含めた特性バランスにも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus equipped with a chamber 10 that etches the processing object, shielding plates 30 consisting of Ta, Ti or an alloy containing Ta or Ti are arranged in the chamber.例文帳に追加

被処理物をエッチングするチャンバー１０を備えたドライエッチング装置において、前記チャンバー内に、Ta、あるいはTi、あるいはTaまたはTiを含む合金からなる遮蔽板３０が配置されている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to radiation and excellent in basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Geometrical variation and change in the phase change material composition otherwise to occur due to memory cell element separation during the dry etching process are reduced for the improvement of reliability in memory cell rewrite frequency.例文帳に追加

その結果、ドライエッチングによるメモリセル素子の分離に起因した、形状ばらつきおよび相変化材料の組成変化が低減し、メモリセルの書き換え回数信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a color filter producing method which is based on dry etching and makes it possible to produce a color filter that has fine and rectangular pixels and is excellent in flatness.例文帳に追加

ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有し平坦性に優れたカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法の提供 - 特許庁

Thereafter, a resist pattern is formed at a required position, and a titanium nitride film 4 and the platinum film 5 to serve as a lower electrode are patterned by dry etching, using the resist pattern as a mask for the formation of an lower electrode.例文帳に追加

その後所望の位置にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングにより窒化チタン膜４と下部電極となる白金膜５をパターニングし、下部電極を形成する。 - 特許庁

A second rugged shape 2 finer than the first rugged shape 1 is formed by dry etching on the surface of the organic film 18 on which the first rugged shape 1 is formed.例文帳に追加

第１の凹凸形状１が形成された有機膜１８の表面に、ドライエッチングにより第１の凹凸形状１よりも微小な第２の凹凸形状１９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To provide a resist removing agent composition having such components that photoresist residues or polymers after dry etching are easily removed and an insulating film with a low dielectric constant is not corroded or oxidized.例文帳に追加

ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

A silicon dangling bond(SDB) is controlled on a surface of an amorphous silicon layer 122 which was made by dry etching by a lower electrode layer to increase immigration from the surface.例文帳に追加

ドーピングされた非晶質シリコン層を下部電極層のパターンで乾式食刻した後、非晶質シリコン層の表面でシリコンダングリングボンドをコントロールし、表面からのシリコンの移動を増大させる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a porous film for a wiring substrate or a method for manufacturing a prepreg, a step of eliminating a dense layer of a surface layer of the porous film by dry etching is conducted.例文帳に追加

配線基板用多孔質膜の製造方法またはプリプレグの製造方法において、多孔質膜の表層の緻密層をドライエッチングにより除去する工程を実施する。 - 特許庁

The isotropic dry etching process is executed in such a way that a reaction gas of 100 Pa-1,000 Pa is introduced and a bias voltage is not applied while plasma is ignited to the reaction gas.例文帳に追加

その等方性ドライエッチング工程は、１００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下の反応ガスを導入し、その反応ガスにプラズマを点火しつつバイアス電力を印加しないで行う。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor device which is provided with excellent element properties wherein variations in film thickness can be suppressed and the occurrence of dry etching damage can be also suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

膜厚バラツキを抑制し、かつドライエッチングダメージの発生を抑制できる優れた素子特性を兼ね備えた薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a copolymer having an excellent focal depth margin and excellent line-end foreshortening resistance without impairing basic properties as a resist such as a pattern shape, dry-etching resistance, heat resistance, etc., and a radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なうことなく、焦点深度余裕に優れると共に、ラインエンドフォアショートニング耐性に優れる。 - 特許庁

To provide a method to produce a liquid crystal display device by which a reaction product is not deposited when a contact hole is opened in an interlayer insulating film by dry etching, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

ドライエッチングによる層間絶縁膜へのコンタクトホール開口時に反応生成物が再付着しない液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the internal pressure of a chamber provided to the magnetic field-applied plane parallel plate dry etching device is set at 3.3 kPa or so, the intensity of a magnetic field is set at 2 mT or so, and an RF power is set at 200 W or so.例文帳に追加

その後、磁場印加型平行平板ドライエッチング装置のチャンバ内の圧力を３．３ｋＰａ程度とし、磁場の強度を２ｍＴ程度とし、ＲＦパワーを２００Ｗ程度とする。 - 特許庁

A Cu plating is carried out and a dry film (a resist film) is stuck, the pattern is formed by the exposure/the developing, the resist film is removed after the etching, and the circuit on the rear side is formed.例文帳に追加

次いで、Ｃｕメッキを施しドライフィルム（レジストフィルム）を貼り付け、露光・現像にてパターンを形成し、エッチングした後にレジストフィルムを除去して裏面側の回路が形成される。 - 特許庁

Then, the second p-type clad layer 107 is dry-etched until reaching the etching stop layer 106, by using as a mask a stripe-form SiO_2 film 109 formed on the second p-type clad layer 107.例文帳に追加

次に、ｐ型第２クラッド層１０７上に形成したストライプ状のＳｉＯ_2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated circuit device for reducing the reaction products of dry-etching causing connection failures among multilayered wirings and increase in connection resistances.例文帳に追加

多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the dry etching method of a substrate efficiently and stably achieving micro-fine working to a substrate made of hard and brittle materials with high hardness and brittleness such as a crystal substrate.例文帳に追加

水晶基板等の高硬度で脆い硬脆性材料からなる基板に対する微細加工を効率よく安定して実現できる基板のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁