「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device which has coatings removed from the predetermined edges of at least one of the surfaces of a wafer by a dry etching, which may realize the removal of coatings by etching circular sections in the predetemined width of the wafer ends, such as for semiconductor disks.例文帳に追加

ウエーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチング方法において取り除き、したがって例えば半導体円板において少なくとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate, capable of preventing a dry etching rate of a source electrode and a drain electrode from deteriorating, preventing etching residues from occurring, and eliminating a barrier metal between a semiconductor layer and wiring metal, such as the source electrode or the drain electrode, and to provide a display device.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。 - 特許庁

A dry etching method of using a mixed gas of a plurality of fluorine-based gases as a process gas, generating plasma in a high vacuum while supplying the process gas and applying low frequency bias power to perform etching is provided to solve the problem.例文帳に追加

プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A nitride compound semiconductor layer 8 is formed on an Al containing nitride compound semiconductor layer 7, and the nitride compound layer 8 is subjected to dry etching, under conditions where the etching selection ratio of the nitride compound layer 8 to the Al containing compound semiconductor layer 7 is 100 or higher.例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid capable of removing an etching residue remaining after dry etching, in a short time, in a wiring process of a semiconductor element used for a semiconductor integrated circuit, without causing oxidation nor corrosion of a copper wiring material, an insulating film material, etc., and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dry etching method processing an etching object layer into a shape of a desired rugged pattern with a high precision, a magnetic recording medium manufacturing method utilizing the same, and a magnetic recording medium which has a recording layer formed into a rugged pattern and allows good magnetic characteristics to be surely obtained.例文帳に追加

被エッチング層を所望の凹凸パターンの形状に高精度で加工できるドライエッチング方法、これを利用した磁気記録媒体の製造方法及び記録層が凹凸パターンで形成され、良好な磁気特性が確実に得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

Then, the projected part projected upwards from the upper surface of the metal film 17 of the side wall 31 composed of a reaction product and formed on the inner side face of an etching part 18 in the process of the dry etching is removed by plasma treatment using gas containing fluorine elements.例文帳に追加

そして、前記ドライエッチングの過程でエッチング部位１８の内側面に形成された反応生成物からなる側壁３１の、金属膜１７の上面より上方に突出する突出部を、フッ素元素を含むガスを用いたプラズマ処理により行うこと除去する。 - 特許庁

The funnel effect of the light is integrated just in front of the coupling hole, then a light funnel that intensifies an optical coupling effect is constituted by overlaying with a dielectric planarized on a semiconductor slope specified crystallographically using wet etching or a semiconductor slope specified by a resist profile using dry etching.例文帳に追加

光の漏斗効果をそのカップリン孔の真正面に集積させて、光の結合効果を増強させる光漏斗を湿式蝕刻で結晶学的に半導体のスロープを規定するか、または、乾式蝕刻で、レジスト・プロファイルで規定された、半導体スロープの上を平坦化した誘電体で被覆した。 - 特許庁

In the method of etching the sapphire substrate, a photoresist pattern is formed on the sapphire substrate and irradiated with ultraviolet rays of ≤400 nm in wavelength, and then dry etching is carried out using the resist pattern as a mask to form many circular truncated conic and circular conic projections on the sapphire substrate.例文帳に追加

本発明は、サファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に円錐台状や円錐状の凸部を多数形成するサファイア基板のエッチング方法である。 - 特許庁

To form an accurate desired gate electrode by suppressing an electron shading damage and reducing positive charging by a polysilicon electrode, in a manufacturing method for semiconductor memory and an etching method for gate electrode using a plasma dry etching method for flash memory or DRAM, etc., having a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するフラッシュメモリやＤＲＡＭ等のプラズマドライエッチングによる半導体メモリの製造方法及びゲート電極エッチング方法に関し、電子シェーディングダメージを抑制し、ポリシリコン電極が正のチャージングを抑制して正確な所望のゲート電極を形成することを課題とする。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.例文帳に追加

ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁

After an SiO_2 film 2, a diffusion preventing film 3, an interlayer insulating film 4, and a cap film 5 are formed in this order on a silicon substrate 1, an opening 8, extending to the SiO_2 film 2, is formed by performing dry etching with a resist film 7 as a mask using etching gas which contains fluorine.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ＳｉＯ_２膜２、拡散防止膜３、層間絶縁膜４およびキャップ膜５を順に形成した後、レジスト膜７をマスクとし、フッ素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングすることによって、ＳｉＯ_２膜２に至る開口部８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electro-optic device capable of preventing generation of electrostatic breakdown even when a high dielectric constant insulating film is used for a dielectric layer and dry etching is employed for etching the high dielectric constant insulating film or the like, and to provide an electro-optic device manufactured by the method.例文帳に追加

誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In the present manufacturing method, dry etching treatment is performed on a background substrate 1 using inorganic particles 2 disposed on the background substrate 1 as an etching mask, projecting portions 1B corresponding to the shape of the inorganic particles 2 are formed on a surface of the background substrate 1, and coating 3 for epitaxial growth mask is then formed on the background substrate 1.例文帳に追加

下地基板１上に配置された無機粒子２をエッチングマスクとして下地基板１をドライエッチング処理して下地基板１の表面に無機粒子２の形状に対応した凸部１Ｂを形成した後、下地基板１上にエピタキシャル成長マスク用の被膜３を形成する。 - 特許庁

To reduce differences in dimension due to difference in pattern density on the surface by using a mixed gas, in which reducing gas is added to reactive etching gas consisting of oxygen containing gas and halogen containing gas in dry etching process of a metal thin film.例文帳に追加

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide film which secures a dielectric coefficient of 4 or less, stable film stress even when the film is left in the atmosphere, a small leak current, extremely slow dry etching velocity which is lower than that of the silicon oxide film including carbon, and may be used as an etching stop film of copper wiring.例文帳に追加

誘電率が４以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。 - 特許庁

A trench channel 5 is formed whose cross-sectional shape is tapered, in the normal order of a bottom getting narrower against an upper part, by combination of a wet-etching with an insulating film 3 and a dry-etching using an isotropic gas with an i-layer 2 and an n-type high concentration substrate 1.例文帳に追加

ウエットエッチング法による絶縁膜３のエッチングと、等方性ガスを用いたドライエッチング法によるｉ層２およびｎ型高濃度基板１のエッチングとを組み合わせることにより、その断面形状が、底部が上部に比べて細い順テーパー形状となるトレンチ溝５を形成する。 - 特許庁

To provide washing liquid and a washing method for removing strongly bonded etching residues remaining after dry etching in a short time, and for preventing copper wiring raw materials or insulating film materials or the like from being oxidized or corroded in the wiring process of a semiconductor element to be used for a semiconcudctor integrated circuit.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去し、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液、および洗浄法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To enhance production efficiency by developing a process for improving etching accuracy and shortening manufacturing process, in the manufacturing of a stencil masking which aims at reducing the influence of microloading effect in a dry etching production process in the manufacturing process, and to enhance the dimensional accuracy of in a masking face.例文帳に追加

製造過程のドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減し、マスク面内の寸法精度を向上させることを目的としたステンシルマスクの製造において、エッチング精度を向上するプロセス開発と製造工程の短縮化を行い、生産効率を高める。 - 特許庁

A method of manufacturing an array substrate comprises the steps of forming a barrier layer in the lower portion of a source and drain electrodes using material unetched by wet etching liquid for a metal material constituting the source and drain electrodes, and patterning the barrier by anisotropic dry etching, thereby obtaining the desired CDs of a channel portion.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のＣＤを得る。 - 特許庁

Further, by performing a simple wet etching process using a single wet station without another dry etching process for removing the oxide film in the cell region and a photosensitive film pattern, no bridging phenomenon between cells are induced, so that yield of a device is improved.例文帳に追加

さらに、セル領域の酸化膜及び感光膜パターンを除去するため別の乾式エッチング工程なく単一ウェットステーションを用いた簡単な湿式エッチング工程を行うことにより、セル間のブリッジング現象が誘発されないのでディバイスの収率向上に寄与することができる。 - 特許庁

A p-type clad layer 13, contact layers 14, 15 and an SiO_2 layer 16 are formed on an etching stopper layer 6, and the p-type clad layer 13 and the contact layers 14, 15 are etched by dry etching with the SiO_2 layer 16 as a mask to form a ridge 7 with perpendicular or roughly perpendicular shaped side faces.例文帳に追加

エッチングストッパ層６上に、ｐ型クラッド層１３、コンタクト層１４・１５、ＳｉＯ_２層１６を形成し、ドライエッチングにより、ＳｉＯ_２層１６をマスクとして、ｐ型クラッド層１３およびコンタクト層１４・１５をエッチングし、側面が垂直または略垂直形状のリッジ７を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

The method for dry-etching a multilayered material containing a metal thin film employs an etching gas composed of an electron-donating gas and at least either a carbonyl-group-containing gas or a halogen-containing gas.例文帳に追加

金属薄膜を含む多層膜材料のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして、カルボニル基を含有するガスおよびハロゲン元素を含有するガスのうち少なくとも１種類のガスと電子供与性ガスとを組合わせて用いることを特徴とする多層膜材料のドライエッチング方法。 - 特許庁

To provide a transistor which maintains a high performance by avoiding remarkable decrease of the performance by reducing excessive etching of a gate insulating film by overetching of dry etching to be performed at a gate electrode forming time, and to provide a method for manufacturing the same and a liquid crystal display device using the transistor.例文帳に追加

ゲート電極形成時に行われるドライエッチングのオーバーエッチングによりゲート絶縁膜がエッチングされすぎることを低減することにより、性能の著しい低下を回避して、高い性能を維持したトランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する - 特許庁

To provide a cleaning liquid not oxidizing nor corroding a copper wiring material or an insulating film material and capable of removing an etching residue remaining after dry etching in a short time in a wiring process of a semiconductor element employed in a semiconductor integrated circuit, and to provide a cleaning method employing the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁

In this case, in the step (d) of forming the control gate 5, anisotropic dry etching is performed by using a wafer stage 22 arranging the wafer substrates 15, 2 as a cathode electrode and by setting up an etching condition that the bias power of the cathode electrode is selected from 100 to 1,500 W.例文帳に追加

ここにおいて、コントロールゲート（５）を形成する（ｄ）工程は、ウェハ基板（１５、２）が配置されたウェハステージ（２２）をカソード電極とし、カソード電極のバイアスパワーを１００Ｗ以上１５００Ｗ以下から選択されるエッチング条件に設定して異方性ドライエッチングを行う。 - 特許庁

When eliminating a reaction product material 4 containing halogen group gas on a wafer made of a piezoelectric substrate 2 by using a rinse liquid, after etching process wherein a pattern is formed on electrodes 1 on the wafer, using a dry etching apparatus, pure water is used, whose specific resistance is controlled to be 20 MΩ.m through the addition of alcohol.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用い圧電体基板２からなるウエハ上の電極１にパターンを形成するエッチング処理後にウエハ上のハロゲン系ガスを含んだ反応生成物４を洗浄液にて除去する際、アルコールを添加し比抵抗を２０ＭΩ・ｍ以下に制御した純水を用いる。 - 特許庁

On a TFT array substrate 9 where the switching active element 5 and a switching active element protection film 7 are formed, a color filter film 11 is formed and then a contact part 6 is formed by processing the color filter film 11 and switching active element protection film 7 at the same time by dry etching using patterned etching resist 10.例文帳に追加

スイッチング能動素子５とスイッチング能動素子保護膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板９上に、カラーフィルタ膜１１を形成した後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いて、カラーフィルタ膜１１とスイッチング能動素子保護膜７を同時にドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁

On the interlayer insulating membrane 14, a second insulating membrane 15 different in an etching rate from this interlayer insulating membrane 14 is laminated and arranged, and when forming an undercut part 16 in the second insulating membrane 15 by dry etching, the interlayer insulating membrane 14 is protected by the second insulating membrane 15.例文帳に追加

層間絶縁膜１４上にこの層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜１５を積層配置し、第２の絶縁膜１５にドライエッチングによりアンダーカット部１６を形成する際、前記層間絶縁膜１４を第２の絶縁膜１５で保護する。 - 特許庁

In a reactive dry etching apparatus according to the present invention, a magnetic field generating means for forming circular magnetic neutral lines at the magnetic field zero position, which exist in succession in a vacuum chamber, is provided.例文帳に追加

本発明による反応性ドライエッチング装置においては、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段が設けられる。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench, in a short time, which has no sub-trench and has a flat bottom through dry etching in which a trench made narrow to approximately ≤200 nm is formed in a single crystal Si.例文帳に追加

単結晶Ｓｉに２００ｎｍ以下程度に狭幅化したトレンチを形成するドライエッチングにおいて、サブトレンチがなく底部が平坦なトレンチを短時間で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The length of the short sides of the vibrating plate is formed 150μm or less and the clearance 7 is formed by the sacrificing layer process performing dry etching using sacrificing layer removal holes provided along the long sides.例文帳に追加

振動板の短辺長は１５０μｍ以下に形成され、空隙７は振動板の長辺に沿って設けられた犠牲層除去孔を用いてドライエッチングを行う犠牲層プロセスによって形成される。 - 特許庁

The method of detoxifying-treating the exhaust gas discharged from a dry etching device 30 by using the detoxifying device 1 is provided.例文帳に追加

ドライエッチング装置３０から排出される排ガスを除害装置１を用いて除害処理する方法であって、ドライエッチング装置３０から排出された排ガスを除害装置１に導入して除害処理する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to a radiation, satisfying basic performances required by a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape and free of occurrence and increase of foreign matter in resist storage.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストに要求される基本性能を満たすとともに、レジスト保管時に異物の発生、増加が起こらない。 - 特許庁

Next, a part of the wiring laminated part is removed by dry etching and a preliminary opening part C1a is formed with a provision that a whole surface of the movable electrode 20 is covered with a part of the first interlayer insulation film 16.例文帳に追加

次に、可動電極２０の全面が第一層間絶縁膜１６の一部で覆われるように残して配線積層部の一部をドライエッチングにより除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。 - 特許庁

To prevent roughness from appearing on the wall surface of a pattern formed on a film to be etched, when dry etching is performed while using a resist pattern, which is provided by having the resist film irradiated with EUV light as a mask.例文帳に追加

ＥＵＶ光をレジスト膜に照射して得られたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なったときに、被エッチング膜に形成されるパターンの壁面にラフネスが現われないようにする。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

An exothermic body film 2a is formed on the ceramics substrate 1, and an overcoat film 3 in which removing rate by sand blast or by dry etching is same as that of the exothermic body film 2a is formed by means of a spin coating.例文帳に追加

セラミックス基板１上に発熱体膜２ａを形成し、サンドブラスト又はドライエッチングによる除去速度が発熱体膜２ａと同じオーバーコート膜３をスピンコートにより形成する。 - 特許庁

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.例文帳に追加

次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁

A wiring pattern 44 is formed by patterning using dry etching and connected with a heating element 39 through a contact part 41 in an opening provided in an insulating protective layer 40.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いたパターニングにより配線パターン４４を形成し、該配線パターン４４を絶縁保護層４０に設けられた開口によるコンタクト部４１を介して発熱素子３９に接続する。 - 特許庁

To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness.例文帳に追加

レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。 - 特許庁