「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

When a phase shift mask pattern formed by dry-etching a transparent substrate is inspected, a state wherein an etched surface is made porous is measured to detect an incomplete shifter pattern part.例文帳に追加

透明基板をドライエッチングによって形成した位相シフトマスクパターンのパターン検査において、エッチング表面が多孔質化された状態を計測することによって不完全なシフターパターン部を検出する。 - 特許庁

While the reflection interference waveform caused by light reflected from the monitoring aperture 131a is monitored by radiating the light to the monitoring aperture 131a, dry etching is conducted using a second mask.例文帳に追加

そして、モニタリング用開口部１３１ａへ光を照射して、モニタリング用開口部１３１ａからの反射光による反射干渉波形をモニタリングしながら、第２マスクを用いたドライエッチングを行う。 - 特許庁

This kind of the reflection film 9 is manufactured by forming plural island shaped resist patterns radially divided by narrow grooves 22 into n side faces (n=3, 4, etc.), on the metal film 1 and dry etching them.例文帳に追加

このような反射膜９は、細溝22をよって放射状にｎ分割（ｎ＝３、４、・・・）した複数の島状のレジストパターンを金属膜１の上に形成し、ドライエッチングを行うことによって製造する。 - 特許庁

Thereafter, a photoresist film patterned to the predetermined shape is formed over the interlayer insulating film (S16), and the dry etching is performed using the photoresist film as a mask (S18) to form a wiring groove to the interlayer insulating film.例文帳に追加

この後、層間絶縁膜上に所定の形状にパターニングされたフォトレジスト膜を形成し（Ｓ１６）、フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングし（Ｓ１８）、層間絶縁膜に配線溝を形成する。 - 特許庁

This micro-part having a desired shape is produced by forming a film (UV-curing epoxy resin forming layer) comprising a polymeric material on a semiconductor substrate (silicon substrate), and dry-etching the film.例文帳に追加

半導体基板（シリコン基板１）上に高分子材料からなる膜（ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂形成層３）を形成し、この膜をドライエッチングすることによって所望形状の微小部品を製造する。 - 特許庁

To provide a forming method of for forming recessed parts with different depths in one substrate by one dry etching, and to provide a crystal resonator chip and a gyro resonance chip manufactured by utilizing the forming method.例文帳に追加

ひとつの基板の中で深さが異なる凹部を一度のドライエッチングで製造する製造方法、その製造方法を利用して製造された水晶振動片及びジャイロ振動片を提供することにある。 - 特許庁

In a semiconductor device having the trench 11 within a semiconductor substrate 10, roughness 11b shaped by uneven concave and convex surfaces in almost equal height is formed through at the bottom surface 11a of the trench 11 a dry etching process.例文帳に追加

半導体基板１０内にトレンチ１１を有する半導体装置において、トレンチ１１の底面１１ａに、ドライエッチング処理により高さが概ね均一な凹凸形状の粗さ１１ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a resist additive having high dry etching resistance and high acid functionality, exhibiting high compatibility to a resist resin and high solubility in a resist solvent and enabling the increase of the addition amount of the additive.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性と高い酸官能性を持ち、かつレジスト樹脂との相溶性やレジスト溶媒への溶解性が高く、添加量を増加することができるレジスト添加剤を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure showing a good property without requiring any special wiring formation process such as an air bridge or the like in an HBT in which a mesa formation is performed by a dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによりメサ形成を行ったＨＢＴにおいて、エアブリッジなどの特別な配線形成工程を必要とせず、良好な特性を示す構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

A hole H1 reaching an insulating layer 4 through a semiconductor substrate 2 is formed in a position corresponding to a photosensitive area S1 by dry-etching the semiconductor substrate 2 until the insulating layer 4 is exposed.例文帳に追加

半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。 - 特許庁

To provide a removing liquid which selectively removes a copper deteriorated layer containing copper oxide and/or copper oxide damaged by dry etching and/or ashing while suppressing the corrosion of copper.例文帳に追加

銅酸化物、及び/又は、ドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層を、銅の腐食を抑制し選択的に除去するための除去液を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which retains solubility in an alkali developer while improving dry etching resistance and resistance to an electron beam from a scanning electron microscope (SEM).例文帳に追加

ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による電子線への耐性を向上させるとともにアルカリ現像液に対する溶解性を維持したネガ型レジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To prevent such a reaction of tantalum on oxygen generated when dry-etching a tantalum film or the alloy and oxide films thereof under the situation of generating oxygen that a tantalum oxide redeposits on the sidewall of the etched film.例文帳に追加

タンタル膜又はその合金膜や酸化膜を酸素が発生する状況下でドライエッチングするとタンタルと酸素が反応し、タンタル酸化物が被エッチング膜の側壁に再付着することを防止する。 - 特許庁

To provide a new adamantane derivative that is useful as a modifier for photoresist resins in the field of the photolithography, a dry etching resistance improver, an agrochemical and/or pharmaceutical intermediate and other industrial products.例文帳に追加

フォトリソグラフィー分野におけるフォトレジスト用樹脂の改質剤やドライエッチング耐性向上剤、農医薬中間体、その他各種工業製品として有用な新規なアダマンタン誘導体を提供する。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma composition for dry-etching a stack of at least very chemically reactive materials for use of plasma using chlorine as a base, and a using method thereof.例文帳に追加

本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copolymerized polysiloxane high in transparency at wavelengths not longer than 193 nm and excellent in dry etching resistance and a radiation sensitive resin composition containing the same.例文帳に追加

１９３ｎｍ以下の波長において透明性が高く、かつ耐ドライエッチング性に優れた特定の共重合ポリシロキサン、並びに該共重合ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Then, the wiring layer 13 is patterned and wiring 13a is formed by performing dry etching by using chlorine gas with the auxiliary mask 15a and remaining photoresist 17a as the mask.例文帳に追加

つぎに、補助マスク１５ａおよび残留しているフォトレジスト１７ａをマスクとして塩素系ガスを用いたドライエッチングを行うことにより、配線層１３をパタニングして配線１３ａを形成する。 - 特許庁

Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.例文帳に追加

酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁

The surface of the treated object is exposed to the vapor of the treatment liquid introduced in the treatment room, the surface reforming such as the wettability improvement or the surface treatment such as the ashing, the etching or a dry cleaning can be performed.例文帳に追加

被処理物表面は、処理室内に導入された処理液蒸気に曝露され、濡れ性向上などの表面改質、アッシング、エッチング、ドライ洗浄などの表面処理が行われる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method.例文帳に追加

ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。 - 特許庁

In manufacture, the layer 22 of a thin film formed by a deposition method is worked by a semiconductor process (dry etching), and conductive materials, which are alternately provided between the layers 22, are formed as a film by an electroplating method.例文帳に追加

製造においては、堆積法で成膜した薄膜の圧電体層２２は半導体プロセス（ドライエッチング）で加工し、圧電体層２２間に交互する導電材料は電気メッキ法で成膜する。 - 特許庁

The diamond dome component is obtained by removing the first layer 2, transferring the form of the dome of the first layer to the substrate 1 and forming the diamond dome on the substrate 1 by subjecting the first layer and the substrate to dry etching.例文帳に追加

第一層および基体にドライエッチングを施して、第一層を除去するとともに、第一層のドームの形状を基体に転写して、基体１上にダイヤモンドドームを形成し、ダイヤモンドドーム部品を得る。 - 特許庁

A mask blank having a hard mask layer on a substrate is provided, wherein the hard mask layer comprises: a layer A which is disposed on the substrate, has conductivity, and can be subjected to wet etching; and a layer B which is disposed on the layer A and subjected to dry etching that substantially does not contain oxygen, and which functions as a mask for the layer A on etching the layer A.例文帳に追加

基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide an etching gas flow controller of a local dry etching device according to capable of facilitating the setting of optimum overhang amounts and clearance amounts corresponding to roll-off shapes different at each semiconductor wafer, capable of controlling an etching amount according to the shape of a semiconductor wafer outer peripheral part, and achieving improvement in the flatness of a semiconductor wafer outer peripheral edge such as roll-off and an SFQR.例文帳に追加

半導体ウェハ毎に異なるロールオフ形状に対応した最適なオーバーハング量、クリアランス量を容易に設定可能であり、半導体ウェハ外周縁部の形状に応じたエッチング量の制御が可能で、ロールオフ、ＳＦＱＲ等の半導体ウェハ外周縁部の平坦度をも向上できる局所ドライエッチング装置のエッチングガス流制御装置を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method of the optical waveguide for forming the optical waveguide in an oxide compound substrate includes first process of forming the optical waveguide in the oxide compound substrate by dry etching process, and a second process of re-coupling the oxygen damaged by the dry etching process by applying heat treatment to the oxide compound substrate having the optical waveguide in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 - 特許庁

The master disk for the optical recording medium is manufactured by exposing and developing the photoresist on the substrate to form the first rugged patterns, subjecting the substrate to dry etching using the photoresist as a mask to form the second rugged patterns, removing the photoresist remaining on the substrate and detecting the reflected and diffracted light obtained by irradiating the second rugged patterns of the substrate with the laser beam in the dry etching process step.例文帳に追加

また、基板上のフォトレジストを露光現像して第１の凹凸パターンを形成し、フォトレジストをマスクとして基板に対してドライエッチングを行って第２の凹凸パターンを形成して、基板上に残ったフォトレジストを除去し、ドライエッチング工程において、基板の第２の凹凸パターンにレーザ光を照射して、得られる反射回折光を検出して光記録媒体用原盤を製造する。 - 特許庁

The present method comprises providing a substrate in which a resistance heater for heating ink is formed, forming a shallow first trench communicating with an ink chamber to be formed later on a first surface of the substrate in which the resistance heater is formed through a wet or dry etching step, and forming a deep second trench communicating with the first trench and penetrating the substrate on a second surface through a dry etching step.例文帳に追加

本方法は，インク加熱用の抵抗発熱体を形成した基板を準備し，湿式または乾式エッチング工程を介して抵抗発熱体が形成された基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成し，乾式エッチング工程を介して基板の第２面に第１のトレンチと連通し基板を貫通する深めの第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

The production method for a vehicle window glass for forming an infrared reflective film using a vacuum deposition method is characterized by involving a process for removing, by means of dry etching, the film edge of an infrared reflective film having an electromagnetic wave transmission window that has been formed using a masking material and transmits electromagnetic waves, and is particularly characterized by using a whetstone or a laser as the dry etching means.例文帳に追加

真空成膜法を用いて赤外線反射膜を形成する車両用窓ガラスの製造方法であって、マスキング材を用いて形成した電磁波を透過する電磁波透過窓を有する赤外線反射膜の膜端部をエッチングにより除去する工程を有することを特徴とし、特に上記エッチング手段として砥石又はレーザーを使用することを特徴とする車両用窓ガラスの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上にポリシリコン層３を形成する工程と、ポリシリコン層３上にフォトレジストマスク５を形成する工程と、フォトレジストマスク５をマスクにしてポリシリコン層３をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を３ドライエッチングしている最中に生成される副生成物６を、フォトレジストマスク５の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the crystal oscillator which forms a coating film consisting of photopolymer on the quartz plate, forms a desired shape by exposing resin with exposed light by using a mask and performs batch dry etching processing of the quartz plate by using the resin shape, transmissivity of the exposed light transmitted the mask is controlled and the batch dry etching processing of the quartz plate is performed.例文帳に追加

水晶板上に感光性樹脂からなる被膜を形成し、マスクをもちいて露光光により前記樹脂を感光させることによって、所望の形状を形成し、前記樹脂形状を用いて水晶板を一括ドライエッチング加工する水晶振動子の製造方法であって、前記マスクを透過した露光光の透過率が制御されかつ水晶板を一括ドライエッチング加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which can form dense patterns without receiving the influence of standing waves and can form the patterns having a high aspect ratio in a dry etching step by combining lower layer films usable as thin films having excellent dry etching resistance and a resist film containing a fluorine-containing polymer having high transparency at a wavelength ≤193 nm and multilayered films for forming the patterns.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、波長１９３ｎｍ以下において透明性の高いフッ素含有重合体を含有するレジスト被膜とを組み合わせることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成でき、ドライエッチング工程において高いアスペクト比を有するパターンを形成できるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁

After a wiring layer 4 having a prescribed pattern is formed by dry-etching a metallic film or a semiconductor film formed on a semiconductor substrate, or after forming an insulating layer on the semiconductor substrate on which the wiring layer 4 is formed, followed by a dry-etching of the insulating layer to a prescribed pattern, cleaning is performed with a cleaning agent including a fluorine compound, an organic solvent, and water.例文帳に追加

半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層４を形成した後、あるいは、配線層４が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、これを所定のパターンにドライエッチングした後、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有し、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量％である洗浄剤により洗浄処理する。 - 特許庁

This method includes the steps for: forming an etching mask extending in a predetermined direction on a second semiconductor region 30 of a substrate product 10A having first and second semiconductor regions 20, 30 including an InP based compound semiconductor; forming a stripe mesa structure 40 by performing dry etching using an etching mask, and then performing wet etching; forming an insulation film 42; and forming an electrode 50 by the lift-off method.例文帳に追加

この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide an upper electrode, and a dry etching system using it, having no possibility of being contaminated with impurities in which not only highly accurate parallelism is kept with respect to a lower electrode but also the etching characteristics are enhanced, and the yield of silicon wafer is increased through good thermal conduction between an electrode plate and a base.例文帳に追加

不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間で高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座との良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるという上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁

An etching stopper layer 4 made of a material having a slower dry etching speed than the second electron supply layer 3b is formed between the first and second electron supply layers 3a and 3b, and a gate electrode 5 is formed filling the gate recess portion sandwiched between two regions above the layer 4.例文帳に追加

第１と第２の電子供給層３ａ、３ｂの間には、第２の電子供給層３ｂよりもドライエッチング速度が小さい材料からなるエッチングストッパ層４が形成されており、この層４の上部で２つの領域に挟まれたゲートリセス部を、ゲート電極５が充填するように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor wafer after polishing is washed with washing liquid by a wafer washing part 10 for removing foreign objects, and then is sent to first and second plasma treatment parts 4A and 4B slowly by the wafer transport part 3 so that the semiconductor wafer cannot be cracked for performing dry etching by plasma etching.例文帳に追加

研磨後の半導体ウェハはウェハ洗浄部１０によって洗浄液により洗浄されて異物が除去された後に、ウェハ搬送部３によって半導体ウェハが割れないようにゆっくり低速度で第１及び第２のプラズマ処理部４Ａ，４Ｂに送られ、プラズマエッチングによるドライエッチングが行われる。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

Thereafter, a polycrystalline silicon layer 56 and the high dielectric constant insulating film 54 are gradually and selectively removed by dry etching by using a resist layer 58 as a mask, and then the remainder of the high dielectric constant insulating film 54 and the silicon oxide film 52 are selectively removed by wet etching by using the polycrystalline silicon layer 56 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト層５８をマスクとして、多結晶シリコン層５６および高誘電率絶縁膜５４をドライエッチングにより段階的に選択的に除去し、つづいて、多結晶シリコン層５６をマスクとして、高誘電率絶縁膜５４の残りとシリコン酸化膜５２をウェットエッチングにより選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device, which is capable of preventing the occurrence of an insufficient withstand voltage or capacity unevenness of holding capacities from being caused by remaining of etching residuals or roughness of surfaces though dry etching is used when forming the holding capacities provided with thin dielectric layers, and to provide the electro-optical device.例文帳に追加

薄い誘電体層を備えた保持容量を形成する際にドライエッチングを利用しても、エッチング残滓の残存や表面の荒れに起因する保持容量の耐電圧不足や容量ばらつきの発生を防止可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供することこと。 - 特許庁

After forming the trenches or the like in a surface layer of the semiconductor layer by anisotropic etching, isotropic dry etching is carried out, with the semiconductor layer being kept at 50-150°C, using a mixed gas containing CF_4 gas and O_2 gas, to deposit a protection film on an exposed surface by reaction between the mixed gas and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面層に、異方性エッチングによりトレンチ等を形成した後、半導体層を５０〜１５０℃の温度に保持した状態で、半導体層と反応して露出面に保護膜を堆積するための、ＣＦ_４ガスおよびＯ_２ガスを含む混合ガスを用いて、等方性ドライエッチングをおこなう。 - 特許庁

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。 - 特許庁

An Si substrate is subjected to isotropic etching by the use of a dry etcher of down flow-type using an oxide film 2 as a mask, and an etching groove 3 is formed so as to round a point where the flat surface of the Si substrate intersects a trench opening that is formed in a following process or a part which becomes the edge of a trench opening.例文帳に追加

酸化膜２をマスクにして、ダウンフロー型のドライエッチャーによる等方性のＳｉエッチングを行い、シリコンの平坦な面とつぎの工程で形成されるトレンチの開口部とが交わる箇所、つまり、トレンチ開口部の縁となる箇所を予めエッチングして丸めるために、エッチング溝３を形成する。 - 特許庁