「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, the density and arrangement direction of the dummy pattern 3 are equalized to the density and arrangement direction of the circuit pattern 2 in the region where the circuit pattern 2 is arranged.例文帳に追加

ここで、該擬似パターン３の密度および配置方向は、回路パターン２が配置される領域における回路パターン２の密度および配置方向と同一にする。 - 特許庁

The photomask 200 has the effective pattern region 210 and the dummy pattern regions 220 disposed at least in part of the circumference of the effective pattern region 210.例文帳に追加

フォトマスク２００は、実効パターン領域２１０と、実効パターン領域２１０の周囲の少なくとも一部において設けられた、ダミーパターン領域２２０とを有する。 - 特許庁

A band-shaped dummy patter 23 is made around each wiring pattern formation block 2 by electrolytic copper plating at the same time with the wiring pattern within the wiring pattern formation block 22.例文帳に追加

各配線パターン形成ブロック２２の周辺には、帯状のダミーパターン２３を配線パターン形成ブロック２２内の配線パターンと同時に電解銅メッキにより形成する。 - 特許庁

The dummy pattern 6 is preliminarily provided in the vicinity of a portion having the tendency easy to be blurred in the circuit pattern, and is provided to be brought into a printed condition more easily blurred than that of the circuit pattern.例文帳に追加

但し、ダミーパターン６は、予め、回路パターンのかすれ易くなる部位の近くに設け、且つ回路パターンより印刷状態がかすれ易くなる様に設けておく。 - 特許庁

Next, after the dummy gate pattern has been selectively removed, the gate insulating film is formed in an inner wall of a dent with the dummy gate pattern removed and a gate electrode is formed in a dent formed with the gate insulating film, sequentially.例文帳に追加

次に、ダミーゲートパターンを選択的に除去した後、ダミーゲートパターンが除去された凹部の内壁にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜が形成された凹部にゲート電極とを順次形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a circuit part 8 including at least one actual pattern and a plurality of dummy pattern groups 2 each including a plurality of dummy patterns 1 spaced at a first distance 7.例文帳に追加

半導体装置は、少なくとも１つの実パターンを含む回路部８と、互いに第１の距離７を空けて配置された複数のダミーパターン１をそれぞれ含む複数のダミーパターン群２とを備える。 - 特許庁

The dummy wiring pattern 16d is divided by a division line 16c in such a manner that a part of the dummy wiring pattern 16d is electrically separated from the sealing material 16s and to be in contact with a liquid crystal.例文帳に追加

そして、ダミー配線パターン１６ｄの一部がシール材１６ｓから電気的に分離されると共に液晶に接するように、分割線１６ｃによって、ダミー配線パターン１６ｄが分割されている。 - 特許庁

This aligning method of semiconductor integrated circuit includes a step by which aligning pattern data per a specified unit area is extracted from aligning pattern data inputted in an aligning device, and the aligning pattern data extracted and a dummy pattern data for every specified unit area are merged and the aligning processing of the aligning pattern data and the dummy pattern data merged is executed for every area.例文帳に追加

露光装置に入力した露光パターンデータから所定の単位領域毎の露光パターンデータを抽出し、抽出した露光パターンデータと、所定の単位領域毎のダミーパターンデータとをマージし、マージした露光パターンデータとダミーパターンデータとを単位領域毎に露光処理するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の露光方法。 - 特許庁

A real pattern and a dummy pattern are alternately allocated in the manufacturing process so that, when the film carrier 30 is transferred into a vacuum chamber 15, the real pattern 32 is located at the portion other than an O-ring portion 12 in the vacuum chamber and the dummy pattern 33 at the O-ring portion.例文帳に追加

フィルムキャリア３０が真空チャンバー１５内に搬送された際に、真空チャンバー内のＯリング部１２以外の部分に実パターン部３２が、Ｏリング部の部分にダミーパターン部３３が位置するようにフィルムキャリア上に実パターン部とダミーパターン部を交互に配置して製造すること。 - 特許庁

All stripe defects contained in the dummy pattern and the main pattern are inspected, and the stripes of the dummy pattern or the main pattern rather than the defective stripes are subjected to electron beam exposure process, so that masks are improved in manufacturing yield.例文帳に追加

ダミーパターン及びメインパターンに含まれている全てのストライプの欠陥を調べ、その結果を用いてメインパターンまたはダミーパターンの欠陥ストライプの電子ビーム露光工程を行う代わりに、ダミーパターンまたはメインパターンのストライプの電子ビーム露光工程を行うことにより、マスクの製造収率を高めることができる。 - 特許庁

In the method for forming a pattern 16 on the pattern formation region of the base 11 by a lift-off method, a dummy pattern 116 is formed by a lift-off method also on the pattern non-formation region of the base except the pattern formation region.例文帳に追加

基体１１のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターン１６を形成する本発明の方法は、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターン１１６を形成する。 - 特許庁

For film thickness of a test pattern region of the dummy board, the relation between immersion time and film reducing amount is plotted.例文帳に追加

ダミー基板のテストパターン領域の膜厚について、浸漬時間と膜減り量の関係をプロットする。 - 特許庁

The inspection of the resist pattern 32 includes inspection of the presence or absence of discontinuity 22 in the length direction of the dummy resist 34.例文帳に追加

レジストパターン３２の検査は、ダミーレジスト３４の長さ方向の切れ目２２の有無の検出を含む。 - 特許庁

The evaluation pattern has an active region, a dummy active region, an STI film, an insulating film and an electrode.例文帳に追加

上記評価パターンは、アクティブ領域と、ダミーアクティブ領域、ＳＴＩ膜、絶縁膜及び電極を有する。 - 特許庁

Consequently, lateral symmetry of the metal dummy pattern 6 can be kept when viewed from the gate electrode 1.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１から眺めたメタルダミーパターン６の形状の左右対称性が保持される。 - 特許庁

Planarization of the structure is enhanced by using a pattern of a dummy material in the peripheral region.例文帳に追加

周囲領域にダミー材料のパターンを使用することにより構造体の平坦化が向上される。 - 特許庁

The dummy pattern is a through hole, etc., and drawn with light exposure of an extent where resist is not exposed.例文帳に追加

ダミーパターンはスルーホールなどであり、レジストが露光されない程度の露光量によって描画される。 - 特許庁

The flattening dummy pattern is arranged in a shape or an interval corresponding to the type of the function block.例文帳に追加

ここで、平坦化用ダミーパターンは、機能ブロックの種類に応じた形状または間隔で配置されている。 - 特許庁

To reduce amount of plasma charged to semiconductor element and wire, even without making the dummy pattern area large.例文帳に追加

ダミーパターンの面積を大きくしなくても、半導体素子や配線へのプラズマチャージ量を少なくする。 - 特許庁

This is a design method for a dummy pattern, which is inserted in wiring patterns 11-13, and 15-17 on a reticule.例文帳に追加

本発明は、レチクル上の配線パターン11〜13,15〜17に挿入するダミーパターンを設計する方法である。 - 特許庁

By observing the dummy pattern, the specific portion of SRAMs can be observed in the semiconductor chip.例文帳に追加

ダミーパターンを観察することで、半導体チップ内のＳＲＡＭの特定部分を観察することができる。 - 特許庁

A layout processing means 261 arranges the dummy pattern which does not function as a circuit in layout design processing data.例文帳に追加

レイアウト設計処理データに回路的に機能しないダミーパターンをレイアウト処理手段２６１が配置する。 - 特許庁

The end of the first dummy pattern directing the positive orientation of the second oriented segment is moved backward in the negative orientation of the second oriented segment from the end directing the same direction of the second dummy pattern, and each of the terminals is extended beyond the position of the first end of the first dummy pattern directing the positive orientation of the second oriented segment.例文帳に追加

第２の有向線分の正の向きを向く第１のダミーパターンの端部は、第２のダミーパターンの同じ方向を向く端部よりも第２の有向線分の負の向きに後退しており、端子の各々は、第１のダミーパターンの第１の端部の位置を越えて、第２の有向線分の正の向きに向かって延びている。 - 特許庁

In a step (S24) of selectively removing the dummy pattern, this pattern can be selectively removed, hardly changing the shape of a neighboring material SiO2, since the material of the dummy pattern has high selectivity to the neighboring material SiO2.例文帳に追加

また、ダミーパターンを選択的に除去する工程（工程Ｓ２４）では、ダミーパターンの材料は周囲の材料、即ち、ＳｉＯ_2との選択比が高いので、ＳｉＯ_2の形状をほとんど変えることなく、ダミーパターンを選択的に除去することができる。 - 特許庁

The dummy reinforcing pattern (31) consists of a dummy wiring formed in at least one of a plurality of layer insulating films and a line-like dummy via formed in at least one of a plurality of layer insulating films.例文帳に追加

ダミー補強パターン（３１）は、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成されたダミー配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成されたライン状のダミービアとからなる。 - 特許庁

A stamper is provided with an irregular pattern which forms a dummy irregular shape (outer periphery dummy area Odm) such as a dummy pit at least on the outer periphery side of the disk as an area excepting for an information area of the disk.例文帳に追加

スタンパは、ディスクのインフォメーションエリア以外の領域として、少なくともディスク外周側にダミーピット等のダミー凹凸形状（外周ダミーエリアＯｄｍ）を形成するような凹凸パターンを備えるようにする。 - 特許庁

To provide a printed circuit board that suppresses or eliminates the occurrence of electric short circuit between a wiring pattern and a dummy pattern.例文帳に追加

配線パターンとダミーパターンとの間の電気的短絡の発生を抑制ないしは解消することを可能としたプリント配線板を提供する。 - 特許庁

A change in the temperature of the dummy mask 41 in plotting an original pattern by a pattern plotter 27 is measured by the thermometer 41a.例文帳に追加

そして、パターン描画装置２７による原画パターンの描画を行った際の、ダミーマスク４１の温度の変化を温度計４１ａにより測定する。 - 特許庁

The line terminating section equalizing dummy pattern 420 includes a plurality of line-like patterns which are identical in width and formed at equal intervals as the line pattern.例文帳に追加

ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 - 特許庁

To provide a metal pattern generating method and generating apparatus capable of shortening the time required for generating a metal pattern including a dummy metal.例文帳に追加

ダミーメタルを含むメタルパターンの生成に要する時間を短縮することのできるメタルパターン生成方法および生成装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of conductor pattern films 21 which are each provided with the wiring patterns 22a and the dummy pattern 22b are laminated into the multilayer wiring board 100.例文帳に追加

配線パターン２２ａとダミーパターン２２ｂとが形成された導体パターンフィルム２１を複数毎積層して、多層配線基板１００を形成する。 - 特許庁

Viewed from above the semiconductor substrate S, the dummy pattern P and the conductive pattern P each have a portion overlapping over each other and the other portion.例文帳に追加

そして、半導体基板Ｓ上からみて、ダミーパターンＰと導電パターンＰとは、互いにオーバーラップする部分とそれ以外の部分とを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device where costs are low and a pattern formation process is simplified in a dummy gate pattern formation process.例文帳に追加

ダミーゲートパターン形成工程において、低コストであり、かつ、パターン形成工程を簡略化した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a cell reassembly section of a CLAD unit at a cell receiver side can detect the synchronization of the PN pattern inserted at a position of the dummy pattern.例文帳に追加

これによって、セル受信側のＣＬＡＤ装置のセルリアセンブリ部ではダミーパタン位置に挿入されたＰＮパターンの同期検出が可能となる。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board wherein a wiring pattern adjacent to a dummy pattern is formed with high precision, and also to provide a semiconductor device package and an electronic apparatus.例文帳に追加

ダミーパターンに隣接する配線パターンが高精度で形成可能な多層配線板、半導体装置パッケージ及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The ratio per unit area of a first dummy pattern 7 disposed in a cutting region 5 of a scribe region 4 is lower than that per unit area of a second dummy pattern 8 disposed in a non-cutting region 6.例文帳に追加

スクライブ領域４の切断領域５に配置される第１のダミーパターン７の単位面積当たりの占有率は、非切断領域６に配置される第２のダミーパターン８の単位面積当たりの占有率よりも小さい。 - 特許庁

An overlap portion OLA between the dummy metals 15 and the first resistance layer 12A has the same pattern as that of an overlap portion OLB between the dummy metals 15 and the second resistance layer 12B.例文帳に追加

ダミーメタル１５と第１の抵抗層１２Ａのオーバーラップ部ＯＬＡと、ダミーメタル１５と第２の抵抗層１２Ｂのオーバーラップ部ＯＬＢは同一パターンとなっている。 - 特許庁

After that, a probe for inspection is brought into contact with the dummy terminals for testing to inspect whether or not a prescribed current flows in the wiring pattern 22, and the dummy terminals for testing are cut off.例文帳に追加

その後、テスト用ダミー端子に検査用プローブを接触させて配線パターン２２に所定の電流が流れるか否かを検査し、テスト用ダミー端子を切り離す。 - 特許庁

Further, by occupying a relatively large region out of the dummy region FA with the first dummy pattern DP_1, an increase in the amount of data of a mask is suppressed.例文帳に追加

さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

After an amorphous silicon film pattern 10 is formed as the dummy electrodes, silicon oxide films 11 are formed by oxidizing the sidewall sections of the dummy gate electrodes through heat treatment.例文帳に追加

ダミーゲート電極としてのアモルファスシリコン膜パターン１０を形成した後、加熱処理によってダミーゲート電極の側壁部を酸化してシリコン酸化膜１１を形成する。 - 特許庁

A code sequence dummy data rewriting means 1852 replaces part of a code sequence with a prescribed format from a coding means 1851 coding contents data corresponding to a dummy pattern generated from a dummy pattern generating means 1854 and provides an output of a 1st code sequence.例文帳に追加

符号列ダミーデータ書き換え手段１８５２は、コンテンツデータを符号化する符号化手段１８５１からの所定フォーマットの符号列に対して、ダミーパターン発生手段１８５４で発生されたダミーパターンに対応する部分をダミーデータに置き換えて第１の符号列を出力する。 - 特許庁

This first pattern 6 is a periodic high density pattern which adds a dummy pattern to an aperture pattern which should finally be formed in the processed layer 4, and super-resolving technology, such as an optimal deformed illumination, etc. is used at the time of exposure.例文帳に追加

この第１のパターン６は被加工層４に最終的に形成すべき開口パターンにダミーパターンを付加した周期密集パターンであり、露光時にこれに最適な変形照明等の超解像技術を用いる。 - 特許庁

By using a photomask with a pattern that has a line width being equal to or less than a resolution limit for the surface of the resist pattern 12, a groove (dummy pattern) with a depth that does not reach the substrate 11 is formed, and the volume of the resist pattern 12 is reduced.例文帳に追加

レジストパターン１２の表面には、解像限界以下の線幅のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、基板１１に達しない深さの溝（ダミーパターン）を形成し、レジストパターン１２の体積を小さくする。 - 特許庁

At the rear surface of the printed board 1, a dummy wiring pattern having the equal width and interval as a wiring pattern 3 is formed at the position matching with the wiring pattern 3 of the front surface.例文帳に追加

プリント基板１の裏面には、表面の配線パターン３に整合する位置に、この配線パターン３と同一の幅及び間隔を有するダミー配線パターン６が形成されている。 - 特許庁

A resist pattern 53 for gates corresponding to a trench gate pattern is formed at the resist 49 of the cell formation region 3, and a dummy resist pattern 55 is formed in the resist 49 of the termination formation region 5.例文帳に追加

セル形成領域３のレジスト４９にトレンチゲートパターンに対応するゲート用レジストパターン５３を形成し、終端部形成領域５のレジスト４９にダミーレジストパターン５５を形成する。 - 特許庁