「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Geometrical center of the metal dummy pattern 6 in the second direction D2 is identical to the geometrical center of the gate electrode 1 in the second direction D2.例文帳に追加

しかも、メタルダミーパターン６の第２方向Ｄ２に関する幾何中心は、第２方向Ｄ２に関するゲート電極１の幾何中心ＧＣに等しい。 - 特許庁

A load information providing means 263 provides load information existing in a periphery of the extracted dummy pattern to a connection node corresponding to circuit connection information.例文帳に追加

抽出したダミーパターン周辺に存在する負荷情報を回路接続情報の対応する接続ノードに負荷情報付与手段２６３が付与する。 - 特許庁

A region 52 with a formed rugged pattern and a dummy electroforming area 53 are exposed as electrically conductive parts on an electrically conductive substrate 51 passed through a developing step.例文帳に追加

現像工程を経た導電性基板５１上には、凹凸パターンが形成された領域５２と、ダミー電鋳部５３が導電部分として露出されている。 - 特許庁

The lower molded insulating layer is exposed by removing the dummy pattern, and a cavitary region is formed by performing anisotropic etching on the exposed lower molded insulating layer.例文帳に追加

ダミーパターンを除去して下部モールド絶縁層を露出させ、露出された下部モールド絶縁層を異方性エッチングして空洞領域を形成する。 - 特許庁

A dummy conductive pattern 7 is formed in a region for forming the elements 5, which is located on the surface of the semiconductor substrate 3 and below the bonding pad 15.例文帳に追加

そして、ボンディングパッド１５下方の半導体基板１１の表面上における素子５の形成領域には、ダミーの導電パターン７が設けられている。 - 特許庁

To obtain wiring forming method of a semiconductor device, where a tool for designing a dummy wiring pattern can be dispensed with, and a development term can be shortened.例文帳に追加

ダミーの配線パターンをデザインするためのツールが不要で、かつ開発期間の短縮を図ることができる半導体装置の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The dummy pattern 32 is formed between the pair of electrode patterns 31 along a lengthwise side edge of the chip capacitor 50 to be mounted.例文帳に追加

このダミーパターン３２は、一対の電極パターン３１の間の位置であり、かつ搭載されるチップコンデンサ５０の長手方向の側辺に沿って形成されている。 - 特許庁

In a planar view, the first TEG pattern 30 does not overlap with any of the wiring 242, 342, and 442 and the dummy patterns 224, 324, and 424.例文帳に追加

そして平面視において、第１ＴＥＧパターン３０は、いずれの配線２４２，３４２，４４２及びダミーパターン２２４，３２４，４２４にも重なっていない。 - 特許庁

To provide a new method of flattening semiconductor wafer which can perform easily and surely CPM (chemical mechanical polishing) flattening treatment even if it does not have a dummy pattern.例文帳に追加

ダミーパターンを備えなくとも容易かつ確実にＣＰＭ平坦化処理を行うことができる新規な半導体ウェハの平坦化方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device where a dummy pattern is formed and a data rate can be adjusted, without having to generate parasitic capacitance in an internal region.例文帳に追加

内部領域に寄生容量を発生させることなく、ダミーパタンを設けてデータ率を調整することができる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Next, the dummy pattern 20 of the maximum size is located with the edge of the object as a basis point while selecting each object in order (step A2 and A3).例文帳に追加

次に、各オブジェクトを順次選択しながら、当該オブジェクトの端部を基点として最大サイズのダミーパターン２０を配置する（ステップＡ２及びステップＡ３）。 - 特許庁

The CPU 41 forms the dot pattern data of the forward rotation/non-mirror in response to the seal surface size in the case of the dummy stamp unit for confirming the seal surface content.例文帳に追加

また、ＣＰＵ４１は、印面内容の確認を行うダミースタンプユニットの場合には印面サイズに応じた正転／非ミラーのドットパターンデータを作成する。 - 特許庁

For instance, pattern-opening width of the screen print at spots of filling into the dummy rib is made smaller than that of display region to let printed line width of this portion narrow.例文帳に追加

例えば、ダミーリブへの充填箇所におけるスクリーン版のパターン開口巾を表示領域のそれよりも小さくし、当該部の印刷ライン巾を細くする。 - 特許庁

Besides, it is also possible to adjust the light quantity of a diffraction pattern by the usual diffracted light beam 1b to reproduce information by the dummy diffracted light beam 1c.例文帳に追加

また、ダミーの回折光１ｃにより、情報を再生する通常の回折光１ｂによる回折像の光量調整を行うことも可能である。 - 特許庁

To provide a method of designing a mask capable of providing a dummy pattern in a new form, and to provide a semiconductor element and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、新たな形態のダミーパターンを提供できるマスクの設計方法、半導体素子、及びその製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

The dummy pattern arrangement regions RP are apart from at least one of boundaries between the respective divided regions RD and adjacent divided regions.例文帳に追加

ダミーパターン配置領域ＲＰは、各分割領域ＲＤと隣接する分割領域との間の境界のうち少なくとも１つから離れている。 - 特許庁

A lower molded insulating layer and an upper molded insulating layer where a dummy pattern is formed inside are sequentially formed on a semiconductor substrate on which a photodiode is formed.例文帳に追加

フォトダイオードが形成された半導体基板上に下部モールド絶縁層と、ダミーパターンが内部に形成された上部モールド絶縁層を順次に形成する。 - 特許庁

The dummy pattern of the emitter electrode 11 is used for forming the second insulating film 8, so that a manufacturing method with small dispersion in width and superior reproducibility can be obtained.例文帳に追加

また、第２の絶縁膜８の形成にエミッタ電極１１のダミーパターンを用いることにより、バラツキ幅の小さい、再現性に優れた製造方法となる。 - 特許庁

A circuit simulation device 3 executes the signal delay simulation by using the equivalent circuit model for simulation considering the dummy pattern obtained in the above way.例文帳に追加

このようにして得たダミーパターンを考慮したシミュレーション用等価回路モデルを用いて、回路シミュレーション装置３が信号遅延シミュレーションを実行する。 - 特許庁

An etching amount is reduced by exposing an external region surrounding a device chip region on a photomask substrate to form a dummy light shielding pattern.例文帳に追加

フォトマスク基板上において、デバイスチップ領域を囲む外部領域を露光し、ダミー遮光パターンを形成することにより、エッチング量を減少させる。 - 特許庁

Dummy patterns 19 are formed at the corners of a semiconductor device 14 on a tape carrier which is composed of polyimide base insulating tape and copper foil pattern 12 formed on it.例文帳に追加

ダミーパターン１９は、ポリイミド系絶縁テープに銅箔パターン１２が形成されたテープキャリア上における半導体素子１４のコーナー部に設けられている。 - 特許庁

To inhibit a deterioration of reliability and yield of a semiconductor integrated circuit in a method for automatically designing a semiconductor integrated circuit which locates a dummy pattern.例文帳に追加

ダミーパターンを配置する半導体集積回路の自動設計方法において、当該半導体集積回路の信頼性及び歩留まりの低下の抑止を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a function such as power enhancement by effectively utilizing a dummy pattern for CMP formed in a predetermined wiring layer.例文帳に追加

所定の配線層に形成されたＣＭＰ用のダミーパターンを有効に活用して、電源強化等の機能を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Whether the dummy pattern strings can be arranged on the boundaries of the present rectangular blocks and the adjacent rectangular blocks or not is judged in determining the array size.例文帳に追加

アレイサイズを決定する際には、現在の矩形ブロックと、隣接する矩形ブロックとの境界上にダミーパターン列が配置され得るかどうかを判断する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a fuse can be blown out stably even above a dummy pattern passed through a salicide process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

サリサイドプロセスを経たダミーパターン上方においても安定したヒューズ溶断が可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

This dummy wiring is arranged adjacent to the actual wiring, at a portion with a small wiring rate of the actual wiring at a specific interval, so that the difference between rough and dense pattern is relieved.例文帳に追加

この模擬配線は、実配線に隣接し、実配線の配線率が、小さな部分に、所定の間隔でパターンの粗密差を緩和するように配置する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having a dummy wiring pattern, the device capable of suppressing erroneous display caused by static electricity.例文帳に追加

ダミー配線パターンを備えた液晶表示装置において、静電気に起因する誤表示の発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a memory cell array region 1, the pattern of the element components (active regions 10-15 and 21-23 and polysilicon regions 31-42) of each unit memory cell and the pattern of the dummy cell of a dummy cell region 3 for outer periphery are made equal to each other and both patterns have an axisymmetrical relation with respect to their boundary line BC1.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域１の１メモリセル単位のメモリセルの素子構成要素（活性領域１０〜１５，２１〜２３及びポリシリコン領域３１〜４２）のパターンと外周用ダミーセル領域３のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線ＢＣ１に対して線対称な関係を呈している。 - 特許庁

As a ring-shaped dummy pattern 158L2 is provided around a solder pad 158L1, vibrations are transmitted through the surface of a printed wiring board when subjected to impact due to dropping of a device on which the printed wiring board is mounted but the dummy pattern 158L2 prevents the transmission of the vibrations and prevents the vibrations from being transmitted to an inside solder pad 158L1.例文帳に追加

半田パッド１５８L１の周囲にリング状のダミーパターン１５８Ｌ２が設けられているので、プリント配線板を搭載する器機が落下等により衝撃を受けた際に、プリント配線板の表面上を振動が伝わるが、振動の伝達をダミーパターン１５８Ｌ２が食い止め、内側の半田パッド１５８Ｌ１へ伝わるのを防ぐ。 - 特許庁

Further, a second interlayer insulating film 10 covering the first wiring layer 9 is formed on the top face of the first interlayer insulating film 7 and on the top face of the first wiring layer 9, and a second wiring layer dummy pattern (first dummy wiring pattern) 11 is formed on the top face of the second interlayer insulating film 10.例文帳に追加

また、前記第一層間絶縁膜７の上面上及び前記第一配線層９の上面上には、前記第一配線層９を被覆する第二層間絶縁膜１０が形成され、前記第二層間絶縁膜１０の上面上には第二配線層ダミーパターン（第一ダミー配線パターン）１１が形成されている。 - 特許庁

The robot 1 is composed of a condition input part 21 for detecting a condition outside the robot 1 and holding a dummy emotion, relational database part 22 for storing plural motion patterns, action retrieving part 23 for extracting the motion pattern corresponding to the external condition and the dummy emotion, and action output part 23 for moving the robot 1 according to this motion pattern.例文帳に追加

ロボット1には、ロボット1外部の状況を検知し、擬似的感情を保持するする状況入力部21、複数の動作パタンを記憶する連関データベース部22、外部状況、擬似的感情に対応する動作パタンを抽出する行動検索部23、この動作パタンに沿ってロボット1を動作させる行動出力部24からなる。 - 特許庁

The sum total of the intensity of the magnetization of a burst type of the servo pattern is made 0 by forming a DC signal part involved in the burst part of the servo pattern with a combination of positive and negative DC signal components and low-density dummy bits or a pattern shifted in its phase.例文帳に追加

サーボパターンのバースト部分に含まれる直流信号部分を、正と負の直流信号要素の組み合わせ、低密度のダミービット、もしくは位相をずらしたパターンで構成することにより、サーボパターンのバースト部分の磁化量の総和を０とする。 - 特許庁

When the preliminary delivery is performed on the dummy region just before the pattern delivery is performed onto the grid-like inner barrier walls, a time lag between the preliminary delivery and the pattern delivery hardly occurs and the pattern delivery can be precisely performed on the grid-like inner barrier walls.例文帳に追加

そして、格子状の内部隔壁にパターン吐出を行なう直前に、ダミー領域で予備吐出を行なったところ、予備吐出とパターン吐出のタイムラグがほとんど発生せず、格子状の内部隔壁において精度よくパターン吐出できることを見出した。 - 特許庁

To provide a layout creation device and a manufacturing method for a semiconductor circuit for preventing occurrence of a pseudo error in checking a design rule due to coexistence of an actual circuit pattern and a dummy pattern in a layout pattern for performing an accurate and reliable design rule check on the actual circuit pattern.例文帳に追加

レイアウトパターンにおける実回路パターンとダミーパターンとの混在に起因したデザインルール・チェック時の擬似エラーの発生を解消して、実回路パターンに対する正確で信頼性の高いデザインルール・チェックを行うことを可能とした半導体集積回路のレイアウト作成装置および半導体集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

This display device is provide with an aperture pattern NAR for dummy pixels, which has a drawing stress absorption hole suppressing pattern precision deterioration due to deformation of an aperture pattern by absorbing stress in a process wherein a mask part MSS is fixed to a frame FLM by applying tension, outside an aperture pattern DRA for pixels.例文帳に追加

マスク部ＭＳＳをテンションを印加してフレームＦＬＭに固定する工程で生じる応力を吸収し、開孔パターンの変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を有するダミー画素用開孔パターンＮＡＲを画素用開孔パターンＤＡＲの外側に設ける。 - 特許庁

There is provided an optical disk 10A including: a first substrate 16; and the second substrate which is stuck to the first substrate 16, and has a dummy pattern surface having a rugged shaped dummy pattern 11a on one surface thereof and a signal surface having a rugged shaped signal pattern 11b based on a prescribed optical disk specification on the other surface thereof opposite to the one surface.例文帳に追加

第１の基板１６と、第１の基板１６に貼り合わされ、一方の面が凹凸状のダミーパターン１１ａを有するダミーパターン面であり、一方の面とは反対側の他方の面が所定の光ディスク規格に準拠した凹凸状の信号パターン１１ｂを有する信号面である第２の基板と、を備えていることを特徴とする光ディスク１０Ａを提供する。 - 特許庁

Moreover, the dummy patterns are formed in the same direction as the main patterns to raise uniformity of the patterns and to maintain the CD (Critical Diameter) of each pattern constant by securing the uniformity of the patterns as well as to simplify designing and manufacturing process by the regularity of the orientation of the dummy pattern relative to the main pattern.例文帳に追加

また、メインパターンと同じ方向にダミーパターンを形成することによって、パターンの均一性をより高め、パターンの均一性確保によって各パターンのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）の一定化を図り、かつ、メインパターンと同じ方向にダミーパターンを形成することによって、メインパターンとダミーパターンの方向性の規則性によって設計工程及び製造工程の単純化を図る。 - 特許庁

The dummy pattern D includes a plurality of basic patterns D(0) and D(1) in predetermined asymmetrical shapes about a first direction and a second direction, pattern portions crossing the basic patterns D(0) and D(1) not disposed repeatedly at fixed intervals on an X-directional straight line and a Y-directional straight line in a region where the dummy pattern D is formed.例文帳に追加

ダミーパターンＤには、第１の方向及び第２の方向に対して非対称な所定形状を有する複数の基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）が含まれ、ダミーパターンＤが形成された領域内のＸ方向の直線上及びＹ方向の直線上にて、それぞれの基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）を横切るパターン部分が一定間隔で繰り返し配置されないように構成される。 - 特許庁

To provide an intra-cell film thickness measuring apparatus provided with an autofocusing means which detects an in-focus position surely and quickly even for an object to be measured having no pattern without using a dummy pattern.例文帳に追加

擬似パターンを用いることなく、パターンが存在しない測定対象物であっても合焦点位置を確実かつ高速に検出できるオートフォーカス手段を具備したセル内膜厚測定装置を提供する。 - 特許庁

The dummy pattern 12 is formed in a region which is non-facing the main pattern 11, on the surface of the transparent substrate 10 and which does not resolve to the transfer object, when irradiated with the light from the light source.例文帳に追加

ダミーパターン１２は、透明基材１０の表面のうちメインパターン１１との非対向領域に形成されており、光源の光が照射されたときに被転写対象に解像しないようになっている。 - 特許庁

To obtain an exposure mask, a method for manufacturing the mask and a method for forming a pattern so that a cell can be finished to its most end part in a desired dimension without using a dummy pattern, therefore, without increasing the cell area.例文帳に追加

ダミーパターンを用いずに、したがって、セル面積を増大させることなく、セルの最端部まで所望寸法に仕上げることが可能な露光用マスク、その製造方法及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

An extending arrayed pattern part 35b extending up to the outside of a liquid crystal filling area 130A and extending further up to the outside of the of the above prepared panel area 130 is formed integral with the dummy pattern part 35a.例文帳に追加

ダミーパターン部３５ａには、液晶封入領域１３０Ａの外へ伸び、さらに上記パネル予定領域１３０の外側にまで伸びる、配列された延長パターン部３５ｂが一体に形成されている。 - 特許庁

In addition, the pattern of each unit memory cell in the memory cell array region 1 and the pattern of the dummy cell in a piling region 2 are made equal to each other and both patterns have an axisymmetrical relation with respect to their boundary line BC2.例文帳に追加

加えて、メモリセルアレイ領域１の１メモリセル単位のメモリセルのパターンと杭打ち領域２のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線ＢＣ２に対してに線対称な関係を呈している。 - 特許庁

On a polysilicon film 4 on a semiconductor substrate 1, a resist pattern 5a of a line shape is formed in a memory cell region S, and a dummy resist pattern 5b is formed on a region P excepting the memory cell region S.例文帳に追加

半導体基板１上のポリシリコン膜４上において、メモリセル領域Ｓではライン状のレジストパターン５ａが形成され、メモリセル領域Ｓ以外の領域Ｐではダミーのレジストパターン５ｂが形成される。 - 特許庁

A semiconductor film pattern including the channel regions of the TFTs is arranged in the grooves that are dug on the substrate and dummy patterns (201) are formed from the same film of the TFTs beside the semiconductor film pattern in the grooves.例文帳に追加

基板に掘られた溝内にＴＦＴのチャネル領域を含む半導体膜パターンが配置されており、溝内において半導体膜パターンの脇に、ＴＦＴと同一膜からダミーパターン（２０１）が形成されている。 - 特許庁