「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A structure connected by a dummy Cu pattern 43B and a dummy via plug 47D of the lower wiring layer is added to a region of a tip relative to the extension 47B in order to prevent a poor connection by stress migration at the connection thereof.例文帳に追加

この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部４７Ｂより先端部の領域に下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄで接続する構造を追加する。 - 特許庁

It is determined to utilize dummy ribs 12b that do not directly contribute to lighting display as the display, so that opening pattern or rib shape of screen print is set up to ease visual observation of dummy printing.例文帳に追加

ディスプレイとしての点灯表示に直接寄与しないダミーリブ１２ｂを利用することとし、そこでのダミー印刷の目視での観察が容易となるように、スクリーン版の開口パターンやリブ形状を設定する。 - 特許庁

A dummy conductor 3 is formed inside a ceramic element 1, or a dummy pattern is formed on the surface of the ceramic element 1, by which the side of the mounting surface of the electronic component of ceramic structure is made convex.例文帳に追加

セラミック素子１の内部にダミー導体３を形成すること、またはセラミック素子の表面にダミーパターンを形することによって、セラミックを構成要素とする電子部品の実態側の面を凸に反らせる。 - 特許庁

By this setup, a rectangular dummy pattern region 3a used for prevention of interference in a magnetic field is formed between the trimming grooves 10a and 10b, and a rectangular dummy pattern region 3b used for prevention of interference in a magnetic field is formed between the trimming grooves 11a and 11b.例文帳に追加

こうして、導体パターン２の２本のトリミング溝１０ａと１０ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域３ａが形成され、トリミング溝１１ａと１１ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域３ｂが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a dummy pattern 13, which is provided in 1st source drain blocks 23 and 26 having gate patterns 10 and 11 and close to 2nd source drain blocks 24 and 27 adjacent to the 1st source drain blocks 23 and 26, and the dummy pattern 13 has a length L, with which no punch-through is generated.例文帳に追加

ゲートパターン１０、１１を有する第１ソースドレインブロック２３、２６内であって、第１ソースドレインブロック２３、２６に隣接する第２ソースドレインブロック２４、２７に近接して設けられたダミーパターン１３を備え、ダミーパターン１３は、パンチスルーが発生しない長さＬを有する。 - 特許庁

The optical device including the lower clad layer (13a), the core pattern (12) formed on the lower clad layer (13a), and the upper clad layer (13b) formed so as to surround the core pattern (12) forms a dummy pattern (111) along the core pattern (12) on the lower clad layer (13a).例文帳に追加

本発明は、下部クラッド層（１３ａ）と、下部クラッド層（１３ａ）上に形成されたコアパターン（１２）と、コアパターン（１２）を囲むように形成された上部クラッド層（１３ｂ）とを有する光学装置において、下部クラッド層（１３ａ）上に、コアパターン（１２）に沿ってダミーパターン（１１１）を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain an exposure method and a system which restricts reduction in throughput, when a dummy pattern is exposed by using an electron beam direct drawing system.例文帳に追加

電子線直接描画露光装置を用いてダミーパターンを露光する場合のスループットの低下を抑える露光方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a design method, a design device and a program for a semiconductor device, that can form a dummy pattern with suitable density.例文帳に追加

適切な密度のダミーパターンを生成することができる半導体装置の設計方法、設計装置及びプログラムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To reduce the capacitance caused by a dummy pattern located to a wiring layer without decreasing the wiring density on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置での配線密度を低下させることなく、配置するダミーパターンにより生じる容量を低減することができるようにする。 - 特許庁

A cap part 20 includes a dummy pattern 26 on a position facing to a domain wherein the vibrator 16 is moved to a facial direction of a second silicon layer 12.例文帳に追加

キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。 - 特許庁

A motor stator 6 is constituted so that an insulating dummy layer 65 is interposed between three coil pattern layers 61, 61 and 63, and a coated film 64.例文帳に追加

モータステータ６は、三層のコイルパターン層６１，６２，６３と塗布皮膜６４との間に絶縁ダミー層６５を介在させた構成となっている。 - 特許庁

A dummy conductive layer 34a for covering a slit-like groove 28 forming the accessory pattern 50 formed in the scribing line region 13 is formed.例文帳に追加

スクライブ線領域１３に形成されるアクセサリパターン５０を構成するスリット形状の溝２８を覆うダミー導電層３４ａを形成する。 - 特許庁

At least one of the green sheets 1a to 1f is printed with a dummy pattern 5 using the same conductor paste used for the conductor patterns 2 to 4 and 6.例文帳に追加

グリーンシート１ａ〜１ｆのうちの少なくとも１枚に、導体パターン２〜４、６と同じ導体ペーストを用いてダミーパターン５を印刷する。 - 特許庁

Either one of the lead patterns 6 connected to both ends of the temperature measuring resistor 5 is connected to the dummy pattern 7 in the vicinity of the electrode 8.例文帳に追加

また、測温抵抗５の両端に接続されたリードパターン６は、いずれか一方が、電極８付近でダミーパターン７に接続される。 - 特許庁

A dummy electrode pattern 35 is formed on the surface of a mother substrate 30 faced to wiring 42 formed on a mother substrate 40.例文帳に追加

母基板４０上に形成された配線４２と対向する母基板３０の表面上に、ダミー電極パターン３５が形成されている。 - 特許庁

To form a dummy pattern for a transistor formed at any position, and to control variations of its transistor characteristic.例文帳に追加

いかなる位置に形成されたトランジスタに対してもダミーパターンを形成することを可能にして、トランジスタ特性の変動を抑制することを可能にする。 - 特許庁

A dummy pattern 15 is formed in a linear shape at ≤0.2 mm interval along the sealing member between the display region and the sealing member 12.例文帳に追加

そして、表示領域とシール部材１２との間にダミーパターン１５をシール部材にそって０．２ｍｍ以下の間隔にて線状に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench element isolation region where a dummy projection region is formed in a predetermined pattern, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a bell and a dummy winning combination are doubly won, control is performed in reference to a second control table to draw a bell pattern onto an effective line.例文帳に追加

ベルとダミー役とが重複当選した場合には、第２制御テーブルを参照し、ベル図柄を有効ライン上に引き込む制御を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a dummy pattern for keeping flatness of a wiring layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、配線層の平坦性を保つためのダミーパターンを有する半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This wiring layer serves as a dummy pattern for making an area irradiated with a laser light beam uniform and easy to absorb the laser light beam.例文帳に追加

この配線層は、レーザー光線の照射領域を均一化し、且つレーザー光線を吸収しやすくするためのダミーパターンとして働く。 - 特許庁

A dummy pattern 18 is formed of a first layer metal wiring layer along the boundary of a memory cell region contiguous to a peripheral circuit region.例文帳に追加

周辺回路領域に隣り合うメモリセル領域の境界に沿って第１層目金属配線層によるダミーパターン１８が形成されている。 - 特許庁

To improve accuracy of signal delay simulation also considering a wiring capacity between a dummy pattern and signal wiring in examining circuit operation.例文帳に追加

回路動作の検証を行う際に、ダミーパターンと信号配線間の配線容量をも考慮した信号遅延シミュレーションの高精度化を図る。 - 特許庁

Dummy pattern prohibitive regions PROH are provided directly beneath the metal pad PAD forming regions on an extension of the multilayer wiring.例文帳に追加

このような多層配線の延長上の金属パッドＰＡＤ形成領域直下にはダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨが設けられている。 - 特許庁

Resist 5 composed of resist 5a for forming a gate electrode and resist 5b for forming a dummy pattern is formed on the polycrystalline silicon film 4.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜４上にゲート電極形成用レジスト５ａとダミーパターン形成用レジスト５ｂとからなるレジスト５を形成する。 - 特許庁

Originating on the scratch 24, the single crystal wafer 12 is cleaved along a cleavage direction in a direction from the dummy pattern 18 toward the light emitting part 11.例文帳に追加

このキズ２４を起点としてダミーパターン１８から発光部１１に向かう方向に単結晶ウェハ１２を劈開方位に沿って劈開する。 - 特許庁

A common buffer section 14 stores in advance the pattern of a dummy cell and has banks in units of cells storing the payload part of the received ATM cell.例文帳に追加

共有バッファ部１４は予めダミーセルのパターンを格納し、受信ＡＴＭセルのペイロード部を収容するセル単位にバンク分けされている。 - 特許庁

The upper electrode metallic film pattern 5B of the dummy MIM element is arranged to keep a prescribed distance from the end of the upper electrode metallic pattern 5A of the main MIM capacitive element, and the upper electrode metallic pattern 5B of the dummy MIM element is configured to be electrically connected to the lower electrode metallic film 3 of the main MIM capacitive element.例文帳に追加

ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂを主ＭＩＭ容量素子部の上部電極用金属膜パターン５Ａの端部から一定の距離を保つように配置し、ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂは、主ＭＩＭ容量素子部の下部電極用金属膜３と電気的に接続されるように構成する。 - 特許庁

Since dummy ejection is performed onto an IC chip 3 and then an actual wiring pattern 7 is formed from above the IC chip 3 toward the board 2 when the actual wiring pattern 7 is formed across the IC chip 3 and the board 2, ejection for forming the actual wiring pattern 7 can be carried out immediately after dummy ejection onto the IC chip 3.例文帳に追加

また、特にＩＣチップ３と基板２とに跨って実配線パターン７を形成する場合に、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行い、その後このＩＣチップ３上から基板２に向けて実配線パターン７を形成するので、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行った直後に実配線パターン７を形成するための吐出を行うことができる。 - 特許庁

To provide a design method of a dummy pattern capable of suppressing operation failure which is caused by a parasitic resistance of a metal wiring pattern PT of a semiconductor integrated circuit device, while suppressing increase in chip area.例文帳に追加

チップ面積の増大を抑えつつ半導体集積回路装置の金属配線パターンＰＴの寄生抵抗に起因する動作不良を抑制可能なダミーパターンの設計方法を提供する。 - 特許庁

The core material film 13 is removed thereafter, the spacer film 14 is etched until the dummy pattern is removed, and a pattern altered part 21 is formed at a position where the remaining spacer film 14 is not present in the predetermined range.例文帳に追加

その後、芯材膜１３を除去し、ダミーパターンが除去されるまでスペーサ膜１４をエッチングし、所定の範囲に他のスペーサ膜１４が存在しない位置にパターン変質部２１を生成する。 - 特許庁

A chip pattern and a dummy pattern are formed on an effective area 2 and a non-effective area 3 respectively and simultaneously by vapor etching on a wafer 1 in which a silicon layer is formed on an oxide film.例文帳に追加

酸化膜上にシリコン層が配置されたウェハ１を用意し、気相エッチングにより、このウェハ１における有効エリア２に対してはチップパターンを、非有効エリア３に対してはダミーパターンを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an inner circuit pattern 16a is formed on the glass epoxy base material 15, and a dummy pattern 16b is provided along a side periphery close to the cable part 17a in the glass epoxy base material 15.例文帳に追加

その後、ガラスエポキシ基材１５上に内層回路パターン１６ａを形成するとともに、ガラスエポキシ基材１５におけるケーブル部１７ａに近接した側縁部に沿ってダミーパターン１６ｂを設ける。 - 特許庁

A semiconductor device is made up including a device pattern formed on a substrate and a plurality of dummy patterns formed on one side of the device pattern with vertical-sectional areas different from one another.例文帳に追加

基板に形成されたデバイスパターンと、前記デバイスパターンの一側に互いに異なる大きさの垂直断面積を有して複数個形成されたダミーパターンとを含んで半導体素子を構成する。 - 特許庁

An output signal having a pattern which differs depending on whether the mount or the dummy mount is transported is outputted from a photocoupler 54 along with the driving of a mount pusher pawl 23 on the basis of the difference in shape between the mount and the dummy mount subjected to scanning.例文帳に追加

スキャニングに供されるマウントとダミーマウントとの形状の相違に基づいて、これらのいずれが搬送されるかで異なるパターンの出力信号が、マウント押出爪２３の駆動に伴ってフォトカプラ５４から出力される。 - 特許庁

To provide a method for forming, without dependence on a pattern, a channel embedded-type element isolation region, having a high planarity without using a dummy diffused layer.例文帳に追加

ダミー拡散層を使用せずに、高い平坦性を有する溝埋め込み型素子分離領域を、パターン依存性なく形成する手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method or a structure which can avoid the errors of inspection results which are caused by a dummy pattern at the time of inspection of conductor patterns.例文帳に追加

導体パターンの検査時において、ダミーパターンに起因する検査結果の誤りを発生させないようにする方法或いは構造を提供する。 - 特許庁

To enable the installation of plate building materials 10 each having design dummy joints therein considering a pattern produced by each joint.例文帳に追加

内部に意匠用の疑似境界線を有する板状建材１０を用いた場合に、各境界線によって醸し出される模様を考慮した施工を可能にする。 - 特許庁

A unit cell includes: active regions 14, 18, 24, and 28; gate patterns 32, 34, 36, and 38; dummy patterns 42, 44, 46, and 48, and an electric conductive pattern 94.例文帳に追加

単位セルは、活性領域１４、１８、２４、２８、ゲートパターン３２、３４、３６、３８、ダミーパターン４２、４４、４６、４８、及び導電パターン９４を有する。 - 特許庁

Identical distances 403 between terminating sections are provided on the extension of each line terminating section 414, to form a line terminating section equalizing dummy pattern 420.例文帳に追加

各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。 - 特許庁

To provide a coating unit and a pattern correction device capable of carrying out the retraction of a dummy coating member and the lowering of a coating means promptly with a simple structure.例文帳に追加

捨て打ち部材の退避と塗布手段の下降を簡単な構成で迅速に行なうことが可能な塗布ユニットおよびパターン修正装置を提供する。 - 特許庁

The dummy patterns may have a shape of a solid line, dashed line, dotted line, circle, ellipse, polygon, or a pattern of combination of two or more shapes among these.例文帳に追加

ダミーパターンは、実線状、破線状、点線状、円形状、楕円形状、多角形状、またはそれらのうちの２以上の形状を組み合わせたパターンとする。 - 特許庁

A pattern for leading out a divided voltage electrode is composed of low resistance elements, and dummy patterns are added to both ends of the voltage-dividing circuit.例文帳に追加

ここで分圧電極を取り出すパターンを低抵抗素子により構成し、また分圧回路の両端にダミーパターンを付加したことを特徴としている。 - 特許庁

Thus, even when the patterns PTN1 and PTN2 for supplying the power and the dummy pattern PTN3 are visible, the player does not have the feeling of incompatibility.例文帳に追加

したがって、電力を供給するパターンＰＴＮ１，ＰＴＮ２及びダミーであるパターンＰＴＮ３が見えても遊技者に違和感を与えることがない。 - 特許庁