「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The signal wiring 70 is positioned in an upper layer of the word lines 21, 22... and is a metal wiring of the same layer as the dummy wiring pattern.例文帳に追加

この信号配線７０は、ワード線２１，２２…の上層に位置し、かつダミー配線パターンと同層のメタル配線である。 - 特許庁

The film is anisotropically etched to make the side wall material 17, and the side wall material 17 is left on the side wall of the dummy pattern 16.例文帳に追加

側壁材１７となる膜に対して異方性エッチングを行い、ダミーパターン１６の側壁に側壁材１７を残す。 - 特許庁

A second method is a step of arranging patterns where the aspect ratio of the width of the dummy pattern to the height of a resist is not larger than 2 in the separated areas.例文帳に追加

第２の方法は、ダミーパターンの幅とレジスト高さのアスペクト比が２以下になるパターンを上記分離領域に配置する。 - 特許庁

Since WSiN is a heat-resistive metal, a high-temperature processing (step S20) is allowed in the condition of forming the dummy pattern.例文帳に追加

ＷＳｉＮは耐熱性金属なので、ダミーパターンを形成した状態で高温熱処理（工程Ｓ２０）を行なうことができる。 - 特許庁

The positional slippage of the dummy pattern 22 is measured, and the result is fed back to the drawing machine to adjust the correction parameter of the drawing machine.例文帳に追加

次に、ダミーパターン２２の位置ずれを測定し、その結果を描画機にフィードバックして描画機の補正パラメータを調整する。 - 特許庁

Dummy patterns (patterns which are not used for measurement) 3 and 4 are formed inside and outside the reference pattern 11 as the reference mark 10.例文帳に追加

基準マーク１０として、基準パターン１１の内側と外側にダミーパターン（測定に使用しないパターン）３，４を形成する。 - 特許庁

An annular dummy pattern 20 is provided to enclose the isolation region 10 in an inactive region which exceeds a prescribed size.例文帳に追加

所定の大きさを超える非活性領域の中には、分離領域１０を取り囲むように環状のダミーパターン２０を設ける。 - 特許庁

The resist 5 is used as a mask and the silicon film 4 is etched, thereby forming a gate electrode 4a and a dummy pattern 4b.例文帳に追加

次に、レジスト５をマスクにして、多結晶シリコン膜４のエッチングを行い、ゲート電極４ａ及びダミーパターン４ｂを形成する。 - 特許庁

The method includes: a process for detecting a region where main chips are not arranged yet from a process pattern; a process for dividing a region where main chips are not arranged yet into rectangles; a process for generating scribe data using the divided rectangles as dummy chips; and a process for causing the dummy chips to generate dummy patterns.例文帳に追加

プロセスパターンからメインチップの未配置領域を検出する工程と、未配置領域を矩形に分割する工程と、分割された矩形をダミーチップとしてスクライブデータを発生させる工程と、ダミーチップにダミーパターンを発生させる工程とを備えた。 - 特許庁

Assuming that a dummy pattern prescribed by process conditions is arranged in a free space inside an instance or a free space of a chip, a pattern occupancy ratio inside a check window or a pattern area ratio of the chip is verified.例文帳に追加

チップの空き領域又はインスタンス内の空き領域に、プロセス条件により規定されるダミーパターンが配置されると仮定して、チップのパターン面積率又はチェックウィンドウ内におけるパターン占有率の検証を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having a character pattern with excellent visibility even when a dummy pattern is arranged, and to provide a method of designing the semiconductor integrated circuit pattern included in the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

ダミーパターンを配置した場合にも、視認性に優れた文字パターンを有する半導体集積回路、及び、該半導体集積回路に含まれる半導体集積回路パターンの設計方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a timing verification method wherein the influence of a dummy metal can be surely taken into account in a design stage regardless of an actually generated pattern of the dummy metal.例文帳に追加

本発明は、実際に発生されるダミーメタルのパターンに関らず、設計段階において確実にダミーメタルの影響を考慮することが可能なタイミング検証方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The lowest dummy pattern 1a in the dummy patterns of the prescribed group is connected to a part, where probing of the semiconductor device is required by wiring and the through-hole, and is used as the pad for probing.例文帳に追加

所定のグループのダミーパターンの一番下層のダミーパターン１ａは、半導体装置のプロービングが必要な箇所に配線およびスルーホールによって接続され、プロービング用パッドとして使用される。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

When a selection pattern is determined from two or more kinds of selection patterns, a main control part generates authentication data on the basis of the predetermined data of a data group indicated by the selection pattern, generates the dummy data of the authentication data on the basis of the number of times of transmission corresponding to the selection pattern, and transmits the authentication data and the dummy data to a peripheral part.例文帳に追加

主制御部は、複数種類の選択パターンの中から選択パターンを決定すると、該選択パターンが示すデータ群の所定データに基づいて認証データを生成し、該選択パターンに対応した送信回数に基づいて認証データのダミーデータを生成し、認証データ及びダミーデータを周辺部に送信する。 - 特許庁

A left/right symmetry of a shape of the metal dummy pattern 6 viewed from the center GC of the gate electrode 1 is kept in the region of the gate electrode 1 even if a position of the metal dummy pattern 6 is displaced from its original design caused by the displacement of a mask of wiring.例文帳に追加

配線のマスクずれの発生により、メタルダミーパターン６の位置が設計時からずれた場合であっても、ゲート電極１の領域内において、ゲート電極１の中心ＧＣから見たメタルダミーパターン６の形状は、左右対称性が保たれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which can adequately suppress the opposing capacitance between a dummy pattern and a wiring even when it is provided with the dummy pattern formed of the same material as the wiring material between the wirings of the same layer for flattening the area between the wiring layers.例文帳に追加

配線層間の平坦化のために同一層の配線間に配線材料と同一材料からなるダミーパターンを備えていながら、該ダミーパターンと配線との間の対向容量を好適に抑制することのできる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Thereby an air gap 72 is defined between the first wiring patterns 53a to form a hollow structure between the wirings, and an air gap 73 is also defined between fine patterns in the dummy pattern 53b to form a dummy pattern 53b having a hollow structure.例文帳に追加

これにより、第１の配線パターン５３ａ同士の間に空隙７２が形成されて配線間が中空構造となると共に、ダミーパターン５３ｂにおける微細パターン同士の間にも空隙７３が形成されて、中空構造を有するダミーパターン５３ｂが形成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a gate insulating film, after the dummy gate pattern has been formed in a gate forming region on a semiconductor substrate, a first film is formed on the semiconductor substrate except for the dummy gate pattern, and a second film is formed on the first film, sequentially.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上のゲート形成領域にダミーゲートパターンを形成した後、ダミーゲートパターンを除いた半導体基板上に第１の膜と、第１の膜上に第２の膜とを順次形成する。 - 特許庁

A small square dummy pattern in a lower layer and a small square dummy pattern Ds2 in the higher layer are disposed over a wide region of space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

A slit-like dummy pattern 7 is provided at the cell plate ends of a DRAM having a CUB(capacitor under bit line) structure with inner wall type cylinders, and the same material as that of stacked electrodes 8 is buried in the slit-like dummy pattern 7 as dam blocks for preventing the cylinder deformation at the cell plate ends.例文帳に追加

内壁型シリンダーを持つＣＵＢ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ ＵｎｄｅｒＢｉｔｌｉｎｅ）構造のＤＲＡＭのセルプレート端にスリット状のダミーパターン７を設け、このスリット状のダミーパターン７には、スタック電極８と同種の材質を埋め込んで、セルプレート端のシリンダー変形を防ぐ堤防としたことを特徴とする。 - 特許庁

A dummy pattern to be preliminarily included in the design pattern is produced not in the whole memory cell array which contains not only a memory cell part but a sense-up part and a decoder part, but in an individual block unit by using CAD tools so as to obtain a desired pattern form of the transfer pattern after exposure.例文帳に追加

露光後の転写パターンを所望のパターン形状にするために、ＣＡＤツールを用いて、メモリセル部のみならずセンスアンプ部やデコーダ部を含んだメモリセルアレイ部全体ではなく、個別ブロック単位に、予め設計パターンに入れておくダミーパターンを発生させる。 - 特許庁

The sum total of the intensity of the magnetization of a burst part of the servo pattern is made 0 by forming a dc signal part involved in the burst part of the servo pattern with a combination of positive and negative dc signal components and low density dummy bits or a pattern shifted in its phase from the servo pattern.例文帳に追加

サーボパターンのバースト部分に含まれる直流信号部分を、正と負の直流信号要素の組み合わせ、低密度のダミービット、もしくは位相をずらしたパターンで構成することにより、サーボパターンのバースト部分の磁化量の総和を０とする。 - 特許庁

To provide a capacitance type touch panel for improving operability by preventing the mesh structure of an electrode pattern and a dummy pattern from being made conspicuous, and making it easy to visualize display information.例文帳に追加

電極パターン、ダミーパターンのメッシュ構造が目立たなくなり、表示情報が視認し易くなり、操作性の向上を図ることができる静電容量型タッチパネルを提供する。 - 特許庁

After two enlarged wiring patterns are created by enlarging a wiring pattern by different specified amounts, the overlapped part is removed to create a dummy pattern.例文帳に追加

配線パターンを異なる値で所定量だけ拡大して、２通りの拡大配線パターンを生成した後、２つの拡大配線パターンの重なり部分を削除してダミーパターンを生成する。 - 特許庁

Consequently, the amount z of irradiation light which is optimal for inspection can be set and neither a detection omission of a pattern defect nor a dummy defect is caused to precisely perform the pattern inspection.例文帳に追加

これにより、最適な検査用照射光量ｚが設定できることになり、パターン欠陥の検出漏れや擬似欠陥も起きなくなって、精度よくパターン検査を行うことができる。 - 特許庁

The method for designing a phase shift mask includes steps of: placing an underlay pattern 102 in the layout data designing a phase shift mask; placing a first overlay pattern 100 overlapping the underlay pattern 102 and a second overlay pattern 101 not overlapping the underlay pattern in the layout data; and placing a dummy underlay pattern 105 overlapping the second overlay pattern 101 in the layout data.例文帳に追加

位相シフトマスクの設計方法は、位相シフトマスクを設計するレイアウトデータに、下層パターン１０２を配置するステップと、レイアウトデータに下層パターン１０２と重なる第１の上層パターン１００及び下層パターンと重ならない第２の上層パターン１０１を配置するステップと、レイアウトデータに第２の上層パターン１０１と重なるダミー下層パターン１０５を配置するステップとを備えている。 - 特許庁

The insulating dummy layer 65 is formed to have a thickness, e.g. equal to/less than 100 μm, substantially equal to that of each of the coil pattern layers 61, 61 and 63.例文帳に追加

絶縁ダミー層６５は、コイルパターン層６１，６２，６３の厚さと同程度、たとえば１００μｍ以下の厚さに形成されている。 - 特許庁

An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectric layers IL which is buried on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加

金属パッドＰＡＤへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上を埋める層間絶縁膜ＩＬにかかる。 - 特許庁

An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectrics IL which bury on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加

金属パッドＰＡＤへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上を埋める層間絶縁膜ＩＬにかかる。 - 特許庁

The dummy region 3 consists of plural regions 30 and is formed along each side 1A, 1B, 1C, 1D of the pattern region 1.例文帳に追加

ダミー領域３は複数の領域３０、３０、・・・、３０から成り、パターン領域１の各辺１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄに対して設けられる。 - 特許庁

The resistor element 11 is surrounded by the dummy pattern 13 of the polysilicon layer left in accordance with at least a flattened stopper film.例文帳に追加

この抵抗素子１１は、少なくとも平坦化ストッパ膜に従って残された上記ポリシリコン層のダミーパターン１３に囲まれている。 - 特許庁

The image data to which dummy areas are added are divided into blocks so as to process the image by one image pattern as a square.例文帳に追加

１画面の画像を正方形として扱えるように、ダミー領域を画像データに追加した状態で、画像データをブロックに分割する。 - 特許庁

In the above process, a material which takes a selection ratio of an etching rate for the dummy gate pattern and the first film is used for the second film.例文帳に追加

上記工程において、第２の膜はダミーゲートパターンと第１の膜に対してエッチングレートの選択比を取れる材料を用いる。 - 特許庁

After developing processing is successively performed, the light shielding film 33 and the phase shift layer 32 are etched to form a dummy pattern 22 on the substrate 31.例文帳に追加

次いで、現像処理した後、遮光膜３３及び位相シフト層３２をエッチングして、基板３１上にダミーパターン２２を形成する。 - 特許庁

An isolation region which does not exceed a prescribed width is ensured between the dummy pattern 20 and the active region 12 surrounding the inactive region.例文帳に追加

その非活性領域を取り巻く活性領域１２とダミーパターン２０との間には、所定幅を超えない分離領域を確保する。 - 特許庁

At the time of applying an SOG film, the dummy pattern 18 blocks undue movement to the memory cell region side caused by film fluidity.例文帳に追加

このダミーパターン１８は、ＳＯＧ膜塗布時、その膜流動性によりメモリセル領域側に過剰に移動しようとするのを塞き止める。 - 特許庁

When the surface of the color filter layer 14 is polished, stress concentrated in the peripheral edge of the color filter later 14 can be dispersed to the first dummy pattern 18.例文帳に追加

カラーフィルタ層14の表面を研磨する際に、カラーフィルタ層14の周縁に集中する応力を第１ダミーパターン18に分散できる。 - 特許庁

The stress generated at the time of reflow operation is released through the interface between the dummy pattern 301 and the sealing resin 117.例文帳に追加

リフロー処理工程時に発生した応力は、このダミーパターン３０１と封止樹脂１１７との間の界面を通して開放される。 - 特許庁

To provide a design method for a dummy pattern applicable to an IC, where no automatic layout/wiring is used and a wiring data which is manually corrected.例文帳に追加

自動配置配線を用いないＩＣや手修正を行った配線データに適用できるダミーパターンの設計方法を提供する。 - 特許庁

After the resist 5 is eliminated, the dummy pattern 4b is exposed by using a photolithography method, and resist 6 covering the gate electrode 4a is formed.例文帳に追加

次に、レジスト５を除去した後、フォトリソグラフィ法によって、ダミーパターン４ｂは露出し、ゲート電極４ａを覆うレジスト６を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which can reduce warpage on reflow soldering even when no sufficient space for forming a dummy pattern is prepared.例文帳に追加

ダミーパターンを形成するスペースが充分にない場合でも、リフローはんだ付け時の反りが低減できる多層配線基板を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the length of the dummy pattern is the same as or exceeds the length of the coupling part contributing to the coupling of the optical coupler.例文帳に追加

好ましくは、前記ダミーパターンの長さは、前記光カプラの結合に寄与する結合部の長さと同等、或いはそれ以上である。 - 特許庁

Especially, the dummy pattern 6 is formed into nearly a triangle whose one side crosses the direction of transfer at right angles and tapered into an apex.例文帳に追加

特に搬送方向に直交する向きの幅が後方に向けて次第に狭くなる略三角形状にダミーパターン６を形成する。 - 特許庁

A die is virtually divided into a plurality of minute zones 21, and a necessary amount of dummy metals is simply and quickly inserted so as to put together dummy metal patterns 24 after inserting the dummy metal patterns 24 into at least a part of the minute zones 21 where a layout pattern 20 is not arranged.例文帳に追加

ダイを仮想的に複数の微小領域２１に分割し、レイアウトパターン２０が配置されていない微小領域２１の少なくとも一部にダミーメタルパターン２４を挿入した後に、これらダミーメタルパターン２４を接合するため、必要な量のダミーメタルを簡易かつ迅速に挿入できる。 - 特許庁