「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition to a wiring group 14 including a plurality of wiring patterns 14a being connected with the terminals of a display 102 and dummy patterns 14b not connected with the terminals, a pattern 18 for reinforcing a base film 12 is formed on the base film 12.例文帳に追加

基台フィルム１２上には、ディスプレイ１０２の端子にそれぞれ接続される複数の配線パターン１４ａと、前記端子には接続されないダミーパターン１４ｂとを含む配線群１４が形成されると共に、基台フィルム１２の補強を行う補強パターン１８が形成されている。 - 特許庁

The Si layer 13 and an SiGe layer 11 are etched partially, a groove H exposing the side of the SiGe layer 11 is formed, and a dummy pattern DP, which exposes at least one surface of the Si substrate 1 and the Si layer 13 from a part under the SiGe layer 11, is formed.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層１３とＳｉＧｅ層１１とを部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層１１の側面を露出させる溝Ｈを形成し、Ｓｉ基板１又はＳｉ層１３の少なくとも一方の表面をＳｉＧｅ層１１下から露出するダミーパターンＤＰを形成する。 - 特許庁

Further, the dummy Poly-R12a is covered with an LP-SiN film 17 so as to suppress variance in resistance due to aluminum covering and variance in transistor characteristics due to the pattern density is reduced.例文帳に追加

さらに、このダミー用のＰｏｌｙ−Ｒ１２ａを、アルミ被りによる抵抗値の変動を抑制するためにＬＰ−ＳｉＮ膜１７に覆われた構造とし、アルミ配線による抵抗値の変動を抑えるとともに、パターン密度の疎密による抵抗値、トランジスタ特性の変動を低減する。 - 特許庁

A dummy via hole that has a depth of at least two insulating layers and is not required electrically is connected to the surface conductor pattern for installing an I/O pin on the ceramic multilayer interconnection board and at the same time to an inner-layer pad being larger than the diameter of the via hole by 20% or more.例文帳に追加

セラミック多層配線基板の入出力ピン設置用表面導体パターンに、絶縁層２層以上の深さを有する電気的に必要の無いダミーのビアホールが接続し、かつそのビアホールがその直径より２０％以上大きい内層パッドに接続する構造とする。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

A pixel area for error measurement 140 of a dummy pixel area 120 in a solid state image sensing element is regarded as one of layers composing a pixel of the solid state sensing element as a reference layer and is provided with a measuring pattern displaced in phase in two dimensional (x, y) directions to the reference layer.例文帳に追加

固体撮像素子のダミー画素領域１２０の誤差測定用画素領域１４０には、固体撮像素子の画素を構成するあるレイヤーの１つを基準レイヤーとし、この基準レイヤーに対して２次元（ｘ，ｙ）方向に段階的にずらした測定用パターンが設けられている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device, which has a multilayer wiring structure constituted of plural wiring layers and in which a pad 11 is arranged at the periphery of an internal region in the center of a chip surface 10a, is provided with a dummy pattern 13 in a layer, which excludes the inner area and from which a metal layer constituting the pad is removed.例文帳に追加

複数の配線層からなる多層配線構造を有し、チップ表面１０ａ中央部の内部領域の周囲にパッド１１が配置された半導体集積回路装置において、内部領域以外の、パッドを構成する金属層を除いた層にダミーパタン１３を設けた。 - 特許庁

This can allow for (secure an offset of) the patterning between gate electrodes SLG-SLG to make it possible to prevent the occurrence of the short-circuit failure between both sides of gate electrodes SLG even though the dummy contact hole is formed at the part of the image-resolved auxiliary pattern 4c.例文帳に追加

ゲート電極ＳＬＧ−ＳＬＧの間のパターンニングに余裕を持たせることができ（オフセットを確保することができ）、解像した補助パターン４ｃの部分でダミーコンタクトホールが形成された場合でも、両脇のゲート電極ＳＬＧとの間で短絡不良が発生するのを防止することが出来る。 - 特許庁

In a connection wiring layer in an LSI, a conductive dummy pattern continuous in a direction perpendicular to adjacent wiring patterns extended in one direction is inserted between the adjacent wiring patterns spaced by a first distance from the adjacent wiring patterns.例文帳に追加

本発明は，ＬＳＩにおける接続配線層において，一方向に延びる配線パターンであって隣接する配線パターン間に，当該隣接配線パターンに垂直な方向に連続する導電性ダミーパターンを，当該隣接する配線パターンから第１の距離を隔てて挿入することを特徴とする。 - 特許庁

After a conductive material has been embedded in a wiring groove, when an excess portion of the conductive material is removed with a CMP method, a polishing agent is dispersed through a groove formed by the dummy pattern 41, so that polishing amounts of the conductive material and the third interlayer insulation film become uniform.例文帳に追加

配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 - 特許庁

In the vicinity of the opposite end parts of a thin metal plate 61 parallel with the longitudinal direction of a lead frame, an exposed part 63 of the thin metal plate extending linearly in the longitudinal direction is formed as a dummy pattern by photo-etching simultaneously with formation of an etching resist layer 62.例文帳に追加

フォトエッチング法にて、リードフレームの長手方向と平行な金属薄板６１の両端部近傍に、長手方向に線状に延びる金属薄板の露出部６３をダミーパターンとして、エッチングレジスト層６２の形成と同時に金属薄板の両面上に形成すること。 - 特許庁

In the second step, the non-inspecting panel 15 is arranged on a stage 40, and an optical filter 44 is inserted between the viewing angle control panel of the non-inspecting panel 15 and an inspector, and thereby, the display state of the dummy pattern is inspected from the front direction of the viewing angle control panel.例文帳に追加

第２工程では、非検査パネル１５をステージ４０に配置すると共に、非検査パネル１５の視野角制御パネルと検査員との間に光学フィルタ４４を介在させることにより、視野角制御パネルの正面方向からダミーパターンの表示状態を検査する。 - 特許庁

In a region directly above the gate electrode 1 lying between first layer metals (1AL) 4 and 5, a metal dummy pattern 6 having width W (<L) in the first direction D1 is arranged while extending in the second direction D2 orthogonal to the longitudinal direction of the gate (current flow direction).例文帳に追加

第１層メタル（１ＡＬ）４，５で挟まれたゲート電極１の直上方領域に、第１方向Ｄ１に関する幅Ｗ（＜Ｌ）を有し且つゲート長方向（電流の流れる方向）に直交する第２方向Ｄ２に延在するメタルダミーパターン６が、配設されている。 - 特許庁

In a box mark area or an alignment mark area, a range from a trench 2 to an active area is etched to form a dummy pattern 7 around the trench 2 and CMP is applied to an insulating film 3 to form a step 8 within the trench 2 where the insulating film 3 is to be buried.例文帳に追加

ボックスマーク領域あるいはアライメントマーク領域において、トレンチ２からアクティブ領域にかかる範囲をエッチングすることにより、トレンチ２の周囲にダミーパターン７を形成し、絶縁膜３のＣＭＰを行うことにより、絶縁膜３が埋め込まれるトレンチ２内に段差８を形成する。 - 特許庁

On an inorganic oxide film pattern 41 formed over a part of a peripheral pixel region 23 and a part of a sealing region 24 to surround a display region 21 and a dummy pixel region 22, a sealing adhesive 43 which does not contain spacer particles is formed by dispensing or printing.例文帳に追加

周辺画素領域２３及びシール領域２４の各一部の上方の表示領域２１及びダミー画素領域２２を囲むように形成されている無機酸化膜パターン４１上に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤４３をディスペンスや印刷などで形成する。 - 特許庁

The method comprises steps of: preparing a lower substrate and an upper substrate; forming a main seal pattern by a screen printing method on one of the above substrates; forming a dummy seal pattern by a dispensing method on the substrate where the main seal pattern is formed; dropping a liquid crystal on one of the substrates; and laminating the both substrates and irradiating the laminated substrates with UV rays.例文帳に追加

本発明は、下部基板及び上部基板を準備する段階と、前記両基板のうち、いずれか一つの基板上にスクリーン印刷法でメインシールパターンを形成する段階と、前記メインシールパターンが形成された基板上にディスペンシング法でダミーシールパターンを形成する段階と、前記両基板のうち、いずれか一つの基板上に液晶を滴下する段階と、前記両基板を合着する段階と、前記合着された両基板にＵＶを照射する段階を含めてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the contact probe sheet 10 for inspecting display panels used for performing prescribed tests by energizing each electrode of the display panel, a plurality of lead patterns 2 extended from one end side to the other end side of a flexible substrate 1 are formed on the flexible substrate 1, and a dummy pattern 5 for suppressing the position deviation of the lead pattern 2 is formed.例文帳に追加

表示パネルの各電極に通電させて、所定の試験を行うために使用する表示パネル検査用コンタクトプローブシート１０であって、 前記コンタクトプローブシート１０は、可撓性基板１上に該可撓性基板１の一端側から他端側に向かって延びた複数のリードパターン２が形成され、前記リードパターン２のパターン付置ずれを抑制するダミーパターン５が形成されていることを特徴とする表示パネル検査用コンタクトプローブシート。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

The device is also provided with a calculator 130 which calculates the area density in the prescribed area of a pattern drawn by the stored pattern information whenever the prescribed area is moved based on the stored pattern information, and a preparing section 140 which prepares dummy pattern information to be arranged on the mask based on the calculated area density.例文帳に追加

マスクに配置するためのパターン情報を記憶する記憶部１７０と、上記マスク上に所定の領域を仮想配置する仮想配置部１１０と、仮想配置された所定の領域を前回の領域と重なるように所定の距離だけ移動させる移動部１２０と、記憶されたパターン情報に基づいて、上記所定の領域が移動させられるごとにパターン情報により描かれるパターンの所定の領域における面積密度を計算する計算部１３０と、計算された面積密度に基づいて、上記マスクに配置するためのダミーパターン情報を生成する生成部１４０とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A second wiring pattern 32 extended from an input pad 52 of the second IC mounting area 50 extends toward the first IC mounting area 40 then after bending right-angled there, passes between dummy pads 43 of the first IC mounting area 40 from there and linearly extends toward the substrate connection area 70.例文帳に追加

第２のＩＣ実装領域５０の入力パッド５２から延びた第２の配線パターン３２は、第１のＩＣ実装領域４０に向けて延び、そこで直角に折れ曲がった後、そこから第１のＩＣ実装領域４０のダミーパッド４３の間を通って基板接続領域７０に向けて直線的に延びている。 - 特許庁

As the dummy pattern 3D formed of the same material as the wiring material between the wirings (wiring patterns) 3a, 3b of the same layer, the shape thereof is reduced, in the opposing capacitance (parasitic capacitance) between at least the adjacent wirings, in comparison with the rectangularparallelopiped having the parallel surfaces to the same wiring.例文帳に追加

同一層の配線（配線パターン）３ａ、３ｂ間にそれら配線材料と同一の材料にて形成されるダミーパターン３Ｄとして、その形状を、少なくとも隣り合う配線との間の対向容量（寄生容量）が同配線との平行面を有する直方体に比べて減少される形状とする。 - 特許庁

To provide a wiring board wherein no resonance occurs in a dummy conductor pattern arranged adjacent to a wiring conductor for high-frequency signal transmission, a high-frequency signal is appropriately transmitted to the wiring conductor for high-frequency signal transmission, and mounted electronic components can normally be operated.例文帳に追加

高周波信号伝送用の配線導体に隣接して配置されたダミーの導体パターン内に共振が起こることがなく、高周波信号伝送用の配線導体に高周波の信号が良好に伝播されて、搭載する電子部品を正常に作させることが可能な配線基板を提供すること。 - 特許庁

A pixel electrode is provided in an injection port 3 functioning as a passage for injecting the liquid crystal, similarly in the display region 1a and the dummy electrode part 2, and thereby, the surface profiles of the pixel electrode region 1 and of the injection port 3 for the liquid crystal adjoining to the pixel electrode region are the same, having a concavo-convex surface pattern.例文帳に追加

また、液晶の注入流路となる注入口部３にも前記表示領域１ａとダミー電極部２と同様に画素電極が設けてあるので、画素電極領域１これに接する液晶の注入口３の表面形状は同一でその表面は凹凸形状となっている。 - 特許庁

This screen mask comprises: an opening 2 which is identical in shape and dimensions to a design pattern; and a dummy opening 3 which is arranged in the state of close adhesion to a corner part 2CP of the opening 2 and the vicinity of an edge 2EP around the corner part 2CP, and which has dimensions actually disabling independent printing.例文帳に追加

この発明に係るスクリーンマスクは、設計上のパターンと同じ形状・同じ寸法からなる開口部２と、開口部２のコーナー部２ＣＰ及びその周囲のエッジ２ＥＰの近傍に密着して配設されており、実際には単独では印刷されない寸法を有するダミーの開口部３とを有する。 - 特許庁

The semiconductor circuit parasitic capacitive element extracting device 1 is provided with a means 2 for correcting the permittivity of the dielectric body existing between circuit wires in response to insertion of the metal dummy pattern, and a means 3 for extracting a parasitic capacitive element between the circuit wires on the basis of the corrected permittivity and a circuit layout.例文帳に追加

半導体回路寄生容量素子抽出装置１が、回路配線間に存在する誘電体の誘電率を、メタルダミーパターンの挿入に対応して補正する手段２と、補正された誘電率と回路レイアウトに基づいて、回路配線間の寄生容量素子を抽出する手段３とを備える。 - 特許庁

A dummy conductor pattern 9 that is arranged adjacent to a wiring conductor 4ap for high-frequency signal transmission is made by forming a plurality of conductor pieces 9a whose length is less than one fourth of a wavelength of a signal for transmitting the wiring conductor 4ap for high-frequency signal transmission, along the wiring conductor 4ap.例文帳に追加

高周波信号伝送用の配線導体４ａｐに隣接して配置されたダミーの導体パターン９は、高周波信号伝送用の配線導体４ａｐを伝播する信号の波長の４分の１未満の長さの導体片９ａが配線導体４ａｐに沿って複数形成されている。 - 特許庁

When the display region 12a is exposed via a mask 53 with an opening section formed thereon, while transferring the substrate along a surface direction, a position and an angle of the mask 53 relative to the substrate 1a are corrected by using the dummy pattern 11a before the display region 12a reaches the position where it is to be exposed via the mask 53.例文帳に追加

この基板をその面方向に沿って移動させつつ開口部が形成されるマスク５３を介して表示領域１２ａに露光を施すに際し、表示領域１２ａがマスク５３を介して露光される位置に達する前に、ダミーパターン１１ａによってマスク５３の基板１ａに対する位置や角度を補正する。 - 特許庁

The trench substrate includes a base substrate 102; an insulating layer 112 formed on one or both surfaces of the base substrate 102 and having a circuit region therein and having a trench formed in a dummy region of a product edge; and a circuit layer 124 including a circuit pattern and a via formed in the interior of the trench formed in the circuit region by a plating step.例文帳に追加

ベース基板１０２、前記ベース基板１０２の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層１１２、及び前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層１２４を含む。 - 特許庁

The black matrix substrate, used as the color filter for a display device and formed with the black matrix layer on the transparent substrate, is formed as the imposition pattern in which the black matrix layer has a plurality of display sections and is formed with dummy patterns of the same material as that of the black matrix layer on the transparent substrate between the imposition patterns.例文帳に追加

表示装置用カラーフィルタに用いられ、透明基板上にブラックマトリックス層を形成したブラックマトリックス基板を、ブラックマトリックス層が複数の表示部を有する多面付けパターンとして形成されており、多面付けパターン間の透明基板上に、ブラックマトリックス層と同じ材料でダミーパターンが形成されたものとする。 - 特許庁

Since an interval between the vibrator 16 and the dummy pattern 26 becomes the same as a fixed interval between the second silicon layer 12 and the vibrator 16, a damping effect by a sealing medium 41 on the cap part 20 side of the vibrator 16 and a damping effect by the sealing medium 41 on the second silicon layer 12 side can be uniformized.例文帳に追加

これによると、振動子１６とダミーパターン２６との間の間隔が、第２シリコン層１２と振動子１６との間の一定の間隔と同じになるので、振動子１６のキャップ部２０側の封止媒体４１によるダンピング効果と第２シリコン層１２側の封止媒体４１によるダンピング効果とを均一にすることができる。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 having a structure where a semiconductor chip 8 mounted on a principal surface of a package substrate 2 is sealed by a sealing member 11, conductor patterns 4 for wiring are arranged on the principal surface and a back surface of the package substrate 2, and the conductor pattern 4 for a dummy is arranged in a region where no conductor patterns 4 for the wiring are arranged.例文帳に追加

パッケージ基板２の主面上に実装された半導体チップ８を封止部材１１によって封止した構成を持つ半導体装置１において、パッケージ基板２の主面および裏面に、配線用の導体パターン４を配置した他に、その配線用の導体パターン４が配置されていない領域にダミー用の導体パターン４とを配置した。 - 特許庁

To provide an optical imprint method that measures a remaining film thickness of a dummy pattern so as to recognize a remaining film amount after imprint without cutting an effective region, to allow the same substrate, whose remaining film thickness is actually measured, to advance to etching being the next process, to feedback the remaining film amount to the etching conditions, and consequently, to reliably achieve stable processing.例文帳に追加

本発明は、ダミーパターンの残膜厚さを測定することで、有効領域を切断することなくインプリント後の残膜量を把握することができ、残膜厚さを実際に測定した同一基板を次工程であるエッチングに進めることができ、残膜量をエッチング条件にフィードバックさせることが可能であり、確実に安定した加工を実現できる。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

Concerning the producing method for a multilayer printed wiring board constituted by laminating and molding through a prepreg outer layer metal foil and an inner layer circuit board having mutually separated circuit groups on the same face, a dummy printed circuit board with which a similar pattern is formed in the area with no circuit on the inner layer circuit board is placed at the stage internal position of a press, heated and pressed.例文帳に追加

外層金属箔と、互いに隔てられた回路群を同一面上に有する内層回路板とをプリプレグを介して積層成形することからなる多層プリント配線板の製造方法において、内層回路板の回路のない領域に相似するパターンを形成したダミープリント基板をプレスの段内位置に入れて加熱加圧する。 - 特許庁

Since patterns PTN1 and PTN2 for supplying power to light emitting diodes vLED1-vLED15 and a dummy pattern PTN3 are provided on a thin transparent plate 1200d which is a printed circuit board so as to constitute the constellation line of Virgo, the constellation line of Virgo is made visible by light emitted by the vLED1-vLED15.例文帳に追加

発光ダイオードであるｖＬＥＤ１〜ｖＬＥＤ１５に電力を供給するパターンＰＴＮ１，ＰＴＮ２及びダミーであるパターンＰＴＮ３が乙女座の星座線を構成するようにプリント基板である薄肉透明板１２００ｄに設けられているため、ｖＬＥＤ１〜ｖＬＥＤ１５が発した光で乙女座の星座線を視認することができる。 - 特許庁

A dummy pattern, deposited in the lower layer of the integrated circuit and connected to a complementary upper skin bonding pad via metal connection and the metal connection, which has no additional or special process stage, are formed simultaneously while a process stage used for forming a circuit component included in the integrated circuit is advanced.例文帳に追加

集積回路の下層に蒸着されて複数の相補的な上皮ボンディングパッドまで金属連結を介して連結したダミーパターンを含むのであるが、かかるダミーパターンと金属連結とは、追加されたり特別の工程段階がなく、集積回路内に含まれた回路成分を形成するために使われる工程段階が進められる間に同時に形成される。 - 特許庁

To suppress the deterioration of the rigidity or electric characteristics without employing a dummy metal pattern at the immediately upper side or the immediately lower side of a functional element and permit the sufficient development of the performance of the functional element, in a semiconductor integrated circuit device, in which at least one set of the functional element is constituted on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成される半導体集積回路装置において、機能性素子の直上側または直下側にダミー金属パターンを用いることなく、その剛性や電気的特性の劣化を抑制するとともに、前記機能性素子の性能を十分に発揮できるようにする。 - 特許庁

The display apparatus includes an effective display unit comprising a plurality of display pixels, and further includes an inspection wiring 80 where an inspection signal is supplied on inspecting the effective display unit, and with a dummy pattern PD in an electrically floating state and disposed to oppose through a predetermined gap to the inspection wiring 80.例文帳に追加

複数の表示画素によって構成された有効表示部を備えた表示装置であって、有効表示部を検査する際に検査用の信号が供給される検査用配線８０と、検査用配線８０と所定の間隔をおいて対向するように配置されるとともに電気的にフローティングした状態のダミーパターンＤＰと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The defective memory cell is detected by continuing dummy read operation on the same memory cell immediately after write operation on the memory cell with an internal clock signal having a frequency increased with respect to a test mode clock signal responsive to each write access request issued according to a test pattern, and surely simulating the worst case.例文帳に追加

テスト・パターンにより発行される各ライト・アクセス要求に応答して、テスト・モード・クロック信号に対して増加された周波数を有する内部クロック信号を使用して、メモリ・セルに対してライト動作直後に、同一のメモリ・セルに対してダミー・リード動作を続け、最悪の場合の状況を確実にシミュレートして、欠陥メモリ・セルを検出する。 - 特許庁

A liquid crystal device 1 is provided with a color filter substrate 20 on which a frame-shaped light shielding film 50 is disposed, a counter substrate 10 disposed opposite to the color filter substrate 20 and having a dummy pattern 12 having a discrimination means in the position opposed to the frame-shaped light shielding film 50 and a liquid crystal 110 as a electro-optical substance.例文帳に追加

本発明の液晶装置１は、額縁状の遮光膜５０が配置されたカラーフィルタ基板２０と、カラーフィルタ基板２０に対向配置され、該額縁状の遮光膜５０と対向する位置に識別手段が施されたダミーパターン１２を有する対向基板１０と、電気光学物質としての液晶１１０とを具備する構成をとる。 - 特許庁

As an identification pattern of the frame, an isolated pulse having a pulse width sufficiently wider than a data isolated pulse is arranged in the head of the frame as dummy data.例文帳に追加

ｎチャネルの１ビット量子化伝送を対象とし、データ部分の各チャネルが論理“１”の場合は多重化後のチャネル長の１／ｎ以下のパルス幅の孤立パルスを当該チャネルに割り当て、論理“０”の場合は無信号とし、上記のフレームの識別パタンとしてはこのデータ孤立パルスよりは十分に広いパルス幅の孤立パルスをフレーム先頭位置にダミーデータとして配置する構成とした。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with the fuse 12 located on the side of a protrusion 10a formed on a first insulating film 10 having the protrusion 10a, and a second insulating film 13 formed on the fuse 12 and the first insulating film 10, and a first dummy pattern 15c located on the fuse 12 formed on the second insulating film 13.例文帳に追加

凸部１０ａを有する第１の絶縁膜１０上に形成され、凸部１０ａの側面上に位置するヒューズ１２と、ヒューズ１２上及び第１の絶縁膜１０上に形成された第２の絶縁膜１３と、第２の絶縁膜１３上に形成され、ヒューズ１２の上方に位置する第１のダミーパターン１５ｃとを具備する。 - 特許庁

Thus, the liquid crystal device 1 can be easily discriminated from a different kind of liquid crystal device having the same size only by seeing the rear surface without providing a fresh space, since the dummy pattern having the discrimination means is provided on the counter substrate 10 in the position opposed to the frame-shaped light shielding film 50 disposed on the color filter substrate 20.例文帳に追加

これによって、略同様の大きさで異なる種類の液晶装置に対しても、カラーフィルタ基板２０に設けられた額縁状の遮光膜５０に対向した対向基板１０に識別手段を施したダミーパターンを設けることによって、新たにスペースを設けずに背面をみるだけで容易に識別することが可能となる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor device, in the semiconductor device 1 having a structure wherein a semiconductor chip 8 mounted on a principal surface of a package substrate 2 is sealed by a sealing member 11, conductor patterns 4 for wiring are arranged on the principal surface and the back surface of the package substrate 2, and a conductor pattern 4 for a dummy is arranged in a region where no conductor patterns 4 for wiring therein are arranged.例文帳に追加

パッケージ基板２の主面上に実装された半導体チップ８を封止部材１１によって封止した構成を持つ半導体装置１において、パッケージ基板２の主面および裏面に、配線用の導体パターン４を配置した他に、その配線用の導体パターン４が配置されていない領域にダミー用の導体パターン４とを配置した。 - 特許庁

When joining a bump 11 provided in an electrode of the semiconductor chip 12 to an antenna circuit pattern 14 on the base material 13, a thickness of heat-shrinking adhesive 17 can be thinned because a dummy pad 15 is provided on the base material 13 opposite to a portion having no bump 11 provided in the semiconductor chip 12, so as to hold the parallelism of the semiconductor chip 12.例文帳に追加

半導体チップ１２の電極に設けられているバンプ１１を基材１３上のアンテナ回路パターン１４に接合する際に、半導体チップ１２においてバンプ１１が設けられていない部分に対向する基材１３上にダミーパッド１５を設けたので、熱収縮する接着剤１７の厚さを薄くすることができ、半導体チップ１２の平行度を保持することできることになる。 - 特許庁