「dummy pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

In a bar 52 where a plurality of slider forming parts 1 are arranged side by side through margins for cutting 53, a polishing pressure adjusting means (dummy pattern 55 of a convex shape) is provided at a medium-opposing plane ABS of each of the margins for cutting 53.例文帳に追加

複数のスライダ形成部１が切り代５３を介して並んで配置されたバー５２において、各切り代５３の媒体対向面ＡＢＳに、研磨圧力調整手段（凸状のダミーパターン５５）が設けられている。 - 特許庁

In addition to the terminals 1a, 2a, three dummy terminals are also formed to measure connecting resistance of the terminals and a conductive pattern 1b for mutually connecting these terminals is also formed in the side of the transparent board 1.例文帳に追加

前記端子１ａ，２ａとは別に、端子の接続抵抗値を測定するための３つのダミー端子が形成され、これらを相互に短絡する導電パターン１ｂが透明基板１側に形成されている。 - 特許庁

To provide a COG (Chip On Glass) type liquid crystal display panel capable of preventing a signal from flowing into a liquid crystal driving integrated circuit through a dummy electrode caused by the leak of an electrode pattern for display.例文帳に追加

ＣＯＧタイプの液晶表示パネルにおいて、表示用電極パターンのリークによる信号がダミー電極を介して液晶駆動用集積回路に流れるのを防止し得る液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁

To provide a high-reliability thermosensitive flow rate detection element having high detection accuracy and its manufacturing method by specifying the position of an edge part of a diaphragm part by a dummy pattern for inspecting geometry of the diaphragm.例文帳に追加

この発明は、ダイヤフラム部の形状寸法検査用のダミーパターンによりダイヤフラム部の縁部の位置を規定し、高検出精度、高信頼性の感熱式流量検出素子およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

Area difference between the inner layer conductor circuit 2 formed in the upper surface 81 and the inner layer conductor circuit 2 formed in the lower surface 82 including the dummy pattern 21 per 1000 cm2 is at most 600 cm2.例文帳に追加

基板１０００ｃｍ^^２あたりにおける，ダミーパターン２１を含めた，上面８１に形成した内層導体回路２と下面８２に形成した内層導体回路２とのめっき面積差は６００ｃｍ^２以下である。 - 特許庁

The triboelectric charges during rubbing are decreased by forming a dummy pattern 250 from the same material as the transparent electrode 231, in a nondisplay region outside of a transparent electrode 231 on a counter substrate 200.例文帳に追加

対向基板２００の透明電極２３１の外方に位置する非表示領域に透明電極２３１と同じ材料でダミーパターン２５０を形成することにより、ラビングのときの摩擦帯電量を軽減する。 - 特許庁

In the part B and the part D of a layer insulating film which do not include a wiring pattern on a semiconductor substrate, dummy patterns 13b and 13d dividing the low dielectric film into a plurality of isolated regions E are formed.例文帳に追加

半導体基板上の配線パターンを含まない層間絶縁膜の部分Ｂおよび部分Ｄにおいて、低誘電率膜を複数の孤立領域Ｅに仕切るダミーパターン１３ｂおよび１３ｄを形成する。 - 特許庁

In addition, a solder bump on the solder pad does not extend to the outside of the dummy pattern and the solder bump does not make a short circuit with the other solder bump even when a high solder pad with much solder is provided at a fine pitch.例文帳に追加

また、半田パッド上の半田バンプがダミーパターンの外側まで延在することが無く、半田量の多い高さの有る半田パッドをファインピッチに設けても、半田バンプが他の半田バンプと短絡することが無い。 - 特許庁

To provide a photomask which can make dimensional characteristics of a resist substantially constant without using a dummy pattern to be transferred onto a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing a semiconductor using the photomask.例文帳に追加

半導体基板上に転写されるダミーパターンを用いることなく、レジスト寸法特性を略一定とすることが可能なフォトマスク、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved SiGe device including an SiGe-embedded dummy pattern which surrounds the SiGe device and is specially designed so as to reduce micro loading effect during epitaxial growth of SiGe.例文帳に追加

ＳｉＧｅ装置を取り囲んで、ＳｉＧｅのエピタキシャル成長時にマイクロローディング効果を軽減できるように特別に設計されたＳｉＧｅ埋め込みダミーパターンを備えた改良されたＳｉＧｅ装置を提供する。 - 特許庁

A polisilicon film 17 is formed to cover the lower electrodes 11a and 11b, the dummy pattern 12 and the insulating film 8 formed thereon, and a cap passivation film is formed on the polisilicon film 17.例文帳に追加

下部電極１１ａ，１１ｂおよびダミーパターン１２とそられの上に形成された絶縁膜８を覆うように多結晶シリコン膜１７を形成し、多結晶シリコン膜１７上にキャップ保護膜を形成する。 - 特許庁

By forming the dummy patterns 26 in this way, optical interference occurs even in the sparse region of the wiring pattern 24, and reduces the light intensity of a secondary light 32 of the ultraviolet light 28 that irradiates the resist film.例文帳に追加

このようにダミーパターン２６を形成したことにより、配線用パターン２４が疎の部分にも光の干渉が生じ、レジスト膜１４に照射した紫外線２８の二次光３２の光量を低減させることができる。 - 特許庁

Current density to the individual portion of the rugged part can be made uniform by disposing the dummy electroforming area, the rugged pattern is made uniform in height and a light guide manufactured with this stamper is free of unevenness in luminance.例文帳に追加

個々の凹凸部に対する電流密度をダミー電鋳部を設けることにより均一にすることができ、凹凸パターンの高さが一定になり、このスタンパで作製される導光板の輝度むらは生じない。 - 特許庁

A dummy pattern for making all the nozzles of an inkjet head discharge the functional material at least once during the time to move the inkjet head once to the substrate feeding direction is arranged in coating data in order to reduce the possibility of nozzle clogging in the ink-jet head.例文帳に追加

インクジェットヘッドのノズルの詰まりを低減するため、インクジェットヘッドの１回の基板送り方向への移動の間、少なくとも１回、インクジェットヘッドの全ノズルから吐出を行わせるダミーパターンを塗布データに設ける。 - 特許庁

Thereby, the end parts of the regions 11 are avoided being reduced in the actual manufacturing stage of the device, the extension parts of the regions 11 and a dummy pattern are eliminated, and the integration degree of semiconductor elements is increased.例文帳に追加

それによって、実際の製造段階において第１の半導体領域１１の端部が縮小するのを回避し、従来設けていた延長部分やダミーパターンをなくし、半導体素子の集積度を上げる。 - 特許庁

In an electrode pattern 6 provided in a first interlayer insulating layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, insulator-made dummy patterns 8 are provided, which are separated from each other by specified gaps and surround the bottom of a via contact hole 5a.例文帳に追加

半導体基板１に形成された第１の層間絶縁層３に設けられた電極パターン６に、ビア・コンタクト・ホール５ａの底部を取り囲むように所定間隔を離間して絶縁体のダミーパターン８を設ける。 - 特許庁

To reduce unevenness of gate pattern density in a semiconductor device having a damascence-type or replacement-type gate and to prevent dishing from occurring in a CMP process for making an upper face of a dummy gate exposed.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

In addition, a tunnel insulating film is interposed between the spacer-like floating gate and control gate, and source and drain regions are formed in the semiconductor substrate on the outside of the spacer-like floating gate and spacer-like dummy pattern.例文帳に追加

スペーサ状浮遊ゲートと制御ゲートとの間にはトンネル絶縁膜が介在しており、スペーサ状浮遊ゲート及びスペーサ状ダミーパターンの外側の半導体基板内にはソース及びドレイン領域が形成されている。 - 特許庁

A substrate processor keeps a stage cleaning substrate CW to be used in cleaning a substrate stage and a dummy substrate DW to be used in adjusting an exposure position of a pattern image in an exposure unit EXP supporting liquid immersion exposure respectively, in a dummy substrate storage 91 and a cleaning substrate storage part 92 of the substrate processor SP.例文帳に追加

液浸露光対応の露光ユニットＥＸＰ内にて基板ステージの洗浄作業に使用するステージ洗浄用基板ＣＷおよびパターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板ＤＷをそれぞれ基板処理装置ＳＰのダミー基板格納部９１および洗浄用基板格納部９２に保持しておく。 - 特許庁

At the time of converting the procedure calling in a procedure calling code conversion part 5, the unrequired redistributions are reduced by calling a function for acquiring the information of the distribution pattern of the dummy argument of a low-order procedure and outputting a code for not distributing data in the case that the distribution patterns of an actual argument and the dummy argument match.例文帳に追加

手続き呼び出しコード変換部５において手続き呼び出しを変換する際に、下位手続きの仮引数の分散パターンの情報を取得する関数を呼び出し、実引数と仮引数の分散パターンが一致している場合にはデータ分散を行なわないようなコードを出力することで、不要な再分散を削減する。 - 特許庁

In the non-display regions of both the substrates where the laying wirings 11 and 21 are not formed, many dummy electrodes which are nearly as thick as the electrodes 10 and 20 are formed in a predetermined arrangement without contacting one another, and further the dummy electrodes 30 on the second transparent substrate are arranged in a pattern of fine and uniform arrangement density in the non-display region.例文帳に追加

両基板の非表示領域内で引き廻し配線１１，２１が形成されない部分にはそれぞれ電極１０，２０とほぼ同厚のダミー電極を所定の配置をもって互いに接することなく多数形成し、更に第２透明基板のダミー電極３０は非表示領域内で細密かつ均一な配設密度となるようにパターン配置する。 - 特許庁

At this time, the dummy gate electrodes are also shaped so that their widthwise lengths change in the film thickness direction, become minimum near the interface with a silicon oxide film 5 formed as a dummy gate insulating film and near the interface with a silicon nitride film pattern 9 formed as a hard mask, and gradually increase toward the vicinities of their centers.例文帳に追加

この際、併せて、ダミーゲート電極を幅方向の長さが膜厚方向に変化する形状であって、この幅方向の長さがダミーゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜５との界面付近およびハードマスクとしてのシリコン窒化膜パターン９との界面付近で最小となり、中心付近に向かうにしたがって漸次増大する形状にする。 - 特許庁

If the total target trade of raw materials is smaller than the total maximum loading amount by the extracted consecutive service vessels and trampers, the operational restriction including the pattern of the combination between the loading port and the unloading port including a set of preset dummy loading ports and dummy unloading ports is prepared for each of the extracted vessels.例文帳に追加

前記抽出した連続航海船及び不定期船での最大積載量の合計より原材料の総引取目標量の方が少ない場合は、前記抽出した各船舶について、予め設定された一組のダミー積港及びダミー揚港も含めて、積地と揚地との組み合わせのパターンを含む運航制約を作成する。 - 特許庁

To provide a mask, a method of preparing the mask and a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the variation of a finish wiring dimension depending on a mask pattern by interposing a dummy pattern for equalizing a resist exposure surface area per area of one chip and improving the accuracy of the finish wiring dimension among semiconductor devices having different pattern coverages and cell occupancies.例文帳に追加

マスクパターンに依存した仕上がり配線寸法のバラツキを、１チップ面積当りのレジスト露出表面積が等しくなるようなダミーパターンを介在させることにより低減して、異なるパターン被覆率やセル占有率を有する半導体装置間の仕上がり配線寸法の精度の向上が図れるマスク、マスクの作成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a prescribed pattern is not reproduced by the reproduction (N in step S5), since write software discriminates that the optical disk is a copied optical disk wherein dummy data are recorded in place of the prescribed pattern, a series of processes are terminated and processing on the basis of the program recorded on the optical disk is not conducted.例文帳に追加

この再生により所定のパターンが再生されなかったときは（ステップＳ５のＮ）、書込みソフトにより所定のパターンに代えてダミーのデータが記録されたコピーの光ディスクであることが判明するから、一連の処理を終了し、光ディスクに記録されているプログラムに基づく処理を行なわない。 - 特許庁

In the screen printing plate consisting of a first metal film through which holes of a mesh part are formed and a second metal film through which printing holes with an identical shape with a printing pattern are formed, dummy holes with an identical shape with the printing pattern are formed on the surroundings of a region where the printing holes of the second metal film are arranged.例文帳に追加

メッシュ部の孔が形成された第１の金属膜と、印刷パターンと同一形状の印刷孔が形成された第２の金属膜とからなるスクリーン印刷版において、第２の金属膜の印刷孔が配置されている領域の周囲に、印刷パターンと同一形状のダミー孔が形成されている。 - 特許庁

The check land 2a is formed on the surface layer 12 of the multilayer printed wiring substrate 20 composed of at least two layers; and the just-below portion 29 of the check land 2a of the surface layer 12 is formed as an insulating layer, a unconnected land of a punch hole shaped pattern 22 or a dummy pattern 23, or a nonconductive punch portion.例文帳に追加

少なくとも２層以上で構成される多層プリント配線基板２０の表層１２にチェックランド２ａが形成され、この表層１２のチェックランド２ａの直下部２９を絶縁層、或いは抜き穴状パターン２２又はダミーパターン２３の未接続ランド或いは非導電性の打ち抜き部を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor memory device includes: a step (a) of sequentially laminating a TMR film 5 and a cap layer 6 on base layers 1, 2, 3 and 4; and a step (b) of patterning the TMR film 5 and the cap layer 6 to form a normal laminate structure pattern 13 and a dummy laminate structure pattern 16 thereof.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、（ａ）下地層１，２，３，４上にＴＭＲ膜５、キャップ層６を順に積層する工程と、（ｂ）ＴＭＲ膜５、キャップ層６をパターニングして、それらの正規積層構造パターン１３およびダミー積層構造パターン１６を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a thermosensible magnetic recording medium, with which the regular pattern and dummy pattern of magnetic bar code can not be visually identified, improved in forgery prevention property in the thermosensible magnetic recording medium provided with the magnetic bar code for forgery prevention and having a formed hidden layer, which contains an aluminum powder, on the magnetic bar code.例文帳に追加

偽造防止のための磁気バーコードを設け、該磁気バーコード上にアルミニウム粉末を含有した隠蔽層を形成した感熱磁気記録媒体において、磁気バーコードにおける正規パターンとダミーパターンとが目視で識別される事のできない偽造防止性に優れた感熱磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A pixel pattern 8 is formed in the pixel substrate area on the substrate base material 1, a cutting area 11 having a specified width is provided along an end of the pixel substrate area to be cut, and a dummy pixel pattern 12 is formed on a substrate base material 1 in a cutting area facing a pixel substrate area across the cutting area 11.例文帳に追加

基板母材１の画素基板領域に画素パターン８を形成し、画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅の切断領域１１を設け、切断領域１１を隔てた画素基板領域と対向する切捨て領域の基板母材１に擬似画素パターン１２を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device includes first and second wiring layers L4, L5 each having a hollow structure and stacked vertically so as to be adjacent to each other on a semiconductor substrate S, a dummy pattern P formed in the first wiring structure L4 and not working as a signal line, and a conductive pattern P formed in the second wiring layer L5.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板Ｓ上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第１及び第２配線層Ｌ４，Ｌ５と、第１配線層Ｌ４内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンＰと、第２配線層Ｌ５内に形成される導電パターンＰとを備える。 - 特許庁

The dummy conductor layer comprises: a first region 21 composed of a conductor pattern having a predetermined area ratio corresponding to an area ratio of the conductor layer 11 for products; and a second region 22 disposed adjacent to an inner circumference side of the first region 21 and composed of a conductor pattern with a higher area ratio than that of the first region 21.例文帳に追加

ダミー導体層は、製品用導体層１１の面積率に対応する所定の面積率を有する導体パターンからなる第１領域２１と、第１領域２１の内周側に隣接配置され第１領域２１よりも面積率が高い導体パターンからなる第２領域２２とから構成される。 - 特許庁

Moreover, a guard ring 41 and a dummy AA pattern 51, provided adjacent to the row decoder circuit 31, are formed respectively using the Vpp oxide films 41a, 51a of identical thickness to that of the Vpp oxide film 31a.例文帳に追加

また、上記ロウデコーダ回路３１に近接して設けられるガードリング４１およびダミーＡＡパターン５１は、上記Ｖｐｐ酸化膜３１ａと同じ膜厚の、Ｖｐｐ酸化膜４１ａ，５１ａをそれぞれ用いて形成する構成とされている。 - 特許庁

By mounting a reticle or a dummy reticle even on a reticle-mounting section which is by right not used for formation of a pattern, all the reticle mounting sections (holders or the like) are protected from the irradiation of scattered electron beams, preventing electrification of a reticle fixing mechanism.例文帳に追加

本来のパターン形成に使用されないレチクル搭載部にもレチクルやダミーを搭載することによって、全てのレチクル搭載部（ホルダ等）に、散乱された電子線が当らないようにし、レチクル固定機構の帯電を防ぐことができる。 - 特許庁

Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも１つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁

In addition to a circuit element such as a regular Poly-R12 on the semiconductor substrate 1, a pattern of Poly-R12a as a dummy functional element is arranged on the nearly entire surface in a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体基板１上の正規のＰｏｌｙ−Ｒ１２等の回路素子に加えて、回路素子のパターン密度が均一になるように、半導体チップ内のほぼ全面にわたって、ダミーの機能素子となるＰｏｌｙ−Ｒ１２ａのパターンを配置する。 - 特許庁

When an STI element isolation structure 5 is formed, the upper part of it is formed so as to protrude more from the surface of the substrate 1 than the usual STI method, and a dummy electrode pattern 7 is formed at the formative part of a gate electrode.例文帳に追加

ＳＴＩ素子分離構造５を形成する際に、これをその上部が基板１面から通常のＳＴＩ法の場合よりも突出するように形成し、ゲート電極の形成部位にダミー電極パターン７を形成する。 - 特許庁

An alignment mark structure having a protective dummy pattern for production of semiconductor is provided wherein the alignment mark on a wafer is protected such that the mark is not damaged definite quality is not deteriorated visually by chemical mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

保護ダミーパターンを有する半導体製造用アライメントマーク構造が提供され、ウェハ上のアライメントマークを保護し、該マークが損なわれることなくかつ化学機械研磨（ＣＭＰ）によって視覚的に明瞭な品質が劣化しないようにする。 - 特許庁

The analysis is provided with a semiconductor substrate 1, the low dielectric constant film 3 formed on the semiconductor substrate, a plurality of dummy pattern 7 groups formed in the low dielectric constant film, and a metal film 6 formed on the surface of the low dielectric constant film.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板上に形成された低誘電率膜３と、この低誘電率膜内に形成された複数のダミーパターン７群と、低誘電率膜の表面に形成された金属膜６を有する。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 20, a wire 22b is formed as connected to the gate electrode 5b via the first connecting hole 20b, and a dummy pattern 22a is formed as connected to the MNOS element 10 via the second connecting hole 20a.例文帳に追加

層間絶縁膜２０上に、第1の接続孔２０ｂを介してゲート電極５ｂに接続する配線２２ｂを形成すると共に、第２の接続孔２０ａを介してＭＮＯＳ素子１０に接続するダミーパターン２２ａを形成する。 - 特許庁

After a source/drain 8 is formed as matching a void part 11, a conductive layer 14 with the void part 11 filled by W is formed, and then a gate insulating film 21 and the gate electrode 22 are formed with the dummy electrode pattern 7 removed.例文帳に追加

空隙部１１に整合してソース／ドレイン８を形成した後、Ｗで空隙部１１を充填してなる導電層１４を形成し、ダミー電極パターン７を除去してゲート絶縁膜２１及びゲート電極２２を形成する。 - 特許庁

The changing unit 4 changes the layout design data in such a manner that, when the distance measured by the measuring unit 3 is longer than a preliminarily designated value, the dummy pattern regulating the distance is enlarged to reduce the distance.例文帳に追加

変更部４は、測定部３にて測定された間隔が予め指定された指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、レイアウト設計データを変更する。 - 特許庁

Consequently, in the state that uniform force is applied to the surface of the oxide film 12, the surface is uniformly ground with the plugging material 16, so that CPM flattening treatment can be easily performed without forming the dummy pattern.例文帳に追加

これによって、その酸化膜１２表面に均一に力が加わった状態でその表面がプラグ１６材と共に均一に研磨されるため、ダミーパターンを備えなくとも容易にＣＰＭ平坦化処理を行うことができる。 - 特許庁

The split gate type memory device is provided with a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, and a spacer-like floating gate and a spacer-like dummy pattern which are formed on the gate insulating film with their curved surfaces on the outside and are separated from each other.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、曲面が外側に向き、互いに離隔されているスペーサ状浮遊ゲート及びスペーサ状ダミーパターンとを備える。 - 特許庁