「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

In a baking process, the resin component and solvent component present in the film are vaporized and removed by the baking to form the electrode terminal on the substrate B (Fig. 12(c)).例文帳に追加

そして、焼成工程では、膜内に存在する樹脂成分及び溶剤成分が焼成により揮発・除去されて、基板Ｂ上に電極端子が形成される（図１２（ｃ））。 - 特許庁

By merely adding one additional process for forming the nitride film, the liftoff of the gate electrode is facilitated and can make the quality and the yield of the FET improved significantly.例文帳に追加

つまり窒化膜形成工程を１工程追加するだけで、ゲート電極のリフトオフを容易にし、ＦＥＴの品質および歩留を大幅に大幅に向上させることができる。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element capable of preventing degradation of an ohmic property that an electrode layer has, due to a heating process during junction.例文帳に追加

接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which generation of abnormal discharge is prevented at the corner part of a lower electrode for mounting an angular substrate in any process pressure region.例文帳に追加

いかなるプロセス圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

By adding the gas which contains nitrogen atoms, oxidation of the metal electrode can be minimized without exerting influence on oxidation of silicon in the selective oxidation process.例文帳に追加

窒素原子を含有するガスを添加することにより、選択的酸化工程でシリコンの酸化には何の影響を与えず金属電極の酸化を最小化できる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating electronic components capable of compensating a threshold voltage variation caused by a variation in a critical dimension of a gate electrode to secure a process margin and reduce defects.例文帳に追加

ゲート電極の臨界ディメンションの変化によるスレッショルド電圧変動を補償して工程マージン確保と不良減少が可能な電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A porous carbon material having a specific surface area of ≥1,000 m2/g and usable as an electrode material for an electric double layer capacitor having high electrical capacitance can be produced by the process.例文帳に追加

比表面積が１０００ｍ^2 ／ｇ以上である多孔質炭素材料も得られ、静電容量の大きい電気二重層キャパシタ用電極材料となる。 - 特許庁

An STI element isolation layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a gate oxide film 3 and a conductive film 4 are formed (a), the resulting laminate is subjected to a patterning process to form a gate electrode 5.例文帳に追加

半導体基板１上にＳＴＩ素子分離２を形成し、ゲート酸化膜３と導電膜４とを形成し（ａ）、これらをパターニングしてゲート電極５を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the NO_x sensor, at least the material of an NO_x detection electrode is exposed to oxidation gas containing ozone gas, during and/or after a baking process.例文帳に追加

ＮＯ_Ｘセンサの製造方法において、焼成工程中および／または焼成工程後に、オゾンガスを含む酸化ガスに少なくともＮＯ_Ｘ検知電極の材料を曝す。 - 特許庁

The semiconductor layer 14 becomes relatively thin nearby the end to suppress projection in the drying process, thereby preventing a source and a drain electrode from being disconnected.例文帳に追加

半導体層１４の端部近傍が相対的に薄くなることにより、乾燥工程での突起の発生を抑制することができ、ソース・ ドレイン電極の断線を防止できる。 - 特許庁

To provide a chip type ceramic electronic component having necessary electrostatic characteristics and manufactured in a normal manufacturing process and securing a free hand on design of an internal electrode.例文帳に追加

必要な耐静電気特性を有し、通常の製造工程で製造ができ、内部電極の設計上の自由度を確保できるチップ型セラミック電子部品を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which each gate electrode height of first and second pillar MOS transistors is formed to be the same in the same process.例文帳に追加

同一の工程で第一及び第二の柱状型ＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲート電極の高さを同一に形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery in which productivity is improved by suppressing failure in a next process due to buckling by bending of the negative electrode lead.例文帳に追加

負極リード折り曲げでのバックリングによる次工程不良を抑制し、生産性が向上した円筒形非水電解液二次電池の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resonance apparatus, which can improve a Q value of a resonator and which has the high degree of freedom in process design for forming an upper electrode.例文帳に追加

共振子のＱ値を向上させることが可能で且つ上部電極の形成のためのプロセス設計の自由度が高い共振装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The master electrode 8 is put in close contact with the substrate 9 and the etching/plating pattern is directly transferred onto the substrate 9 by using a contact etching/plating process.例文帳に追加

マスター電極（８）は基材（９）と密接して置かれ、エッチング／めっきパターンが、密接エッチング／めっきプロセスを使用して直接的に基材（９）上に転写される。 - 特許庁

To provide a substrate support assembly which includes: a support block having an electrode; and an arm with a passage therethrough holding the support block in a process chamber.例文帳に追加

電極を有する支持ブロックと、プロセスチャンバ内で支持ブロックを保持しているアームであって、中を貫いている通路を有するアームを備えている基板支持アセンブリを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which an electrode disposed at various line widths and layouts can be fully silicided in a uniform composition without adding a lithography process.例文帳に追加

リソグラフィ工程を追加することなく、様々な線幅およびレイアウトで配置された電極を、均一な組成でフルシリサイド化させることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an open failure off which an inner lead and a metal bump electrode jointed once are peeled by a shrinking force and a restoring force of a film in an inner lead bonding process.例文帳に追加

インナーリードボンド工程において、フィルムの収縮力、復元力によって、一旦接合されたインナーリードと金属突起電極が引き剥がれるオープン不良を防止する。 - 特許庁

After a belt-like electrode 3 is formed along a first split groove 2 on an upper side of a ceramic substrate 1, laser scribing is executed twice as a second split groove forming process.例文帳に追加

セラミック基板１の上面に一次分割溝２に沿って延びる帯状電極３を形成した後、二次分割溝形成工程としてレーザスクライブを２回行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nickel electrode wherein severe conditions are not required to be set in a manufacturing process, and an active material does not easily fall off.例文帳に追加

製造過程において厳格な条件設定を要さず活物質の脱落が生じにくいニッケル電極の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A pad electrode layer 16 is formed on the insulating film 14, so as to cover the grooves 14a-14d and have an uneven surface by utilizing interconnection forming process.例文帳に追加

配線形成工程を流用して絶縁膜１４の上に溝１４ａ〜１４ｄを覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層１６を形成する。 - 特許庁

The other objective semiconductor device is obtained by sealing semiconductor elements with the resin composition by transfer molding process or by sealing the electrode surface of the semiconductor elements by the use of the resin composition of sheet-like form.例文帳に追加

トランスファー成形法で半導体素子を樹脂封止したり、シート状の組成物を用いて、半導体素子の電極面を封止して半導体装置とする。 - 特許庁

After dipping bridges 3B where the base material is fixed into the fluid dispersion S, a voltage is applied between the bridges 3B and the electrode 2, to thereby perform an electrophoretic process.例文帳に追加

基材を固定したブリッジ３Ｂを前記分散液Ｓに浸漬した後、前記ブリッジ３Ｂと前記電極２との間に電圧を印加し、電気泳動工程を行う。 - 特許庁

The variable resistive element can be formed in a simple process for oxidizing a lower electrode surface which is composed of a conductive nitride, and depositing a variable resistor material.例文帳に追加

また、導電性窒化物からなる下部電極表面を酸化して可変抵抗体材料を成膜するという簡便な工程で可変抵抗素子を形成することができる。 - 特許庁

An insulation can be formed only by recessing a groove 2 on the electrode substrate 1, thus achieving a process for forming the insulated part extremely easily.例文帳に追加

絶縁された部分を形成するのに電極基板１に溝部２を刻設するのみで行うことができ、絶縁された部分を形成するのが極めて簡便な工程となり得る。 - 特許庁

A tuning fork crystal oscillator provided with an excitation electrode 3 and a metal film 4 for regulating frequency is then fabricated in accordance with conventional fabrication process.例文帳に追加

その後、従来どおりの製造工程に従って、励振電極３と周波数調整用金属膜４が設けられた音叉型水晶振動子を製造する。 - 特許庁

Therefore, even if the error of the pixel electrode occurs in the manufacturing process of the liquid crystal panel, the changes of the optical characteristics between different pixels on the panel can be avoided.例文帳に追加

従って、液晶パネルの製造工程中において画素電極の誤差が生じても、パネル上の異なる画素間で光学特性が変化するのを回避できる。 - 特許庁

The electrode pad includes: a first region having connections with the rewiring layer; and a second region on which a test probe is abutted in an inspection process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

電極パッドは再配線層との接続部を有する第１領域と、半導体基板の検査工程で検査プローブが当接される第２領域とからなる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element manufacturing method high in yield by preventing an electrode from peeling off in cleaving process of a wafer.例文帳に追加

本発明は、ウエハを劈開する際に電極剥がれが発生することを防止して、歩留まりの高い窒化物系半導体レーザ素子の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The positive electrode 16 is manufactured in a process in which a conductive material 16b and a binder 16c are mixed and the same is press-formed together with a nickel mesh 16a of a current collector.例文帳に追加

このうち、正極１６は、導電材１６ｂやバインダ１６ｃを混合したあと集電体であるニッケルメッシュ１６ａにプレス成形して作製されている。 - 特許庁

To lower the resistance of a p-type electrode of a III nitride semiconductor element, which was very high in prior art, by improving it from the viewpoint of optimization of the manufacturing process.例文帳に追加

従来、非常に高抵抗であったＩＩＩ族窒化物系半導体素子のｐ型電極に関して、製造プロセスの最適化の観点から改良・低抵抗化を図る。 - 特許庁

In the electric field setting process, an additional alternating voltage with a frequency lower than the main alternating voltage may be applied between the other electrode and the reference potential.例文帳に追加

該電界設定工程において該他方の電極と該基準電位との間に該主交流電圧よりも低い周波数の付加交流電圧を印加することとしても良い。 - 特許庁

The contact etching/plating process is performed in local etching/plating cells 12, 14 in closed or open cavities between the master electrode 8 and the substrate 9.例文帳に追加

密接エッチング／めっきプロセスは、マスター電極（８）と基材（９）の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング／めっきセル（１２，１４）中で実施される。 - 特許庁

To provide a polyamino compound that is a precursor for a polynitroxyl compound which has high energy density and is useful for an electrode material for large capacity secondary batteries and its manufacturing process.例文帳に追加

エネルギー密度が高く大容量の二次電池の電極材料として有用なポリニトロキシル化合物の前駆体であるポリアミノ化合物およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a semiconductor device for forming a gate electrode by a lift-off process by which elements can be miniaturized.例文帳に追加

本発明は、リフトオフ加工によりゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、素子の微細化が可能でかつ、簡単な製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the manufacture process of the semiconductor device provided with a capacitor, an insulating film to become the dielectric film of the capacitor and a channeling preventing film on a gate electrode are simultaneously formed.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置の製造工程において、キャパシタの誘電膜となる絶縁膜とゲート電極上のチャネリング防止膜を同時に形成する。 - 特許庁

Then, the silicon substrate 1 after the second process is heat-treated, thus forming a metal silicide layer 9 by allowing the silicon substrate 1 and the gate electrode 4 to react with the metal film 7.例文帳に追加

次に、第２工程後のシリコン基板１を熱処理することで、シリコン基板１およびゲート電極４と金属膜７を反応させて金属シリサイド層９を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and excellent semiconductor sensor capable of taking out an electrode of a semiconductor layer by a simple technique without requiring a complicated process.例文帳に追加

煩雑な工程を経ることなく簡便な手法にて半導体層の電極を取り出すことができるとともに、信頼性の高い良好な半導体センサを提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a substrate, having a terminal electrode exhibiting a high bonding strength to a bonding wire and solder and a strength sufficient for enduring flip-chip mounting.例文帳に追加

ボンディングワイヤおよびはんだとの接合強度が強く、かつ、フリップチップ実装にも耐えられる強度をもつ端子電極を有する基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve an effective water electrolyzing process while preventing high-pressure hydrogen from being leaked on anode side and remaining after the water electrolysis apparatus is shut down, and thereby preventing deterioration of a catalytic electrode.例文帳に追加

運転停止後に、高圧水素がアノード側にリークして滞留することを抑制し、触媒電極の劣化を阻止して良好な水電解処理を遂行可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which realizes reduced resistance of gate electrode without disturbing the reliability of a gate oxide film and to provide its production process.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性を阻害せずに、ゲート電極の低抵抗化を実現可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To attain the stabilization of an initial ball by freely controlling a discharge current after insulation breakdown between the front edge of a wire and a discharge electrode in concert with the forming process of a ball.例文帳に追加

ワイヤの先端と放電電極間の絶縁破壊後の放電電流をボールの形成過程にあわせて自在に制御することにより、イニシャルボールの安定化を図ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a through electrode for interconnecting stacked semiconductor chips is not required to be buried in a deep hole, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

積層した半導体チップの相互間を接続するための貫通電極を深い孔に埋め込む必要のない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable MOS transistor that restrains the warpage of a gate electrode that generates in a heat treatment process when a metal film is reacted to silicate, and its manufacturing method.例文帳に追加

金属膜をシリサイド化する時の熱処理工程において発生するゲート電極の反りを抑え、高信頼性のＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for probe card assembly, without generating electrode exfoliation, even in a probe card passing through a MEMS probe mounting process, and also to provide a probe card using it.例文帳に追加

ＭＥＭＳプローブ実装工程を経たプローブカードでも電極剥がれが発生しないプローブカード・アセンブリ用基板およびそれを用いたプローブカードを提供することにある。 - 特許庁