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field patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 712件
To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加
容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁
Regarding a toner rearrangement condition of rearranging the toner which forms a toner image by applying an alternating electric field to the toner image, the toner rearrangement condition is set based on detection results obtained by detecting the density of a reference pattern toner image by a toner sensor.例文帳に追加
トナー像に交番電界を作用させることにより、トナー像を形成しているトナーを再配置するトナー再配置の条件を、基準パターンのトナー像の濃度をトナーセンサで検知した検知結果に基づいて設定する。 - 特許庁
The information based on the patterns of the soft magnetic layer 32 is reproduced by detecting the change in the magnitude of this leak magnetic field 28 with the magnetic head 10 and the pattern quality is inspected by comparing the information with the information to be carried by the master carrier 3.例文帳に追加
この漏れ磁界18の大きさの変化を磁気ヘッド10により検出することにより、軟磁性層32のパターンに基づく情報を再生し、この情報を本来マスター担体3が担持すべき情報と比較してパターン品質を検査する。 - 特許庁
The substrate 40 has an FG pattern 42 that detects rotational speed of the magnet 12 based on a change in a magnetic field from the magnet 12 and that is formed at such a position as to face an end surface of the magnet 12.例文帳に追加
基板40は、マグネット12から受ける磁界の変化に基づいてマグネット12の回転速度を検出可能なFGパターン42であって、マグネット12の端面と対向する位置に形成されたFGパターン42を有する。 - 特許庁
The wide-band amplifier 100 is constituted by flip-chip mounting a field effect transistor 3 on a circuit pattern constituted of the strip conductors 2 of microstrip lines 50 so as to decide the characteristic impedance that decides an estimated band.例文帳に追加
マイクロストリップ線路50のストリップ導体2にて構成された回路パターン上に、想定された帯域を定める特性インピーダンスを決定するように電界効果トランジスタ3をフリップチップ実装することで広帯域アンプ100を構成する。 - 特許庁
Hereupon, in order to form an injecting pattern wherein its impurity ion injecting density in the same depth varies depending on the injecting places thereof, a field oxide film is formed on one region and impurity ions are injected simultaneously into both regions.例文帳に追加
同一深さでの不純物イオンの注入密度が場所によって相違する注入パターンを形成するために、一方の領域にフィールド酸化膜を形成しておいて両領域に同時に不純物イオンを注入する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加
電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁
A raising mirror 20 is arranged in accordance with this inclination, so that light in an end part in a direction of a major axis L21 of a far-field pattern L2 leaks from an upper side 21 of the raising mirror 20 and reaches a photo detector 40 for monitor.例文帳に追加
このような傾きに合わせて、立ち上げミラー20を斜めに配置することにより、ファーフィールドパターンL2の長軸L21の方向の端部の光が立ち上げミラー20の上辺21で漏れ、モニター用受光素子40に届く。 - 特許庁
When a rejected character is present in a recognition object field, a recognition processing part 13 stores its rejected character pattern in a recognition result information storage part 14 in the form of a multi-gradation image and informs a recognition result correction part 15 of the rejection.例文帳に追加
認識処理部13は、認識対象フィールドにリジェクト文字があるときのみ、そのリジェクト文字パターンを多階調画像で認識結果情報格納部14に格納し、リジェクトがある旨を認識結果修正部15に通知する。 - 特許庁
This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3.例文帳に追加
この半導体装置は、シリコン基板1と、そのシリコン基板1上に形成されたシリサイド層2と、そのシリサイド層2に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜3からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部7と、シリサイド層2及びフィールド酸化膜3上に形成された層間絶縁膜4と、を有する。 - 特許庁
This is the field emission type light which is provided with the cathode having a field emission type emitter and the anode having the phosphor on a surface, and in which electrons discharged from the emitter are made to emit light at the phosphor, and the emitter is composed by applying a carbon nano tube (CNT) on the transparent substrate in a light-transmissive application pattern.例文帳に追加
電界放出型エミッタを有するカソードと、表面に蛍光体を有するアノードとを備え、前記エミッタから放たれた電子を前記蛍光体で発光させる電界放出型ライトであって、前記エミッタは、透明基板上にカーボンナノチューブ(CNT)を透光性を有する塗布パターンで塗布してなり、前記カソードを透明体に形成した。 - 特許庁
This projection exposure method includes a step of exposing an exposure area of a radiation-sensitive substrate with at least one image of a pattern of a mask in a scanning operation which includes a step of moving the mask M relative to an effective object field of the projection objective PO and simultaneously moving the substrate relative to an effective image field of the projection objective in respective scanning directions.例文帳に追加
投影露光方法は、放射線感応基板の露光区域をマスクのパターンの少なくとも1つの像により、投影対物系の有効物体視野に対してマスクをかつ同時に投影対物系の有効像視野に対して基板をそれぞれの走査方向に同時に移動する段階を含む走査作動において露光する段階を含む。 - 特許庁
Accordingly, the magnetic field due to the current flowing between the end 48b of the cathode via 48 and the edge region 50B cancels the magnetic field due to the current flowing in the cathode electrode pattern 38B reverse to the direction of the current to each other between the cathode via 48 and the edge region 50B separated at a predetermined distance.例文帳に追加
そのため、陰極ビア48の端部48bと縁領域50Bとの間を流れる電流に起因する磁界と、その電流の向きと逆向きに陰極電極パターン38B内を流れる電流に起因する磁界とが、所定間隔だけ離間した陰極ビア48と縁領域50Bとの間において互いに打ち消しあう。 - 特許庁
An optical guide type electric field sensor 10 is disposed near a wiring circuit board 40 mounted on an X-Y stage 30, and a specified voltage is applied from a power source 61 of a voltage applying means 60 between a wiring circuit pattern 41 of the wiring circuit board 40 and an electrode 12 of the field sensor 10.例文帳に追加
X−Yステージ30上に載置された配線回路基板40に近接させて光導波路型電界センサ10が配置されており、配線回路基板40の配線回路パターン41と光導波路型電界センサ10の電極12との間に電圧印加手段60の電源61より所定の電圧が印加される。 - 特許庁
The photomask is characterized in that an aperture in the clear field region 1A of a pattern on the photomask causing local flare is covered with a semitransparent film 12 having enough transmittance for complete resolution of a photoresist, while no semitransparent film is formed on an aperture 14 in the dark field region 1B.例文帳に追加
本発明のフォトマスクは、ローカルフレアの原因となるフォトマスク上のパターンのクリアフィールド領域1Aにおける開口部を、フォトレジストが完全に解像することができる透過率を有する半透明膜12で覆い、ダークフィールド領域1Bにおける開口部14においては、半透明膜を形成しない構造とすることを特徴としている。 - 特許庁
The connection configuration switching device 3 has a matrix switch, controls an ON/OFF state of an intersection point of the matrix switch according to the connection configuration switching pattern from the connection configuration switching pattern generator 2, and changes a connection configuration of a register group 4 and a computing element group 5 to perform calculation according to the calculation kind information set in the instruction field.例文帳に追加
接続構成切替器3は、マトリクススイッチを有しており、接続構成切替パターン生成器2からの接続構成切替パターンに従って、マトリクススイッチの交点のオンオフ状態を制御し、レジスタ群4、演算器群5の接続構成を変更することにより、命令フィールドに設定されている演算種別情報に従った演算を行う。 - 特許庁
In the forming method for the magnetization pattern comprising a stage for irradiating the magnetic recording medium having a magnetic layer on a substrate with an energy ray via the mask to heat the irradiated part of the magnetic layer and a stage for applying an external magnetic field to the magnetic layer, the mask locally diffuses the energy ray corresponding to the magnetization pattern to be formed.例文帳に追加
基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し、該磁性層の被照射部を加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程と、を含む磁化パターン形成方法であって、該マスクが、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線を局所的に拡散させる磁化パターン形成方法。 - 特許庁
The projection optical system for projecting a pattern formed on a first object onto a second object has a field diaphragm provided on the nearest optical element to the second object in the projection optical system, for shielding the outside of a region of the second object, where the pattern is projected during projection.例文帳に追加
第一の物体に形成されたパターンを第二の物体に投影する投影光学系において、当該投影光学系の前記第二の物体に最も近い光学素子に設けられ、前記投影時に前記第二の物体の前記パターンが投影される領域の外部を遮蔽するための視野絞りを有することを特徴とする投影光学系を提供する。 - 特許庁
When a pattern on another wafer with the same pattern as the one used last time baked in the same alignment or on the same wafer as the one used last time is observed, the previous movement target instruction position to the sample stage is changed in consideration of the previous observation visual field position slippage registered in the corresponding observation position, and the sample stage is moved according to the instruction position.例文帳に追加
先と同じパターンを同じ配列で焼き付けされた別のウェーハ又は先と同じウェーハ上のパターンの観察を行うときに、対応する観察位置に登録された前回までの観察視野位置ずれ量を考慮して前回までの試料ステージへの移動目標指示位置に変更を加え、その指示位置に従い試料ステージを移動させる。 - 特許庁
The magnetization method of the servo pattern of a perpendicular recording discrete track medium using a master disk includes a step for transferring the servo signal composed of two magnetization groups whose directions are perpendicular to a substrate and opposed to each other to a servo region by using a magnetic field leaked from a soft magnetic layer provided on the master disk in a position corresponding to the servo pattern.例文帳に追加
マスターディスクを用いる垂直記録ディスクリートトラックメディアのサーボパターン磁化方法であって、マスターディスクにサーボパターンに対応する位置に設けられた軟磁性層からの漏れ磁界によって、サーボ領域に、基板に垂直で、かつ反対向きの2種の磁化の組からなるサーボ信号を転写する工程を含むことを特徴とするサーボパターン磁化方法。 - 特許庁
And the pattern RAM on the prescribed mask R is measured by the first measurement system 51 after the position relationship between the measurement visual field of the second measurement system 52 and the pattern RAM is determined, on the basis of the position information corresponding to the information when the existence of the identification information regarding the prescribed mask R is recognized in the stored information.例文帳に追加
そして、所定マスクR上のパターンRAMを第1計測系51で計測する前に、記憶された情報の中に所定マスクRに関する識別情報の存在が認識されるとその情報に対応する位置情報に基づいて、第2計測系52の計測視野とパターンRAMとの位置関係を決定する。 - 特許庁
A radio section 2 receives a radio wave with a frequency band assigned to radio equipment at a threshold electric field or over, and when the radio section 2 cannot discriminate that the waveform signal of the radio wave has a prescribed pattern, a control section 3 carries out battery saving; and when the radio section 2 discriminates that the waveform signal of the radio wave has the prescribed pattern, the control section 3 releases the battery saving.例文帳に追加
無線部2は、無線機に割当てられた周波数帯の電波をあるしきい値以上の電界で受信し、その電波の波形信号が予め定められたパターンであることを判別できなくなったことに応じて、制御部3がバッテリセイビングを行ない、予め定められたパターンであることを判別したときバッテリセイビングの解除を行なう。 - 特許庁
The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.例文帳に追加
第1電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁
A specified pattern is presented to a data input layer 101 to perform learning needed for detecting a new feature class by a non-learning processing module comprising a plurality of neurons having a reception field structure for learning an unlearned feature class.例文帳に追加
所定のパターンをデータ入力層101に提示することにより、未学習の特徴クラスを学習すべき受容野構造が不定な複数ニューロンからなる未学習処理モジュールにおいて新規な特徴クラスの検出に必要な学習を行う。 - 特許庁
To provide a a high density magneto-optical recording medium which provides satisfactory jitter characteristics of a random signal without generating pattern dependency in recording mark length even when recording magnetic field sensitivity of a ultra fine mark in the recording medium is enhanced.例文帳に追加
高密度光磁気記録媒体において、極微小マークの記録磁界感度を向上させた場合においても、記録マーク長にパターン依存性を生じることなく、良好なランダム信号のジッタ特性が得られる媒体の提供を目的とする。 - 特許庁
Apertures 112, 116 are formed in the tape scale 110, consisting of conductive materials, and the apertures 112, 116 determine the pattern of induced current which flows inside of the tape scale 110, including the induced current flowing in a volume apart from the primary magnetic field.例文帳に追加
導電性材料からなるテープスケール110には開口112,116が形成され、開口112,116は、一次磁界から離れた領域に流れる誘導電流を含んで、テープスケール110中を流れる誘導電流のパターンを決定する。 - 特許庁
Since the capacitor 9 comprises the comb-line conductive patterns 20, 21, the area of the conductive patterns of the capacitor 9, which is penetrated by the magnetic field of the coil 6, is reduced compared with a case where the capacitor 9 comprises a surface shape electrode pattern.例文帳に追加
また、櫛歯状導体パターン20,21によりコンデンサ9を構成することにより、面状の電極パターンによりコンデンサ9を構成する場合に比べて、コイル6の磁界が貫くコンデンサ9の導体パターンの面積を減少できる。 - 特許庁
The standard deviation control means 6 can simulate a shadowing pattern where a probability distribution of the standard deviation of the amplitude of the synthesized reception electric field strength or the probability distribution of the standard deviation of the amplitude expressed in logarithm is distributed as a regular distribution.例文帳に追加
標準偏差制御回路6により、合成した受信電界強度の振幅の標準偏差の確率分布または振幅を対数で表した値の標準偏差の確率分布が正規分布するシャドウイングパターンをシミュレートすることができる。 - 特許庁
A gas diffusion layer 2 coated with catalyst ink is pinched with a pair of laminates 3 structured in a pattern shape of a ferromagnetic body and a feeble magnetic body, and an electrode catalyst layer 1 is formed by carrying out a drying operation in a magnetic field with flux density distribution.例文帳に追加
触媒インクを塗布したガス拡散層2を、強磁性体と弱磁性体によってパターン状に構成された一対の積層体3で挟持し、乾燥操作を磁束密度分布のある磁場内で行って電極触媒層1を形成する。 - 特許庁
This method comprises decomposing a source gas with a photochemical reaction, by irradiating the source gas with a near-field light having higher energy than dissociation energy of the source gas, and depositing the decomposed products on a substrate, to form a predetermined pattern.例文帳に追加
原料ガスに、原料ガスの解離エネルギーよりも大きいエネルギーの近接場光を照射することにより、当該原料ガスを光化学反応により分解させ、その分解生成物を基材上に堆積させて所定のパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a recess gate of a semiconductor element, capable of preventing damage of an active region, even if a loss of a field oxide film below a path gate and overlay misalignment occur between the active region and a recess pattern in forming the recess gate.例文帳に追加
リセスゲート形成時にパスゲートの下のフィールド酸化膜の損失及び、活性領域とリセスパターンとのオーバーレイミスアライメントが発生しても、活性領域の損傷を防止できる半導体素子のリセスゲートの製造方法を提供すること。 - 特許庁
A polarized light component changed by the electric field is modulated into intensity change of the light by the optical system mechanism 80 to be detected by a photodetector 90, and the electrical conditions (disconnection) of the circuit pattern is inspected by the determining device 50.例文帳に追加
電界によって変化した偏光成分は光学系機構80で光の強度変化に変調されて、光検出装置90で検出され、判定装置50で回路パターンの電気的状態(断線)を検査することが可能となる。 - 特許庁
Identification information (a far field pattern) converted into the electric signal is compared by a determining part 27 with the correct identification information of the key stored in a storage part 28, and only in the case of coincidence, the determining part 27 unlocks a locking part 3 by an electric signal.例文帳に追加
電気信号に変換された識別情報(ファーフィールドパターン)が、判定部27により、記憶部28に記憶された正しい鍵の識別情報と比較部され、合致する場合のみ、判定部27が電気信号により施錠部3が解錠する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element capable of irradiating the laser beam whose configuration shows light intensity peaks at two or more angles as a lateral FFP (Far Field Pattern) in simpler structure, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加
より簡素な構造をもって、横方向のFFP(Far Field Pattern)として複数の角度に光強度ピークを示すビーム形態のレーザ光を出射することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A measurement mark can be arranged at a conjugated position that is other than a mask 12 and substantially a conjugate with the pattern surface of the mask 12, for example, the position of a visual field diaphragm 34, thus arranging the measurement mark regardless of the replacement of the mask 12.例文帳に追加
マスク12以外の位置であって該マスク12のパターン面と実質的に共役となる共役位置である例えば視野絞り34の位置に計測マークを配置可能とすることで、計測マークの配置をマスク12の交換と無関係とする。 - 特許庁
DROP DISCHARGE DEVICE, DEVICE FOR TREATING CHIP FOR INSPECTION, PRINTER, DROP DISCHARGE METHOD AND PRINTING METHOD USING METHOD, METHOD FOR TREATING CHIP FOR INSPECTION, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL PANEL, METHOD FOR FORMING DIELECTRIC PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD EMISSION TYPE DISPLAY例文帳に追加
液滴吐出装置、検査用チップ処理装置、プリンタ装置、液滴吐出方法及びこれを用いた印刷方法、検査用チップ処理方法、有機ELパネルの製造方法、導電体パターンの形成方法、電界放出型ディスプレイの製造方法 - 特許庁
The liquid crystal display device 100 is a transflective one employing an FFS (fringe field switching) system, wherein a retardation layer 27 is formed in a reflective region 100r and light scattering property is imparted to a light reflecting layer 11a by a rugged pattern 6c of a resin layer 6.例文帳に追加
FFS方式を採用した半透過反射型の液晶表示装置100において、反射領域100rに位相差層27を形成し、光反射層11aには、樹脂層6の凹凸6cにより光散乱性を付与する。 - 特許庁
The antenna coil 2 is constituted in a closed circuit pattern, by winding up the coil 2 a plurality of times in the same plane and connecting both end sections of the coil 2 through the jumper section 6 and used for transmitting information in a non-contacting state, by using an induced electromagnetic field as a transmission medium.例文帳に追加
同一平面内で複数回巻かれると共にその両端部をジャンパ部6でつないで閉回路パターンを構成し、誘導電磁界を伝送媒体として非接触状態で情報伝達をするためのアンテナコイル2である。 - 特許庁
To provide a new copolymer exhibiting an excellent transmittance, a high sensitivity, and a high resolution in the field of photolithography using a light source in the DUV(deep ultraviolet) region, a photoresist composition, and a method for producing a high-aspect-ratio resist pattern by using a silylating agent.例文帳に追加
DUV領域の光源を用いるホトリソグラフィー分野において、透過性に優れ、高感度、高解像性を有する新規コポリマー、ホトレジスト組成物およびシリル化剤を用いた高アスペクト比のレジストパターンを形成する方法の提供。 - 特許庁
The optical element can perform the switching operation between two largely different photonic structure dynamically only by changing the condition of the external field by setting a distribution pattern which is to be sensed by the light to desired crystal structure, the desired shape of a lattice point and a desired cycle under these two conditions.例文帳に追加
これら2つの条件下で光が感じる分布パターンを所望の結晶構造、格子点の形状、周期に設定することで、2つの大きく異なるフォトニックバンド構造の間を、外場条件を変えるだけでダイナミックに切り替える。 - 特許庁
By arranging the pattern film 6b, the surface level differs on the side of the TFT array substrate 200 in contact with the liquid crystal layer 50, and this prevents alignment failures in the liquid crystal molecules due to a lateral electric field occurring between adjacent pixel electrodes.例文帳に追加
パターン膜6bが配置されることにより、TFTアレイ基板200の液晶層50に接する側の表面に段差が設けられ、隣り合う画素電極間で生じる横電界による液晶分子の配向不良の発生が防止される。 - 特許庁
The greenhouse makes the pollination insects I accurately perform direction recognition by achieving a light distribution condition equal to the sky polarized pattern in the field 2 and making the pollination insects I check visually ultraviolet polarization from a plurality of directions.例文帳に追加
圃場2内において天空の偏光パターンと同等の配光状態を実現し、受粉用昆虫Iに対して紫外線偏光を複数方向から視認させることにより、受粉用昆虫Iに方向認識を的確に行わせる。 - 特許庁
When some of the plurality of visual field regions 3 by the plurality of camera viewpoints are selected and displayed on the pattern display device, one of a plurality of scrolling directions such as from a longitudinal, lateral, and diagonal directions, from the depth to the front, and from the front to the depth can be easily displayed.例文帳に追加
複数のカメラ視点による複数の視野領域3のうちのいくつかを選択して図柄表示装置に表示させると、縦、横、斜め、奥から手前、手前から奥への複数のスクロール方向のうちの1つを簡単に表示できる。 - 特許庁
Based on the field signals f1-f4, the ROM 300, 302, 304, 306 decode and output 4-line simultaneous selecting MLS operation results performed on the display patterns identified by the 1st to 4th bits of gradation data and the dummy display patterns corresponding thereto by using an orthogonal function specified by a combination of a scanning pattern and a dummy scanning pattern of a virtual electrode.例文帳に追加
ROM300、302、304、306は、走査パターンと仮想電極のダミーの走査パターンとの組み合わせにより規定される直交関数を用いて、階調データの第1〜第4ビットにより特定される表示パターンとこれに対応したダミーの表示パターンとに対して行った4ライン同時選択のMLS演算結果を、フィールド信号f1〜f4に基づき、デコード出力する。 - 特許庁
Only the zero order light of a Fourier conversion image (light diffraction pattern) obtained from a phase object placed in a wide measurement visual field, configured by a Fourier conversion lens set in a coherence parallel laser luminous flux is used as a phase difference reference light different from high order diffraction light, and a sharp phase difference image is obtained by causing it to interfere with a phase object image obtained by a high order light diffraction pattern.例文帳に追加
可干渉性平行レーザ光束中に設置されたフーリエ変換レンズで構成される広い測定視界中に置かれた位相物体から得られるフーリエ変換像(光回折パターン)の零次光だけを高次の回折光と異なる位相差参照光として、高次光回折パターンで得られる位相物体像と干渉させて鮮明な位相差画像を得る。 - 特許庁
In this magnetic sensor 1 having a magnetic resistance pattern formed by arranging the magnetic resistance elements for detecting a magnetic field of a magnetic scale 2, the L number of magnetic resistance elements is arranged with the prescribed space P, where L represents the number of the magnetic resistance elements for removing a higher harmonic component superimposed to a fundamental wave component of an output signal from the magnetic resistance pattern.例文帳に追加
磁気スケール2の磁界を検出する磁気抵抗素子が配置されて形成された磁気抵抗パターンを有する磁気センサ1において、その磁気抵抗パターンの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を取り除くための磁気抵抗素子の本数をLとしたとき、そのL本の磁気抵抗素子は、所定の間隔Pで配置されることを特徴とする。 - 特許庁
To enable growth of polarization inversion controllable uniformly, in a surface in a method for forming a local polarization inversion part, corresponding to a pattern of an electrode in ferroelectric crystal by forming the electrode having the prescribed pattern in the one surface of the monopolarized ferroelectric crystal, and applying electric field to the front and back surfaces of the ferroelectric crystal via the electrode.例文帳に追加
単分極化された強誘電体結晶の一表面に、所定のパターンを有する電極を形成し、この電極を介して強誘電体結晶の表裏に電場を印加することにより、該強誘電体結晶に前記電極のパターンに対応した局部的な分極反転部を形成する方法において、面内で均一に分極反転の成長を制御可能とする。 - 特許庁
Since an index pattern T1 consisting of a combination of any three of marks m0-m5 included in a mark 50M is arranged in the vicinity of the center of the mark 50M, at least one mark such as the index pattern T1 exists in the imaging field of view fv of a mark detection system 42 when it falls within the region of the mark 50M.例文帳に追加
マーク50Mに含まれるマークm0〜m5のうちいずれか3つのマークの組合せからなる指標パターンT1等は、マーク50Mの中心付近に配置されているので、マーク検出系42の撮像視野fvがマーク50Mの領域内にある場合、その撮像視野fv内に、指標パターンT1等のうちの少なくとも1つのマークが存在するようになる。 - 特許庁
To provide a permanent pattern and its forming method, which has ample film thickness and superior chemical resistance, surface hardness, or heat resistance and is suitably used for the field of printed wiring board and semiconductor, such as protective films, insulating films and the like of wirings.例文帳に追加
配線の保護膜、絶縁膜等、プリント配線基板、半導体等の分野において好適に用いられ、十分な膜厚を有し、優れた耐薬品性、表面硬度、又は耐熱性を発現する永久パターン及び該永久パターンの形成方法の提供。 - 特許庁
Since the stabilization layer 304 is combined in ferromagnetic connection with the free layer 210 in such a way that it exceeds the spacer layer 302, when the sense current or external magnetic field does not exist, the free layer and the stabilization layer have a vortex magnetization pattern same in profile, or other non-longitudinal direction magnetization patterns 310, 320.例文帳に追加
安定化層304はスペーサ層302を越えて自由層210と強磁性結合されているので、センス電流も外部磁場も存在しない場合には、自由層及び安定化層は形状が同様の渦磁化パターンまたは他の非長手方向磁化パターン310,320を持つ。 - 特許庁
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