「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(478ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical element has the antireflection function, and includes a substrate which has a first uneven structure of projections or recessed, arrayed at a pitch equal to or less than a half of a wavelength λ, formed on a surface, and a thin film layer having at least one thin film on the first uneven structure, and the thin film layer has a lower refractive index than the substrate.例文帳に追加

反射防止機能を有する光学素子であって、波長λの半分以下のピッチで並ぶ、凸または、凹の形状をした第１の凹凸構造が表面に形成された基板と、前記第１の凹凸構造の上に少なくとも１層以上の薄膜を有する薄膜層と、を有し、前記薄膜層は、前記基板の屈折率よりも屈折率が低く、また、２層以上の薄膜を有する場合は、前記基板側から空気側に向かって、屈折率が低くなる順に配置され、前記薄膜層の最上層には、前記第１の凹凸構造に対応する第２の凹凸構造があるとともに、下記条件式を満たすことを特徴とする光学素子。 - 特許庁

The circuit has a transistor for controlling an electrical connection between first wiring for supplying a supply potential to the signal processing circuit and second wiring for supplying the supply potential, and a transistor for determining whether or not to ground the first wiring for supplying the supply potential to the signal processing circuit, and at least one of the two transistors is a transistor whose channel is formed in an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線と、電源電位を供給する第２の配線との電気的な接続を制御するトランジスタ、及び、信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線を接地させるか否かを制御するトランジスタとを設け、当該２つのトランジスタの少なくとも一方として、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを適用する。 - 特許庁

The light emitting element is characterized by having: a semiconductor laminated material having a light-emitting layer; a transparent electrode having a first plane with a protruded area in a shape of island or net and a second plane in ohmic contact with the semiconductor laminated material; and a pad electrode provided at least in any one of the upper surface of the protruded area and the bottom surface in the circumference of the protruded area on the first plane.例文帳に追加

発光層を有する半導体積層体と、島状または網状の凸部が設けられた第１の面と、前記半導体積層体との間でオーミックコンタクトを可能とする第２の面と、を有する透明電極と、前記第１の面における前記凸部の上面および前記凸部の周囲の底面のうちの、少なくともいずれかの上に設けられたパッド電極と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 - 特許庁

The light-emitting element is provided with a first electrode and a second electrode set in opposition, at least either being transparent or translucent, and a light-emitting layer pinched between the first electrode and the second electrode structured of light emitter particle powder including light emitter particles with the surface coated with a hole transport material and with conductive nanoparticles carried on the surface of the hole transport material.例文帳に追加

発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された発光層であって、発光体粒子の表面が正孔輸送材料で被覆され、該正孔輸送材料の表面に導電性ナノ粒子が担持された発光体粒子を含む発光体粒子粉末で構成された、発光層と、を備える。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, this semiconductor device has a resistance portion 13, made of polysilicon where impurities are diffused, a first insulating film (SIN film) 14 formed on the resistance portion 13, a second insulating film (SIN film) 15 formed on the first insulating film 14 and an impurity-containing layer (BPSG film) 16 formed on the second insulating film 15.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された、不純物が拡散されたポリシリコンからなる抵抗部１３と、該抵抗部１３上に形成された、第１の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１４と、該第１の絶縁膜１４上に形成された、第２の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１５と、該第２の絶縁膜１５上に形成された、不純物含有層（ＢＰＳＧ膜）１６とを有する半導体装置または半導体記憶装置および半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

A method for manufacturing organic EL devices comprises a first step for heating an inorganic laminated element including a substrate and a hale charging electrode formed on one side thereof, and processing the application of bias voltage on the inorganic laminated element, and a second step for forming another laminated element including an organic emissive layer and an electron injection electrode at the opposite side to the substrate of the hale charging electrode subsequent to the first step.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板及びその一側に形成されたホール注入電極を備える無機積層体を加熱して、その無機積層体にバイアス電圧の印加処理を行う第１工程と、第１工程の後にホール注入電極の基板と反対側に有機発光層及び電子注入電極を備える積層体を形成する第２工程とを有するものである。 - 特許庁

Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.例文帳に追加

同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁

Before a first layer is accumulated on the surface of the plastic substrate to be accumulated, non-accumulated advance treatment is executed.例文帳に追加

少なくとも１つの金属層、特に柔軟性プリント回路ボード用のプラスチックフォイルを具備するプラスチック基板を堆積するためのプロセスおよびウェブ堆積機器であって、堆積される該プラスチック基板の表面上に第１の層を堆積する前に、この表面の非堆積事前処置が実行されるプロセスおよびウェブ堆積機器に関する。 - 特許庁

The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.例文帳に追加

印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The probe for the ultrasonograph is formed of: a sound absorption layer having sound absorbers 110 and 111; a first connecting portion 120 having a plurality of electrodes which are formed separately from each other, and sandwiched between the sound absorbers and joined thereto; and a piezoelectric material arranged to be electrically connected with the plurality of electrodes.例文帳に追加

吸音体１１０，１１１を備える吸音層と、互いに離隔して形成される複数の電極を備えており、前記各吸音体の間に挟まれて接合される第１連結部１２０と、前記複数の電極と電気的に連結されるように配置される圧電体とを備えた超音波診断装置用プローブを構成する。 - 特許庁

A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

A second laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film treated with a cellulose derivative dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A) wherein the film layer contains a fluorine resin.例文帳に追加

第二の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、セルロース誘導体で表面処理した蒸着金属膜細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有する積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする積層シート。 - 特許庁

Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.例文帳に追加

平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescence element where a first electrode 12, one or more organic layers 13 containing a light emitting layer 13c and a second electrode 14 are provided on the transparent substrate 11, laser light L is radiated from the above transparent substrate side to eliminate the defective part s in the organic electroluminescence element.例文帳に追加

透明基板１１の上に、第１電極１２と、発光層１３ｃを含む１以上の有機層１３と、第２電極１４とが設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、上記の透明基板側からレーザー光Ｌを照射させて、有機エレクトロルミネッセンス素子中における欠陥部分ｓを除去した。 - 特許庁

The probe includes: a piezoelectric element 2 for mutually converting an electrical signal and an ultrasonic signal; first and second flexible substrates 4 5 for transmitting an electrical signal for allowing the piezoelectric element 2 to transmit or receive the ultrasonic signal; and an acoustic matching layer 3 for matching the acoustic impedance between a subject under test and the piezoelectric element 2.例文帳に追加

電気信号と超音波信号とを相互に変換する圧電素子２と、圧電素子２に超音波信号を送信あるいは受信させるための電気信号を伝送する第１および第２フレキシブル基板５、４と、被検体と圧電素子２との音響インピーダンスを整合させる音響整合層３とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the insulation film forms a contact hole (810) for electrically connecting the gate electrode and the scanning line having a first part (811) extending along a Y direction near the semiconductor layer and a second part (812) extending in an X direction in which part of the scanning line is overlapped and the scanning line extends.例文帳に追加

更に、絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８１１）と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びるＸ方向に沿って延在する第２部分（８１２）とを有する、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホール（８１０）が形成される。 - 特許庁

Therefore, the prescribed space T1 provided in the first gap layer 28 can be formed to a very small size with high accuracy, and the current pathway narrowing structure can be easily formed, so that the magnetic detector having a large resistance change volume (ΔR) and a high regeneration output can be manufactured.例文帳に追加

従って本発明では、従来に比べて、第１ギャップ層２８に形成された所定間隔Ｔ１を、精度良く且つより微小なサイズで形成でき、電流経路の絞込み構造を容易に形成でき、抵抗変化量（ΔＲ）及び再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能である。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1 is configured by using: a charge storing layer 7 laminated on a semiconductor substrate 2 via a first insulation film 6; a second insulation film 13; a third insulation film 14; a fourth insulation film 15; a fifth insulation film 16; a sixth insulation film 17; and a control gate electrode 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１を、半導体基板２上に第１の絶縁膜６を介して積層して設けた電荷蓄積層７、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、第５の絶縁膜１６、第６の絶縁膜１７、および制御ゲート電極９を用いて構成する。 - 特許庁

The extra-fine coaxial harness H includes: a multicore extra-fine coaxial line 10 in which a plurality of extra-fine coaxial lines 11 with central conductors 12 having exposed tips are linked in parallel; and an intermediate connector 30 having first and second conductive layers 32 and 33 connected via a through-hole conductive layer 34.例文帳に追加

極細同軸ハーネスＨは、先端部が露出された中心導体１２を有する複数本の極細同軸線１１を並列に連結させた多心極細同軸線１０と、スルーホール導電層３４を介して接続される第１導電層３２および第２導電層３３を有する中間接続体３０とを備えている。 - 特許庁

This thin laminated module is formed by mutually connecting, double layers of semiconductor devices H1, H2 which are constituted through formation of first and second semiconductor chips 4 in the face-up manner within the cavity formed on a resin substrate, and a multiple-layer wiring structure substrate 10 including solder balls 17, via an anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

この積層モジュールは、樹脂基板に形成されたキャビティ内に第１及び第２の半導体チップ４をフェースアップで形成してなる２層の半導体装置Ｈ１，Ｈ２と、半田ボール１７を有する多層配線構造基板１０とを異方性導電フィルム２０を介して相互接続してなる薄型の積層モジュールである。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

The vertexes of the integral compressible spacer dots extend through the second conductive layer, whereby, when a force is applied to the flexible transparent cover sheet at the location of one of the compressible spacer dots, the compressible spacer dot is compressed to allow electrical contact between the first and second conductive layers.例文帳に追加

一体型圧縮性スペーサードットの頭頂は、その第２伝導層を貫いて延び、それにより、力が圧縮性スペーサードットの１つの位置でフレキシブル透明カバーシートに加えられると、圧縮性スペーサードットは圧縮され、その結果、第１の伝導層と第２の伝導層との間の電気的接触が可能となる。 - 特許庁

The fuel cell has a power generation section in which a first electrode and a second electrode are installed, interposing an electrolyte layer, and comprises a water absorption and repellent section which has hydrophilicity for absorbing the water generated at the power generation section, as well as, hydrophobicity to dry the water absorbed.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極とが電解質層を挟んで設置された発電部を有する燃料電池であって、前記発電部で生成される生成水を吸収するための親水性ととともに、吸収された該生成水を乾燥させるための疎水性を有する吸撥水部を有することを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

An internal gas space 17 wherein a first electrode 22 is arranged, which is sufficiently same as one or more other internal gas spaces 13, 19 in this sensor element exists in layer planes 13, 19 of the sensor element, and in this case, a second electrode 20 or a reference electrode 28 exists in the other internal gas spaces.例文帳に追加

第１の電極（２２）が配置されている内部ガス空間（１７）がセンサー素子の少なくとも１つの他の内部ガス空間（１３、１９）と十分に同じである、センサー素子の層平面（１１ｂ、１１ｄ）内に存在し、この場合この他の内部ガス空間内には、第２の電極（２０）または参照電極（２８）が存在する - 特許庁

A second liquid crystal polyester-impregnated base material is obtained by heat-treating a first liquid crystal polyester-impregnated base material 11 arranged on the supporting material 13 through a resin layer 12 which exhibits a melting point of ≥320°C by the measurement using a differential scanning calorimeter, or does not undergo decomposition at <320°C and also does not exhibit a melting point.例文帳に追加

示差走査熱量分析での測定により、３２０℃以上の融点を示すか、又は３２０℃未満で分解せずかつ融点を示さない樹脂シート１２を介して、支持材１３上に配置した第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を熱処理することにより、第二の液晶ポリエステル含浸基材を得る。 - 特許庁

On at least one side of the first electrode plate 6 and the second electrode plate 8, multiple projecting parts 10 are formed on a surface thereof in contact with the element body 4, and an embedding layer 14 without including a conductive material and having a higher gel fraction relative to the element body 4 is formed on recessed parts 12 formed between the projecting parts 10.例文帳に追加

第１電極板６および第２電極板８の少なくとも一方には、素子本体４が接触する表面に、凸部１０が多数形成してあり、凸部１０の間に形成してある凹部１２には、導電材を含まず素子本体４よりもゲル分率の高い埋込層１４が形成してある。 - 特許庁

In manufacturing the ultrasonic probe having this adhesive layer for a first adhesive applied to the vibration or non-vibration region of the piezoelectric element, the one having a viscosity at which the adhesive can be prevented from flowing from the vibration region to the non-vibration region of the piezoelectric element 121 or vice versa is used.例文帳に追加

当該接着層を有する超音波プローブの製造において、最初に圧電素子の振動領域又は非振動領域の一方に充填される接着剤については、圧電素子１２１の振動領域又は非振動領域の他方に流入しない程度の粘度を有するものが使用される。 - 特許庁

A scroll compressor 100 is constituted by applying carbon bimetal wherein a sintered layer having a journal bearing part 94 and a main bearing part 72 on a surface of a steel plate is impregnated with a resin including carbon, and surface modifying treatment is applied to a driving bush (first bush) 95 and a bush (second bush) 73.例文帳に追加

スクロール圧縮機１００は、ジャーナル軸受部９４及び主軸受部７２を鋼板の表面上に形成された焼結層にカーボンを含む樹脂を含浸させたカーボンバイメタルを適用して構成し、駆動ブッシュ（第１ブッシュ）９５及びブッシュ（第２ブッシュ）７３に表面改質処理を施したことを特徴とする。 - 特許庁

An expanded grid formed by expanding a rolled sheet 3 formed by arranging first coating layers 1 formed of a lead-tin-based alloy and second coating layers 2 formed of a lead-antimony-based alloy on one surface or each of both surfaces of a lead-calcium-based alloy layer is used as a positive electrode grid.例文帳に追加

鉛−カルシウム系合金層の片面または両面のそれぞれに鉛−錫系合金からなる第１の被覆層１と鉛−アンチモン系合金からなる第２の被覆層２とが並べて形成された圧延シート３をエキスパンド加工することにより作成したエキスパンド格子を正極格子として用いた。 - 特許庁

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。 - 特許庁

The secondary battery is provided which comprises an electrode assembly 200 in which a separator 230 is interposed between a first electrode plate 210 and a second electrode plate 220, a case 110 of metallic material which houses the electrode assembly 200 and has an insulating layer 250 formed, and a lid assembly for closing the case 110.例文帳に追加

本発明は，第１電極板２１０と第２電極板２２０との間にセパレータ２３０が介在された電極組立体２００と，電極組立体２００を収容する，絶縁層２５０が形成された金属材質のケース１１０と，ケース１１０を密閉する蓋体組立体とを含む二次電池を提供する。 - 特許庁

When recording information to a multilayer optical recording medium 1 comprising information recording layers 20, 22, 24 and 26, information is recorded by irradiating a first information recording layer with a recording laser beam and defect information is collected on the multilayer optical recording medium 1 by detecting return light of the recording laser beam.例文帳に追加

複数の情報記録層２０、２２、２４、２６を備えた多層光記録媒体１に対して情報を記録する際に、第１情報記録層に記録レーザー光を照射して情報を記録すると共に、記録レーザー光の反射光を検出して多層光記録媒体１の欠陥情報を収集する。 - 特許庁

In a process for forming the protective film on the organic EL element having a pair of electrodes and an organic compound layer arranged between the pair of electrodes, a pipe 11a of a gas supply means 11 having a surface facing a first surface of a substrate 1 with the organic EL element stacked thereon is cooled by cooling water passages 17.例文帳に追加

一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層を有する有機ＥＬ素子に保護膜を成膜する工程で、基板１の有機ＥＬ素子が積層された第１面に対向する面を有するガス供給手段１１の配管１１ａを、冷却水通路１７によって冷却する。 - 特許庁

In this manufacturing method, after forming the display electrode pairs and the light shielding film on the front base board 11, work for applying and baking a dielectric material is performed twice for forming the dielectric layer 17, and a baking temperature of first time is selected to a temperature lower than a softening temperature of the dielectric material.例文帳に追加

本製法では、前面基板１１の上に、表示電極対と遮光膜とを形成した後に、誘電体層１７を形成するために誘電体材料を塗布して焼成する作業を２回行い、１回目の焼成温度を誘電体材料の軟化温度よりも低い温度に選定する。 - 特許庁

The lens liquid crystal layer is housed in the main lens and the sublens, is arranged between the first lens substrate and the second lens substrate, consists of liquid crystal molecules having anisotropic refractive indexes and refracts light polarized in a predetermined direction at a boundary face with the stereoscopic image lens part to change a planar image to a stereoscopic image.例文帳に追加

レンズ液晶層は、メインレンズ及びサブレンズに収容され、第１及び第２レンズ基板の間に配置され、異方性の屈折率を有する液晶分子からなり、所定の方向に偏光された光を立体画像レンズ部との境界面で屈折させ、平面画像を立体画像に変更させる。 - 特許庁

A belt molding drum 1 having a projected outer peripheral surface 1A of a curvature almost same to that of the inner surface of a mold with which tread rubber 4 comes into contact at the time of vulcanization, is used, and a first belt layer 2 is cylindrically wound around the belt molding drum 1 to be shaped corresponding to the shape of the outer peripheral surface of the belt molding drum 1.例文帳に追加

加硫時にトレッドゴム４が当接する凹状の金型内面と略同じ曲率を有する凸形状の外周面１Ａを備えたベルト成形ドラム１を使用し、そのベルト成形ドラム１に１層目のベルト層２を筒状に巻き付けた後、これをベルト成形ドラム１の外周面形状に合わせて型付けする。 - 特許庁

To surely prevent the clogging of a filter material layer due to an insufficient backwashing and the deterioration of treating performance due to the excess of the backwashing by automatically controlling the most suitable backwashing interval, in a method for backwashing a biological filter in which a first backwashing by timer setting and a second backwashing based on filter pressure loss are performed in combination.例文帳に追加

タイマー設定による第１の逆洗と、濾過圧損に基く第２の逆洗とを組み合せて行う生物濾過装置の逆洗方法において、最適な逆洗間隔を自動制御することにより、逆洗不足による濾材層の閉塞、過剰逆洗による処理性能の低下を確実に防止する。 - 特許庁

Thus, the optical axes of the liquid crystal layer can be arranged in free directions without receiving restrictions except that the transmission axes of the first and second polarizing plates are interested orthogonally with each other while the optical axes are held fixed in the horizontal direction desirable for the stability of the bend orientation, and the visual angle of the desired direction concentration can be made wider.例文帳に追加

このように、液晶層の光学軸はベンド配向の安定性上望ましい水平方向に固定したまま、かつ、第１及び第２の偏光板の透過軸は相互に直交させること以外に制約を受けずに自由な方向に配置でき、所望の方向の視野角を広くすることができる。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the build-up substrate includes: a surface processing process S1 as a process of forming a wiring pattern of a first layer; a catalyst pattern forming process S2 of forming a catalyst pattern with an ink jet; a baking process S3 for the catalyst pattern; and an electroless copper plating process S4 of forming the wiring pattern.例文帳に追加

ビルドアップ基板の製造工程は、１層目の配線パターンを形成する工程として、表面処理工程Ｓ１と、インクジェットで触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程Ｓ２と、触媒パターンの焼成工程Ｓ３と、配線パターンを形成する無電解銅めっき工程Ｓ４とを備えている。 - 特許庁

The probe card includes the probe substrate 12 having a first surface in which contact probes 11 are formed and a second surface in which a resin layer 40b is formed, an ST substrate 20 opposed to the second surface of the probe substrate 12 with an interval, and three stud bumps 23 or more dotted and sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20.例文帳に追加

第１面にコンタクトプローブ１１が形成され、第２面に樹脂層４０ｂが形成されたプローブ基板１２と、プローブ基板１２の第２面と間隔を空けて対向するＳＴ基板２０と、プローブ基板１２及びＳＴ基板２０に挟持された点在する３以上のスタッドバンプ２３により構成される。 - 特許庁