「high‐field」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

RF COIL FOR REDUCED ELECTRIC FIELD EXPOSURE FOR USE IN VERY HIGH FIELD MAGNETIC RESONANCE IMAGING例文帳に追加

極めて高磁場の磁気共鳴イメージングで使用するために電場曝露を低減させたＲＦコイル - 特許庁

To provide a thin-film transistor(TFT) having a high field effect mobility.例文帳に追加

高い電界効果移動度を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which has a low off-current, a high on-current and a high field-effect mobility.例文帳に追加

オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The strength of the field of the high-field drift layer 6 is alleviated by the field alleviating layer 9.例文帳に追加

電界緩和層９により強電界ドリフト層６の電界強度を緩和する。 - 特許庁

A high field drift layer 6 is formed on the surface of a conductive n-type silicon substrate 1, and a conductive gold thin film 7 is formed on the high field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に金薄膜よりなる導電性薄膜７が形成されている。 - 特許庁

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。 - 特許庁

To provide a radio frequency (RF) coil assembly for a very high field magnetic resonance imaging (MRI) system.例文帳に追加

極めて高磁場の磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム向けの無線周波数（ＲＦ）コイル・アセンブリを提供する。 - 特許庁

When the degree of vacuum at the surrounding of the cathode tip is sufficiently high, field emission is performed and the electron beam is used in the stabilized period.例文帳に追加

陰極先端の周囲の真空度が十分に高い場合には、電界放出を行い、安定期間に電子ビームを使用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor polymer that shows high field-effect mobility, air stability, and excellent solubility.例文帳に追加

高いフィールド効果移動性、空気安定性、及び良好な溶解性を示す半導体ポリマーを提供すること。 - 特許庁

To provide a field emission cold cathode element which has high uniformity of field emission and high field emission efficiency, and is highly integrated easily.例文帳に追加

電界放出の均一性が良好で、電界放出効率が高く、しかも高集積化が容易な電界放出冷陰極素子を提供するものである。 - 特許庁

To provide a horizontal field emission type cold cathode and a manufacturing method therefor capable of attaining low driving voltage, high field emission efficiency, and high integration.例文帳に追加

低駆動電圧、高電界放出効率、及び高集積化が達成可能な横型の電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a horizontal type field emission cold cathode device capable of attaining low driving voltage, high field emission efficiency, and high integration.例文帳に追加

低駆動電圧、高電界放出効率、及び高集積化が達成可能な横型の電界放出型冷陰極を提供する。 - 特許庁

To provide a crystalline semiconductor film having high uniformity and obtaining high-field effect mobility.例文帳に追加

均一性の高い結晶質半導体膜を得ること、高い電界効果移動度を得られる結晶質半導体膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor and the like having a high field-effect mobility and performing normally-off driving while increasing selectivity of a substrate.例文帳に追加

基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。 - 特許庁

To provide a lens array system comprising a plurality of minute image forming optical systems for realizing a low profile and a high field angle.例文帳に追加

複数の微小結像光学系からなるレンズアレイ装置において、薄型化とともに高画角化を実現したレンズアレイ装置を提供する。 - 特許庁

In a discharge tube 4, a discharge is generated by the TM010 mode electric field having a high field intensity to cause heat plasma 15.例文帳に追加

放電管４内では、電界強度の高いＴＭ_010 モードの電界により放電が発生して熱プラズマ１５が生じる。 - 特許庁

To realize an image display unit equipped with a panel having a built-in high field effect mobility TFT through reformation into a high-precision band-shaped crystal.例文帳に追加

、高精度の帯状結晶に改質して高い電界効果移動度のＴＦＴを作りこんだパネルを備えた画像表示装置の実現。 - 特許庁

By utilizing the polycrystalline silicon film, a thin film transistor having a high field effect mobility and uniform characteristics can be manufactured.例文帳に追加

前記多結晶シリコン膜を利用して、電界効果移動度が高く均一な特性を有する薄膜トランジスタを製作する。 - 特許庁

In the device, a high-field drift layer 6 is formed on the surface side of an n-type silicon substrate 1 that is a conductive substrate, a field alleviating layer 9 consisting of silicon nitride film is formed on the high-field drift layer 6 and a surface electrode 7 consisting of a thin metal film is formed on the field alleviating layer 9.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６を形成し、強電界ドリフト層６上に窒化シリコン膜よりなる電界緩和層９を形成し、電界緩和層９上に金薄膜よりなる表面電極７を形成している。 - 特許庁

The electron source element 10a is structured with an n-type silicon substrate 1, a semiconductor layer 3 consisting of a polycrystalline silicon layer formed on the main surface of the n-type silicon substrate, a high-field drift layer consisting of an oxidized porous polycrystalline silicon layer formed on the semiconductor layer 3, and a surface electrode 7 formed on the high-field drift layer 6.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、ｎ形シリコン基板１と、ｎ形シリコン基板１の主表面上に形成されたノンドープの多結晶シリコン層よりなる半導体層３と、半導体層３上に形成された酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

A driver is driven by the TFTs 45 for the driving circuits each having the active layer 45c formed of the non-oxide semiconductor having high field-effect mobility, so high-speed driving becomes possible.例文帳に追加

ドライバを電界効果移動度が高い非酸化物半導体によって形成した活性層45cを有する駆動回路用ＴＦＴ45により駆動できるので、高速駆動が可能になる。 - 特許庁

A high-field drift part 6 is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 and a front electrode 7 is formed on the drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に表面電極７が形成される。 - 特許庁

To provide a material excellent in field electron emission properties which has high field strength resistance, emits electrons at a high current density and free from material deterioration.例文帳に追加

高い耐電界強度を有し、大きな電流密度で電子を放出する、材料劣化のない電界電子放出性に優れた材料を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a receiver capable of entering a communication established state by receiving a radio signal sent from a transmitter normally even if a disturbing radio wave of high field intensity is generated in a radio communication environment.例文帳に追加

無線通信環境下に電界強度の強い妨害電波が発生していても、発信機から発信された無線信号を正常に受け取って通信成立状態をとることができる受信機を提供する。 - 特許庁

A built-up mica tape comprising a nonporous insulation film, as a basic material, is coated with thermosetting resin in B stage (semicured) to produce a prepreg built-up mica tape which is used as the high field resistant layer.例文帳に追加

対高電界層としては、無孔質の絶縁フィルムを基材とした集成マイカテープにＢステ−ジ（半硬化状）の熱硬化性樹脂と塗布処理したプリプレグ集成マイカテープ−を使用する。 - 特許庁

The ground insulation layer is formed thin by providing a high field resistant layer including a nonporous insulation film in the ground insulation layer closely to the strand coil thereby enhancing the breakdown voltage.例文帳に追加

対地絶縁層内に素線コイルに接近して無孔質の絶縁フィルムを含む耐高電界層を設けることにより、対地絶縁層の絶縁破壊電圧を高めて厚さを薄くする。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 constitutes a drift part, and the n-type silicon substrate 1 and an ohmic electrode (not illustrated) on the rear surface of the n-type silicon substrate 1 constitute a lower electrode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６がドリフト部を構成し、ｎ形シリコン基板１とｎ形シリコン基板１の裏面のオーミック電極（図示せず）とで下部電極を構成している。 - 特許庁

To provide an image forming method which uses a toner having high chargeability and a toner carrier having a high charge imparting property, avoids broadening of a charge amount distribution even in development under a high field strength, and achieves higher image quality.例文帳に追加

高い帯電性を持つトナーと、高帯電付与性を持つトナー担持体を使用し、高い電界強度をかけて現像しても、帯電量分布のブロード化が発生せず、高画質化を達成できる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which is formed by a low-temperature process, achieves a relatively high field effect mobility, and is stable with respect to light and heat and applicable to a bending environment.例文帳に追加

低温プロセスで形成可能であり、また比較的高い電界効果移動度を実現でき、かつ光、熱に対して安定な特性を有し、曲げ環境にも適用できる薄膜半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The crystalline semiconductor layer is crystal grown directly from immediately above the gate insulating layer, so that the thin film transistor can have a high crystallization, a high on-current and a high field-effect mobility.例文帳に追加

ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。 - 特許庁

To provide an RDS (Radio Data System) reception device which has an improved PI (Program Identification) acquisition rate even when an adjacent station having a high field intensity exists with respect to an alternative station.例文帳に追加

代替局に電界強度が大きい隣接局が存在する場合でも、ＰＩ取得率を向上させることができるＲＤＳ受信装置を提供すること。 - 特許庁

A channel region is located away from a high field drive region to make a low on-resistance and to downsize the lateral junction field effect transistor 100.例文帳に追加

また、チャネル領域が、高電界のドリフト領域から引き離され、低オン低抵抗化を図るとともに、横型接合型電界効果トランジスタ１００の小型化を図ることが可能となる。 - 特許庁

The high field layer 6 is formed whose surface side of a polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 is made to have a porosity by a anode oxidation treatment and thereafter is made to be oxidized by a dilute nitric acid.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコン３の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated type piezoelectric element superior in durability, having no disconnection of an external electrode and an internal electrode, even when being driven continuously over a long period of time in a high field and under a high pressure.例文帳に追加

高電界、高圧力下で長期間連続駆動させた場合でも、外部電極と内部電極とが断線することがなく、耐久性に優れた積層型圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical scanner and an image forming device capable of achieving a high field angle, while keeping acceleration of image output without cost increase.例文帳に追加

コストアップさせることなく画像出力の高速化を維持しつつ、高画角化を達成することができる光走査装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconducting composition that exhibits high field effect mobility, good film-forming properties, and proper morphology for high performance in a composite system.例文帳に追加

高い電界効果移動度、良好なフィルム形成特性、および複合システムにおける高性能のための適切な形態を示す半導体組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting material exhibiting not only an excellent transition point of superconduction but also excellent critical current characteristics in upper critical field or high field and capable of sustaining that characteristics, and its producing method.例文帳に追加

超伝導転移温度が優れているだけでなく、上部臨界磁界や高磁界での臨界電流が優れた特性を有し、その特性を維持することができる超伝導材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An analyzer zone is predetermined by the electrode separating first and second spaces, and the analyzer zone is based on an ion focusing principal of a high-field asymmetrical waveform ion mobility spectroscopic method having a gas injection port for supplying a gas flow through the analyzer zone and a gas discharge port.例文帳に追加

アナライザ領域が第１および第２の空間を隔てた電極によって規定され、アナライザ領域がアナライザ領域を経てガスフローを距給するためのガス注入口およびガス放出口を有する高電界非対称波形イオン移動度分光法のイオン集束原理に基づいている。 - 特許庁

Since it can be employed as a channel region of a semiconductor element or a TFT, a highly reliable semiconductor element and a TFT exhibiting a high field effect mobility can be fabricated while suppressing variation in characteristics resulting in a highly reliable semiconductor memory capable of high speed operation.例文帳に追加

その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びＴＦＴを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor(TFT) device structure that shows high field effect mobility and high current modulation at a lower operating voltage than an organic/inorganic hybrid TFT device with the newest technique, and is based on an organic/inorganic hybrid semiconductor material.例文帳に追加

最新技術の有機無機混成ＴＦＴデバイスよりも低い動作電圧で、高い電界効果移動度、高い電流変調を示す、有機無機混成半導体材料に基づいた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）・デバイス構造を提供すること。 - 特許庁

To form an oxide semiconductor layer superior in crystallinity to manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility while a larger substrate can be used, thereby to achieve the practical application of a large display device, a high-performance semiconductor device, etc.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。 - 特許庁

To provide a photodiode that increases efficiency of detection with a high S/N ratio even at a low luminous intensity by applying a high field to a chalcopyrite semiconductor to generate charge multiplied by impact ionization, and improving dark current characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility by forming an oxide semiconductor layer having improved characteristics as well as enabling an increase in size of the substrate and also to put a large display device, a high-performance semiconductor device, or the like into practical use.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

To prevent occurrence of corrosion etc., to the inside of a driving circuit of a semiconductor device which includes a TFT having superior characteristics such as a small leakage current, a high field effect mobility, etc., and has the driving circuit built in to decrease the number of components.例文帳に追加

リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition which can be burned in a reducing atmosphere, has high volumetric resistance in a high field intensity maintaining a high dielectric constant, has excellent Bias properties, and is useful for a multilayer ceramic capacitor having high reliability.例文帳に追加

還元雰囲気焼成が可能で、高い誘電率を維持した状態で高い電界強度下での容量抵抗積が高く、Ｂｉａｓ特性に優れ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ用として好適な誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁