「interconnection method」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device equipped with an interlayer insulating film as materially one film using same insulating material in locations where arrangement densities of interconnection differ each other and causing parasitic capacitances each corresponding to the arrangement density of the interconnection in the each location, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit interconnection board for reducing position deviation between laminated conductor layers or between insulating layers, and further improving the fining and high density structure in a circuit pattern, and to provide a method for manufacturing the multilayer circuit interconnection board.例文帳に追加

積層される導体層あるいは絶縁層の間において位置ずれが少なく、回路パターンの微細化および高密度化を、より一層、図ることのできる、多層回路配線板、および、その多層回路配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an HA address acquisition method capable of dynamically resolving an HA address in a WLAN system at a high speed and to provide an inter-heterogeneous-network interconnection system.例文帳に追加

ＷＬＡＮシステムにおいて、端末がＨＡアドレスを高速かつ動的に取得することができるＨＡアドレス取得方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an interconnection structure and a method of preparing the same, capable of easily protecting interconnections made of a metal, such as copper which are formed on a substrate.例文帳に追加

基材に形成する銅などの金属の配線を容易に保護することができる配線構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic part, which forms the interconnection of a fine pattern comparatively simply and securely, and furthermore at low cost.例文帳に追加

微細パターンの配線を比較的簡単にかつ確実にしかも低コストで形成可能なセラミック部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the interconnection structure of a semiconductor device, and its designing method, in which layout area can be reduced while interrupting clock noise surely.例文帳に追加

クロックノイズを確実に遮断しながらレイアウト面積を縮小できる半導体装置の配線構造およびその設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion module for direct optical interconnection between a light emitting element array and an optical waveguide array and a method of manufacturing the photoelectric conversion module.例文帳に追加

光素子アレイと光導波路アレイとが直接的に光接続可能な光電変換モジュールとその製造方法を提供する。 - 特許庁

SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, ELECTROPHOTOGRAPHIC SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加

面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁

On top of a semiconductor substrate 102 including an opening which reaches an interconnection in a lower layer, a TiN/Ti adhesion layer 103 is deposited by CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

下層配線に達する開口部を含む半導体基板１０２上へＴｉＮ／Ｔｉ密着層１０３をＣＶＤ法で堆積する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve the reliability of electromigration, while maintaining interconnection resistance to be low, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線抵抗を低く維持したままエレクトロマイグレーションの信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide interlaminar insulating films for multilevel interconnection of semiconductors which excel in electrical properties as well as heat resistance and resistance to hygroscopicity, and a method of producing the same.例文帳に追加

耐熱性、耐吸湿性とともに電気特性に優れた半導体の多層配線用層間絶縁膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system and an operation method therefor capable of reducing observer's waiting time when interconnection is performed.例文帳に追加

系統連系を行う場合に立会者の待ち時間を短縮することが可能な燃料電池システムおよびその運転方法を提供する。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE FOR DIRECT OPTICAL INTERCONNECTION BETWEEN LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY AND OPTICAL WAVEGUIDE ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

発光素子アレイと光導波路アレイとが直接的に光接続可能な光電変換モジュールおよびその光電変換モジュールの製造方法 - 特許庁

This invention comprises a method for making a template of an air gap in a semiconductor interconnection insulator 9 by adding the fullerene 11 to a dielectric material 10.例文帳に追加

フラーレン１１を誘電材料１０に加えることによって半導体相互接続絶縁体９の中に空隙を型取りする方法。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AS WELL AS OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL LAN SYSTEM例文帳に追加

半導体構造およびその製造方法および半導体レーザ素子および半導体レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光ＬＡＮシステム - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor includes at least a step for forming a coat, a step of patterning, a step for forming interconnection and a step of reduction using the metal reducing method.例文帳に追加

本発明の半導体の製造方法は、被膜形成工程と、パターニング工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

To provide a structure of a control collapse chip connection (C4) and its manufacturing method, and particularly, a structure to improve reliability of lead-free C4 interconnection and its method.例文帳に追加

制御崩壊チップ接続（Ｃ４）構造体及び製造方法、及び、より具体的には、鉛フリーＣ４相互接続の信頼性を改善するための構造体及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a copper interconnection conductor by filling a trench, a via-hole and a contact without causing the occurrence of pinch-off or void as a copper CVD method using a catalyst.例文帳に追加

触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus wherein an interconnection terminal or a test socket is not damaged and a signal distortion is not introduced in the method and the apparatus wherein an electronic device is mounted and held.例文帳に追加

電子デバイスの取り付け及び保持方法並びに装置において、相互接続ターミナルまたはテストソケットを損傷せず、信号ひずみを導入しない方法及び装置に関する。 - 特許庁

To provide a solar-battery module which can control that flux leaks out from between an interconnection material and a connecting electrode, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線材と接続用電極との間からフラックスが漏れ出ることを抑制できる太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a structure for reinforcing interconnection performance between a land grid array (LGA) module and an electrical connector such as a printed wiring board.例文帳に追加

ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）モジュールおよびプリント配線板のような電気コネクタの相互接続性能を強化するための方法および構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a BEOL interconnection structure provided with a plurality of via contacts each having low via-contact resistance on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス上に低バイア・コンタクト抵抗を有する複数のバイア・コンタクトを備えたＢＥＯＬ相互接続構造体を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which it is possible to increase adhesive force between interconnection wiring and an overlying cap layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相互接続配線とその上方のキャップ層との接着力を向上することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection characteristics verification/report system and a method for field communication between a centralized online center and multiple field subscriber stations.例文帳に追加

集中型オンラインセンターと複数のフィールド加入者ステーションとの間のフィールド通信の相互接続性検証・報告用のシステムと方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an improved interconnection circuit that has high integration density, and consists of a conductive electrical path, a pad, and a micro-via.例文帳に追加

高集積密度を有し、導電性電路（導電路）、パッドおよびマイクロビア（microvia）より成る改善した相互接続回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To perform reflow soldering with high reliability by touching a bump surely to the pad electrode of a substrate in a flip-chip interconnection method by no-flow underfill.例文帳に追加

ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、基板のパッド電極にバンプを確実に接触させ、信頼性高くリフローはんだ付けできるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor, by which interlayer capacity is reduced and mechanical strength are improved in multilayer interconnection structure, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

多層配線構造における層間の低容量化と機械的強度の向上を図る半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

ELEMENT AND SYSTEM OF SURFACE EMISSION LASER, WAVELENGTH ADJUSTING METHOD, SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND LOCAL AREA NETWORK SYSTEM例文帳に追加

面発光レーザ素子および面発光レーザシステムおよび波長調整方法および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよびローカルエリアネットワークシステム - 特許庁

To provide a method and apparatus for preserving memory ordering in interconnection based on a cache coherent link in light of partial and non-coherent memory accesses.例文帳に追加

部分的且つ非コヒーレントなメモリアクセスの観点からキャッシュ・コヒーレンス・リンクに基づく相互接続でメモリ順序付けを保つ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The method calculates timing windows of the potential aggressor interconnections to calculate each cell on each critical path and first timing of each victim interconnection.例文帳に追加

本方法は潜在的なアグレッサ相互接続のタイミングウインドウを計算し、各クリティカルパス上で各セル及び各ビクティム相互接続の第1タイミングを計算する。 - 特許庁

To provide an interconnection forming method in which the Cu polishing rate is increased by strengthening at least a factor of a chemical mechanism or of a mechanical mechanism, and a semiconductor device.例文帳に追加

配線形成方法及び半導体装置に関し、ケミカルメカニズムとメカニカルメカニズムの少なくとも一方の要素を強化してＣｕ研磨レートを向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing technology of a semiconductor device and, more specifically, an interconnection structure of the semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は半導体装置の製造技術に関わり、より詳細には、半導体装置の相互連結構造及びそれの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for establishing a high-density electrical interconnection between high-voltage driver chips and charging electrodes controlled by the chips is provided.例文帳に追加

本発明は高電圧ドライバチップと、このドライバチップにより制御されるチャージ電極との間の高密度電気相互接続を確立する方法を提供する。 - 特許庁

The method (10) is to form the interconnection of the substrate penetration for the microelectronic device including the substrate (30) having the surface and back side.例文帳に追加

表側と裏側を有する基板（３０）を含むマイクロエレクトロニクス・デバイス用の基板貫通の相互接続部（４２）を形成する方法（１０）を提供する。 - 特許庁

When a copper film 6 is formed in interconnection trenches, copper is polished by CMP method, and then the copper is removed by etching from the vicinity of the circumferential fringe of a wafer.例文帳に追加

銅膜６を配線溝内に形成する際、ＣＭＰにより銅を研磨した後、ウェーハ周縁近傍の銅をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that facilitates an electric connection forming process for an interconnection region to a stack of a contact level of a three-dimensional laminate IC device.例文帳に追加

３次元積層ＩＣデバイスにおいて、相互接続領域のコンタクトレベルのスタックへの電気接続形成工程を簡略化する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayered wiring board which can surely establish continuity among interconnection layers by preventing a conduction post from being buried into a resin film.例文帳に追加

樹脂膜中に導通ポストが埋没するのを防止し、配線層間の導通を確実に図れるようにした多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic circuit board with built-in capacitor and its manufacturing method, capable of stably forming a capacitor area inside the multilayer ceramic circuit board and realizing high density interconnection without imposing restriction on internal interconnection patterns.例文帳に追加

積層セラミック回路基板の内部に安定的にコンデンサ領域を形成することができ、しかも内部配線パターンの制約を与えることなく高密度配線化が可能なコンデンサ内蔵型積層セラミック回路基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device of multilayer interconnection, which effectively prevents short circuit between interconnections when embedded, prevents polish remnants of a conductive material from remaining in forming the embedded interconnections, and prevents deterioration in the dimensional accuracy of an interconnection width, or the like.例文帳に追加

埋込配線を形成する場合の配線間の短絡や、埋込配線形成時に導電材料の研磨残りが生じたり、配線幅の寸法精度の劣化等を有効に防止した多層配線構造の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a multilevel interconnection structure comprising a formation method of an anti-reflection film which does not generate crown in a connection hole, has high long-term reliability, has superior productivity and economical efficiency, and sufficiently low Via hole resistance, in the semiconductor device having the multilevel interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、接続孔でクラウンを生じることが無く、高い長期信頼性を有し、生産性、経済性に優れ、十分低いＶｉａホール抵抗を有する反射防止膜の形成方法を含む多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used in a cleaning process after a flattening polishing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a copper interconnection, wherein corrosion and oxidation of the copper interconnection and surface roughening of the flattened interconnection on a substrate due thereto, are suppressed and impurities on a semiconductor device surface can effectively be removed, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high density semiconductor device, and a method of fabrication, by forming plugs and an interconnection readily for a fine pattern when conductive plugs buried in contact holes and an interconnection are formed simultaneously.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホールに埋め込んだ導電性プラグと溝を利用した配線を同時に形成する際に、微細なパターンに対して容易にプラグと配線を形成することが可能となり、その結果、高密度な半導体デバイスを作製することができる半導体装置および半導体装置製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of forming a through interconnection line in a semiconductor substrate by which a through interconnection line can be so formed as to have a fine embeddability with respect to the inside of a through hole penetrated in a semiconductor substrate and have a good adhesion with an insulation layer formed on the inner surface of the through hole.例文帳に追加

半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁