「interconnection method」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for interconnection at the original position whereby nano-wires are grown and formed at the original position on each of circuit boards to create a structure of the interconnected nano-wires on each circuit board.例文帳に追加

各回路基盤の原位置でナノワイヤを成長形成して、各回路基盤上のナノワイヤが相互接続された構造を創出し、原位置で相互接続を行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flexure blank having a terminal part ensuring highly reliable electrical connection with bumps formed on a counterpart flexible circuit board for interconnection.例文帳に追加

相手方の中継用可撓性回路基板に形成したバンプと高い信頼性で電気的接続を図れるような端子部を備えた磁気ヘッド用フレクシャブランクの製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell module which is aimed at improvement and low electric resistance of a connecting method, with respect to the interconnection of serial or parallel connection of photovoltaic cells.例文帳に追加

光起電力セル同士の直列あるいは並列接続の相互接続に関する、接続方法の改良並びに低電気抵抗を目指した太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER AND SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, TRANSMISSION MODULE, LOCAL AREA NETWORK SYSTEM, OPTICAL DATA LINK SYSTEM AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加

半導体レーザ装置および半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置の製造方法および送信モジュールおよびローカルエリアネットワークシステムおよび光データリンクシステムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁

To solve the problem that, in the conventional semiconductor device and its manufacturing method, resins to be used for an interconnection layer on the solder ball side are limited, which discourages the cost reduction of semiconductor devices.例文帳に追加

従来の半導体装置およびその製造方法においては、半田ボール側の配線層に用いる樹脂が限定され、それにより半導体装置の低コスト化が妨げられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a highly reliable interconnection wiring structure of a fine multilayer wiring formed of a buried Cu wiring material constituting an integrated circuit and its manufacturing method.例文帳に追加

集積回路を構成する埋め込みＣｕ配線材料による微細な多層配線で高信頼性の接続配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical interconnection and method therefor which are compatible with an existing interconnection technique, being relatively hardly affected by a slight slippage between components, having a minimum optical loss or no loss at all, and being easily expanded to a device transmitting many light beams without impeding optical transmission by particles.例文帳に追加

既存の相互接続技術と互換性があり、部品間のわずかなずれによる影響を比較的受けにくく、光学的な損失が最小限であるか全く無く、粒子が光伝送を妨害することなく、多くの光ビームを伝送する装置へと容易に拡大されうる光学的な相互接続及び方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the image sensor includes: forming a readout circuitry 120 on a first substrate 100; forming an electrical junction region 140 electrically connected to the readout circuitry 120 in the first substrate 100; forming an interconnection 150 on the electrical junction region 140; and forming an image sensing device 210 on the interconnection 150.例文帳に追加

第１基板１００にリードアウト回路１２０を形成する段階と、前記第１基板１００に前記リードアウト回路１２０と電気的に繋がる電気接合領域１４０を形成する段階と、前記電気接合領域１４０上に配線１５０を形成する段階と、前記配線１５０上にイメージ感知部２１０を形成する段階を含む。 - 特許庁

To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.例文帳に追加

本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bipolar semiconductor device which ensured good ohmic contact with Al interconnection, without changing the impurity density of the bipolar device, and to provide a bipolar semiconductor device.例文帳に追加

従来のバイポーラ型半導体装置の製造方法では、多結晶Ｓｉ層への不純物導入後、不純物活性化のための熱処理が加わるため、バイポーラデバイスの不純物濃度プロファイルが変化する。 - 特許庁

To provide an aqueous composition which is used to remove bulk photoresists, post-etch and post-ash residues, residues from Al back-end-process interconnection structures, and contaminants; and a method for using the composition.例文帳に追加

本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for power distribution system that permits users to evaluate the effects, when performing system change-over with distributed power sources that are interconnected to distribution lines on the interconnection side.例文帳に追加

分散型電源が連系側配電線に連系された状態において系統切替を実施する際の影響を評価することが可能な配電系統システム評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus to introduce signals into a shielded RF circuit which do not require a large size interconnection mechanism, and do not combine electromagnetic energy to a substrate of the RF circuit.例文帳に追加

大型の相互接続機構を要さず、電磁エネルギーをＲＦ回路の基板へと結合してしまうことなく、信号を遮蔽ＲＦ回路へと送り込む為の方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection member having a sharp tip shape part of various shapes without depending on a supporting substrate and having a sufficient hardness without etching a supporting substrate directly, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板を直接エッチングすることなく、かつ、十分な硬度を有し、かつ、支持基板によらずに様々な形状の先端鋭利形状部を有する相互接続部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide optical interconnection parts and manufacturing method thereof, permitting easy three-dimensional electric wiring, and permitting to easily form a dead end electrode particularly on an inclined plane.例文帳に追加

容易に３次元的な電気配線をすることができ、特に傾斜面にて終端する電極を容易に形成することができる光接続部品及び光接続部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power factor control device and its method which enable power factor control, keeping the balance of power factors and voltages, when system non-interconnection parallel operation by the use of generators of different specifications and capacities is carried out.例文帳に追加

異なる仕様や容量の発電機を用いた系統非連携並列運転時の力率制御を、力率と電圧のバランスを保持して行なえる力率制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which a contact hole in a fine hole diameter can be formed by a simple method and in which a conductive substance can be embedded and at the same time has an Al interconnection of high reliability.例文帳に追加

簡略な方法で微細な孔径のコンタクトホールの形成と導電物の埋め込みが可能で、同時に信頼性の高いＡｌ配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection board and its manufacturing method capable of improving the adhesion between a through-hole conductor and an inner wall surface of the through-hole, and to provide a mounting structure.例文帳に追加

本発明は、スルーホール導体とスルーホールの内壁面との接着力を向上させることが可能な配線基板及びその製造方法、並びに実装構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetic recording element having a structure suited for spin injection, which can reduce density of current flowing in interconnection and a TMR (tunnel magneto resistive) element, as well as a method of writing into the magnetic recoding element.例文帳に追加

スピン注入に適した構造を有し、配線およびＴＭＲ素子に流れる電流密度を抑えることができる磁気記録素子およびこの磁気記録素子への書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multilayer interconnection semiconductor device by which metallic wiring can be formed on a heat resistant polymer protective film without damaging the protective film.例文帳に追加

耐熱性高分子保護膜に損傷を与えることなく、耐熱性高分子保護膜上に金属配線を形成することができる多層配線半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment which can prevent partial separation of an insulation layer on an aluminum interconnection and can also prevent a bad outer appearance and a poor reliability.例文帳に追加

アルミニウム配線上の絶縁層の部分的剥離を防止することができ、外観不良、信頼性不良をなくする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which places no restraints on layout of a lower interconnection located below copper wiring and can reduce the variation in effective dielectric constant, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

銅配線の下方に位置する下部配線がレイアウト上の制約を受けず、しかも、実効誘電率のばらつきが低減される半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that in a dual damascene method, if an overlapping area between a trench for interconnection and a hole for a via is too small, embedding defects are caused when embedding the trench and the hole with copper.例文帳に追加

デュアルダマシン法において、配線用の溝とビア用の孔とがオーバーラップする領域の面積が小さ過ぎると、上記溝および孔に銅を埋め込む際に埋設不良が起こってしまう。 - 特許庁

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method where an interlayer insulating resin and the barrier metal of a plated wiring uppermost layer can obtain high adhesiveness, for a method for obtaining the adhesiveness between a fine wiring surface and the interlayer insulating resin especially in the wiring transfer method of a multilayer interconnection board.例文帳に追加

多層配線板の、特に配線転写工法における微細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリアメタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hole formation method which achieves high process reproductivity and allows fine holes to be formed efficiently at low cost, and to provide a multilayer interconnection, a semiconductor device, a display element, an image display device, and a system that form via holes by using the hole formation method.例文帳に追加

プロセス再現性が高く、微細なホールを効率よく低コストで形成することができるホール形成方法、並びに、該ホール形成方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステムの提供。 - 特許庁

To provide a polishing method, a polishing device, and a manufacturing method for a semiconductor device, where occurrence of dishing or erosion is suppressed in a planarizing process for polishing a metal film to constitute wiring of a semiconductor device having a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置の配線を構成するための金属膜の研磨による平坦化工程において、ディッシング、エロージョンの発生を抑制可能な、研磨方法、研磨装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a contact structure interconnecting wires of three or more layers most efficiently and in the minimum area in the interconnection, and also to provide its manufacturing method, and a display device.例文帳に追加

３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the device comprises a step for providing a structure having an insulating layer 120 of at least one interconnection 130 and a step for forming a sublithographic template mask 150 on the insulating layer.例文帳に追加

デバイスを製造するための方法は、少なくとも１つの相互接続１３０を有する絶縁層１２０を有する構造を設けるステップと、絶縁層の上にサブ・リソグラフィ・テンプレート・マスク１５０を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a packet transfer method, a router, a ring segment router and a program capable of transferring a packet with a simple sequence even when a mobile terminal moves to a different ring network in an interconnection ring network.例文帳に追加

相互接続リングネットワークについて、移動端末が異なるリングネットワークへ移動した場合であっても、簡単なシーケンスでパケットを転送することができるパケット転送方法、ルータ、リングセグメントルータ及びプログラムを提供する。 - 特許庁

A method for creating (S5) correction pattern data comprises a step of extracting (S1) a metal pattern from layout pattern data, extracting (S2) and expanding (S3) the minimum area violation pattern, detecting and improving (S4) an interconnection interval violation, and compensating a pattern width.例文帳に追加

レイアウトパターンデータからメタルパターンを抽出（Ｓ１）し、最小面積違反パターンを抽出（Ｓ２）して拡張（Ｓ３）し、配線間隔違反を検出、改善（Ｓ４）し、パターン幅を補正して修正パターンデータを生成（Ｓ５）する。 - 特許庁

To provide a method and a unit that establish interconnection among satellites in an acquisition stage, so as to enable more simple adjustment of a system, where broadcast communication and measurement of spatial tracking error can be attained.例文帳に追加

同時通信や空間追尾誤差の測定が可能となるようなシステムにおいて、そのシステムの調節がより簡単になるように、捕捉段階における衛星間の接続を確立する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a control method of a power generation system which stably operates a gas engine without any special controlling when performing operation for mixing and burning two kinds of fuel, and makes a generator operate in system interconnection with a commercial power supply.例文帳に追加

２燃料混焼運転を行い、発電機を商用電源と系統連系させる場合に、特別な制御を行うことなく、ガスエンジンを安定して運転できる発電システムの制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection for display element having an improved physical adhesion and a good electrical contact resistance, and also to provide a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the substrate.例文帳に追加

物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that has an ohmic electrode with a contact of an interconnection improved, by suppressing deposition of carbon without causing Schottky contacts to be generated, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of compensating a defective image caused by a difference of length between gate line and data line interconnection lines with a capacitor of a layered structure type, and to provide a method for fabricating the liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン及びデータライン相互接続線の配線長さの差による画像不良を積層構造方式のキャパシターで補償した液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device including a process capable of simply and absolutely removing an electric supply line for plating without constituting a limiting factor of a high-density interconnection, and to provide a high-density substrate for the semiconductor device manufactured by using the method.例文帳に追加

配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which can suppress side etching without corroding electronic members, various lamination films and the like on a substrate, for the substrate which has a lamination structure of tungsten and/or titanium-tungsten alloy which are used for electrodes and interconnection lines for a semiconductor device and a thin film transistor of a liquid crystal display or for interconnection lines and barrier metal for the electrodes.例文帳に追加

半導体装置や液晶表示装置の薄膜トランジスタの電極や配線、またこれらの電極の配線やバリアメタルとして用いられているタングステン及び／又はチタン−タングステン合金の積層構造を有した基板において、基板上の電子部材、各種積層膜等を腐食することなく、サイドエッチングを抑制したエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element which can reduce the number of mask processes than the conventional one by forming a connecting interconnection line for electrically connecting elements at the time of forming a metal interconnection line and a gate electrode at the same time and at the time of forming a first electrode and thereby can shorten the processes and reduce a manufacturing cost, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

金属配線及びゲート電極を同時に形成したり、第１電極を形成する時、素子を電気的に連結する連結配線を形成することによって、従来に比べて、マスク工程の数を減少させることができ、これにより、工程を短縮することができ、製造コストを節減することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming the fuel cell assembly includes the steps of providing the interconnection structure having at least one flow channel, depositing the sacrificial material into the flow channel, depositing an electrode or an electrode/electrolyte material upon the interconnection structure and the sacrificial material, and processing the fuel cell so as to remove the sacrificial material.例文帳に追加

燃料電池アセンブリを形成する方法は、少なくとも１つの流路を有する相互接続部構造を提供する工程と、流路の中へ犠牲材料を付着させる工程と、相互接続部構造及び犠牲材料の上に電極又は電極／電解質材料を付着させる工程と、犠牲材料を除去するように燃料電池を処理する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole, having proper metal interconnection layer coverage and a semiconductor device, and to provide a method for manufacturing the same having contact hole, when an interlayer insulation film consisting of at least more than two insulation films having different etching selectivity is formed.例文帳に追加

エッチング速度の異なる少なくとも２以上の絶縁膜により層間絶縁膜が形成されている場合に、金属配線層の被覆性が良好なコンタクトホールを形成する方法、および当該コンタクトホールを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and layout design method thereof for relaxing wiring congestion by effectively utilizing interconnection resources around a hard macro while using slant interconnections in a layout design step in particular regarding the layout design method of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト設計方法に関し、特にレイアウト設計工程において斜め配線を用い、ハードマクロの周辺における配線リソースを有効に活用することで、配線混雑を緩和する半導体集積回路およびそのレイアウト設計方法を提供する。 - 特許庁

A lower barrier layer 19 comprising a tantalum nitride of about 25nm in thickness is deposited by a spattering method on the via hole 17a and a fourth insulating film 17 containing a wall surface and undersurface of the via hole and minute interconnection forming groove 18a.例文帳に追加

スパッタ法により、ヴィアホール１７ａ及び上部配線形成溝１８ａの壁面及び底面上を含む第４の絶縁膜１７の上に、厚さが約２５ｎｍの窒化タンタルからなる下部バリア層１９を堆積する。 - 特許庁