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interconnection methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 582件
To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.例文帳に追加
積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an optical interconnection structure which includes a substrate in which a hole penetrating a predetermined region is formed, and an optical guide member fixed to the inside of the hole of the substrate, wherein the optical guide member and the substrate are fixed by metal oxide, and to provide a method for manufacturing the optical interconnection structure.例文帳に追加
本発明は光連結構造物およびその製造方法に関し、一定領域を貫通するホールが形成される基板と、基板のホール内部に固定された光ガイド物とを備え、光ガイド物と基板は金属酸化物によって固定された光連結構造物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a reliable semiconductor device that has multilayer interconnection structure, and prevents short-circuiting accidents or decrease in a breakdown voltage for semiconductor devices having the multilayer interconnection structure, especially, that of borderless one.例文帳に追加
多層配線構造、特にボーダーレス構造の多層配線構造の半導体装置においても、短絡事故、あるいは耐圧低下を来すことがなく信頼性の高い、この種の半導体装置を得ることができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a desired opening shape in forming an interconnection by a dual damascene method and providing a better contact between the interconnections.例文帳に追加
デュアルダマシン法により配線を形成する際に、所望の形状の開口部を形成することができ、また、配線間で良好なコンタクトを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection structure which can regulate a substrate thickness having excellent handleability and conveyability in a manufacturing process and which facilitates a mass production, and to provide a method for mounting a semiconductor device.例文帳に追加
製造プロセスにおける取扱い性、搬送性に優れた板厚に調整ができ、量産対応が容易となる多層配線構造の製造方法および半導体装置の搭載方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technique for decreasing a wiring capacity without significantly changing a structure and a material, in a semiconductor device comprising a multilevel interconnection using a damascene method.例文帳に追加
ダマシン法を用いた多層配線を有する半導体装置において、構造や材料を大幅に変更することなく配線容量を低減させる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic memory wherein a contact film between a TMR multilayer film and an upper interconnection can be formed self-alignedly, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
TMR積層膜と上部配線の間のコンタクト膜が自己整合的に形成されることができる磁性記憶装置とその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a cleaning method in which residues generated when the interconnection of a semiconductor device is formed can be removed from the substrate by using super-critical carbon dioxide.例文帳に追加
超臨界二酸化炭素を用いて、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を基体から除去することができる洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To provide a radio communication equipment with which the user can clearly hear a received voice even in the case of interconnection with a communication network which adopts a different communication method.例文帳に追加
通信方式が異なる通信網と相互接続する場合であっても、受話音声を明瞭に聴き取ることを可能とする無線通信装置を提供する。 - 特許庁
To provide an OSI(open systems interconnection) tunnel routing method and its device capable of eliminating erroneous setting of manual setting and management complicatedness and also improving traffic efficiency.例文帳に追加
手動設定による誤設定や管理の煩雑化を解消でき、且つトラフィックの効率化を行うことのできる、OSIトンネルルーティング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
To provide a three-dimensional semiconductor circuit which is enhanced in circuit density, possessed of an interconnection part reduced in length to an irreducible minimum, enhanced in scale, and made complicated and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
回路密度を高め相互接続部の長さを最短に抑え、大規模化および複雑化が可能な三次元半導体回路およびそのの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an HA address acquisition method capable of dynamically resolving an HA address in a WLAN system at a high speed and to provide an inter-heterogeneous-network interconnection system.例文帳に追加
WLANシステムにおいて、HAアドレスを高速かつ動的に解決することができるHAアドレス取得方法及び異種網間接続システムを提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device having a capacitor which can be formed through a process shared with an interconnection while reducing the area of memory cell, and a method of fabrication.例文帳に追加
メモリセル面積の縮小が可能であり、配線と共有化されたプロセスで形成できるキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and device which can hold memory sequencing for interconnection based on cache coherence link from a view point of partial and non coherent memory access.例文帳に追加
部分的且つ非コヒーレントなメモリアクセスの観点からキャッシュ・コヒーレンス・リンクに基づく相互接続においてメモリ順序付けを保つ方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an interconnection member capable of forming a tip sharp shape part having various shapes on a cantilever part without etching a substrate directly.例文帳に追加
基板を直接エッチングすることなく、様々な形状の先端鋭利形状部を片持ち梁部に形成することができる相互接続部材の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The structure relates to the interconnection structure with improved adhesion between a chemically etched dielectric material and a noble metal liner, as well as a method for manufacturing the structure.例文帳に追加
化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させた相互接続構造およびこれを製造する方法を提供する。 - 特許庁
Here, the interconnection method is provided which fills a large trench and a hole for a power element and a power line, as well as the trench, via-hole, contact and wide passive element.例文帳に追加
トレンチ、ビアホール、コンタクト、広い受動素子だけでなく電力素子と電力線のための大きいトレンチとホールを充填する配線方法がここに開示されて提供される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which fine interconnection can be formed, the entire device can be planarized even after flip-chip bonding a semiconductor element, and excellent moisture resistance can be obtained.例文帳に追加
微細配線が形成でき、半導体素子のフリップチップ接続後も装置全体が平坦になり、耐湿性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of high strength that lowers an effective dielectric constant k_eff, maintains an inter-level vertical capacity in an interconnection at a low level and a manufacturing method of the same.例文帳に追加
有効誘電率k_effを低下させ、相互接続のレベル間垂直容量を低く維持し、強度の高い半導体デバイスおよび製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of planarization with less copper dishing or with no copper dishing in the process of forming a copper interconnection using a damascene process.例文帳に追加
ダマシン法を用いて銅配線を形成するに当たり、化学・機械的研磨(CMP)による銅のディッシングを低減、あるいはなくし、平坦化する方法を提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the multilayer interconnection structure, a groove 19 reaching a lower layer wiring is formed in an insulation film of a low-permittivity material covering the lower layer wiring 12.例文帳に追加
多層配線構造の製造方法において、下層配線(12)を被覆する低誘電率材料の絶縁膜に、前記下層配線に到達する溝(19)を形成する。 - 特許庁
To provide a solar battery PV module with a high quality interconnection path formed between a surface electrode and a rear surface electrode, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
表面および裏面の両電極間に高品質の相互接続経路を形成した太陽電池PVモジュールと太陽電池PVモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, OPTICAL PICKUP SYSTEM, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC SYSTEM例文帳に追加
半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム - 特許庁
To provide a method, system, and device for managing data flow through an open system interconnection type network which includes a physical layer and a media access control layer.例文帳に追加
物理レイヤおよびメディア・アクセス制御レイヤを含むオープン・システム相互接続タイプ・ネットワークを介してのデータ・フローを管理するための方法、システムおよび装置を提供する。 - 特許庁
INTERCONNECTION STRUCTURE WITH IMPROVED ADHESION BETWEEN NOBLE METAL LINER AND ADJACENT DIELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD (IMPROVEMENT IN ADHESION FOR METAL/DIELECTRIC INTERFACE)例文帳に追加
貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料間の付着性を向上させた相互接続構造およびその製造方法(金属/誘電体界面のための付着性向上) - 特許庁
To inexpensively improve adhesion with the ceramics of the surface conductor pattern of a ceramic multilayer interconnection board by a method using a conventional manufacturing technique.例文帳に追加
本発明の目的は、セラミック多層配線基板の表面導体パターンのセラミックスとの密着強度を従来の製造技術を用いた方法で安価に向上させることである。 - 特許庁
To provide a multiple pattern wiring board which is reduced in the variation of thickness of a plating layer deposited on interconnection conductors by electrolytic plating method, and to provide an electronic device.例文帳に追加
電解めっき法によって配線導体に被着されためっき層の厚みばらつきを低減した多数個取り配線基板および電子装置を提供すること。 - 特許庁
To prevent a leak path from being generated due to wet etching at a planned interconnection formation location by a manufacturing method for a semiconductor device like a GaAs field-effect transistor.例文帳に追加
GaAs電界効果トランジスタのごとき半導体装置の製造方法で、配線の形成予定箇所でのウェットエッチングによってリークパスが生じるのを防止する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device consisting of a power MOSFET including a silicide layer of interconnection structure and a low profile bump in which inter-bump short circuit is prevented, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
相互接続構造の珪化物層と、ロープロファイルバンプを含む、バンプ間ショートを防止したパワーMOSFETからなる半導体デバイスおよび製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a photovoltaic module achieving improvement of a connection method and low electric resistance in relation to interconnection of series or parallel connection between photovoltaic cells.例文帳に追加
光起電力セル同士の直列あるいは並列接続の相互接続に関する、接続方法の改良並びに低電気抵抗を目指した太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁
(2) The specified interconnection charges of NTT East and NTT West during the period specified in the applicable Ordinance of MIC specified in the preceding paragraph shall, in accordance with the method specified in the applicable Ordinance of MIC, calculated based upon the amount of money by adding together costs pertaining to the specified interconnection charges of NTT East and NTT West. In this case, said specified interconnection charges shall be deemed to be in compliance with Article 33 paragraph (4) item (ii). 例文帳に追加
2 前項に規定する総務省令で定める期間における東会社と西会社の特定接続料は、総務省令で定める方法により、それぞれの特定接続料に係る原価を合算した額に基づいて算定するものとする。この場合において、当該特定接続料は、電気通信事業法第三十三条第四項第二号に適合しているものとみなす。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a forming method for a hybrid of different components using interconnection bumps of a microelectronic field and applicable to the manufacturing of a large array device for detecting electromagnetic radiation, and a device for the method.例文帳に追加
電磁放射線検出用の大規模アレイ型装置の製造に応用可能である、マイクロエレクトロニクスの分野の相互連結バンプを用いる異なる部材のハイブリッド形成方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming patterns, capable of improving exposure accuracy for interconnection widths and implementing microfabrication of interconnections, without being restricted by exposed patterns, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same method.例文帳に追加
露光パターンに制約されることがなく、配線幅の露光精度を向上させることができ、配線の微細加工を実現することができるパターン形成方法並びにそのパターン形成方法を使用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A resist pattern 5 is formed on a thin-film electrode (interconnection) 3, a resist residue which remains on the surface of the electrode 3 and a resist residue which is put into the inside of the electrode 3 are removed, and the thin-film interconnection 7 is formed by the lift-off method on the surface of the electrode 3 from which the resist residue has been removed.例文帳に追加
厚膜電極(配線)3上にレジストパターン5を形成した後、厚膜電極3の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜電極3の内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極3の表面に、リフトオフ法により薄膜配線7を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.例文帳に追加
ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にARLを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To uniformly and efficiently remove a surface oxide film formed on a copper interconnection or the like, regarding a method and an apparatus the manufacturing a semiconductor device, where a process or a means used to remove an inessential substance adhering to the surface of an electrode or an interconnection using copper as the main material is provided.例文帳に追加
本発明は銅を主材料とする電極或いは配線の表面に付着する不要物を除去する工程/手段を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関し、銅配線等に形成される表面酸化膜を均一にかつ効率的に除去することを課題とする。 - 特許庁
In manufacturing the chip for the high frequency circuit in which an interconnection pattern 2 is arranged on a substrate 1 with a through hole 7, (a) an electrode 7a for conduction of the through hole 7 is formed by filling and sintering a conductive paste in a through hole 11 and (b) an interconnection pattern 2 is formed using a lift-off method as well.例文帳に追加
スルーホール7を備えた基板1に配線パターン2が配設された高周波用回路チップを製造するにあたって、(a)スルーホール7の導通用電極7aを、貫通孔11に導電性ペーストを充填、焼成することにより形成するとともに、(b)配線パターン2を、リフトオフ法により形成する。 - 特許庁
To provide a multilayer interconnection structure that prevents a shape from deteriorating and a barrier metal from being thinned and has an appropriate wiring shape and the barrier metal having a required and sufficient film thickness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
形状劣化やバリアメタルの薄膜化を防止して、適正な配線形状と、必要十分な膜厚のバリアメタルを備えた多層配線構造と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing flexible and microscopic multilayer circuit boards by which continuity among several single-layer circuit boards is ensured by means of interconnection parts using microscopic openings such as via holes and the like.例文帳に追加
ビアホ−ル等の微細な開口部を用いた相互接続部により複数の単層回路基板の相互間を導通させる可撓性微細多層回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of simplifying the manufacturing while suppressing mutual positional displacement of interconnection grooves and connection holes formed to an insulating film.例文帳に追加
絶縁膜に形成する配線溝および接続孔が互いに位置ずれするのを抑制しながら、製造の容易化を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device enabling restraining of increase in both contact resistance and interconnection resistance, without causing the performance of the semiconductor device to be degraded.例文帳に追加
半導体装置の性能を低下させることなく、コンタクト抵抗及び配線抵抗それぞれの上昇を抑制することが可能となる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a wireless data communication mobile terminal and a wireless data communication method capable of transferring data between independent short distance wireless communication enabled areas wherein no interconnection communication path exists.例文帳に追加
互いの接続通信経路がない独立した短距離無線通信可能エリア間でのデータの転送が可能な無線データ通信用携帯端末装置および無線データ通信方法の提供。 - 特許庁
SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY USING SAME, ELECTROPHOTOGRAPHIC SYSTEM, SURFACE EMISSION LASER MODULE, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SURFACE EMISSION LASER ELEMENT例文帳に追加
面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 - 特許庁
SURFACE-EMITTING LASER ELEMENT, METHOD OF PRODUCING THE SAME SURFACE EMITTING LASER ARRAY, SURFACE EMITTING LASER MODULE, ELECTROPHOTOGRAPHIC SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加
面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁
To provide a method and a device of contract processing of power spot market by which the contract processing is realized at high speed considering upper and lower limit restriction of current of interconnection between bid areas.例文帳に追加
入札エリア間の連系線の潮流上下限制約を考慮して、高速に約定処理を実現できる電力スポット市場約定処理方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide a novel structure of a metal resistor which can prevent a bad electrical contact between the metal resistor and an interconnection metal in a thin-film metal resistor, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
薄膜金属抵抗における、金属抵抗と配線金属との電気的接触不良を回避できる金属抵抗の新たな構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming interconnection grooves and connection holes accurately in an interlayer insulation film which uses an organic material.例文帳に追加
有機材料を用いた層間絶縁膜に対して精度良く配線溝や接続孔を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a polishing agent and a polishing method that are suitable specifically for a second polishing process for eliminating a barrier film in a substrate formed with a interconnection metal film and the barrier film on an insulating film.例文帳に追加
絶縁膜上に配線金属膜とバリア膜が形成された基板の、特に、バリア膜を除去する第2の研磨工程において好適な研磨剤および研磨方法の提供。 - 特許庁
SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME ARRAY, AND MODULE FOR SURFACE EMITTING LASER, ELECTRONIC PHOTOGRAPHY SYSTEM, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加
面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび面発光レーザ素子の製造方法 - 特許庁
To provide a low-cost semiconductor device that forms an electrical interconnection between two metal layers, which are designed in flip-chip format or wire bonded format, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
フリップチップフォーマットまたはワイヤーボンドされたフォーマットに設計された2つの金属基板層間に電気的相互接続を形成する低コストデバイス及び方法を提供すること。 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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