「interface bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.例文帳に追加

支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby light-emitting efficiency can be improved by forming patterns with variable optical gradients on the upper and lower surfaces of a substrate receiving light, and reducing total reflection characteristics on an interface in a flip-chip bonding structure.例文帳に追加

本発明は、フリップチップボンディング構造において、光が放出される基板の上下面に夫々光傾度を変えられるパターンを形成し界面での全反射特性を減少させることにより発光効率を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

When the substrate 100 and the nozzle plate 200 are bonded temporarily through the intermediate bonding layer 300 and then applied with an electric field, SiO_2 is formed on the interface of the nozzle plate 200 and the substrate 100 which are thereby bonded by the electrostatic force of SiO_2.例文帳に追加

基板１００とノズルプレート２００とを中間接合層３００を介在して仮接合した後電界を加えると，ノズルプレート２００と基板１００との界面でＳｉＯ_２が形成され，ＳｉＯ_２の静電力によりノズルプレート２００と基板１００とが接合される。 - 特許庁

When applying thermocompression bonding onto a glass substrate 11 and a metal wiring material 12, Si on the surface of the glass substrate 11 and alkoxyl group (OR) of disulfide silane terminal modified with hydrophobic silica 14 are reacted each other on an interface between a glass substrate 11 and an anisotropic conductive material 13, and they are chemically bonded to each other.例文帳に追加

ガラス基板１１と金属配線材１２とを熱圧着させると、ガラス基板１１と異方性導電材料１３との界面において、ガラス基板１１表面のＳｉと疎水シリカ１４に修飾されたジスルフィドシラン末端のアルコキシル基（ＯＲ）とが反応し、化学結合する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an FRP structure, capable of exhibiting excellent strength characteristics with regard to an integrated structure, maintaining high interlaminar strength particularly at a bonding interface, and inexpensively and easily molding without using facilities such as an autoclave even though manufacturing a large-scaled FRP structure.例文帳に追加

一体化された構造体が優れた強度特性を発揮でき、とくに接合界面部分で高い層間強度を保持できるとともに、大型のＦＲＰ構造体でもオートクレーブなどの設備を使わず安価にかつ容易に成形できるようにしたＦＲＰ構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell, i.e. an SOFC having a P type semiconductor film provided on the surface of an interconnector consisting of a dense conductive ceramic provided in a fuel side electrode, which has a high bond strength with regard to the bonding state between "the interface of the interconnector and the P type semiconductor film."例文帳に追加

燃料側電極に設けられた緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタの表面にＰ型半導体膜が設けられたＳＯＦＣであって、「インターコネクタとＰ型半導体膜との界面」の接合状態に関し、接合強度が大きな燃料電池を提供する。 - 特許庁

In the heat sink where a substrate 3a is interposed between fins 2a and 2a, interface is eliminated by diffusion bonding, and the fins and a base mount are bonded integrally, water channels are bored in the fins and the substrate and a horse coupling 4 is provided on one side face of the base mount 3.例文帳に追加

フィン２ａとフィン２ａの間に基材３ａを介在させ、拡散接合等にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなるヒートシンクにおいて、フィン及び基材に水が通る水路孔を穿設すると共に、基台３の一側面にホースを継ぐためのホース継手４を設ける。 - 特許庁

To provide an inexpensive sliding valve using an anodic bonding method in forming a small gap with a stable gas-liquid interface without causing the elution of impurities to actualize stable and precise chemical/biochemical analysis and reaction, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

陽極接合法により、安定な気液界面を持ち、不純物の溶出を起こさない、狭間隙を形成することで、化学・生化学の分析や反応を安定に精度良く行うことができると共に、安価なスライド式バルブ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。 - 特許庁

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor circuit board having a thick copper pattern layer and exhibiting excellent heat cycle resistance in which thermal stress due to difference of the coefficient of thermal expansion between a copper pattern and an insulating substrate is suppressed, stripping of the bonding interface between the copper pattern and the insulating substrate or cracking of the insulating substrate is retarded.例文帳に追加

銅パターンと絶縁基板の熱膨張係数差による熱応力が小さく、銅パターンと絶縁基板の接合界面の剥離や絶縁基板２の割れが生じ難く、銅パターン層が厚く、耐ヒートサイクル性に優れた高い信頼性を有する半導体回路基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a damage or separation never occurs on an interface below bump electrodes at the time of flip-chip bonding even if a low dielectric constant insulating film is used in a semiconductor chip, when the semiconductor chip is flip-chip-mounted on a wiring substrate, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離を発生することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid depositing solder to the interface of bump electrodes and wiring pads of a flip chip with possibility suppressing the cost up, in a method of mounting the flip chip on a substrate by soldering it via the Au bump electrodes formed by the wire bonding method on the Al wiring pads.例文帳に追加

Ａｌ配線パッド上にワイヤボンディング法によりＡｕよりなる突起状電極を形成してなるフリップチップを、該突起状電極を介して半田接合することで基板上に実装する方法において、コストアップを極力抑えつつ、突起状電極と配線パッドとの界面に半田が付着するの防止する。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

To provide a surface-treated aluminum alloy material applied to bonding using adhesives, which hardly detaches an interface between an adhesive layer and a surface of the alloy material regardless of aging of the adhesive layer, whose adhesion strength is hardly deteriorated, and which is excellent in adhesion durability.例文帳に追加

接着剤での接合に供されるアルミニウム合金材であって、接着剤層が経年劣化しても接着剤層とアルミニウム合金材表面での界面剥離が発生し難く、したがって接着強度が低下し難い接着耐久性に優れた表面処理アルミニウム合金材を提供すること。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer, i.e. an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。 - 特許庁

Each time a first party activates at his/her terminal through an interface module a data object associated with the second party, a notifying message is sent to the second party to make the second party aware that the first party devotes attention to the second party and to promote bonding between the two parties.例文帳に追加

第１当事者が、自分のターミナルにおいて、インターフェイスモジュールを経て、第２当事者に関連したデータオブジェクトをアクチベートするたびに、通知メッセージが第２当事者へ送信されて、第２当事者は、第１当事者が第２当事者に注意を向けていることに気付き、そして２人の当事者間の結び付きを促進する。 - 特許庁

Since the wafer for active layer having a predetermined in-plane distribution and the supporting wafer having an in-plane distribution reverse from the predetermined in-plane distribution are bonded, deviation of the in-plane distribution is offset, and the in-plane distribution of organic matters can be made substantially uniform on the bonding interface.例文帳に追加

これにより、所定の面内分布を持った活性層用ウェーハと、所定の面内分布とは逆の面内分布を持った支持用ウェーハとが貼り合わせられることから、互いの面内分布の偏りが相殺され、貼り合わせ界面における有機物の面内分布をほぼ均一とすることが可能となる。 - 特許庁

The spacer and an adhesive 15 are made of substantially the same materials and after the bonding material is hardened, the both are united and become uniform, so the light emitted by the light emitting element 12 travels almost straight even when reaching the interface between the spacer 13 and the adhesive 15 and is much less scattered or refracted.例文帳に追加

スペーサ１３と接着材１５とを実質的に同一の材料で構成して、接着材料が硬化した後は両者が一体化して均一となるので、発光素子１２が発する光はスペーサ１３と接着材１５との界面に達してもほぼ直進し、散乱されたり屈折したりすることが激減する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet without intrusion of a sealing material into the interface of the adhesive sheet and a material to be adhered even when sealing a semiconductor element under high pressure, capable of eliminating a space without filling in pressure bonding and excellent in heat resistance and moisture resistance, and to provide the semiconductor element using the same.例文帳に追加

高圧で半導体素子の封止を行った場合でも封止材が接着シートと被着体の界面に侵入せず、かつ圧着時に充填できなかった空隙を消失させることが可能で耐熱性・耐湿性に優れた接着シート及びこれを用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

To provide a liquid state nutritive composition, preventing the development of coarse white-colored precipitation originated from the insolubilization of calcium in a dissolved state in the liquid state nutritive composition by bonding with a free organic acid over time, also inhibiting cream formation at a gas liquid interface and being served to users as a preferable form for use.例文帳に追加

液体栄養組成物中に溶解状態にあるカルシウムが、経時的に遊離有機酸と結合して不溶化することに由来する粗大白色沈殿の発生を防止し、且つ気液界面へのクリーム生成を抑え、使用上好ましい形態で使用者に提供できる液体栄養組成物を提供すること。 - 特許庁

The Pt base conductive coating material containing Pt and excellent in secular deterioration characteristic resistance is characterized in that a thin film containing a Pt-Sn type intermetallic compound (mainly comprising PtSn_4 and Pt_3Sn_17) is formed to the bonding or pressing interface wherein Sn or the Sn base alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｐｔ−Ｓｎ系金属間化合物（主として、ＰｔＳｎ_4及びＰｔ_3Ｓｎ_17）を含む薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＰｔを含むＰｔ基導電性被覆材料。 - 特許庁

In a contact interface 6 of the insulating coating material 3 and the core 4, an insulating resin 30 at the coating material side for composing the insulating coating material 3 chemically reacts with a core-side insulating resin 40 for composing the core 4, thus chemically bonding the insulating resin 30 at the coating material side to the insulating resin 40 at the core side.例文帳に追加

絶縁被覆材３とコア４との接触界面６において、絶縁被覆材３を構成する被覆材側絶縁樹脂３０と、コア４を構成するコア側絶縁樹脂４０とが化学反応することにより、被覆材側絶縁樹脂３０とコア側絶縁樹脂４０とが化学結合している。 - 特許庁

In the bonding wire in which a core material 1 composed mainly of copper is subjected to palladium plating 2, a maximum diameter of voids existing in the vicinity of a copper core material interface below a palladium coating layer is 60 nm or less, and the number of voids having a maximum diameter of 10 nm or more which exist per 1 μm of the coating length is 0.6 or less on average.例文帳に追加

銅を主成分とする芯材１にパラジウムめっき２を施したボンディングワイヤであって、パラジウム被覆層下の銅芯材界面近傍に存在するボイドの最大径が６０ｎｍ以下で、かつ該被膜長さ１μｍ当りに存在する最大径が１０ｎｍ以上のボイドの個数が平均０．６個以下であるボンディングワイヤ。 - 特許庁

In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.例文帳に追加

第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁

This inspection method using an ultrasonic wave of a submerged type includes a means for aiming a focal point of the ultrasonic wave emitted from a probe, using as standards a bonding layer forming a joining part of the electrostatic chuck assembly and an interface of a joined part thereof, and a means for confirming that an aimed result is satisfactory, by a main part of the joining part of the electrostatic chuck assembly.例文帳に追加

探触子から発信する超音波の焦点を静電チャック組立体の接合部を形成する接着層とその被接合部の界面を目安として照準する手段と、前記照準結果が良好であることを静電チャックの組立体の接合部の主要部で確認する手段とを含む、水浸式の超音波を用いた検査の方法。 - 特許庁

To provide a technique of manufacturing a membrane-electrode junction 6 which is strong in interface bonding force between an electrolyte membrane 1 and a catalyst layer 4, and superior in mechanical strength as the membrane electrode junction 6 without arranging a special intermediate layer, while using a catalyst mixture containing electrolyte resin and a catalyst-carrying conductor as a catalyst layer 4.例文帳に追加

触媒層４として電解質樹脂と触媒担持導電体とを含む触媒混合物を用いながら、特別の中間層を配置することなく、電解質膜１と触媒層４との界面結合力が強く、かつ膜電極接合体６としての機械的強度も優れている膜電極接合体６を製造する技術を提供する。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The substrate for the power module has the circuit layer 2a formed on a top surface of a ceramic substrate 1 by etching an aluminum layer 2 bonded thereupon, and is characterized in that the circuit layer 2a contains 0.7 to 1.2 wt.% Si within a range of ≤200 μm from its bonding interface 6 with the ceramic substrate 1.例文帳に追加

セラミックス基板１の表面に、その上に接合したアルミニウム層２のエッチングにより回路層２ａを形成してなるパワーモジュール用基板であって、前記回路層２ａは、その前記セラミックス基板１との接合界面６から２００μｍ以内のＳｉの含有量が０．７ｗｔ％以上１．２ｗｔ％以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of an organometallic compound by stably forming the film of the organometallic compound to enhance adhesion of a bonding interface and to perform the formation of ultrathin film, and to provide organometallic thin films and organic electronic devices such as organic electroluminescence devices, organic solar cells, organic thin film transistors, and electronic equipment.例文帳に追加

有機金属化合物を安定して成膜することで、接合界面の密着力を増大させると共に、超薄膜化の実現が可能となる有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス装置・有機太陽電池・有機薄膜トランジスタ）及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The polymer electrode film/catalyst bonding material mainly composed of hydrogen with a surface roughness ≤1 μm in its interface contains a polymer electrode film 2 mixed with 85 to 95 wt.% polymer (A) and 5 to 15 wt.% polymer (B), and an electrode catalyst layer 1 directly bonded at least to one side of the polymer electrode film.例文帳に追加

ポリマー（Ａ）８５〜９５重量％およびポリマー（Ｂ）５〜１５重量％が混合されてなる高分子電解質膜２と、該高分子電解質膜の少なくとも片面に直接接合された電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が1μｍ以下であることを特徴とする、水素を燃料とする燃料電池用の高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

To obtain a hexagonal boron nitride sintered compact sufficiently densified by addition of a sintering aid in an amount so as not to deteriorate characteristics of hexagonal boron nitride essentially possessed and without forming excessively strong bonding between the interface of hexagonal boron nitride and an added material even at high temperatures.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素をマトリックスとする焼結体において、六方晶窒化ホウ素が本来備える特性を阻害しない範囲の量を添加するだけで前記焼結体を充分に緻密化でき、更に高温でも六方晶窒化ホウ素のマトリックスと添加された材料との界面で過度に強固な結合を生じさせない焼結助剤を用いる六方晶窒化ホウ素焼結体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electrochemical device has a pair of electrodes 1 and 2, a separator 3 interposed between them, and a non-aqueous electrolytic solution to exist at the interface between each electrode and the separator, wherein the electrodes have electrode layers 5 and 7 and electricity collectors 4 and 6 whereby the electrode layers are carried, and at least one of the electrodes includes a bonding agent containing bridged polyvinyl acetal resin.例文帳に追加

１対の電極１，２と、この電極１，２間に介装されるセパレータ３と、前記電極と前記セパレータの界面に存在する非水電解液とを具備する電気化学デバイスにおいて、前記各電極は、電極層及び前記電極層が担持される集電体を備え、前記電極のうち少なくとも一方は、架橋したポリビニルアセタール樹脂を含有する接着剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The bipolar membrane is characterized in that either one of the cation exchange resin layer or anion exchange resin layer fills vacant pores of microporous membrane comprised of polyolefin oriented film and in that the adhesion or bonding of the interface between each layer is enhanced by allowing a thermoplastic resin with a softening point of 140°C or lower to exist in the matrix of the ion exchange resin existing in at least either one of the layers.例文帳に追加

カチオン交換樹脂層またはアニオン交換樹脂層のいずれか一方の層が、ポリオレフィンの延伸フィルムよりなる微多孔性膜の空孔にカチオン交換樹脂またはアニオン交換樹脂が充填されてなる層により構成され、且つ、上記少なくとも一方の層に存在するイオン交換樹脂のマトリックス中に、軟化点が１４０℃以下の熱可塑性樹脂を存在せしめることにより、各層間の界面の密着乃至接合が高めた。 - 特許庁