「interface bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The eutectic bonding layer remarkably reduces a voltage drop generated in an interface between the vertical surface emitting laser and the photodetector, and can make the mass-production of a product available.例文帳に追加

共晶ボンディング層は垂直面発光レーザーと光検出器間の界面で発生する電圧降下を大きく減らし、かつ製品の量産を可能にする。 - 特許庁

A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1 is in a pn-junction-like state, and rectification is generated between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ｐｎ接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

Since the electron gas is distributed in a two-dimensional region along the bonding interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, a two-dimensional electron gas layer can be formed.例文帳に追加

この電子ガスは、バッファ層１３と電子ガス層１４の接合界面に沿った２次元領域に分布するため、２次元電子ガス層を形成することができる。 - 特許庁

To provide a thermally conductive substrate having high bonding strength and high thermal conductivity by preventing an air layer along an interface between a thermally conductive sheet and a heat sink metal from being left behind.例文帳に追加

熱伝導シートと放熱用金属板の界面における空気層の残存を防止し、接合強度が高く、高熱伝導性を有する熱伝導性基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which no void is formed on a bonding interface in a step for compression- bonding a reinforcing member and unacceptable flatness or mounting caused by a void can be prevented.例文帳に追加

補強部材を接合する圧着工程において接合界面にボイドが形成されることがなく、ボイドに起因する平坦度の不良や実装不具合を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

Because of this, a copper oxide film 6 previously formed at the bonded interface between the first electrode 3 and the second electrode 5 can be removed, and an oxide film is prevented from being formed at the bonded interface in connection with execution of ultrasonic bonding.例文帳に追加

これにより、第１電極３と第２電極５との接合界面に既に形成されている銅の酸化膜６を除去できるとともに、超音波接合の実施に伴って接合界面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor substrate by bonding two semiconductor wafers directly in which generation of voids in the bonding interface is suppressed effectively by heat treating the wafers to be stuck at a high temperature rise/fall rate.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼りあわせ前のウェーハを高速昇降温熱処理することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor by dicing a wafer, produced by bonding a glass substrate to an SOI substrate on which a diaphragm for detecting pressure is formed, in which the lifetime of a dicing blade is prolonged and chipping is suppressed at the edge of a chip on the bonding interface thereof.例文帳に追加

圧力検出用のダイヤフラムが形成されたＳＯＩ基板とガラス基板とを接合したウェハをダイシングカットする半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングブレードの長寿命化、及び、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けの抑制を図る。 - 特許庁

To enhance the bonding reliability by suppressing occurrence of plastic deformation such as undulation and wrinkles on the surface of a circuit layer, and suppressing application of thermal stress onto the bonding interface of a ceramic substrate and the circuit layer, even when a thermal cycle load is applied.例文帳に追加

熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。 - 特許庁

When metal junction between a first electrode and a second electrode is performed as ultrasonic bonding between metals including at least copper, ultrasonic bonding is performed while covering a contact interface of the first electrode and the second electrode by auxiliary adhesives 7.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、第１電極と第２電極との接触界面を接合補助剤７にて覆った状態にて超音波接合を行う。 - 特許庁

To suppress occurrence of side cracks or interface cracks at the sidewall of ceramic or the bonding interface between the sidewall of the ceramic and a heat radiating substrate, when mounting a PKG where a semiconductor chip is laid directly on a heating board and the periphery is surrounded by the sidewall of the ceramic.例文帳に追加

放熱基板に半導体チップを直接搭載し、その周囲をセラミック側壁で囲繞したＰＫＧを実装する際に、セラミック側壁或いはセラミック側壁と放熱基板との着接界面での側壁クラックや界面クラックの発生を抑制する。 - 特許庁

The interposer board 12 and the motherboard 13 can be enhanced in bonding strength through a high-temperature solder fillet 16 formed around an interface between the interposer board 12 and the columnar core 13 and an eutectic solder fillet 17 formed around an interface between the motherboard 13 and the columnar core 14.例文帳に追加

インターポーザ基板１２と柱状コア１３との界面の周囲に形成される高温半田フィレット１６と、マザー基板１３と柱状コア１４との界面の周囲に形成される共晶半田フィレット１７により、十分な接続強度が得られる。 - 特許庁

Minute crystal defect caused by carbon is formed at a lamination interface by carrying out lamination in a state in which an organic substance exists on the surface of a wafer before lamination, and carrying out a bonding-enhancing heat treatment in a state in which the organic substance is confined in the lamination interface.例文帳に追加

貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が存在する状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に炭素に起因する微小な結晶欠陥を形成させる。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

The manufactured cemented carbide comprises tungsten carbide particles combined by 5-15 mass% of a bonding phase mainly containing cobalt, wherein the tungsten carbide particles have an average particle diameter of 0.9μm or less, the bonding phase contains at least chromium, and the chromium concentration in the bonding phase gradually increases toward the interface with the tungsten carbide particle.例文帳に追加

コバルトを主体とする結合相５〜１５質量％にて炭化タングステン粒子間を結合してなり、前記炭化タングステン粒子の平均粒径が０．９μｍ以下であるとともに、前記結合相中に少なくともクロムを含有し、かつ前記結合相中のクロム濃度が炭化タングステン粒子との界面に向かって漸次増加する超硬合金を作製する。 - 特許庁

To provide a micro reactor chip that bubbles do not enter a bonding interface and it can be evenly bonded, a fluid neither leaks nor change in inner diameter and shape of a passage at the time of bonding occurs, further, the problem of the defective bonding neither occurs nor any warp generates even though a final micro reactor chip is thin.例文帳に追加

接合界面に気泡が入らず均一に接合でき、流体の漏れなどが発生しないだけでなく、接合時に流路の内径変化、形状変化がなく、さらに、最終的なマイクロリアクターチップが薄い場合でも、前記接合不良の問題がなく、反りなどが発生しないマイクロリアクターチップ作製方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that eliminates nonconformities such as peeling etc., caused by the bonding interface of an SOI substrate and that shows high reliability and high element performance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の貼り合わせ界面に起因する剥離等の不具合が解消され、高い信頼性と高い素子性能とを備えた半導体装置、及びアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

Further, in the interface between the rigid portion 802 and the flexible portion 801, the end surface of the base-material layer 300 retreats to the side of the rigid portion 802 relatively to the end surface of the interlayer bonding layer 200.例文帳に追加

そして、リジッド部８０２とフレキシブル部８０１との境界において、層間接着層２００の端面に対して、基材層３００の端面が、リジッド部８０２側へ後退している。 - 特許庁

Consequently, when shear force is applied to the solder 4, the shear force is dispersed not only to a bonding interface between the side electrode 2 and solder 4, but also to the solder 4 itself.例文帳に追加

その結果、はんだ４にせん断力が加わった場合には、側面電極２とはんだ４との接合界面だけでなく、はんだ４自体にもせん断力を分散させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable by improving bonding strength over the entire interface of a bump, an under barrier metal, etc., and a semiconductor apparatus using the same.例文帳に追加

バンプ及びアンダーバリアメタル等の界面全体において、接合強度を向上させることにより、信頼性が高い半導体デバイス及びそれを用いた半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of solder ball which enables an efficient and stable addition of minor additional elements to increase reliability of solder bonding interface.例文帳に追加

本発明の目的は、はんだ接合界面の信頼性を向上させる微量添加成分を、効果的に、かつ安定して添加できるはんだボールの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An intermediate material layer 28 generating a bonding strength is formed at an interface 27 between a first substrate 11 and a second substrate 12, and a plurality of metal elements are included in this intermediate material layer.例文帳に追加

第１基板１１と第２基板１２との界面２７には、接合強度を生起する中間材層２８が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。 - 特許庁

To solve the following problem: a reflow process is generally used in a mounting process by mounting an IC to a leadframe, wire bonding and mold encapsulating the same and mounting the same to a substrate, package cracks are generated at an interface between the leadframe and a molded resin caused by vaporization of water included in the package by heat.例文帳に追加

リードフレームにＩＣを搭載し、ワイヤーボンディングした後にモールド封止されて基板に実装される実装工程においては一般的にリフロー方式が用いられる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them.例文帳に追加

半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。 - 特許庁

To provide a method capable of removing selectively an amorphous oxide produced on the surface of an insulating oxide thin film without affecting on a barrier layer for interface reforming type bonding.例文帳に追加

界面改質型接合のバリア層に影響を与えることなく、絶縁性酸化物薄膜の表面に生成したアモルファス酸化物を選択的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, the holes 14 serve as vent holes, causing a gas generated at the bonding interface 15 during that treatment for increasing the adhesiveness to be let out of the semiconductor wafer effectively.例文帳に追加

上記構成によって、この穴がガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に接着界面１５で発生するガスが半導体ウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

This interface component is constituted of lithography, etching, and bonding of silicon in combination with an internal chamber capable of filling electrostatic optics and a skimmer with gas having a prescribed pressure.例文帳に追加

インターフェース部品は、静電オプティクス及びスキマーを所定の圧力のガスで満たすことのできる内部チャンバと組み合わせ、シリコンのリソグラフィ、エッチング及び結合によって構成される。 - 特許庁

The method includes a step for removing byproducts of interface polymerization in order to prevent reversible reaction so that room temperature chemical bonding of silicon, silicon oxides and such a material as SiO is carried out.例文帳に追加

方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。 - 特許庁

In this volatile organic substance detection sensor 1, a first electrode 3 and a second electrode 4 are provided on the surface of an oxygen ion conductive solid electrolyte 2, and roughness of the surface of the oxygen ion conductive solid electrolyte 2 on a bonding interface 5 with the first electrode 3 is different from that on a bonding interface 6 with the second electrode 4.例文帳に追加

上記の目的を解決するために、この発明の揮発性有機物検出センサ１は、酸素イオン伝導性固体電解質２の表面に第１の電極３と第２の電極４が設けられており、酸素イオン伝導性固体電解質２の表面の粗さが第１の電極３との接合界面５と第２の電極４との接合界面６において異なるものである。 - 特許庁

The electrolytic copper foil with a carrier foil equipped with a resin layer for forming an insulating layer is characterized in that a bonding interface layer is provided on the surface of the carrier foil and an electric copper foil layer having both smooth surfaces is provided on the bonding interface layer and a resin layer is provided on the electric copper foil layer.例文帳に追加

絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔であって、当該キャリア箔付電解銅箔は、キャリア箔の表面に接合界面層を備え、その接合界面層上に両面が平滑な電解銅箔層を備え、当該電解銅箔層の上に樹脂層を備えることを特徴とする絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔等を採用する。 - 特許庁

The copper foil with the carrier foil has the copper foil layer on the surface of the carrier foil through a bonding interface layer and is characterized in that the bonding interface layer is a composite layer composed of an independent carbon layer formed by a physical vapor deposition method or a metal layer and the carbon layer and the copper foil layer is formed by the physical vapor deposition method.例文帳に追加

前記課題を解決するために、キャリア箔の表面に接合界面層を介して銅箔層を有するキャリア箔付銅箔であって、当該接合界面層は物理蒸着法で形成した単独の炭素層又は金属層と炭素層とからなる複合層であり、当該銅箔層は物理蒸着法で形成したことを特徴とするキャリア箔付銅箔を採用する。 - 特許庁

To provide a method for bonding ceramics substrates without dislocation of the substrates, without protruding an adhesive of the substrates and without generating bubbles on the interface, and to provide a bonding jig used for the method.例文帳に追加

複数のセラミックス基板を相互に接着するさいに、基板相互の位置ずれを生じさせず、接着剤がセラミックス基板の周囲からはみ出すことなく、接着面に気泡を残留させないセラミックス基板の接着方法およびその方法に用いられる接着治具を得ること。 - 特許庁

By this configuration, the residual stress due to contraction after anode bonding is concentrated in the stress-magnifying portion 13 and a value of the residual stress reaches a level which can be measured by the microscopic Raman spectrometer, so that the residual stress occurring in a bonding interface can be accurately evaluated.例文帳に追加

この構成によれば、陽極接合後の収縮による残留応力が応力拡大ビーム部１３に集中し、その残留応力の値が、顕微ラマン分光装置で測定できるレベルに達するので、接合界面に生じる残留応力を正確に評価することができる。 - 特許庁

To provide a method of controlling adhesive power of a base film of an adhesive tape which can prevent an adhesive agent from transferring to a dicing frame in a dicing frame bonding portion and which has excellent separating property at an interface between an adhesive agent layer and the base film when a chip is separated in a wafer bonding portion.例文帳に追加

ダイシングフレームを貼合する部分において、ダイシングフレームへの粘転着剤の転着がなく、かつ、ウェハ貼合部分においてチップの剥離時に、粘接着剤層と基材フイルム界面で剥離性が優れる、粘接着テープの基材フィルムの粘接着力を制御する方法を提供する。 - 特許庁

The length is short in the extending direction of the gold wire 25a of the wire bonding area 28a which is the connection of gold wire 25a in the lead 21a, and a stress becomes little which is caused from the difference between both linear expansion coefficients of the wire bonding area 28a and resin 26 on its interface.例文帳に追加

こうして、リード２１aにおける金線２５aの接続部分であるワイヤーボンド領域２８aの金線２５aの延在方向への長さを短くして、ワイヤーボンド領域２８aと樹脂２６との界面に両者の線膨張係数差によって発生する応力を小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing technique by which the deterioration of morphology on the surface of a metal or in the interface of the metal and a semiconductor and the expansion of the interface can be suppressed and, at the same time, contact resistance values can be stabilized and the joinability between electrodes and wiring bonding materials can be improved.例文帳に追加

金属の表面や金属と半導体との界面のモホロジの劣化や、界面の拡張を抑えると共に、接触抵抗の抵抗値の安定性や、電極とワイヤーボンド材との接合性を向上させることができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

When such a bonding wire is used to connect to an electrode whose principal constituent is Al, a joint construction is obtained in which intermetallics of Al and X exist at an interface of a very fine-grained layer and a matrix.例文帳に追加

このボンディングワイヤによってＡｌを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にＡｌとＸの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。 - 特許庁

To provide a technology for stabilizing the bonding interface between a thin layer made of a semiconductor material and a support substrate onto which the thin layer is to be transferred without reducing the quality of the thin layer.例文帳に追加

半導体材料薄層の品質の低下をもたらすことなしに、半導体材料薄層と該薄層が転写される支持基板との間の接合界面を安定化させる技術の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SOI wafer, in which an organic substance that is a gettering site source can be absorbed onto a bonding interface between bonded SOI wafers in an in-plane uniform and stable manner.例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface can be created by bonding surfaces which are treated in different methods, by a layer which is buried and embrittled in a different methods in the zones, or by an intermediate porous layer.例文帳に追加

前記界面は、異なる方法で処理された表面を、前記領域に異なる方法で埋め込まれ脆化する層、または中間多孔質層によって接合させることによって形成することができる。 - 特許庁

To provide a conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn-based solder alloy and having markedly excellent characteristic in resistance, to deterioration with time.例文帳に追加

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面における金属間化合物の成長速度が極端に遅く、耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。 - 特許庁

In more generous modes of this invention, an undesired material arranged on the bonding interface of two silicon-contained semiconductor materials can be removed by a similar annealing process.例文帳に追加

本発明の更なる一般的な態様において、類似したアニール処理を用いて、２つのシリコン含有半導体材料の接合境界面に配置された望ましくない材料を除去することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reliably secure mutual bonding intensity at a contact interface between an insulating layer and a wire buried into the insulating layer, and also a method for manufacturing the semi conductor device.例文帳に追加

絶縁層とその絶縁層への埋め込み配線とが接触する界面における相互の密着強度を確実に確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a component in which residual stress and a new phase are not formed at a bonding interface between different compositions in a multiple composition component and a bonded surface containing little impurities is formed.例文帳に追加

多組成の構成部品の異なる組成物間の接合界面に残留応力や新たな相が形成されず、不純物に少ない接合面を形成する部品の製造方法を提供する。 - 特許庁