「interface bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To paste directly and firmly a resin and a rubber by chemical bonding by a simple method through stabilizing the interface of the resin.例文帳に追加

樹脂の界面を安定させて樹脂とゴムとを、簡易な方法で化学結合させ直接強固に接着させるようにする。 - 特許庁

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.例文帳に追加

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for joining dissimilar metals capable of removing an oxide film on a bonding interface while suppressing generation of intermetallic compounds in a bonding process when bonding dissimilar metals by the resistance spot welding, and realizing the firm bonding of newly formed faces to each other, and to provide a firm structure for bonding dissimilar metals by the resistance spot welding.例文帳に追加

抵抗スポット溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、新生面同士の強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗スポット溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

A compound layer L comprising at least one kind of intermetallic compound is formed on the bonding interface between dissimilar metallic materials 1, 2, wherein the intermetallic compound layer L is formed in an area 52% or greater of an area of the bonding interface and has a thickness of 0.5 to 3.2 μm.例文帳に追加

異種金属材料１，２の接合界面に、少なくとも１種の金属間化合物を含む化合物層Ｌを形成し、この金属間化合物層Ｌが接合面積の５２％以上の領域に、０．５〜３．２μｍの厚さに分布するようにする。 - 特許庁

To prevent a defect from being generated easily in a part passing through a bonding interface in a contact hole, and to improve device reliability or manufacture yield at the manufacturing of a substrate device where the contact hole is necessary to be opened through the bonding interface.例文帳に追加

貼り合わせ界面を貫通してコンタクトホールを開孔する必要があるような基板装置を製造する際に、当該コンタクトホールにおける貼り合わせ界面を通過する個所でも欠陥を起こし難く、最終的に装置信頼性或いは製造歩留まりを高める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element reduced in stress in a wafer bonding interface and improved in luminance and reliability.例文帳に追加

ウェーハ接着界面における応力が低減され、輝度及び信頼性が改善された発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminous element with high luminance which can remarkably suppress the generation of voids on a bonding interface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接合界面のボイドの発生を著しく抑制できる高輝度の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a direct bonding wafer having less interface defects such as a void and a blister is manufactured.例文帳に追加

ボイドやブリスターなどの界面欠陥が少ない直接接合ウェーハが製造できる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a direct bonded wafer capable of inexpensively manufacturing the direct bonding wafer of high quality which has a thin-film layer with high uniformity in film thickness, without generating voids or blisters on bonding interface.例文帳に追加

接合界面にボイドやブリスターが発生せず、膜厚均一性が高い薄膜層を有する良質の直接接合ウエーハを低コストで製造できる直接接合ウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thick film multilayer wiring board having enhanced connection reliability by eliminating cavities generated in a substrate interface at a connecting portion between a bonding pad layer consisting of a gold-base conductor and a silver-base or silver-platinum-base conductor layer which is superposed on the bonding pad layer for establishing an electrical connection.例文帳に追加

金系導体から成るボンディングパッドと銀系導体或いは銀白金系から成る導体配線との接続部分の下部にあたる基板との界面に、空洞が発生する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses a weak layer from growing on the interface of a barrier metal layer and a silicon oxide film of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

ボンディングパッド部のバリアメタル層とシリコン酸化膜の界面に脆弱層が生成されるのを抑制することにより、ボンディング時のパッド剥がれを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer having an oxide film with a uniform thickness of approximately several nanometers nm in which an oxide residue does not locally remain on a bonding interface by heat treatment in a bonding process.例文帳に追加

貼り合わせ工程の熱処理によって貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留しない、数nm程度の均一な厚みの酸化膜を有する、貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a passive valve capable of forming a stable water repellent film at a narrow gap part and a stable gas-liquid interface by bonding a substrate used as a lid on a passage substrate by employing an anodic bonding method.例文帳に追加

陽極接合法を用いて流路基板に蓋となる基板を接合して、狭間隙部に安定な撥水膜を形成でき、安定な気液界面を形成できるパッシブバルブを提供することである。 - 特許庁

To enhance bonding strength of an interface between a resin package and a die pad and to reduce the number of cracks in the package due to the interface in a semiconductor device of a structure, where the die pad is made to expose to the outside of the package.例文帳に追加

ダイパッドをパッケージの外側に露出させた構造の半導体装置において、パッケージ樹脂とダイパッドとの界面の接合強度を高め、該界面に起因するパッケージのクラックを低減する。 - 特許庁

A parameter of an interface potential energy function of a bonding interface in a tire to be evaluated is determined based on at least one of a tension peeling experiment and a shearing peeling experiment (step S103).例文帳に追加

評価対象であるタイヤにおける結合界面の界面ポテンシャルエネルギ関数のパラメータを、引張剥離実験又はせん断剥離実験の少なくとも一方に基づいて決定する（ステップＳ１０３）。 - 特許庁

The organic semiconductor device includes a conductive electrode and an organic semiconductor layer contacting with the conductive electrode; and a vacuum level shift at a bonding interface between the conductive electrode and the organic semiconductor layer is adjusted by irradiating the bonding interface with light.例文帳に追加

導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。 - 特許庁

A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.例文帳に追加

軟組織層１２と表皮層１３とは、軟組織層１２と表皮層１３との界面の外周部全周に接着部１４ａが形成され接着部１４ａに取り囲まれた領域が非接着部１４ｂとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁

To provide a SOI wafer whose manufacturing process itself is not complicated, whose number of defects on a bonding interface is at a level of no practical matter and which has a high interface level (Dit) for trapping carriers on an interface between a BOX layer and a base wafer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、ＢＯＸ層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位（Ｄｉｔ）が高いＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the peripheral grooves 15 secure the adhesiveness and bonding strength in the interface B between the cylinder liner 10 and the cylinder block body 30.例文帳に追加

更に、周方向溝１５によってシリンダライナ１０とシリンダブロック本体３０の界面Ｂの密着性及び結合強度が確保できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor package by which peeling on the interface between a first semiconductor chip and a die bonding agent can be suppressed.例文帳に追加

第１の半導体チップとダイボンド剤との界面での剥離を抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent void from being generated in an adhesion interface as much as possible, and at the same time to allow a wafer-bonding apparatus to be used even in vacuum.例文帳に追加

接着界面にボイドが発生するのを可及的に防止することを可能にするとともに、真空中でも使用することを可能にする。 - 特許庁

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

The joint is manufactured by inserting a brazing agent into the whole part or one part of the interface between the base material and the lapping material, friction stir bonding them, and simultaneously brazing them using the heat generated at the time of bonding.例文帳に追加

また、母材と合わせ材の間の界面全部または一部にろう材を挿入し、摩擦攪拌接合を行うと同時に、その際発生する熱によりろう付けを行うことにより製造することができる。 - 特許庁

To reduce variation in the in-plane distribution of an organic matter on the bonding interface in the method of manufacturing a bonding semiconductor-on-insulator (SOI) wafer where a gettering site is formed by making a wafer to be bonded adsorb the organic matter.例文帳に追加

貼り合わせ前のウェーハに有機物を吸着させてゲッタリングサイトを形成する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における有機物の面内分布にばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide an inspection method capable of ensuring that an oxide film does not exist on a bonding interface of a direct bonding wafer with a simple method without breaking the wafer on the whole surface of the wafer.例文帳に追加

直接接合ウェーハの接合界面に酸化膜が存在しないことを、ウェーハ全面でウェーハを破壊すること無く、簡便な方法で保証することができる検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an automotive member excellent in a bonding strength, capable of reducing the fluctuation of bonding strength, and not generating interface delamination even in the case of being exposed to using environment for long time, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

接合強度に優れ、接着力のバラツキを小さくすることができ、使用環境に長時間曝されても界面剥離を生じることのない自動車部材及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Pt base conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn base solder alloy and markedly excellent in the secular deterioration characteristic resistance at the interface.例文帳に追加

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面で、成長速度が遅い金属間化合物が生成し、上記界面での耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。 - 特許庁

To inhibit the formation of alloy layer with low strength and low melting point at the interface between a land and solder, and to assure satisfactory quality and reliability of solder bonding.例文帳に追加

ランドとはんだとの界面に低強度・低融点合金層が形成されることを抑制し、はんだ接合の品質や信頼性を充分に確保する。 - 特許庁

To provide an ink jet recording head high in reliability by easily reducing the stress generated at the bonded interface of a nozzle plate and a base plate after bonding.例文帳に追加

接合後のノズルプレートとベースプレートの接合界面に生じる応力を容易に低減し、信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

As a result, a void which is caused when a gas is not released entirely does not occur at the interface, for raised representability for bonding and improved device yield.例文帳に追加

その結果、ガスが抜けきらないことによるボイドが界面に発生することがなく、接着の再現性が高まるとともにデバイスの歩留まりが向上する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor module that is hard to produce reaction products that are unnecessary for a bonding interface, consequently making it hard to cause failures such as cracks or the like.例文帳に追加

接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁

The solder bonding part has segregation of a low-melting-point phase of solder on an interface between the land 32 on the back surface 13b side and a fillet 22 of lead-free solder 21.例文帳に追加

はんだ接合部は、裏面１３ｂ側のランド３２と鉛フリーはんだ２１のフィレット２２との界面に、はんだの低融点相の偏析を有する。 - 特許庁

To provide a gas detection device having excellent bonding stability of an interface between a conversion electrode and a solid electrolyte substrate, and stable sensitivity characteristic and detection performance.例文帳に追加

変換電極と固体電解質基板との界面の接合安定性に優れ、安定した感度特性・検知性能を有するガス検出装置を提供する。 - 特許庁

A smooth surface onto which laser light impinges to cause total reflection on the interface of a substrate and a bonding layer is formed on the side face of the substrate.例文帳に追加

基板側面には、基板と接合層との界面において全反射現象が起きるようにレーザー光を入射し得る平滑面を構成する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 has a Schottky barrier formed thereon, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the GaN semiconductor 1 is in a state such as schottky junction, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

An interface between the resin bonding layer 3 and the metal skin 1 and an interface between the resin bonding layer 3 and the heat insulating material 2 which are dramatically excellent in mechanical (joining) strength compared with the case that the heat insulating material 2 is bonded to the metal skin 1 by its self-adhesion force can be formed between the metal skin and the heat insulating material 2.例文帳に追加

断熱材２をその自己接着力により金属外皮１に直接接着する場合に比べて、機械的（接合）強度が格段に優れた樹脂接着層３と金属外皮１との界面及び樹脂接着層３と断熱材２との界面を金属外皮と断熱材２との間に形成することができる。 - 特許庁

To provide a dissimilar metal bonded member having high joint strength while being provided with an intermetallic compound layer on the bonding interface, and to provide a method of bonding dissimilar metals by which the bonded member can be efficiently produced.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物層を有しながら、高い継手強度を備えた異種金属接合部材と、このような接合部材を効率的に製作することができる異種金属接合方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wire-bonding connecting structure in which an interface between a substrate and metal being formed thereon can obtain sufficient strength without being destroyed by ultrasonic power in connecting an electrode drawing portion with wire-bonding.例文帳に追加

電極取出部のワイヤボンディングによる接続において、基板とその上に形成された金属との界面が、超音波のパワーにより破壊されずに、十分な強度を得ることのできるワイヤボンディング接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a dual interface card in which the adhesive strength and electrical bonding reliability of a tab substrate to a card surface are improved and bending, deformation, or the like caused by heat of the card surface can be suppressed, and to provide a method of manufacturing the dual interface card.例文帳に追加

カード表面に対するタブ基板の接着強度および電気的接合信頼性を高め、さらに、カード表面の熱による反りや変形等を抑制できるデュアルインターフェースカードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

When near infrared laser light impinges on the side face of the substrate, moisture and organic components existing in the bonding layer are vaporized selectively utilizing an evanescent wave leaking from infrared laser light impinging on the side face of the substrate and reflecting totally on the interface of the substrate and the bonding layer and then they are removed from the bonding layer by evacuation.例文帳に追加

基板側面に近赤外レーザー光を入射させることにより、基板とろう付接合層の界面で全反射したレーザ光からもれるエバネッセント波を利用して接合層に介在する水分、有機物成分を選択的に気化させて、真空引きすることにより接合層から除去する。 - 特許庁

Since the bonding film 40 can be imparted with a stress buffering mechanism and the support 7 is porous, volatile components contained in the bonding layer can be released at the time of solder reflow and stripping due to thermal expansion, or the like, can be prevented on the interface of the insulating film 5 and the bonding film.例文帳に追加

そのため、接着用フィルム４０に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体７は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム５と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。 - 特許庁

The solar cell 30 is embedded in a heat sinking layer 34, so that it has a sufficiently reliable bonding interface between itself and the heat sink layer 34.例文帳に追加

太陽電池セル３０は、放熱層３４に埋設されていることから、その放熱層３４との間に十分な信頼性を有する接着界面を備えている。 - 特許庁

To provide a high-performance thin-film solar cell where bonding property of an interface between a transparent conductive layer and a photoelectric conversion layer is improved.例文帳に追加

本発明は、透明導電層と光電変換層間の界面の接合性が改善された性能の高い薄膜太陽電池を提供する事を目的とする。 - 特許庁

A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.例文帳に追加

界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁