「interface bonding」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for bonding a fluorosilicone rubber with a dimethylsilicone rubber that can form a firm bond with each other at the interface in a molded product produced by simultaneously vulcanization-bonding a fluorosilicone rubber composition with a dimethylsilicone rubber composition and can give a laminate which is very difficult to delaminate, and to provide a laminate produced by the method.例文帳に追加

フルオロシリコーンゴム組成物とジメチルシリコーンゴム組成物とを同時に加硫接着させてなる成型物が、その界面において互いに強固に接着し、非常に剥離し難い積層体を与えることのできるフルオロシリコーンゴムとジメチルシリコーンゴムとの接着方法及び該方法により得られる積層体を提供する。 - 特許庁

When metal junction between a first electrode 3 and a second electrode 5 is performed as ultrasonic bonding between metals including at least copper, the ultrasonic bonding is performed with presence of reducible auxiliary adhesives 7 at least around a bonded interface of the first electrode 3 and the second electrode 5.例文帳に追加

第１電極３と第２電極５との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、少なくとも第１電極３と第２電極５との接合界面の周囲に還元性を有する接合補助剤７が存在する状態にて超音波接合を行う。 - 特許庁

To obtain a polymer complex containing calcium phosphate and a physiologically active substance, excellent in biocompatibility, bonding properties to tissue of an organism, and adhering properties thereto, and therefore capable of, for example, exhibiting the excellent bonding properties to the tissue of the organism, when used as a material for a percutaneous terminal, so as to prevent bacterial infection through an interface.例文帳に追加

生体適合性、生体組織に対する密着性、接着性に優れ、たとえば経皮端子の素材として使用した場合にも、生体組織との密着性に優れ、界面からの細菌感染を防止し得る燐酸カルシウムと生理活性物質を含有する高分子複合体を提供する。 - 特許庁

The interface fusion layer has a glass transition temperature lower than the adjoining organic layers, and by fusing the interface fusion layer and annealing it at a temperature higher than the glass transition temperature Tg, organic bonding having smooth steps is formed by smooth interdiffusion and being mixed with the adjoining layers.例文帳に追加

界面（インタフェース）の融合層がそのグラス転移温度が隣接する有機層より低く、界面（インタフェース）融合層を融合させ、そのグラス転移温度Ｔｇより高い温度で焼きなましすることにより、隣接層との滑らかな相互拡散および混合により滑らかな段階がある有機接合を形成する。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

With this configuration, multi-atom layer step of about 3 nm in height are present in parallel each other in the Si wafer before bonding in micro size, and the step acts as a minute degassing hole in nanometer size at the stacked interface, so the gas generated at the interface in thermal process for raising adhesiveness is released effectively outside a wafer.例文帳に追加

上記構成によって、接着前のSiウェーハはミクロに見れば高さが3nm程度の多原子層ステップがお互い平行に存在し、重ね合わせた界面でこのステップがナノメートルサイズの微細なガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に界面で発生するガスがウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

To provide a fixing belt of an electromagnetic induction heating type having a high durability by enhancing an adhesion between a resin and a metal while decreasing a stress which is applied through heating, cooling or the like near the bonding interface between the resin and the metal.例文帳に追加

加熱冷却等よる樹脂と金属との接着界面付近での応力を軽減しつつ、両者の密着性を高めることで、耐久性の高い電磁誘導発熱型の定着ベルトを提供する。 - 特許庁

Displacement between a semiconductor element 2 and the substrate 1 is received on the substrate side 1, by setting the adhesion strength of a bonding interface 3 equal to or slightly higher than the 0.2% yield strength of the substrate 1 at the same temperature.例文帳に追加

接合界面３の密着強度を同一温度において基板１の０．２％耐力の大きさと同じ若しくはそれ以上にすることにより、半導体素子２と基板１間の変位を基板１側で受け止める。 - 特許庁

A method of providing a hybrid substrate, equipped with semiconductor layers having different crystal orientations that are isolated by a conductive or an insulating interface formed by employing semiconductor-to-semiconductor direct wafer bonding, is disclosed.例文帳に追加

半導体−半導体直接ウェハ・ボンディングを使用して導電性または絶縁性界面によって分離された、相異なる結晶方位の半導体層を備える混成基板を提供する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for producing a substrate for a power module with a heat sink wherein the heat sink and a second metal plate can be tightly bonded with each other while void formation on a bonding interface between the heat sink and second metal plate is suppressed.例文帳に追加

ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, stress generated owing to extension and contraction of the terminal 4 and charged resin 3 is dispersed and tight bonding is obtained to greatly suppress occurrence of crack nearby the interface of the charged resin 3.例文帳に追加

これにより、端子４と充填樹脂３の伸縮に起因して生じる応力が分散されるとともに、強固な接着が行われ、この結果、充填樹脂３の界面近傍でのクラックの発生が大幅に抑制される。 - 特許庁

Switching circuits 4A and 18A disposed in a semiconductor memory chip switch the interface function of a predetermined second external connection electrode according to the state of a potential applied to a first external connection electrode by a bonding option.例文帳に追加

半導体メモリチップが備える切り換え回路（４Ａ，１８Ａ）は、ボンディングオプションにより第１の外部接続電極に印加される電位状態に応じて所定の第２の外部接続電極のインタフェース機能を切り換える。 - 特許庁

To reduce stresses at a welded part of a cover and an interface part between a cover fixing surface and a cover body and restrict its deformation to improve durability when a forward or rearward bonding moment acts against an axle case.例文帳に追加

車軸ケースに前後曲げモーメントが作用した際に、カバー溶接部と、カバーの取付面部およびカバー本体部の境界部とにおける応力を低減させ、変形を抑えると共に耐久性を向上させる。 - 特許庁

To effectively prevent cracking from occurring in the vicinity of a bonding interface between a heating base 11 and a support member 13, where a heating device has the heating base 11 and the support member 13 bonded to the heating base 11.例文帳に追加

加熱基体１１と、この加熱基体１１に接合された支持部材１３とを有する加熱装置において、加熱基体１１と、支持部材１３との接合部近傍にクラックが発生することを効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a cylinder liner having stable adhesiveness and bonding strength in an interface between the cylinder liner and a cylinder block body while suppressing the generation of a clearance therein, and to provide a cylinder block and a method of manufacturing a cylinder liner.例文帳に追加

シリンダライナとシリンダブロック本体との界面に発生する隙間が抑制できると共に安定した密着及び結合強度が得られるシリンダライナ、シリンダブロック及びシリンダライナの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁

The piezoelectric single crystal substrate has the optical absorptance of the THG laser light higher than that of the supporting substrate, so that light is absorbed near a bonding interface of the piezoelectric single crystal with the supporting substrate and heat is locally generated.例文帳に追加

ここで、圧電単結晶基板は支持基板よりもＴＨＧレーザ光の光吸収率が高いので、圧電単結晶基板における支持基板との接合界面付近で光が吸収され、局所的に発熱する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for surely preventing the interface peeling of a metal radiator plate and a boding material or the bonding material and coating resin, even if thermal stresses or mechanical stresses are added from the outside.例文帳に追加

外部から熱的応力や機械的応力が加わっても、金属放熱板と接着材あるいは接着材と被覆樹脂との界面剥離を確実に防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A metallic circuit forming surface 3 as a bonding interface between a ceramic insulating board 1 and a metallic circuit 2 which constitute a ceramic circuit board 100 is so formed as to be higher than a ceramic exposure surface 4 on which a metallic circuit is not formed.例文帳に追加

セラミック回路基板１００を構成するセラミック絶縁基板１と金属回路２との接合界面である金属回路形成面３が、金属回路を形成しないセラミック露出面４よりも高くなるように形成する。 - 特許庁

To obtain a bonded structure that relaxes a stress occurring at a bonded interface and has improved adhesion reliability and durability and to provide a bonding method, a liquid droplet discharge head and a method for producing a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

接着界面において発生する応力を緩和して、接着の信頼性や耐久性を向上させた接着構造及び接着方法並びに液滴吐出ヘッド及び液滴吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

An outer circumferential end B of a bonding interface A between the first and second metal layers is positioned farther toward the outside in the direction to be away from the operating region than the outer circumferential side surface 3c of the first insulating layer 3a.例文帳に追加

第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 - 特許庁

To prevent the generation of a gap at an interface between a solid electrolyte and an electrode caused by the movement of ion at the inside of the electrolyte, and to cope with the mechanical deformation in a state of keeping the electric bonding of the electrolyte and the electrode.例文帳に追加

イオンの電解質内部の移動により、固体電解質と電極との界面に隙間が生じることを防ぐことができるとともに、電解質と電極との電気的な接合を保ちながら機械的な変形に対応できる。 - 特許庁

Furthermore, an S-S bond (disulfide bond) of a part of disulfide silane is dissociated with heat in thermocompression bonding on the interface between the metal wiring material 12 and the anisotropic conductive material 13, and the dissociated sulfide silane is chemically bonded to a metal Me.例文帳に追加

また、金属配線材１２と異方性導電材料１３との界面では、圧着時の熱により、ジスルフィドシランの一部のＳ−Ｓ結合（ジスルフィド結合）が解離し、解離されたスルフィドシランが金属Ｍｅと化学結合する。 - 特許庁

A method for casting an ingot for a bonding wire by slowly cooling a crucible from the lower part thereof or by a continuous casting method is disclosed, wherein molten metal is solidified by setting a relative shifting speed at the interface between the molten metal and the solidified portion to ≥20 mm/min.例文帳に追加

ルツボ下部から徐冷してインゴットを鋳造する方法、ないしは、連続鋳造法によりインゴットを鋳造する方法において、溶湯と凝固部分の界面の相対移動速度を２０ｍｍ／分以上として凝固させる。 - 特許庁

The invention is most effectively used if the Si surface of a bonding interface has a different surface orientation as, for example, the Si surface with (100) orientation is bonded to the Si surface with (110) orientation.例文帳に追加

例えば、（１００）配向を有するＳｉ表面が（１１０）配向を有するＳｉ表面に接合されるときのように、接合境界面のＳｉ表面が異なる表面配向を有するときに、最も有利になるように用いられる。 - 特許庁

To provide a vibration control device capable of restraining a bonding interface from being broken in an axial end part of an outer cylindrical member, while enhancing durability of a vibration control base body, by executing diameter contracting-directional drawing to the outer cylindrical member.例文帳に追加

外筒部材に縮径方向への絞り加工を施して、防振基体の耐久性の向上を図りつつ、外筒部材の軸方向端部における接着界面の破壊を抑制することができる防振装置を提供すること。 - 特許庁

The light emitting semiconductor device includes a first conductivity first semiconductor first carrier trapping layer, an active region, and a wafer-bonding interface between the active region and the first carrier trapping layer.例文帳に追加

発光半導体デバイスは、第１伝導型を有する第１半導体により形成される第１キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第１キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。 - 特許庁

To provide a filtration module wherein a break can be prevented from occurring, in a wide use temperature range, in a hollow fiber membrane at a bonding interface between a potting material and the membrane, and even if filtration and backward washing are repeated under a large pressure difference, a leak does not occur.例文帳に追加

広い使用温度範囲でポッティング剤との接着界面における中空糸膜の破断が起こらず、かつ、高い差圧をかけて濾過・逆洗を繰り返してもリークが発生することのない濾過モジュールを提供する。 - 特許庁

The recess and projection realizes anchor effect upon bonding an interface between the binder and the surface of conductive powder, and reduces the initial value of resistivity of the macromolecular PTC element to improve the stability of characteristics upon repeating the switching operation.例文帳に追加

この凹凸は、結合材と導電性粉末表面の界面の接着において、アンカー効果を発現し、高分子ＰＴＣ素子の抵抗率の初期値を低下させ、スイッチング動作を繰り返した際の特性の安定性を向上する。 - 特許庁

To solve a problem of defect being generated due to the lack of a tapered part pressed by a polishing cloth and to prevent peeling from the tapered part when performing mirror polishing of SOI wafer having a bonding interface on the tapered part of a bevel surface.例文帳に追加

ベベル面のテーパー部に接着界面を有するＳＯＩウェーハの鏡面研磨を行っていく上で、研磨布に押圧されたテーパー部が欠落して不良が発生する問題を克服し、テーパー部からの剥離を防ぐこと。 - 特許庁

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces is brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces are brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

A piston particularly adapted for heavy-duty diesel engine applications is fabricated from separate parts having circumferentially extending joining surfaces that are heated prior to bonding to an elevated temperature sufficient to enable bonding of the joining surfaces, and thereafter the joining surfaces brought into contact with one another and twisted to attain a permanent metallurgical weld at the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of canceling a decrease in the yields of an element caused by the occurrence of voids on a junction interface by preventing the junction interface from remaining at the side of the semiconductor substrate when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure by bonding two wafers, and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

２枚のウェーハの接合により、ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合において、接合界面を半導体基板側に残さないことによって、接合界面のボイド発生に起因する素子の歩留まり低下を解消することを可能とする半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer piezoelectric element exhibiting excellent durability in which damage on the interface of an internal electrode layer and a piezoelectric ceramic layer can be suppressed by enhancing the bonding strength of the internal electrode layer and the piezoelectric ceramic layer, and to provide its producing method and an ejector.例文帳に追加

内部電極層と圧電磁器層との接合強度を向上して、内部電極層と圧電磁器層との界面における破損を抑制できる耐久性に優れた積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置を提供する。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

To provide an FRP composite shaft in which an adhesive destruction (bonding interface destruction) which takes place when a force in a twisting direction is added to a joint of an FRP cylinder and a joint member is inhibited certainly, and processing is easy, and which is low cost, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＦＲＰ円筒と継手部材の接合部に捩り方向の力が加わったときに起こる接着剤破壊（接着界面破壊）を確実に防止し、加工が簡単で低コストであるＦＲＰ複合シャフト及びその製造方法を得ること。 - 特許庁

A concave surface portion 15 that connects the back surface 11b of the heating base 11 and an outer surface 13b of the support member 13 smoothly to each other is formed in the vicinity of an outer end 14E of a bonding interface 14 between the heating base 11 and the support member 13.例文帳に追加

加熱基体１１と支持部材１３との接合界面１４の外端１４Ｅ近傍で、この加熱基体１１の背面１１ｂと支持部材１３の外表面１３ｂとを滑らかに接続する凹曲面部１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of producing a hardmetal-bonded body which has an enhanced bond strength, and has excellent wear resistance and impact resistance by forming prescribed spikes in a bonding interface between hardmetal and an iron-based metal body without using brazing metal.例文帳に追加

ろう付け金属を使用せず、超硬合金と鉄系母材との接合界面に所定のスパイクを形成して、接合強度を向上させ、耐摩耗性及び耐衝撃性に優れた超硬合金接合体を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film-electrode junction to suppress peeling-off of a bonding interface of an electrode catalyst layer and an ion exchange membrane, and to carry out a superior and stable power generating performance, and to provide its manufacturing method, and a polymer electrolyte fuel cell using it.例文帳に追加

電極触媒層とイオン交換膜との接合界面の剥がれを抑制し、良好かつ安定な発電性能を発揮する膜−電極接合体、その製造法、及びそれを使用した固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

Thus, the recess, the hole or the notch allows the excess conductive adhesive to stay and prevents the conductive adhesive from projecting from the bonding interface of the cathode of the capacitor element and the cathode loading part of the cathode lead frame.例文帳に追加

これによって、前記凹部または孔部または切り欠きが、余分な導電性接着剤を滞留させ、コンデンサ素子の陰極部と陰極リードフレームの陰極搭載部との接合界面から、導電性接着剤が突出することを防ぐ。 - 特許庁

To provide a surface mounting method of an electronic component capable of mounting the electronic component with high connection reliability since bonding strength on a connection interface with an electrode is high, and disconnection and destruction caused by a falling impact hardly occur.例文帳に追加

電極との接続界面での接合強度が高く、落下衝撃による断線や破壊が発生しにくいことから、接続信頼性の高い電子部品の実装を行うことが可能な電子部品の表面実装方法を提供する。 - 特許庁

Since an air layer can be prevented from being generated or left on the interface of the kneaded matter 1 and the metal plate 2, bonding strength is enhanced and heat from a heat generating electronic component can be transmitted efficiently through the kneaded matter 1 and dissipated.例文帳に追加

これにより、混練物１と金属板２との界面での空気層の発生あるいは残存を防止できるので接合強度が高まり、発熱電子部品からの熱を混練物１を介して効率よく金属板２に伝達し、放熱することができるものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate in which the generation of void on a junction interface is effectively suppressed by optimizing the thickness of two wafers to be bonded, the semiconductor substrate being constituted by directly bonding two semiconductor wafers.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼り合せる２枚のウェーハの厚さを最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁