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isolation methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1217件
The method for forming the memory cell array comprises the step of forming a first floating gate region 42 between isolation regions 45 in a semiconductor substrate, the step of selectively forming a second floating gate region 48 only on the first floating gate region 42, the step of forming a dielectric layer 51 on at least the second floating gate region 48, and the step of forming a control gate layer 52 on the dielectric layer 51.例文帳に追加
アレイの形成方法は、半導体基板内のアイソレーション領域45間に、第1浮遊ゲート領域42を形成するステップと、第1浮遊ゲート領域42上のみに、第2浮遊ゲート領域48を選択的に形成するステップと、少なくとも第2浮遊ゲート領域48上に誘電層51を形成するステップと、誘電層51上に制御ゲート層52を形成するステップとを含む。 - 特許庁
To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加
ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for preventing bending of an SOI layer comprises a step for forming an SOI substrate including a lower silicon layer 110, a buried silicon oxide layer 111, an SOI layer 123, and a nitrogen containing layer 131 between the buried silicon oxide layer and the SOI layer, and a step for forming an isolation trench by etching the SOI layer.例文帳に追加
下部シリコン層１１０、埋め込み酸化シリコン層１１１、およびＳＯＩ層１２３を含み、かつ前記埋め込み酸化シリコン層と前記ＳＯＩ層との間に窒素含有層１３１を含むＳＯＩ基板を形成する段階と、前記ＳＯＩ層をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階とを含むことを特徴とするＳＯＩ層ベンディング防止方法である。 - 特許庁
The manufacturing method for the modified polyolefin comprises a graft reaction step of causing an unsaturated carboxylic acid to graft onto a polyolefin in a halogen-containing solvent having a boiling point of 120°C or lower under normal pressure and an isolation step of isolating the modified polyolefin as a reaction product by feeding a reaction solution after the graft reaction to a drum drier and volatilizing and removing the solvent.例文帳に追加
常圧での沸点が１２０℃以下のハロゲン系溶剤中で不飽和カルボン酸をポリオレフィンにグラフト反応させるグラフト反応工程、グラフト反応後の反応溶液をドラムドライヤーに供給して当該溶剤を揮発除去させることにより反応生成物である変性ポリオレフィンを単離する単離工程、からなることを特徴とする変性ポリオレフィンの製造方法。 - 特許庁
To provide a hydrazine immobilized substance that causes hydrazine to be immobilize in small contents without use of a great deal of a polymer, causes hydrazine to be isolated from the immobilized substance at a high speed, excels in durability, and causes a device simple due to easy isolation of hydrazine from the immobilized substance, as well as to provide a method for producing free hydrazine by isolating hydrazine from the immobilized substance.例文帳に追加
ポリマーを多量に使用する必要がなく、従って小さな容量でヒドラジンを固定化可能で、固定化したヒドラジンの遊離のスピードが速く耐久性にも優れ、しかも、簡便に固定化したヒドラジンの遊離が可能であるため装置を簡便にできるヒドラジン固定化物、及び、該固定化物からヒドラジンを遊離して遊離のヒドラジンを生成する方法を提供する。 - 特許庁
The method for producing a high purity zinc oxide powder comprises an isolation process for isolating the dust of collection dust for shotblasting zinc to give it as a starting material of a zinc oxide powder, an oxidization process for heating and gasifying the isolated material and then oxidizing the gasified zinc with an air or a gas containing oxygen, or oxidizing and gasifying the isolated material with an air or a gas containing oxygen with heating thereof.例文帳に追加
亜鉛ショットブラスト集塵ダストを分離して酸化亜鉛粉末の原料とする分離工程と、この分離した原料を加熱・気化させた後、気化した亜鉛を空気又は酸素を含む気体により酸化させるかあるいは分離した原料を加熱しながら空気又は酸素を含む気体により酸化・気化させる酸化工程と、を具備することを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。 - 特許庁
A method of manufacturing a photoelectric conversion device includes a step of forming the insulating isolation region by removing a part of a transparent electrode layer, a part of a photoelectric conversion layer, and a part of a back electrode layer which are positioned at the peripheral edge of a transparent insulating substrate having the transparent electrode layer, photoelectric conversion layer, and back-electrode layer laminated in order, by irradiating the transparent insulating substrate with a laser beam twice or more.例文帳に追加
透明電極層、光電変換層および裏面電極層が順次積層された透明絶縁基板にレーザ光を２回以上照射することにより、透明絶縁基板の周縁に位置する、透明電極層の一部、光電変換層の一部および裏面電極層の一部をそれぞれ除去して絶縁分離領域を形成する工程を含む、光電変換装置の製造方法である。 - 特許庁
In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl_3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system, and a method for forming a monocrystalline Group III-V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber.例文帳に追加
特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ_3及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 - 特許庁
The method for producing 1,4,7,10-tetraazacyclododecane (cyclene) by cyclotetramerizing of benzylaziridine comprises: forming benzylaziridine by reacting benzylethanolamine with sulfuric acid in situ; tetramerizing it without isolation into tetrabenzylcyclene in the presence of 0.25-0.35 mol of a strong acid selected from the group consisting of p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and sulfuric acid, and removing the benzyl groups by hydrogenation.例文帳に追加
ベンジルアジリジンの環状四量体化による１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン（シクレン）の製造方法であって、ベンジルエタノールアミンを現場で硫酸と反応させることによりベンジルアジリジンを形成し、ベンジルアジリジンを単離することなく、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸又は硫酸より選ばれる、０．２５〜０．３５モルの強酸の存在下においてテトラベンジルシクレンに四量体化し、そして水素化によってベンジル基を除去することを含む方法。 - 特許庁
The semiconductor device manufactured by this manufacturing method comprises an active region including a high-voltage element region and a low-voltage element region, a semiconductor substrate 100 defined as an inactive region, an element isolation film 110 formed on the inactive region of the semiconductor substrate 100, and a gate oxide film 120 formed on the high-voltage region of the semiconductor substrate so that it has a uniform thickness.例文帳に追加
本発明の製造方法により製造された半導体素子は、高電圧素子領域と低電圧素子領域とを含む活性領域と、不活性領域とで定義される半導体基板と、前記半導体基板の不活性領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板の高電圧素子領域上に均一な厚さを有するように形成されるゲート酸化膜とを含む。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: burying the insulating film in a groove formed in the semiconductor device; forming a coating film to cover the buried insulating film; and forming the element isolation region by leaving stress in the insulating film, the stress generating strain in a region of the semiconductor substrate at a periphery of the insulating film through a heat treatment after forming the coating film.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成した溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、埋め込まれた前記絶縁膜上を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を形成した後、熱処理により、前記半導体基板の前記絶縁膜周辺の領域に歪みを発生させる応力を前記絶縁膜に残留させ、素子分離領域を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
To provide an isolation method capable of selectively isolating an objective cell, i.e., a living cell as it is, expressing a specific gene even in the case where there are no cell surface molecules capable of using as a marker on the cell, the case where such molecules, if any, can not be distinguished from cell to cell, or the case where such molecules are released into the extracellular liquid.例文帳に追加
細胞にマーカーとして使用可能な細胞表面分子が存在しない場合や、存在しても細胞間で区別ができない場合、さらにはマーカーとなるべき分子が細胞外液中に遊離してしまう場合であっても、目的とする細胞、すなわち特定の遺伝子を発現した細胞を生きたままの状態で選択的に分離取得することが可能な分離方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加
本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁
The method for treating bacterial infectious diseases includes: isolation of a bacterial lactone signal molecule or lactone-derived signal molecule in a sample from the subject, and using the bacterial lactone signal molecule to screen a population of specific binding molecules for an anti-bacterial specific binding molecule to identify a specific binding molecule that specifically binds to the signal molecule, and administering the specific binding molecule so identified to a patient in need thereof.例文帳に追加
対象からの試料中の細菌ラクトンシグナル分子またはラクトン由来シグナル分子の単離、および該細菌ラクトンシグナル分子を、シグナル分子と特異的に結合する特異的結合分子を同定する目的で特異的結合分子の集団を抗細菌特異的結合分子に関してスクリーニングするために用いること、およびそのようにして同定された該特異的結合分子をそれを必要とする患者に投与する、細菌感染症の治療方法。 - 特許庁
To provide monoclonal antibodies against chondroitin B and chondroitin E, having high specificities towards the chondroitin B and chondroitin E and capable of being used for the isolation of specific kinds of polysaccharide sulfates, detection of specific polysaccharide sulfates, etc., and also a method for detecting the chondroitin B and/or chondroitin E in test specimens and capable of achieving at least one of a high sensitivity, a high specificity and an excellent simplicity.例文帳に追加
コンドロイチン硫酸Ｂ及びコンドロイチン硫酸Ｅへの高い特異性を有し、特定の種類の硫酸化多糖の単離、特定の硫酸化多糖の検出等に用いうる、コンドロイチン硫酸Ｂとコンドロイチン硫酸Ｅとに対するモノクローナル抗体、並びに高い感度、高い特異性、優れた簡便性の少なくとも１つを達成しうる、被検試料中のコンドロイチン硫酸Ｂ及び／又はコンドロイチン硫酸Ｅとの検出方法を提供すること。 - 特許庁
The method for producing the phosphonitrile acid ester comprises the 1st step of reaction between the phosphorus chloride and ammonium chloride in the presence of a catalyst using a halogenated aromatic hydrocarbon as the reaction solvent to prepare phosphonitrile dichloride, and the 2nd step of reacting the phosphonitrile dichloride, without isolation from the reaction slurry, with the the alkali metal arylate and/or alkali metal alcoholate to produce the objective cyclic and/or chain phosphonitrile acid ester.例文帳に追加
反応溶媒としてハロゲン化芳香族炭化水素を使用して、触媒の存在下で塩素化リンと塩化アンモニウムとを反応させてホスホニトリルジクロライドを製造する第１段目反応、及び、第１段目反応において製造されたホスホニトリルジクロライドを、該第１段目反応スラリーから単離することなく、アルカリ金属アリーラート、及び／またはアルカリ金属アルコラートと反応させて、環状及び／または鎖状ホスホニトリル酸エステルを製造する第２段目反応からなるホスホニトリル酸エステルの製造法。 - 特許庁
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