「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having a dense wiring part and a wiring isolation part in which erosion is prevented from been caused while preventing microscratches on the surface of an oxide film.例文帳に追加

配線密集部と配線孤立部を含む半導体装置の製造方法において、エロージョンの発生を防止するとともに、酸化膜表面のマイクロスクラッチの発生を防止すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device fabrication method which enables a reduction in internal stress yielded when forming element isolation while suppressing such a disadvantage as variation in a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧がばらつくなどの不都合を抑制しながら、素子分離形成時に発生した内部応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for refining/isolating the nucleic acid involves using the isolation apparatus in at least one treatment using the trap device and essentially using a substance having the ability to adsorb the nucleic acid.例文帳に追加

トラップ装置を使用する核酸の分離精製方法において、該トラップ装置を用いる処理の少なくとも一つの処理に前記分離装置を用いる核酸の分離精製方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, an element isolation film 2 having an element region 2a and an opening 2b for electric discharge is formed on a semiconductor substrate 1, and the gate insulation film 3 is formed on the part of the element region 2a.例文帳に追加

半導体基板１上に、素子領域２ａ及び放電用開口部２ｂを有する素子分離膜２を形成し、素子領域２ａの一部にゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device which can form an opening groove for element isolation without giving any damage to the lower layer of a layer to be processed and also provide a processing apparatus.例文帳に追加

被加工層の下地層に損傷を与えることなく素子分離のための開口溝を形成することができる光起電力装置の製造方法、及び加工装置の提供。 - 特許庁

To minimize trap phenomenon, in which charges are confined in an insulating layer on an element isolation structure, and prevent interference between bit lines, in the method for manufacturing flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法において、素子分離構造上の誘電体層に電荷が閉じ込められるトラップ現象を最小限に抑えてビット線間の干渉を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a system stabilization method and a system stabilizer, capable of minimizing the effects on production due to isolation of facility and equipment by stabilizing an independent separate system at the occurrence of a trouble.例文帳に追加

トラブル発生時に、単独分離系統を安定化した上で、各設備、機器の遮断による生産影響を最小化する系統安定化方法及び系統安定化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for isolation of a wafer, capable of safely, simply, certainly and quickly isolating ultrathin wafer, and with improved processing speed compared with former.例文帳に追加

極薄のウェーハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができ、かつ従来と比べて処理スピードが改善されたウェーハ単離方法及びウェーハ単離装置を提供する。 - 特許庁

To provide a trench isolation reverse-blocking MOS type semiconductor device which enables the nondefective product rate of a wafer process to be increased without having to fill a reverse-blocking trench, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

逆阻止用のトレンチを充填しなくても、ウエハプロセスを高良品率にすることのできるトレンチ分離型逆阻止ＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler using an optical filter which can be manufactured in a simple process, has high isolation and is small in size and inexpensive, and to provide a manufacturing method of the wavelength multiplexed light coupler.例文帳に追加

単純な工程で作製可能で、高いアイソレーションを有し、かつ小型で安価な光学フィルタを用いた波長多重光カプラおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a trench structure, whereby the junction leak ascribed to a recess formed into a piled Si layer or element isolation region can be prevented.例文帳に追加

トレンチ構造を有し、積み上げシリコン層や素子分離領域に形成される凹部に起因した接合リークの発生を防ぎ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which is formed in an SOI layer and in which an element isolation region can be formed without deteriorating performance of a transistor, and to provide a method for manufacturing the circuit.例文帳に追加

トランジスタの性能を劣化させることなく素子分離領域を形成することができるＳＯＩ層に形成された半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can obtain superior electric characteristic by improving the end-part shape of an element diffusion layer in contact with an element isolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜に接する素子拡散層の端部形状を改善することにより、優れた電気的特性を得ることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method for STI (shallow trench isolation) in which polishing speed in a convex part of a material to be polished is fast and slow in a recessed part, and a polishing face with high planarity is obtained.例文帳に追加

被研磨材の凸部分では研磨速度が高く、凹部分では研磨速度が低く、さらに、平坦性の高い研磨面とするためのＳＴＩ用化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a medicinal herb-cultivating implement having a structure suitable for power saving in a cultivating isolation bed for medicinal herbs whose rootstalks is utilized, root crops and the like: and to provide a method for cultivating the medicinal herbs or the root crops.例文帳に追加

根茎を利用する薬草や根菜などの栽培用隔離床において、省力化に適した栽培床用器具の構造及びその栽培方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, as well as, its manufacturing method, which can suppress deterioration in the drain current characteristics caused by increasing the thickness of the gate insulating film near an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域近傍のゲート絶縁膜の膜厚が増すことによるドレイン電流特性の劣化を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an inter-device isolating region, which enables a complete embedding of a trench without a void in inter-device isolation by STI and enables shortening of the processing time.例文帳に追加

ＳＴＩによる素子間分離において、ボイドが無く完全にトレンチを埋め込むことができ、処理時間の短縮化を図ることができる素子間分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which large stress is not applied to a substrate and which has an element isolation region formed of a buried oxide film where no void is formed.例文帳に追加

基板に大きな応力が加わることがなく、ボイドの形成されない埋め込み酸化膜により形成された素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same solving the problem of prior art removing a liner nitride film of an element isolation film in a PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域における素子分離膜のライナー窒化膜の除去を行う従来技術による問題を解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide products for tissue dissociation, obtaining isolation results improved in yield, viability and integrity of the cells, a method of production thereof; and to provide use thereof.例文帳に追加

細胞の収量、生存性および完全性に関して改善された単離結果が得られるような、組織解離用の生成物、その製造方法および使用を利用できるようにすること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of accelerating conversion of polysilazane in an element isolation groove into an oxide film (SiO_2), and improving film quality (an electrical characteristic or permittivity) of an insulating film.例文帳に追加

素子分離溝内のポリシラザンの酸化膜（ＳｉＯ２）化を促進し、絶縁膜の膜質（電気的特性や誘電率）を向上することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of inhibiting the generation of a dishing by a CMP while suppressing the lowering of an isolation capacity, the increase of a floating capacity or the like.例文帳に追加

分離能力の低下、浮遊容量の増大等を抑制しつつ、ＣＭＰによるディッシングの発生を抑制するができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing STI(shallow trench isolation) method so that no void is left even in a trench of micro width having a high aspect ratio and no damage is left on a silicon substrate.例文帳に追加

微少幅で且つアスペクト比が高い溝にも、ボイドが残存することなく且つシリコン基板にダメージが残らないように、ＳＴＩ分離法を採用する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device which suppresses the etching of an element isolation insulating film when an insulating film formed between a control gate and a floating gate is etched.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートとの間に形成される絶縁膜のエッチング時の素子分離絶縁膜のエッチングを抑制することができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a method to form an element isolation film of a semiconductor device which prevents the concentration of an electric field and the formation of Moat by chamferring the top corner of a trench.例文帳に追加

トレンチの上部角を傾くように形成して電界の集中及びモウトの形成を防止することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of measuring precisely and easily a ratio of three kinds of stable oxygen isotopes in the atmosphere or dissolved gas, and an O2 isolation device used therefor.例文帳に追加

測定精度が良く、且つ簡便に測定できる、大気中又は溶存気体中の三種安定酸素同位体比測定方法とそれに用いるＯ_2 単離装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having a element isolation trenched film, which can gradually adjust the top rounding angle and can remove the etching loss layer generated after trench etching.例文帳に追加

トップラウンド角度を緩やかに制御でき、トレンチエッチング後に発生されたエッチング損失層を除去できるトレンチ型素子分離膜を備えた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide products for tissue dissociation, obtaining isolation results improved in yield, viability and integrity of the cells, to provide a method of production thereof, and to provide use thereof.例文帳に追加

細胞の収量、生存性および完全性に関して改善された単離結果が得られるような、組織解離用の生成物、その製造方法および使用を利用できるようにすること。 - 特許庁

A cured material of hot melt resin with a hardness of ≥5(A) and ≤35(A), measured based on JAI-7-1991 (a hot melt adhesives testing method), is used as the isolation material 15.例文帳に追加

隔離材１５としては、ＪＡＩ−７−１９９１（ホットメルト接着剤試験方法）に準拠して測定した硬度が５（Ａ）以上３５（Ａ）以下のホットメルト樹脂の硬化物が用いられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an oxide film structure of element isolation which doesn't cause any sharpness on a substrate form near an upper end of a groove for isolating elements, and its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離用溝上端部近傍の基板形状の鋭角化を引き起こすことのないような素子分離酸化膜構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, there is provided a method for the generation of human antigen-specific, high affinity, heavy chain-only antibodies of any class, or mixture of classes and the isolation of fully functional VH antigen-binding domains.例文帳に追加

任意のクラス又は混合したクラスのヒトの抗原特異的で高アフィニティの重鎖のみ抗体の生成方法及び十分に機能性のＶＨ抗原結合ドメインの単離する。 - 特許庁

To provide an element isolation film manufacturing method of a semiconductor device which prevents HEIP phenomenon and improves element characteristics such as a drive current, a threshold voltage, a refresh property or the like of a transistor.例文帳に追加

ＨＥＩＰ現象を防止してトランジスタの駆動電流、しきい電圧及びリフレッシュ特性等の素子特性を向上させる半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which can surely prevent generation of junction leakage even when deviation is generated in the alignment for formation of a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールを形成するときに合わせずれが発生した場合であっても、接合リークが発生することを確実に防止し得る溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which an oxide film of high quality is embedded in a groove-shaped element isolation region without causing distortion or void due to expansion and contraction.例文帳に追加

溝形の素子分離領域に膨脹、収縮による歪みやボイドを発生させることなく高品質の酸化膜を埋め込む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which junction leakage is prevented from occurring by restraining silicidation at the end of an element isolation insulating film.例文帳に追加

本発明の目的は、素子分離絶縁膜の端部におけるシリサイド化を抑制して接合リークの発生を防止した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an installation method for a base isolation type steel tower and existing steel tower capable of effectively improving the resistance against earthquake even for an existing steel tower.例文帳に追加

既設の鉄塔であっても耐震性を有効に向上させることのできる免震型鉄塔および既設鉄塔への免震装置の設置方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a non-volatile memory device, capable of improving the embedding characteristics so as not to allow voids exist inside, by simplifying the processes.例文帳に追加

工程を単純化させ、内部に空隙（ｖｏｉｄ）が存在しないように、埋め込み特性を改善することができる不揮発性メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for dropping a tape core wire to a rod with an SZ channel, with which an isolation wall of a channel of the rod with the SZ channel is not damaged and the amount of rotation angle of a rotary butt strap can be reduced.例文帳に追加

ＳＺ溝付きロッドの溝の離隔壁を損傷せず、かつ回転目板の回転角度量を少なくできるＳＺ溝付きロッドへのテープ心線落し込み方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride-based semiconductor device by which cracking, chipping, and damage can be reduced during isolation of devices, and the generation of burrs in a supporting substrate can be prevented.例文帳に追加

素子分離の際の窒化物系半導体層への割れ、欠け及びダメージの低減と、支持基板のばりの発生防止とを実現する窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which improves an implantability of a silicon oxide film in a trench while avoiding impairment of a trench shape in an STI (shallow trench isolation) structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造において、トレンチ形状を損なうことなく、トレンチ内へのシリコン酸化膜の埋め込み性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a composition for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor substrate adopting a shallow trench element isolation with improved end-point detection capability.例文帳に追加

改良された終点検出能力を有する、浅いトレンチ素子分離法の場合の、半導体基材上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するための組成物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor laser device of monolithic two-wavelength type which can provide improved processability, control short-circuit failure during assembling, reduce element isolation width, and secure heat dissipation.例文帳に追加

加工性の向上、組み立て時のショート不良の抑制を図り、素子分離幅の低減、放熱性も確保できるモノリシック２波長型の半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device capable of improving a cycling threshold voltage shift and of preventing an overhang formed in an upper region of a trench.例文帳に追加

サイクリングしきい電圧シフトを改善し、且つトレンチの上部領域に形成されたオーバーハングを防止することが可能な、半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor that improves its element characteristic by preventing dark current from occurring between the element isolation film and the photo-diode region, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離膜とフォトダイオード領域の間の暗電流の発生を防止して、素子の特性を向上させるようにしたＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁