「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a perfluoroalkylsulfonyl halide, which does not require a large amount of a solvent, has no by-product of a halogen cyanide, is highly safe, completes reaction in a short time, has easy isolation operation and a high yield.例文帳に追加

大量の溶媒が不要で、ハロゲンシアニドの副生がなく、安全性が高く、短時間で反応が終了し、単離操作が容易で、収率の高いペルフルオロアルキルスルホニルハライドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the planarization method of a shallow trench tank isolation section which is substantially equal in height, in which the thickness of a shallow trench tank section ultimately obtained has been inherently planned by right, by providing a proper smoothness rate on the surface of the shallow trench tank section.例文帳に追加

浅溝槽区の表面は良好な平滑率を備え、最後に得られる浅溝槽区の厚さは本来予定されていた高さとほぼ等しい、浅溝槽分離区の平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To realize an isolation method of a semiconductor layer which can isolate a semiconductor layer well from a base material in a post-process without peeling of a semiconductor layer from a base material in the middle of a manufacturing process, a manufacturing method of a semiconductor substrate wherein it is used, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

製造工程の途中において基体から半導体層が剥離することなく、かつ後工程において基体から半導体層を良好に分離することができる半導体層の分離方法、並びにそれを用いた半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method of a base isolation plug 9 for base isolation device, when a powdery material 2 filled in a mold 3 is clamped to pressure mold two pressure receiving surfaces, the two pressure receiving surfaces of the powdery material 2 are pressure-molded into a shape such that the center is protruded, compared with the periphery, and both the surfaces are then pressure-molded into a planar shape.例文帳に追加

金型３内に充填された粉体材料２を挟み込んで、２面の受圧面を加圧成形し、免震装置用の免震プラグ９を成形するに当たり、粉体材料２の２面の受圧面を、周辺部に比し中央部が突出した形状に夫々加圧成形し、次いで、両面を平面状に加圧成形することを特徴とする免震プラグ９の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming an isolation groove (105) on a semiconductor substrate (101), embedding an embedded insulation film (106) constituted of a single or multiple insulation films in the isolation groove, and annealing the embedded insulation film in a vacuum or inert gas atmosphere equal to or higher than 300°C and lower than 700°C.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０１）にアイソレーション溝（１０５）を形成する工程と、前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜（１０６）を埋め込む工程と、３００℃以上７００℃未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、を含む。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板１１に、ゲート絶縁膜１５ｂを有するＭＯＳトランジスタと、容量絶縁膜１５ａを有する容量素子１７とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板１１に素子分離領域１２を形成した後、素子分離領域１２上に、不純物濃度が約１×１０^19ｃｍ^-3以上のシリコンからなる下部電極１３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a short circuit between gate electrodes caused by a void existing in an insulating body upon manufacturing the semiconductor device, narrow in the width of an element separating region formed by employing an STI (shallow trench isolation) method and having a groove gate structure.例文帳に追加

ＳＴＩ法を用いて形成した素子分離領域の幅が狭く、かつ溝ゲート構造を有する半導体デバイスを製造するにあたり、絶縁体中に存在するボイドによるゲート電極間のショートを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁

To provide a toner containing a polyester resin and wax, superior in fixability and thin-line reproducibility, and capable of stably forming high quality images over prolonged period of times without generating isolation phenomenon of the wax, and to provide a method of manufacturing such toner and an image forming method.例文帳に追加

ポリエステル樹脂およびワックスを含有し、定着性および細線再現性に優れ、しかも、ワックスの遊離現象などを発生させずに、高画質な画像を長期間にわたって安定的に形成することができるトナーおよびトナーの製造方法並びに画像形成方法の提供。 - 特許庁

RESIDUE-FILM THICKNESS ASSUMING METHOD, PATTERN-MASK AND ISOLATION-FILM-REMOVING-MASK MODIFYING WAYS BY THE WAY, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MAKING WAY BY THE MASKS例文帳に追加

残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.例文帳に追加

素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a device isolation film of a semiconductor device, in which the characteristics of the device can be improved, by polishing a nitride film using a high-selectivity slurry comprising a compound of phosphoric acid base series, and preventing the generation of a moat.例文帳に追加

本発明は、リン酸系列の化合物を含む高選択性スラリーを利用して窒化膜を研磨することで、モート(moat)の発生を防止して素子の特性を向上させる半導体素子の素子分離膜製造方法に関する。 - 特許庁

After an embedded insulating film is formed by an HPP-CVD method in such a way as to embed the insulating film in the trenches 2, the insulating film on the parts other than the interiors of the trenches 2 is removed to form trench element isolation regions 3 in the substrate 1.例文帳に追加

トレンチ２に埋め込むようにして、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により埋め込み絶縁膜を形成した後、トレンチ２の内部以外の部分の埋め込み絶縁膜を除去してトレンチ素子分離領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of suppressing variations in impurity distribution of a gate electrode of effectively controlling the electric field concentration to an STI (shallow trench isolation) edge portion, and of suppressing that an effective channel width becomes narrow, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極の不純物分布のバラツキを抑え、ＳＴＩエッジ部分への電界集中をより効果的に制御でき、実効チャネル幅が狭くなることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a joint testing body and a joint inspection method using the same, which allow highly accurate testing of the performance of a structure obtained by joining a lead cylindrical body with flanges made of steel, which is used as a seismic isolation damper.例文帳に追加

建物の免震ダンパとして使用される鉛円柱体と鋼材からなるフランジとの接合部の性能試験を、高い精度で行うことができる接合部試験体及びそれを用いた接合部検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for supporting a maintenance operation plan, by which an isolation operation can be readily planned, in a short period, in plant maintenance operation, and furthermore, man-power saving and accuracy improvement of operation can be attained.例文帳に追加

プラントの保守作業において、短時間で容易にアイソレーション作業の計画立案を実現でき、更に業務の省力化と精度向上が図ることができる保守作業計画支援方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device configured such that a microfabricated MOSFET can have an insulating film buried in an element isolation region without forming a void or seam, and mobilities of carriers can be improved, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

微細化したＭＯＳＦＥＴにおいて、ボイドやシームの発生無しに素子分離領域に絶縁膜を埋め込むことができ、キャリアの移動度向上が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a toner by which coarse particles in a toner are removed to prevent occurrence of image defects such as voids, isolation of an external additive in a screening step is suppressed, and satisfactory throughput can be ensured.例文帳に追加

トナー中の粗粒を除去することで、柿種等の画像不良を防止し、かつ篩分け工程で生じる外添剤の遊離を極力軽減し、十分な処理能力を確保できるトナーの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a base isolation structure framing and construction method therefor capable of reducing a seismic force acting to a building having a large aspect ratio while preventing the overturning of the building creating a floating phenomenon due to rocking vibration during an earthquake.例文帳に追加

アスペクト比が大きく、地震時のロッキング振動に伴う浮き上がり現象を発生する建物の転倒を防止しつつ、同建物に作用する地震力を低減させる免震構造架構及びその構築工法を提供する。 - 特許庁

When an STI element isolation structure 5 is formed, the upper part of it is formed so as to protrude more from the surface of the substrate 1 than the usual STI method, and a dummy electrode pattern 7 is formed at the formative part of a gate electrode.例文帳に追加

ＳＴＩ素子分離構造５を形成する際に、これをその上部が基板１面から通常のＳＴＩ法の場合よりも突出するように形成し、ゲート電極の形成部位にダミー電極パターン７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a flash memory driver is changed and an existing disk type DBMS can be reused as a flash type DBMS, it is the isolation-DBMS method, and a frequency of a write-in operation is reduced and a life of the flash memory is extended.例文帳に追加

フラッシュメモリードライバーを変更して既存のディスク式ＤＢＭＳをフラッシュ式ＤＢＭＳとして再使用できるのでＤＢＭＳに独立的な方法であり、書き込み演算の回数を減らしてフラッシュメモリーの寿命を伸ばす。 - 特許庁

According to the anchor mounting method, a vertical hole 1a is bored in the pier 1, for embedding the anchor 11, and then the anchor 11 is inserted, followed by arranging the base plate 15 of the base isolation device over the pier, followed by matching an anchor hole 16 formed in the base plate 15 with an anchor location.例文帳に追加

橋脚１にアンカー１１を埋設する縦穴１ａを開けてアンカー１１を挿入し、橋脚の上方に免震装置のベースプレート１５を配置し、ベースプレート１５のアンカー穴１６をアンカー位置に合わせて配置する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can easily obtain a structure holding reliability of an npn-type bipolar transistor mounted on a surface of a semiconductor substrate having a diffusion layer as an element isolation layer; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離層として拡散層を有する半導体基板の表面に搭載されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタの信頼性を確保する構造を容易に得ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a terminating resistor mounting structure and its mounting method for a high-frequency relay capable of establishing a sufficient ground for a terminating resistor and ensuring high isolation (70 db or higher) in a high frequency property.例文帳に追加

終端抵抗の充分なアースを取ることができ、高周波特性において高いアイソレーション（７０ｄｂ以上）を確保することができる高周波リレーの終端抵抗取り付け構造、及びその取り付け方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the thickness of an element isolation film from decreasing in a method for manufacturing a stack-type non-volatile semiconductor storage with a contact electrode that is connected in self alignment manner between stack cell electrodes.例文帳に追加

スタックセル電極同士の間に不純物拡散層と自己整合的に接続されるコンタクト電極を有するスタック型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、素子分離膜の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁

In the semiconductor device and its manufacturing method, defects such as penetration dislocation existing in a crystal layer due to selection growth are set to be element isolation surfaces, thus manufacturing the semiconductor device where a flat element separation surface is formed easily.例文帳に追加

本発明では、選択成長によって結晶層中に内在する貫通転位などの欠陥を素子分離面とすることによって容易に、且つ平坦な素子分離面を形成された半導体素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an isolation insulation film optimum for each surface silicon layer in a method of manufacturing a semiconductor device, by which elements having different surface silicon layer film thicknesses are formed on the same SOI substrate.例文帳に追加

表面シリコン層の膜厚の異なる素子を同一ＳＯＩ基板上に形成する半導体装置の製造方法において、各々の表面シリコン層に対して最適な素子分離絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

This method comprises adding each of (1) silica sol, (2) bentonite, and (3) a high molecular weight coagulant to the fermented liquid food in this order, when the coagulation, the sedimentation, and the isolation the protein turbid substance of the fermented liquid food are conducted.例文帳に追加

発酵液状食品の蛋白混濁物質の凝集沈降分離を行うに際し、発酵液状食品に、▲１▼シリカゾル、▲２▼ベントナイト、▲３▼高分子量凝集剤の添加順序でそれぞれを添加することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which improves recording efficiency by accumulates energy by a laser by means of two heat isolation layers holding a first recording layer and second recording layer composed of inorganic materials in-between and a method of manufacturing for the same.例文帳に追加

無機材料で構成された第１の記録層と、第２の記録層とを挟む２つの熱隔離層によって、レーザーによるエネルギを蓄積し、記録効率を向上させる光学記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To isolate the solid-borne sound propagating to a structural skeleton from a vibration source including traffics such as the railway and the road traffic, and facility appliances by a solid-borne sound isolation method of a columnar member having a simple structure and an existing structure.例文帳に追加

簡単な構造の柱部材及び既設構造物の固体音遮断工法により、鉄道や道路交通等の交通機関や設備機器等の振動発生源から構造物躯体に伝播する固体音を遮断する。 - 特許庁

To provide the construction method for a foundation base isolation structure capable of contriving the reduction of construction cost and the shortness of a construction period and contributing to the saving of a resources without generating large noise and vibration.例文帳に追加

施工コストの低減化および工期の短縮化を図ることができるとともに、大きな騒音や振動を発生することなく、かつ資源の節約にも資することができる基礎免震構造物の構築方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which the variation of patterning is reduced by forming resist of a constant film thickness on an element region, regardless of the existence ratio between the element region and an isolation region.例文帳に追加

素子領域と素子分離領域との存在比によらず、素子領域上に一定の膜厚のレジストを形成することにより、パターニングのばらつきが低減された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which has an element isolation structure showing a proper separation characteristics, by filling the inside of a fine groove with an insulating film of proper film quality but without defects, such as voids.例文帳に追加

微細な溝の内部を、ボイドなどの欠陥の無い良好な膜質の絶縁膜で充填することにより、良好な分離特性を示す素子分離構造を備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.例文帳に追加

メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁

Next, an SiON film 7 is made at the sidewall of the SOI layer 3 by nitriding oxidation treatment, and then element isolation is performed by STI method, and lastly an oxide film 10 and an electrode 10 are made to complete a MOSFET.例文帳に追加

つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層３の側壁面にＳｉＯＮ膜７を形成し、その後、ＳＴＩ法で素子分離を行って、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁

This method of manufacturing the base isolation structure having at least a rubber layer and the steel plate includes a process for transferring an adhesive from an adhesive film body to the surface of the steel plate.例文帳に追加

少なくともゴム層と鋼板とを有する免震構造体の製造方法であって、接着剤フィルム体から接着剤を該鋼板の表面に転写する工程を含むことを特徴とする免震構造体の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing an amino acid-N-carboxy anhydride by which the amino acid-N-carboxy anhydride can be synthesized via a series of steps without requiring isolation and purification of an amino acid carbamate being a precursor, midway through production.例文帳に追加

前駆体であるアミノ酸カーバメートを製造途中で単離精製する必要がなく、一連の工程によりアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を合成可能なアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile memory element and a manufacturing method thereof, in which the generation of a leakage current between cells is prevented by suppressing the generation of a void in a device isolation layer when forming a conductive layer for a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の形成時に、素子分離膜内のボイドの生成を抑制することで、セルとセル間の漏れ電流を防止して信頼性の高い不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an element isolator by which a variation in characteristic caused by the film thickness of element isolator can be suppressed or eliminated in small and large areas of an element isolation in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に於ける素子分離部が狭い領域と素子分離部が広い領域とでの、素子分離の膜厚の差に起因した特性のばらつきの発生を抑制または無くすことが可能な素子分離の製造方法を得ること。 - 特許庁

To display the element structure of a non-volatile storage device having superior element isolation, stably holding two values of at least a high resistance and a low resistance and generating no defective retention, and to provide a manufacturing method for the non-volatile storage device.例文帳に追加

素子分離が良く、かつ少なくとも高抵抗と低抵抗の２値を安定に保持し、リテンション不良が発生しない不揮発性記憶装置の素子構造を示し、かつ、その不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disc wheel enhanced in driving performance, vibration isolation performance, and sound insulating performance without reducing durability and safety from a low input to a high input, and provide the mounting method of the disc wheel to a vehicle.例文帳に追加

小入力時から大入力時に至るまで、耐久性および安全性を損なうことなく乗り心地性能、防振性能および防音性能の向上を図ったディスクホイールおよびその車両への取付方法を提供する。 - 特許庁