「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.例文帳に追加

化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

This forming method of an element isolation film 50b is provided with a second spacer P which form acute angle to the upper part of the side surface of a trench 46, at the upper part of the side surface of the trench 46 in contact with a substrate 40.例文帳に追加

基板と接触されるトレンチの側面の上部に、前記トレンチの側面の上部と鋭角を成す第２スペーサを有する素子分離膜の形成方法である。 - 特許庁

To provide a vibration isolating method, a measuring device for vibration isolation, and a vibration isolating structure, for preventing a projecting part of a ship from resonating in relation to vibration generated by a vibration source of the ship.例文帳に追加

船舶の振動源による振動に対して、その船舶の突起部が共振しないようにするための防振方法，防振用測定装置，及び防振構造を、提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device, capable of obtaining an excellent far field pattern by definitely forming a terracing horizontal plane between a resonator end face and a device isolation face, using a simple method.例文帳に追加

簡便な方法により、共振器端面と素子分離面との間のテラス状の水平面を確実になくして、良好なファーフィールドパターンを得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device improved so that a parasitic MOSFET may not be formed even when a Mesa type isolation technique or an STI isolating method is applied to form a MOSFET in an SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層にＭＯＳＦＥＴを形成するためにＭｅｓａ型分離技術、或いはＳＴＩ分離法を適用した場合でも、寄生ＭＯＳＦＥＴが形成されないように改良された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with at least a channel layer 35, formed on a substrate 30 by an MOVPE method and planar doped layers 37 and 39 formed isolated in at least two layers on the layer 35 via a planar doped isolation layer 38 by the MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法により、基板３０上に形成されたチャネル層３５と、前記チャネル層上にプレーナドープ分離層３８を介して少なくとも２層に分離形成されたプレーナドープ層３７、３９とを少なくとも備える。 - 特許庁

To provide a simple and precise inspection method of a seismic isola tion damper that can inspect the joined state of a part of a lead column body and a flange simply and highly reliably by a nondestructive inspection and the seismic isolation damper which is inspected by the method.例文帳に追加

鉛柱体とフランジの接合状態を非破壊検査による方法で容易かつ確実に調べることが可能な免震ダンパの検査方法及び該検査方法により検査された信頼性の高い免震ダンパを提供する。 - 特許庁

To provide a multipurpose carrying device which makes execution efficiency good and can greatly reduce labor for construction equipment and materials, and a method for the conveyance and carrying-in of equipment and materials in a base-isolation retrofit constructing method using a multipurpose conveyance truck.例文帳に追加

本発明は、施工効率が良く、建設資機材の労務を大幅に減少することの可能な多目的運搬装置、及び多目的搬送台車を用いた免震レトロフィット工法における資機材の搬送入方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To contribute to a house industry by increasing a demand for remodeling work of an existing house by the synergistic effect of constructing this method by solving " an aseismatic method of an existing nonseismic house " of the most preferential problem in " Central Disaster Prevention Council " of a Cabinet Office of Seismic Great Nation of Japan by a base isolation retrofit construction method.例文帳に追加

地震大国日本の内閣府「中央防災会議」での最優先課題の「既設非耐震住宅の耐震化」を、免震レトロフィット工法により、解決できる上にこれを施工する相乗効果により、既設住宅のリフォーム工事等の需要が増し住宅産業に貢献できる。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a metal silicon oxynitride in which the amount of carbon to be intruded is low and also the ratio of metal/Si is satisfactorily controlled, and which can be used as high-k isolation membrane.例文帳に追加

炭素混入量が低く、かつ金属／Ｓｉ比が良好に制御され、良好なｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜として用いることができる金属シリコンオキシナイトライドを製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor device that decreases a compressive stress of shallow trench isolation (STI) and impresses channel directional and channel width directional stresses, thus enhancing the driving capability, and to proved a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＳＴＩの圧縮応力を減少し、チャネル方向とチャネル幅方向の応力を印加することにより、駆動能力を増大したＣＭＯＳ半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of MOSFETs having gate oxide films with different thicknesses and element isolation regions are formed by using a new manufacturing method that employs oxygen implantation, to thereby form a semiconductor integrated circuit device that is superior in performance.例文帳に追加

ゲート酸化膜厚の異なる複数のMOSFETおよび素子分離領域を酸素インプラを用いた新しい製造方法で構築し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

Silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b are formed at a thickness of ≥23 [nm] by thermal oxidation processing and an LP-CVD method along the internal surface of the element isolation grooves 9, 19.例文帳に追加

素子分離溝９、１９の内面に沿って、それぞれ熱酸化処理、ＬＰ−ＣＶＤ法によって２３［ｎｍ］以上の膜厚でシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a foundation base isolation structure using a two layer separation type footing generally adaptable for a general foundation structure provided with a footing foundation structure and a repair method for the structure.例文帳に追加

フーチング基礎構造を備えている基礎構造一般に適用することができる２層分離型フーチングを用いた基礎免震構造およびその構造の場合の補修工法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To contrive cost down and utilize a space in an engine room effectively by a method wherein the number of set of isolation transformers is reduced by equipping a plurality of secondary windings electrically independent to each other in a secondary side.例文帳に追加

二次側に互いに電気的に独立した複数の二次巻線を備えることで、絶縁トランスの台数を削減し、これにより、コストダウンを図るとともに機関室内のスペースを有効利用する。 - 特許庁

To provide a game server, a game machine and a game managing method for enabling a player to play a game at ease while keeping game amusement and a problem of isolation from consumers can be solved as a result.例文帳に追加

ゲームの面白みを保持させたまま、遊技者が安心して遊技を行うことができ、それにより客離れの問題を解消し得る遊技サーバ、遊技機及び遊技管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate, in which isolation effect between wiring conductors is superior and further warpages, etc., caused by the difference in sintering shrinkage factors between ceramic layers is hard to cause in a baking process.例文帳に追加

配線導体間のアイソレーション効果に優れ、かつ焼成工程において各セラミック層間の焼結収縮率の差による反り等が生じにくい、多層セラミック基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on a boundary between a first element isolation layer 12 and an SOI element forming region 13.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、まず、第１素子分離層１２とＳＯＩ素子形成領域１３との境界上に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a DTMOS, which will not cause increase in defects of off-leak, even if the distance from the gate electrode end to the isolation region is reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極端から素子分離領域までの距離が小さくなっても、オフリークの増加不良を起こさないＤＴＭＯＳを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cap for a reagent vessel allowing preparative isolation without detaching the cap from an opening part when fractionating the reagent by a fractionation prove, and a method of preventing evaporation or the like of the reagent using the cap.例文帳に追加

分取用プローブによる試薬の分取に際し、開口部からキャップを取り外すことなく分取操作が可能な試薬容器のキャップと、このキャップを用いた試薬の蒸発等の防止法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate includes the steps of forming a coupling substrate 30 by coupling a first substrate 10c to a second substrate 20 after the substrate 10c is formed, and thereafter dividing the substrate 30 by a part of an isolation layer 15.例文帳に追加

第１基板１０ｃを作成した後に該第１基板１０ｃを第２基板２０に結合させて結合基板３０を作成し、その後、結合基板３０を分離層１５の部分で分割する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a fine porous film, capable of manufacturing the film while saving space and manufacturing the film having an excellent film surface and a bore size suitable for isolation and purification of nucleic acid.例文帳に追加

省スペースで製造することができ、かつ、良好な膜面を有し核酸の分離精製に適した孔径を製造することができる微細多孔質膜の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented.例文帳に追加

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。 - 特許庁

A trench 7 is provided to a silicon layer 3 by anisotropic dry etching through the opening 6 of a trench forming mask, and an oxide film 9 is formed as an isolation insulating film inside the trench 7 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン層３にトレンチ形成マスクの開口部６から異方性ドライエッチングによりトレンチ７を形成し、その内部に分離絶縁膜としての酸化膜９をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables to compensate for impurities dispersed away from a channel region even if a MOS-type element is shrunk and its element isolation region is reduced in size.例文帳に追加

ＭＯＳ型素子の微細化およびその素子分離領域の縮小化を図っても、チャネル領域から散逸する不純物を補填することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method of manufacturing the same wherein floating gates each is isolated in a semiconductor substrate by an element isolation film to shut off the interference among the floating gates in the flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートが半導体基板内で素子分離膜により分離されてフローティングゲート間の干渉を完璧に遮断するフラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a coaxial cable harness for soldering ground bars to external conductors of a plurality of coaxial cables in a lump without lowering insulation resistance and an isolation voltage.例文帳に追加

絶縁抵抗や絶縁耐圧の低下を生じさせることなく、複数の同軸ケーブルの外部導体にグランドバーを一括して半田付けすることができる同軸ケーブルハーネスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which polishing can be effected with high planarity, without increasing the number of steps when a trench element isolation is formed by polishing an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜の研磨によってトレンチ素子分離を形成する際、工程数を増加させることなく平坦性の良好な研磨を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby leakage is prevented by increasing a current path between cells without deeply etching a device isolation region, so that the degradation of an active region can be prevented.例文帳に追加

素子分離領域を深くエッチングせずにセル間の電流経路を長くして漏れを防止し、活性領域の崩壊を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a vibration isolation method of a diesel engine that eliminates the need for complicated horizontal accuracy adjustment and can attenuate vibration transmitted to an attachment face from the diesel engine while suppressing the vibration displacement of the diesel engine.例文帳に追加

煩雑な水平精度調整が不要で、ディーゼル機関の振動変位を抑制しながらディーゼル機関から据付面へ伝わる振動を減衰できるディーゼル機関の防振方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device for protecting a trench side surface and preventing segregation of boron (B) and leakage current when using a polysilazane (PSZ) oxide film for trench embedding.例文帳に追加

トレンチ埋め込みにＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）酸化膜を使用する際、トレンチ側面の保護、ボロン(boron; B)の偏析(segregation)を防止し、漏洩電流(leakagecurrent)を防止するための半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing deterioration of element isolation breakdown voltage, and for improving the yield of a fragmented and highly integrated semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

素子分離耐圧の劣化を防止することができ、微細化及び高集積化した半導体装置の歩留を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a constitution capable of securing high quality and high reliability even when an aspect ratio in an element isolation region of an STI structure becomes high, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩ構造素子分離領域のアスペクト比が高くなっても品質及び信頼性の高さを確保することが可能な構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a production method therefor, with which the generation of a void on an insulating film embedded in a trench for element isolation can be suppressed even when the aspect ratio of that trench becomes high.例文帳に追加

素子分離用トレンチのアスペクト比が高くなっても、そのトレンチ内に埋め込まれる絶縁膜にボイドが発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, since production amount of similar substances which have been a problem in conventional production methods is 1/10 to 1/100, the above production method makes purification and isolation of the objective compound extremely ready.例文帳に追加

一方、従来の生産方法において問題となっていた類似物質の生産量は、その１０分の１から１００分の１以下であり、目的化合物の精製・単離は極めて容易となる。 - 特許庁

To provide an insulating film forming method for element isolation which can prevent the occurrence of defect on a semiconductor substrate and is hard to generate dispersion of height of STI step difference.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体基板上に欠陥が発生することを抑制でき、かつＳＴＩ段差の高さのばらつきが発生しにくい素子分離用絶縁膜形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of lengthening a service life of a peripheral circuit element and preventing a crystal defect caused by heat treatment of a post step or the like from occurring in an element isolation groove part of a peripheral circuit region.例文帳に追加

周辺回路素子の寿命を長くすると共に、後工程の熱処理等により周辺回路領域の素子分離溝部分に結晶欠陥が発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a transistor which is formed in an SOI layer of an SOI substrate and has excellent transistor characteristics even when the SOI layer is isolated by an element isolation region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層を素子分離領域によって分離しても、ＳＯＩ層に形成され、良好なトランジスタ特性を有するトランジスタを含む半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a laminated shared unit which is used for communication apparatuses or the like and possessed of excellent isolation characteristics between a transmitting and a receiving terminal and a method of regulating the same.例文帳に追加

本発明は通信機器等に用いられる積層型共用器に関するものであって、送、受信端子間のアイソレーション特性の良い積層型共用器及びその調整方法を提供するものである。 - 特許庁

The transfer method for functional region includes transferring at least part of a functional region 106 disposed while bonded onto a first isolation layer 105 of a first substrate 103 to a second substrate 100.例文帳に追加

機能性領域の移設方法では、第１の基板１０３の第１の分離層１０５上に接合されて配されている機能性領域１０６の少なくとも一部を第２の基板１００に移設する。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device including a capacitance element in which the capacitance thin film can be made thin without increasing the number of steps and an isolation region can be prevented from becoming thin.例文帳に追加

容量素子を含む半導体装置の製造方法において、工程を増加を招くことなく容量絶縁膜を薄膜化できるようにし、また、素子分離領域の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁