「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The underground structure execution method is provided to perform execution work for base isolation, waterproofing, prevention of a crack, dispersion of a load or reinforcement around an underground structure.例文帳に追加

地下構造物の周囲に免震、防水、亀裂防止、荷重分散あるいは補強の施工を行うようにした地下構造物の施工方法とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with changed element isolation structure with improved carrier migration property, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は改良されたキャリア移動性を有する変更された素子分離構造を備える半導体素子とその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit device wherein stress that the channel region of a transistor suffers from the trench isolation is uniformized, and also to provide a method of simulating the circuit thereof.例文帳に追加

トランジスタのチャネル領域がトレンチ分離から受けるストレスが均一化された半導体回路装置及びその回路シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which corresponds to fining of semiconductor device and enables formation of a contact hole wherein deterioration of isolation characteristic is restrained.例文帳に追加

半導体装置の微細化に対応し、素子分離特性の劣化を抑えたコンタクトホールの形成が可能である半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a clock extraction method which stably and economically obtains a frequency divided clock signal required for a time division isolation system of optical communication.例文帳に追加

光通信の時分割分離方式に必要な分周クロック信号を安定かつ経済的に得ることができるようなクロック抽出方法を提供する。 - 特許庁

This fault isolation method includes a step for attaching a probe to at least one pin out of respective sub-circuits 32-38 in a digital electronic unit 10.例文帳に追加

故障分離方法は、プローブを前記ディジタル電子装置（１０）の各サブ回路（３２−３８）の少なくとも１つのピンに取り付けるステップを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which concentration of residual stress is prevented by improving the form of a trench element isolation film.例文帳に追加

トレンチ素子分離膜の形状を改良して、残留応力の集中を防止し得るようにした半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the device, the element is formed on the substrate insulating layer, and then an element isolation insulating film is formed on the substrate insulating layer.例文帳に追加

また、その製造方法として、基板上の基板絶縁層に素子を形成した後、基板絶縁層上に素子分離絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dielectric isolation substrate, whereby an insulation film on element-forming regions can be removed, without using a photoresist as a mask.例文帳に追加

フォトレジストをマスクとして用いないで、素子形成領域上の絶縁膜を除去できる誘電体分離基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of preventing generation of leakage current and performing element isolation at a temperature, at which a glass substrate can be used, and forming a minute element.例文帳に追加

リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses decrease in the drive current, due to stresses by alleviating the stress at element isolation and formation time, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離形成時の応力を緩和し、応力による駆動電流の低下を抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can restrain the influence of a parasitic MOS, coping with micronization of element and element isolation.例文帳に追加

素子および素子分離の微細化に対応して、寄生ＭＯＳの影響を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element wherein level of integration is increased by reducing the area occupied by an element isolation film, and to provide a semiconductor element.例文帳に追加

素子分離膜が占める面積を小さくすることにより、集積度の向上させた半導体素子の製造方法および半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of removing a semiconductor layer (SOI layer) from an element isolation region by etching in an element isolating step of isolating to form a plurality of element regions.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of appropriately avoid the reduction in isolation withstand voltage without accompanying any bad influence such as junction capacitance increase, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接合容量の増加等の弊害を伴わずに分離耐圧の低下を適切に回避し得る、半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which the loss of thickness in an LOCOS film can be reduced and the isolation characteristic of element can be improved.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜厚ロスを減少させ、例えば素子分離特性等の改善を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for the isolation, creation or directed evolution of a gene encoding a novel molecule capable of having a desired interaction with a substrate of interest.例文帳に追加

対象基質と所望の相互作用が可能な新規分子をコードする遺伝子の単離、創製または方向づけられた進化のための方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR IDENTIFICATION AND RELATIVE DETERMINATION OF PROTEIN BASED ON SELECTIVE ISOLATION OF RRNK PEPTIDE FOR SIMPLIFYING COMPLICATED PROTEINIC MIXTURE例文帳に追加

タンパク質の複雑な混合物を単純化するためのＲＲＮＫペプチドの選択的単離に基づくタンパク質の同定及び相対的定量の方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a buried isolation region of such a shape as sufficient for isolating an element, and its fabricating method.例文帳に追加

素子を分離するのに充分な形状を持つ埋込型の素子分離領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a low cost adsorbent and a low cost isolation method for isolating a substance X such as boron and arsenic that ionizes in an alkaline solution.例文帳に追加

ホウ素やヒ素のようにアルカリ溶液中でイオン化する物質Ｘを低コストで分離することができる吸着剤および分離方法を提供すること。 - 特許庁

The present invention also provides a method of manufacturing the semiconductor structure in which the embedded e-fuse and trench isolation regions are formed almost at the same time.例文帳に追加

本発明はまた、埋め込まれたｅヒューズが、トレンチ分離領域とほぼ同時に形成される半導体構造体を製造する方法も提供する。 - 特許庁

To provide a controllable method for solving the problem of corner parasitic current conduction, at shallow trench isolations having narrow devices.例文帳に追加

ＳＴＩ（shallow trench isolation）、特に幅の狭い装置を有するＳＴＩにおけるコーナー寄生電流伝導の問題を解決するための、制御可能な方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the semiconductor device, the element isolation film 2 having the openings 2b, 2c is formed on a semiconductor substrate 1 of a first conductivity type.例文帳に追加

本半導体装置の製造方法では、第１導電型の半導体基板１に、開口部２ｂ，２ｃを有する素子分離膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of preventing deformation and loss of a photoresist when etching a trench for isolation of a cell region.例文帳に追加

セル領域のアイソレーション用トレンチエッチングの際にフォトレジストの変形および損失を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a first epitaxial layer on a semiconductor substrate, and forming a plurality of isolation regions by etching the layer.例文帳に追加

半導体基板上に第１エピタキシャル層を形成し且つ該層をエッチングして複数の分離領域を形成することを包含する方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises a step of forming a trench adjacent to the DRAM cells and a silicon acid nitriding isolation liner at either side of the DRAM cells.例文帳に追加

当該方法には、ＤＲＡＭセルに隣接するトレンチと、ＤＲＡＭセルのいずれかの側にあるシリコン酸窒化分離ライナーとを形成するステップが含まれる。 - 特許庁

To provide a sound isolation method for effectively reducing noises (air propagation sound + solid propagation sound) radiated from the lower surface or the side of a steel girder bridge such as a railroad or the like with a simple structure.例文帳に追加

鉄道等の鋼桁橋の下面や側面から放射される騒音（空気伝搬音＋固体伝搬音）を簡素な構造で効果的に低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.例文帳に追加

素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric-wire protecting pipe for a base-isolation building having both flexibility and toughness, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

柔軟性及び強靭さの双方を有する、免震建築物用電線保護パイプ及び免震建築物用電線保護パイプの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor nonvolatile memory, using self aligned shallow trench isolation cell(SA-STI) suited to high integration by improving the quality thereof.例文帳に追加

品質を向上して、高集積化に適したＳＡ−ＳＴＩセルを用いた半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible tube induction jig for a plurality of flexible tubes set in a seismic-isolation structure and a method for setting the flexible tube induction jig.例文帳に追加

免震化構造物に設置された複数の可とう管用の可とう管誘導治具及びその可とう管誘導治具設置方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method uses the angular deposits so as to cause overhanging on the tip of an opening that defines lithographic isolation to a tunneling barrier position.例文帳に追加

製造方法は、トンネリング障壁位置に対するサブリソグラフィー分離を規定する開口部の頂部にオーバーハングを生成すべく、角度付き堆積を使用する。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

To provide a division type base isolation device providing high strength as a whole and enabling base isolation construction only by jacking up existing apparatus even in a small working space, and a method for isolating base of the existing apparatus or the like by using the same.例文帳に追加

全体として高い強度が得られるとともに、狭い作業スペースであっても、既設の機器類をジャッキアップするのみで免震化工事を施工することが可能になる分割型免震装置およびこれを用いた既設機器類の免震化工法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming a trench element isolation without exposing the side wall of a semiconductor substrate and laying out interconnect lines on the semiconductor substrate where the trench element isolation is formed without causing a short circuit between electrodes.例文帳に追加

半導体基板の側壁を露出することなくトレンチ素子分離を形成し、かつ当該トレンチ素子分離が形成された半導体基板上に電極間をショートさせることなく配線形成を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sorting method for restraining accumulation probability, where an operating voltage V is within a standard voltage range, to less than a predetermined reference accumulation probability even if an isolation valve 44 is reused in a next second period W2 in the isolation valves 44 for gas meters used in a first period W1.例文帳に追加

第１の期間Ｗ１、使用したガスメータの遮断弁４４のうち、次の第２の期間Ｗ２、再使用しても、動作電圧Ｖが規格電圧範囲内になる累積確率を、予め定める基準累積確率未満に小さく抑えるための選別。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can secure a gate work margin and can suppress the fluctuations of transistor characteristic by reducing the drop of a trench end part in the semiconductor device, where an element isolation region by means of STI(shallow trench isolation) is formed.例文帳に追加

ＳＴＩによる素子分離領域が形成された半導体装置において、トレンチ端部の落ち込みを低減することにより、ゲート加工マージンを確保でき、また、トランジスタ特性の変動を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device in which breakdown strength of an element isolation area or a well isolation area is maintained and which can satisfy accuracy in embedding an insulating substance in a trench constituting such areas, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域またはウエル分離領域の耐圧性の維持、またそれらを構成するトレンチ内への絶縁性物質の埋め込み精度を満足させる信頼性の高い半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for synthetic reaction, by which an N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is synthesized in a high reaction yield and a recovery method by which an isolation operation after the reaction is simplified and the N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is obtained in a high yield after the isolation operation.例文帳に追加

高い反応収率でＮ−アルコキシカルボニル−ｔｅｒｔ−ロイシンを合成できる合成反応方法及び反応後の単離操作を簡略化することができると共に、単離操作後に高い取得収率でＮ−アルコキシカルボニル−ｔｅｒｔ−ロイシンを得ることが可能な回収方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a new method for identification and isolation of a DNA, and to provide a new method for recombinant production of polypeptide characterized by the presence of a GFRα3 sequence which is a new α-subunit receptor.例文帳に追加

新規なＤＮＡの同定および単離、ならびにα−サブユニットレセプターであるＧＦＲα３配列の存在によって特徴付けられる新規なポリペプチドの組換え産生方法の提供。 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the marine isolation method of carbon dioxide, which is applied to a ship towage system of a marine isolation technique for dissolving/diluting a large quantity of carbon dioxide in the intermediate layer of the ocean and in which carbon dioxide is dissolved by making effective use of the intermediate layer of the ocean being a specified discharge site.例文帳に追加

多量の二酸化炭素を海洋中層へ溶解希釈させる海洋隔離技術の船舶曳航方式に適用され、指定された放出サイトの海洋中層を有効に利用して二酸化炭素を溶解させる二酸化炭素海洋隔離方法を提供すること。 - 特許庁

In the vibration isolation method mounting a ground structure on an upper foundation by piling the upper foundation on a lower foundation, a base isolation device is so provided that it is fixed to one foundation and that it is slidable to the other foundation, and it is provided by fixing a damping device between one foundation and the other foundation.例文帳に追加

下部基礎上に上部基礎を積載して上部基礎上に地上構造物を搭載する免震構法において、一方の基礎に固定され他方の基礎に摺動自在となるように免震装置を設け、一方の基礎と他方の基礎の間に減衰装置を固定して設ける。 - 特許庁

To provide a network fault isolation method by which even a user having no high skill capable of understanding a communication protocol can deal with a fault at the time of the construction/formation of a network without requiring perfect protocol analysis at an application level, and to provide a network fault isolation tool and a program.例文帳に追加

アプリケーションレベルでの完全なプロトコル解析を必要とせず、通信プロトコルを理解できる高いスキルを持った人でなくてもネットワークの構築・施工時の障害に対応することができるネットワーク障害切り分け方法、ネットワーク障害切り分けツール及びプログラムを提供することにある。 - 特許庁