「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an N-unsubstituted imidic acid ester alkylsulfate and an N-unsubstituted amidinium alkylsulfate by which an additional neutralization step or isolation of a slightly soluble intermediate of an imidic acid ester salt is avoided.例文帳に追加

付加的な中和工程又は微溶性のイミド酸エステル塩の中間体の単離を回避する、Ｎ−非置換イミド酸エステルアルキルスルフェート、Ｎ−非置換アミジニウムアルキルスルフェートの製造方法。 - 特許庁

To provide an encryption processing method, a key isolation type encryption system and a terminal device which can more flexibly perform key update encryption processing without degrading security for encrypted information.例文帳に追加

暗号化された情報の安全性を低下させることなく、より柔軟に鍵更新暗号化処理を行うことができる暗号化処理方法、鍵隔離型暗号システム及び端末装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element that stabilizes the element isolation of the nitride semiconductor element to realize an excellent ohmic contact between a substrate and an electrode and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体素子の素子分離を安定化させて、基板と電極との良好なオーミック接触を実現する窒化物半導体素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a maleimidocarboxylic acid polyol ester derivative in high yield by using maleic anhydride and an aminocarboxylic acid as starting materials via no intermediate isolation step.例文帳に追加

無水マレイン酸とアミノカルボン酸を出発原料として、中間体の単離工程を経由することなく、マレイミドカルボン酸ポリオールエステル誘導体を高収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Blood coagulation factor VII activating protease produced by isolation from plasma or transgenic or recombination method is used for prevention and therapy of vaso-proliferative disorders or oncosis.例文帳に追加

血漿から単離されたまたはトランスジェニックまたは組換えで生産された血液凝固VII因子活性化プロテアーゼを血管増殖性疾患または腫瘍症を予防および治療するために使用する。 - 特許庁

To prevent lowering of base isolation performance by a method wherein a constantly specified friction damping force is generated by removing dust and a moisture content from the surface of a bed slide over which a skid is slid.例文帳に追加

滑り材が滑動する滑り板の表面から塵埃や水分を除去することにより、常時一定した摩擦減衰力を発生させて免震性能が低下されるのを防止する。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method of a semiconductor device, that can prevent a silicon active region from being reduced, when carrying out a process for isolating a shallow trench element to prevent reduction of a cell current.例文帳に追加

浅いトレンチ素子分離工程時にシリコン活性領域が減少することを防ぎ、それによるセル電流減少を防ぐことができる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which cancels an insulation fault in the nonvolatile semiconductor memory device which carried out isolation formation with an STI technology, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＳＴＩ技術によって素子分離形成した不揮発性半導体記憶装置において絶縁不良を解消した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ground base-isolation method (a construction method hardly transferring a ground motion to a building foundation), which enables construction to be inexpensively performed in a short-term process by enabling the easy construction requiring only the superposition of a ground base-isolated structure on an improved ground stratum.例文帳に追加

地盤免震工法は、改良地盤層上に地盤免震構造を積層するのみの簡単な施工とし、短期間での工程で低価格に施工できる地盤免震工法（地盤の動きを建物の基礎に伝えにくくする工法）を提供する。 - 特許庁

To provide a moving method of a structure by which a base-isolation-supported structure can be moved without regard to a weight or a size of the structure, and to provide a building having the structure which is moved by this moving method of the structure.例文帳に追加

免震支持された構造物をこの構造物の重量や規模に関係なく移動させることが可能な構造物の移動方法、及びこの構造物の移動方法によって移動させる構造物を有する建築物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of circuit devices is performed by a method, where a conducting foil 60 is prepared and isolation grooves 61 shallower than the thickness of the foil 60 are formed in the foil 60 removed at least the regions, which are used as conducting paths 51A and 51B, to form a plurality of the paths 51A and 51B.例文帳に追加

導電箔６０を用意し、少なくとも導電路５１Ａ・５１Ｂと成る領域を除いた前記導電箔６０に、当該導電箔の厚みよりも浅い分離溝６１を形成して複数の導電路５１Ａ・５１Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for performing plasma etching on tungsten silicide on polysilicon, the method being useful particularly for manufacturing flash memory requiring the long over etching time of micro loading and having both of a dense area and an isolation (iso) area.例文帳に追加

マイクロローディングによる長時間のオーバーエッチングを要する、緊密に密集した領域と隙間のある（ｉｓｏ）領域との両方を有するフラッシュメモリを製造するのに特に有用な、ポリシリコン上の珪化タングステンをプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical semiconductor element includes a step of forming a protection layer 4 by applying the protection layer forming composition on the surface of semiconductor layers 2, 3 formed on a substrate 1, a step of forming an isolation groove 6 by irradiating laser from above the protection layer 4, and a step of removing attachments generated when the isolation groove 6 is formed.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 - 特許庁

To provide a trench embedding composition excellent in embedding property to a trench (groove) having an opening width of a nanometer level on a substrate surface and a large aspect ratio capable of suppressing the generation of a defect such as a void, and suitable for manufacturing an isolation structure having excellent electrical insulation properties, and to provide a method for manufacturing a trench isolation structure using the composition.例文帳に追加

基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile semiconductor memory device capable of improving the inversion pressure resistance of a field transistor and the pressure resistance of an insulating film between a floating gate and a control gate, by protecting an element isolation region or producing method for non-volatile semiconductor memory device capable of improving throughput by protecting element isolation without using a lithography process.例文帳に追加

素子分離領域を保護することにより、フィールドトランジスタの反転耐圧及び浮遊ゲート・制御ゲート間絶縁膜の耐圧を向上出来る、高信頼性の不揮発性半導体記憶装置、またはリソグラフィ工程を用いずに素子分離を保護することで、スループットを向上できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing upper and lower shoes of a base isolation device for omitting a cutting step requiring a large amount of time and labors to reduce costs, and not generating a clearance inconvenient for performing a supporting function and a base isolation function without a non-shrinkable grout material as a filler material after solidification of the filler material.例文帳に追加

多くの時間、手間を要する切削工程を省くことができてコストの低減を図り得る上に、充填材として無収縮性のグラウト材を用いなくても支持機能、免震機能を発揮する上で不都合な隙間を充填材の固化後に生じさせることがない免震装置の上沓及び下沓の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse blocking insulated-gate bipolar transistor having low ON-voltage and low switching loss characteristics whereby a high temperature heat treatment time under atmosphere of an oxygen required for forming an isolation layer can considerably be reduced, and the isolation layer can be formed without newly bringing in oxygen working as a cause to variations in the impurity concentration profile of a drift layer.例文帳に追加

分離層形成に必要な酸素雰囲気中で高温熱処理時間を大幅に短縮でき、ドリフト層の不純物濃度プロファイル変動の原因となる酸素を新たに取り込むことなく分離層を形成できる低オン電圧、低スイッチング損失特性を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a bread yeast obtainable easily and stably in a simple way through solving the problem that, in developing bread yeast, conventional methods including method of isolation from natural products, mutation treatment method for conventional strains and cross breeding method for conventional strains have required much labor and time, and to provide a method for producing the bread yeast.例文帳に追加

パン酵母の開発に際し、従来の方法、すなわち天然物からの分離法、従来菌株の変異処理法、従来菌株同士の交雑育種法などが多大な人手と時間とを要するという問題の解決、即ち、容易にかつ単純な方法により、安定的に取得できるパン酵母とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the base isolation plug, the base isolation plug for the base isolation device is molded by pressure-molding two pressure receiving faces while putting a powder material filled in a metal mold between them.例文帳に追加

金型内に充填された粉体材料を挟み込んで、２面の受圧面を加圧成形し、免震装置用の免震プラグを成形するに当たり、粉体材料の２面の受圧面のうち、一方の面を周辺部に比し中央部が陥没した形状に、他方の面を周辺部に比し中央部が突出した形状に夫々加圧成形し、次いで、該一方の面を周辺部に比し中央部が突出した形状に、該他方の面を周辺部に比し中央部が陥没した形状に夫々加圧成形することを特徴とする免震プラグの製造方法製造方法である。 - 特許庁

To provide a seismic isolation method for an existing building having a small amount of support to be removed by reducing the diameter of supports to be arranged between a beam attached to an existing column and a slab for supporting the upper load.例文帳に追加

上部荷重を支持するためにスラブと既設柱に取り付く梁との間に配置する支柱を柱径の小さいものにして除去する支柱の切除量が少ない既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of enhancing a reliability of the flash memory element to which a shallow trench isolation (STI) process is applied and capable of being miniaturized.例文帳に追加

本発明は、シャロートレンチアイソレーション(shallow trench isolation：ＳＴＩ)工程が適用されるフラッシュメモリ素子の信頼性を向上させ且つ縮小化を図ることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide porous interior material using a porous particulates as a main material, having sufficient effects of thermal insulation property, sound isolation property, deodorization property, and hygroscopic property with excellent construction workability and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

断熱性、遮音性、脱臭性、吸湿性について十分な効果を有し、施工時の作業性にも優れた多孔性粒状物を主材にした多孔性内装材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of releasing the pair of the liquid crystal panel glass plates enclosing the liquid crystal is characterized by dipping the liquid crystal panel glass body in a potassium hydroxide solution so as to make isolation of the glass plate easier.例文帳に追加

液晶パネルガラスにおける液晶を封入した一対のガラス板の剥離方法において、液晶パネルガラス本体を水酸化カリウム溶液に浸漬し、ガラス板を遊離しやすくさせることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子間酸素濃度またはＯＳＦ密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can improve embedding properties of an insulating film by preventing each of corner portions from being angulated at a lower portion of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の下部において、各コーナー部が角張った形状に形成されないようにすることで、絶縁膜の埋め込み性を良好にすることができる半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁

CONSTRUCTION METHOD FOR INSTALLING SLIDING BRACKET, MAIN BODY SUPPORT BOARD, AND BUFFER CONNECTOR IN FOUNDATION AND BUILDING WITH EXISTING BUILDING HELD IN ITS FIXED POSITION AND IMPROVING EXISTING BUILDING INTO BASE ISOLATION STRUCTURE ISOLATING EARTHQUAKE SHOCK BETWEEN FOUNDATION AND SILL例文帳に追加

既存建築物を定位置のまま、摺動ブラケット、本体支持板、緩衝連結具を基礎部と建築物に設置し、地震の揺れを基礎部と土台間で遮断する既存建築物を免震構造に改良する施工方法。 - 特許庁

To provide a novel thermostable crystalline modified form of N-methyl-N-[(1S)-1-phenyl-2-{(3S)-3-hydroxypyrrolidin-1-yl}ethyl]-2,2-diphenylacetamide and to provide a method for isolation of the same in a new form.例文帳に追加

新規な熱安定性結晶変態形のＮ−メチル−Ｎ−［（１Ｓ）−１−フェニル−２−｛（３Ｓ）−３−ヒドロキシピロリジン−１−イル｝エチル］−２，２−ジフェニルアセトアミド、及びこれをこの新規な形で分離する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer for which an active layer wafer and a supporting substrate wafer can be directly laminated and the number of manufacturing processes and a manufacturing time can be reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを、直接、貼り合わせ可能で、製造工程数が削減し、製造時間も短縮する貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a support structure and a support construction method of a structure capable of exerting high seismic isolation performance and preventing subsidence and inclination of the structure by preventing liquefaction of the ground.例文帳に追加

高い免震性能を発揮することができるとともに、地盤の液状化を防止することにより、構造物の沈下や傾斜を防止することができる構造物の支持構造および支持工法を提供する。 - 特許庁

To provide an assembling method of sectional boards for allowing quick assembling and application to various buildings, wall plates, floor plates, roofs, containers and the like, and achieving sound, temperature, electricity, moisture, and water isolation effects in the buildings.例文帳に追加

迅速に組み立てられ、各種建築、壁板、床板、屋根、コンテナ等に応用でき、その建築物に音、温度、電気、湿気、水分を隔離する効果を達することができる、組立式ボードの組み立て方法の提供。 - 特許庁

To avoid forming crystal defects originating from the corners of trenches and ensure a stable operation property of a semiconductor device having an isolating oxide film formed by the trench isolation method.例文帳に追加

本発明はトレンチ分離の手法で形成される分離酸化膜を備える半導体装置に関し、トレンチ溝の角部を起点とする結晶欠陥の発生を防止し、かつ、安定な動作特性を確保することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method of insulating and isolating a transparent electrode layer with a good processability without forming a wall in an isolation groove and damaging a glass, and to improve output characteristics of an integrated thin film photoelectric converting apparatus.例文帳に追加

分離溝に壁を形成せずガラスにダメージを与えることなく、良好な加工性で透明電極層を絶縁分離する方法を提供し、集積型薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent the occurrence of a leakage failure between base-collector caused, by etching to a sub-collector region penetrating an external base layer, a trench isolation region (STI) in the etching of via hole on the external base layer.例文帳に追加

外部ベース層上のヴィアホールのエッチングにおいて外部ベース層、トレンチ分離領域（ＳＴＩ）を突き抜けてサブコレクタ領域までエッチングしてしまい、ベース・コレクタ間リーク不良が発生することを防止する。 - 特許庁

This method of manufacturing a stacked base isolation bearing 10 comprises the step of forming the plug 4 by containing an elastically deformable material in a mold and pressing and forming it and the step of inserting the plug 4 into a hollow part 5.例文帳に追加

塑性変形材料を金型に収容したあとこれを加圧成形してプラグ体４を形成する工程と、中空部５にこのプラグ体４を挿入する工程とを経て積層免震ベアリング１０を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of preventing cut of an element isolation film in a process of forming a dual work function structure such as a dual metal gate structure and a dual High-k structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造およびデュアルＨｉｇｈ−ｋ構造などのデュアル仕事関数構造の形成プロセスにおける素子分離膜の削れを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is employed a method for controlling the active base isolation, in which an evaluation function in optimum feedback control is determined by independently weighing the absolute acceleration and the relative displacement of a floor 2A or a building 2B.例文帳に追加

最適フィードバック制御における評価関数を、床２Ａあるいは建物２Ｂの絶対加速度と相対変位とに独立に重みをかけるような形で構成したアクティブ免震の制御方法を用いる。 - 特許庁

To provide a method and device for intermittently forming an even CVD film with no void, related to a trench isolation for element separation.例文帳に追加

半導体デバイス製造方法において、半導体デバイスＣＶＤ膜形成方法に関し、特には，素子分離のための、トレンチアイソレーションにおいて、均一で、ボイドのないＣＶＤ膜を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide an epoch-making electronic component capable of preventing the deterioration of electric insulation of electronic component elements owing to the fact that burrs generated in an electrode foil damage an isolation paper, and a method of manufacturing the electronic component.例文帳に追加

電極箔に発生するバリが隔離紙を破損させて電子部品の素子の電気絶縁性能を悪化させるのを防止することができる画期的な電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a structure, wherein even though a step is generated in element isolation regions, a short circuit between contact plugs can be prevented from being generated and the full reliability of the device can be ensured without making wiring expose, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

素子分離領域に段差が発生しても、コンタクトプラグの短絡を防止でき、かつ、配線が露出することがなく十分な信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The isolation method of purified palladium hexafluoroacetylacetonate comprises crystallizing crude palladium hexafluoroacetylacetonate from at least one solvent selected from among cyclohexane and 7-10C hydrocarbon solvents to isolate it.例文帳に追加

粗パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートを、シクロヘキサン、および、炭素数７〜１０の炭化水素系溶媒から選ばれた少なくとも１種類の溶媒から晶析し、単離する精製パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートの単離方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can eliminate fault by surface unevenness of an embedded polycrystalline silicon layer when element isolation is performed by embedding polycrystalline silicon in the trench of a substrate.例文帳に追加

基板の溝に多結晶シリコンを埋め込むことにより素子分離を行う際に、埋め込まれた多結晶シリコン層の表面凹凸による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁