「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To propose a method for constructing a seismic isolated structure capable of easily performing the high-quality seismic isolation of an existing structure without changing the overground part thereof.例文帳に追加

地上部分に手を加えることなく既設構造物の免震化を簡易かつ高品質に行うことを可能とした免震構造の構築方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which forms a double profile at an upper corner of an active region, when an element isolation film is formed of steps of manufacturing the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ製造工程のうち素子分離膜を形成する際に活性領域の上部角に二重プロファイルを形成するフラッシュメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the circuit device, a first isolation trench 41 is formed on the surface of a conductive foil 40, and the conductive pattern to be formed is formed in a projected shape.例文帳に追加

本発明の回路装置の製造方法では、導電箔４０の表面に第1の分離溝４１を設けて、形成予定の導電パターンを凸状に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SRAM where the characteristic variation of a MIS transistor caused by the stress of an element isolation area is suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域の応力によるＭＩＳトランジスタの特性変動を抑制したＳＲＡＭを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, an intrinsic base diffusion layer 7 is formed in almost a central part of a semiconductor region 2 which is enclosed with an isolation insulation film 3 in a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面において分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に真性ベース拡散層７を形成する。 - 特許庁

There are provided a method for isolation of CDR in a defined framework that is stable and soluble in a reducing environment as well as scFv obtained thereby.例文帳に追加

還元環境において安定性かつ可溶性である規定されたフレームワーク内のＣＤＲの単離方法と同様に、そのようにして得られるｓｃＦｖが記載される。 - 特許庁

To provide a failure handling support system, failure handling support method and failure handling support program enabling an operator to quickly perform primary isolation.例文帳に追加

オペレータによる一次切り分けを迅速に行えるようにする障害対処支援システム、障害対処支援方法及び障害対処支援プログラムを提供すること - 特許庁

Element isolation grooves 5 are formed in a wafer 1, using a chemical and mechanical polishing method, and thereafter impurities for adjusting the threshold voltages of MISFETs are introduced in the wafer 1.例文帳に追加

化学機械研磨法を用いてウエハ１に素子分離溝５を形成した後、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を調整するための不純物をウエハ１に導入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an element isolation film that has a low relative dielectric constant and can maintain the low relative dielectric constant for a long period, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

比誘電率が低く、この低比誘電率を長期にわたって維持することができる素子分離膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench isolation structure, which is suitable to miniaturize elements and can obtain excellent element properties by preventing any groove formed at the periphery of the trench structure.例文帳に追加

素子の微細化に好適であり、トレンチ構造の縁に溝が形成されないようにし、優れた素子特性を発揮させ得るトレンチ分離構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing reference between the first wells by improving an isolation breakdown voltage between the first wells, and also to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

第１ウェル間の分離耐圧を向上させ、第１ウェル間の基準を縮小することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having good characteristics where junction leak current is low and no parasitic transistor is generated in the isolation trench.例文帳に追加

接合リーク電流が小さく、素子分離溝に寄生トランジスタが生成しないようにした、良好な半導体装置特性を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high frequency switching apparatus with excellent performance such as a withstanding power, an insertion loss, an isolation and a switching time and to provide a switching method.例文帳に追加

耐電力、挿入損失、アイソレーションおよび切替時間において充分に満足できる性能を有する高周波切替装置および切替方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device the transistor characteristics of which are hardly deteriorated due to the reduction of a film thickness in an element isolation region without complicating a process.例文帳に追加

プロセスを複雑化することなく、素子分離領域の膜減りによるトランジスタ特性の悪化が生じにくい半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter removing the resist film 66, oxidizing the silicon layer 16, and forming a cross-shaped active region 82 partitioned by an isolation region 80.例文帳に追加

その後、レジスト膜６６を除去してシリコン単結晶層１６を酸化し、分離領域８０によって区画された十字状アクティブ領域８２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that makes it possible to secure controllability of a width of an STI insulating layer for element isolation while controlling a depression in a trench.例文帳に追加

トレンチの窪みを抑制し、かつＳＴＩの素子分離のための絶縁層の幅の制御性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-reliability element isolation structure capable of filling a field insulating film even in a narrow trench having a large aspect ratio without a failure.例文帳に追加

アスペクト比の大きな狭幅のトレンチ内にもフィールド絶縁膜を不良無く充填することが可能な、信頼性の高い素子分離構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an ω-methoxy-1-alkanol, by which the ω-methoxy-1-alkanol is efficiently obtained from an easily available and stable starting raw material which can easily be subjected to treatments such as purification and isolation.例文帳に追加

入手しやすく、精製、単離等の取り扱いが容易な安定な出発原料から効率良くω−メトキシ−１−アルカノールを得る方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler which has high isolation while reducing reflection loss of incident light and is small in size and inexpensive, and to provide a manufacturing method of the wavelength multiplexed light coupler.例文帳に追加

入射光の反射損失を低減しつつ高いアイソレーションを有し、かつ小型で安価な波長多重光カプラおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can reduce crystal defects, etc. occurring from an element isolation region, and also to provide a semiconductor device manufactured by the same.例文帳に追加

素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wide trench isolation region is formed which does not hollow the silicon substrate, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

広幅トレンチ分離帯を形成しても、シリコン基板のえぐれが生じないトレンチ分離帯を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shallow trench isolation structure (STI) with an air gap formed by decomposing a polymer filler material through an air gap layer.例文帳に追加

有機系フィラー材料をキャップ層を通じて分解することにより形成されるエアギャップを有した浅いトレンチの独立構造体（ＳＴＩ）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a trench forming method capable of realizing isolation made by a void-free trench which is completely filled up with polysilicon and an oxide film and is excellent in shape.例文帳に追加

ポリシリコンと酸化膜で埋め込まれた内部空隙のない良好な形状のトレンチ分離を実現できるトレンチ形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a parasite transistor is not generated in an isolation region thereof, and spacing between devices can be reduced; and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

素子分離領域に寄生トランジスタの発生しない，また素子間隔を狭めることのできる半導体装置，及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for settling sediment of a fermented liquid food, enabling a speed of settling the sediment to be high and capable of shortening a time required for conducting coagulation, sedimentation, and isolation of a protein turbid substance.例文帳に追加

発酵液状食品の滓下げ速度が早く、蛋白混濁物質の凝集沈降分離を行うに要する時間が短縮できる滓下げ方法の提供。 - 特許庁

The insulating film can be formed by deposition, so that the insulating film as thick as 1 μm or above can be easily obtained, and an element isolation process can be carried out well through a simple method.例文帳に追加

絶縁膜は堆積によって形成すればよいので、１ｕｍ以上の厚みが容易に得られ、簡便な方法でありながら、良好に素子分離することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding characteristic fluctuation due to presence of a contact region between a device-isolation region and an active region, and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

素子分離領域とアクティブ領域との接触領域の存在による特性変動を回避可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a power distributor that can perform power distribution with the best isolation characteristics regardless of a frequency of input power, and its characteristic control method.例文帳に追加

入力電力の周波数によらず、最良なアイソレーション特性で電力分配を行うことのできる電力分配器とその特性制御方法を実現する。 - 特許庁

A first oxide film 32 is deposited by a CVD method on an inner circumferential surface of the trench 31 for element isolation, and the active portion trench 35 is buried with the first oxide film 32.例文帳に追加

ＣＶＤ法により素子分離用トレンチ３１の内周面に第１酸化膜３２を堆積するとともに、活性部トレンチ３５を第１酸化膜３２で埋める。 - 特許庁

To provide a installation method for a packing which can be easily installed in a short time and has vibration isolation and compression resistance.例文帳に追加

本発明は作業が容易かつ、短時間で行えると共に、防振性と抗圧縮性を兼ね備えたパッキングの敷設方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its manufacturing method, in which proper isolation can be ensured between an upper line and a contact hole, even if the distance between the contact holes is decreased.例文帳に追加

コンタクトホール間の距離が縮小しても良好な上部配線およびコンタクトホールの分離ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the trench isolation which is so improved that a transistor may be operated normally.例文帳に追加

トランジスタを正常に動作させることができるように改良された、トレンチ分離を有する半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method to manufacture a dielectric separating substrate by which a stress applied to a semiconductor supporting substrate can be reduced and the reliability of isolation breakdown voltage be also enhanced.例文帳に追加

半導体支持基板に加わる応力が低減でき、且つ、分離耐圧特性の信頼性を高くできる誘電体分離基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING VIBRATION OF ENGINE MOUNT FOR ACTIVE CANCELLATION AND ISOLATION BY FEEDBACK AND FEEDFORWARD CONTROL FOR AIRCRAFT ENGINE MOUNT VIBRATION例文帳に追加

フィードバックおよびフィードフォワード制御による航空機エンジンマウントの振動の能動的打ち消しおよび隔離のためのエンジンマウント振動制御システム及び振動制御方法 - 特許庁

This method for producing the protoplast comprises the production of a frail germ-forming callus from explants of the cassava or its closely related species and the isolation of the protoplast from the frail germ-forming callus.例文帳に追加

この方法は、カッサバまたは近縁種の外植体から脆性胚形成性カルスを生成し、この脆性胚形成性カルスからプロトプラストを単離することを含む。 - 特許庁

On a single crystal Si substrate on which an element isolation layer 3 has been formed, a SiGe layer 11 and a Si layer 13 are laminated sequentially by the epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離層３が形成された単結晶のＳｉ基板１上に、エピタキシャル成長法によってＳｉＧｅ層１１とＳｉ層１３とを順次積層する。 - 特許庁

The method of manufacturing includes a step of forming shallow trench isolation (STI) in a substrate, and a step of providing a first material and a second material on the substrate.例文帳に追加

この製造方法は、基板にシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）を形成するステップと、基板上に第１の物質および第２の物質を設けるステップとを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, an element isolation layer 12 for defining an SOI forming region 13 and a bulk forming region on a silicon substrate 11.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上にＳＯＩ形成領域１３とバルク形成領域とを定義する素子分離層１２を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device having a bipolar transistor, a process for embedding the trench isolation into the trench is performed after a main heat process for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、トレンチアイソレーションのトレンチへの埋込み工程を、半導体装置を製造する主要熱処理の後に行う。 - 特許庁

A silicon oxide film is deposited on a substrate on which an element isolation groove having a very narrow width is formed by the CVD method using a mixed gas containing triethoxysilane and ozone.例文帳に追加

トリエトキシシランとオゾンとを含む混合ガスを用いたＣＶＤ法により、微細な幅の素子分離溝が形成された基板１上に酸化シリコン膜を堆積する。 - 特許庁

To prevent a generation of a bird's beak on a surface of an element formation region due to a thick element isolation film formed in an element isolation region, to prevent an occurrence of a crystal defect in a semiconductor layer near an end of the element isolation film, and to reduce a stress received by the semiconductor layer, in a semiconductor device having a plurality of element formation regions and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

複数の素子分離領域で分離された複数の素子形成領域を有する半導体装置及びその製造方法において、素子分離領域に形成される膜厚の厚い素子分離膜による素子形成領域の表面のバーズビークの発生を防ぐこと、並びに素子分離膜の端部近傍の半導体層に結晶欠陥が発生することを防止し、且つ該半導体層が受けるストレスの低減を図る。 - 特許庁

To provide a method of constructing a base isolation structure, facilitating construction without adopting a press-in construction method for high fluidity concrete in constructing a lower rising foundation and an upper foundation, and shortening the term of construction.例文帳に追加

下部立上り基礎や上部基礎の構築の際に高流動性コンクリートの圧入工法を用いることなく容易に施工でき、工期短縮を図ることができる免震構造の構築方法を提供する。 - 特許庁