「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, whereby if an antireflection film is removed by an etch back step, connection holes of adequate shapes can be formed by additionally forming a second antireflection film, to prevent the halation under question especially at wiring isolation regions before forming the connection holes.例文帳に追加

エッチバック工程によって反射防止膜が除去されてしまっても、接続孔形成前に第２の反射防止膜を追加形成させることで、特に配線孤立部で問題であったハレーションを防いで、適正形状の接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method of fabricating the duplexer utilizing an air-gap type FBAR includes the steps of: fabricating a first substrate part in which a plurality of layered resonance parts are formed; fabricating a second substrate part in which a plurality of air gaps and an isolation part formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed wherein a magnetic cluster size can be reduced while orientation dispersion is suppressed in a magnetic recording layer and high recording performance by the thin film thickness of the underlayer is made possible using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the manufacturing method of the duplexer utilizing the air gap type FBAR includes the steps of: manufacturing a first substrate part wherein a plurality of laminated resonant parts are produced; manufacturing a second substrate part wherein a plurality of air gaps and isolation parts formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which there is offered a technique capable of raising a bonding property of the semiconductor device, by forming an element isolation film and a gate line after forming a polysilicon layer for plug especially including a dopant on a semiconductor substrate, and capable of simplifying a process.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体基板上に不純物を含むプラグ用ポリシリコン層を形成したあと、素子分離膜とゲートラインを形成して半導体素子の接合特性を向上させることができ、工程を単純化することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

This method includes selective isolation of peptides (NHNR peptides) containing both no arginine and no histidine from all the proteins, and measurement of a relative concentration of one or several proteins in different samples, based on an area ratio estimated theoretical spectra of the NHNR peptides labelled with different isotopes in the respective samples.例文帳に追加

この方法は、アルギニンもヒスチジンも含まないペプチド（ＮＨＮＲペプチド）のすべてのタンパク質からの選択的単離と、各試料中の異なるアイソトープで標識されたＮＨＮＲペプチドの推定理論的スペクトルの面積の比から、異なる試料中の１つまたは数個のタンパク質の相対的濃度の測定とを含む。 - 特許庁

Further, a method is provided for fabricating an image sensor that includes a photodiode formed in a substrate adjacently to the sidewalls of the trenches, including a step of forming trenches for STI in the substrate, a step of forming channel stop films on the substrate inside the trenches, and a step of forming device isolation films in the trenches.例文帳に追加

また、基板にＳＴＩのためのトレンチを形成するステップと、前記トレンチ内の前記基板上にチャンネルストップ薄膜を形成するステップと、前記トレンチに素子分離膜を形成するステップと、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを含むイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film of a semiconductor element in which, since a smiling atmosphere is precluded from occurring at the edge of a tunnel oxide film formed in a semiconductor substrate and the upper corner of a trench can be formed round, the reliability of the process and electric characters of the element can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板に形成されたトンネル酸化膜の縁部にスマイリング現象が生じることを防止するとともにトレンチの上部コーナーを丸く形成することができるため、その結工程の信頼性及び素子の電気的な特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜の形成方法。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor device whereby a semiconductor device with a high breakdown strength MOS type transistor can be manufactured readily at a low cost, by forming a drift region of complete dielectric isolation and a proper thickness by using a semiconductor device with a high breakdown strength MOS transistor, especially an SOI board.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置、特に、ＳＯＩ基板を用いて、完全な誘電体分離と適切な厚みのドリフト領域を形成することにより、高耐圧のＭＯＳ型トランジスタを有する半導体装置をより簡便かつ低コストに製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor light emitting device which reduce the variance of irradiation of a laser light and entirely and uniformly form an isolation layer for isolating a growth substrate by reducing the warpage of a large-area wafer (growth substrate and supporting substrate), as a part of a process of removing the growth substrate for the large-area wafer.例文帳に追加

大面積ウェハ（成長用基板および支持基板）の成長用基板除去プロセスの一環として、該ウェハの反りを低減することで、レーザ光の照射むらを低減し、成長用基板を分離するための分離層を全面均一に形成できる半導体発光素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

After a buried insulating film 111 of a film thickness full to fill this groove 110 is formed, the film 111 or the film 104 is polished by a CMP method using the film 103 as a stopper film and after that, the film 103 is removed by ashing and moreover, the film 102 is removed to form a grooved element isolation structure.例文帳に追加

この溝を埋込むのに十分な膜厚の埋込み絶縁膜１１１を形成後、埋込み絶縁膜または灰化保護膜１０４を、ＤＬＣ膜をストッパー膜としたＣＭＰ法により研磨した後、ＤＬＣ膜を灰化除去し、さらに第１のＳｉ酸化膜を除去して溝型素子分離構造を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes processes of forming an interlayer insulating film 8 on an element isolation film 2 and a semiconductor element; forming a connection hole 8a through the interlayer insulating film 8, which is located on the semiconductor element; and embedding the electrically conductive plug 10 into the connection hole 8a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２上及び半導体素子上に層間絶縁膜８を形成する工程と、層間絶縁膜８に、半導体素子上に位置する接続孔８ａを形成する工程と、接続孔８ａに導電プラグ１０を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

The identification method of the cancer stem cell, comprising the preparation of the cancer cells or cancer tissue containing the cancer stem cell and detection of a cell for developing nucleostemine from the cancer cells or the cancer tissue for identifying the same as the cancer stem cell and the isolation method of the cancer stem cell, comprises the separation of the identified cancer steam cell from the cancer cells or the cancer tissues.例文帳に追加

本発明により、癌幹細胞含む癌細胞または癌組織を調製し、該癌細胞または癌組織からヌクレオステミンを発現する細胞を検出し、該ヌクレオステミンを発現する細胞を癌幹細胞と同定することからなる癌幹細胞の同定方法、および該方法により同定された癌幹細胞を癌細胞または癌組織から分離することからなる癌幹細胞の分離方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can uniformly and completely remove variations in the thickness of a silicon oxide film, after the silicon oxide film is deposited on an entire semiconductor substrate and then the silicon oxide film other than that embedded within grooves for STI (fine trench isolation) is removed by chemical and mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

半導体基体全面にシリコン酸化膜を堆積した後、ＳＴＩ用の溝内に埋め込まれているシリコン酸化膜以外のシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去する際に、そのシリコン酸化膜の膜厚に厚薄のバラツキがあっても、均等に且つ完全に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain both a proline derivative ligand immobilized in a polymer, in which isolation of a product and recovery and reuse as an asymmetric ligand are readily carried out and which is also useful in a continuous reaction system and a chiral catalyst using the proline derivative ligand and to provide a new reaction method for conjugate addition of a thiol to an α,β-unsaturated carbonyl compound.例文帳に追加

生成物の単離や不斉配位子としての回収、再使用が容易に可能とされ、連続反応システムにおいても有用となる、高分子固定化されたプロリン誘導体配位子と、これを用いたキラル触媒、並びに前記チオール類のα，β−不飽和カルボニル化合物への共役付加のための新しい反応方法を提供する。 - 特許庁

A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step.例文帳に追加

［式中、ＲはＣ_３−Ｃ_６シクロアルキルまたはＣ_１−Ｃ_６ハロアルキルである］のｏ−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル（Ｒ−ＣＮ）をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic iodine compound by which the solidification, the coloring due to the isolation of iodine and the degradation of purity caused by the high hygroscopicity, the high deliquescent property and the easily liberated characteristic of iodine which are the nature of the widely and industrially used inorganic iodine compound are improved and which has high purity, excellent preservation stability and easily handlable property.例文帳に追加

産業上広く利用されている無機ヨウ素化合物が本来有する、吸湿性、潮解性が強く、ヨウ素を遊離しやすいという性状に起因する、固結、ヨウ素の遊離による着色及び純度低下を改善した、高純度で保存安定性がよく取り扱いが容易な当該化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a toner which obtains a satisfactory image even if a toner image is fixed at a relatively low temperature for energy saving, has high storage stability to prevent aggregation even without requiring cold insulation or insulation packaging when being stored or transported, and has no image defecst caused by wax isolation therefrom, and to provide an image forming method using the toner.例文帳に追加

省エネルギー化に対応するため、比較的低い温度でトナー画像を定着しても良好な画像が得られ、かつトナーを保管あるいは輸送するときに保冷や断熱梱包しなくても凝集することのない高い保存安定性を有し、さらにトナーからのワックス遊離による画像不良のないトナー、とそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation method for an exsisting building by filling adhesives such as epoxy resin, etc., in spaces between cut faces such as a column and a footing of the exsisting building and top/bottom face plates of a base isolator to effectively utilize an accurately cut face and easily fitting the base isolator with low vibration, low noise, and a short construction term.例文帳に追加

精度良く切断した面を有効利用するべく、既存建物の柱や基礎等の切断面と免震装置の上下部面板との間にエポキシ樹脂等の接着剤を充填して軽便に免震装置を取り付けることができ、ひいては、低振動、低騒音、短工期で実施可能な既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor of semiconductor device in which a channel region is formed on a sidewall of an active region that protrudes above a device isolation film, and a contact to a landing plug is extended to the sidewall in the direction of the major axis of the protruding active region to improve short channel effect as well as to reduce contact resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャンネル領域を素子分離膜の上部に突出された活性領域の側壁に形成し、ランディングプラグとのコンタクトを突出した活性領域の長軸方向の側壁まで拡張してショートチャンネル効果を改善し、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子のトランジスタおよびその形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises reacting a carbonyl compound with a vinylsilane compound in an aprotic solvent in the presence of a Lewis base catalyst and directly desilylating the reaction solution containing a fluorine-containing unsaturated silyl ether compound represented by formula (1) or desilylating the compound after purification and isolation to obtain a fluorine-containing unsaturated alcohol derivative represented by formula (2).例文帳に追加

非プロトン性溶媒中、ルイス塩基触媒存在下、カルボニル化合物をビニルシラン化合物と反応させて、一般式（１）で示される含フッ素不飽和シリルエーテル化合物を含有する反応液を直接脱シリル化、または精製分離した後に脱シリル化して、一般式（２）で示される含フッ素不飽和アルコール誘導体を得ることを特徴とする製造方法。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench.例文帳に追加

トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a groove 1a whose side view inclines on a semiconductor substrate 1, forming an element isolation film 4a by embedding an insulating film in the groove 1a, and forming a gate oxide film of a transistor by carrying out the thermal oxidation of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１に、側面が傾斜している溝１ａを形成する工程と、溝１ａに絶縁膜を埋め込むことにより素子分離膜４ａを形成する工程と、半導体基板１を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.例文帳に追加

本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、ＬＯＣＯＳ酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for the production of the protein which binds to the IGF-1 receptor, by expressing an exogenous DNA in prokaryotic or eukaryotic host cells and isolation of the protein, wherein the protein is coded by a specific DNA sequence or a nucleic acid which hybridizes under stringent conditions with a nucleic acid sequence complementary to the nucleic acid sequence.例文帳に追加

原核生物又は真核生物宿主細胞において外来DNAを発現させ、そしてIGF-1レセプターに結合するタンパク質を単離することにより、当該タンパク質を生産するための方法であって、該タンパク質が、特定のDNA配列又は該核酸配列と相補的な核酸配列とストリンジェント条件下でハイブリダイズする核酸によりコードされることを特徴とする方法。 - 特許庁

The diagnosis method for amyotrophic lateral sclerosis includes: an isolation step in which a specimen is sampled from a subject and a nucleic acid is isolated from the specimen; a detection step in which bases expressed in a human chromosome 10 OPTN (Optineurin) gene region are detected from the isolated nucleic acid; and a determination step in which it is determined whether or not the detected bases are mutated.例文帳に追加

本発明に係る筋萎縮性側索硬化症の診断方法は、被験者から試料を採取して、当該試料から核酸を単離する単離工程と、単離された核酸から、ヒト１０番染色体 ＯＰＴＮ（Optineurin）遺伝子領域に示される塩基を検出する検出工程と、検出された塩基が、変異しているか否かを判定する判定工程と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment.例文帳に追加

ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing unit laminate rubber for a base isolation structure without a problem of an yield of a material and the like in case of forming unvulcanized unit laminate rubber by punching a formed rubber sheet or without a decrease of a dimensional accuracy, an increase of equipment cost, generation of scorch and the like in case of forming the unvulcanized unit laminate rubber by injection molding.例文帳に追加

成形されたゴムシートを打抜いて未加硫の単位積層ゴムを形成する場合のような、材料歩留り等の問題を生じることがなく、射出成形によって、未加硫単位積層ゴムを形成する場合のような、寸法精度の低下、設備コストの増加、スコーチの発生のおそれ等のない免震構造体用単位積層ゴムの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.例文帳に追加

基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁

The industrially advantageous manufacturing method of the 4-hydroxybenzothiophene derivative comprises subjecting 3-(2-thienyl)allyl alcohol and carbon monoxide to a cyclocarbonylation reaction in the presence of a palladium catalyst, a ligand, an organic acid anhydride and a base to form a benzothiophene skeleton followed by a hydrolysis reaction of the intermediate with or without isolation of the intermediate.例文帳に追加

３−(２−チエニル)アリルアルコールと一酸化炭素を、パラジウム触媒、リガンド、有機酸無水物及び塩基存在下、シクロカルボニル化反応を行いベンゾチオフェン骨格を構築し、当該中間体を単離又は単離することなく、その後加水分解反応することを特徴とする４−ヒドロキシベンゾチオフェン誘導体の工業的に有利な製造方法を解決手段とする。 - 特許庁