「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a trench isolation region which is capable of preventing an insulating layer formed on a silicon nitride liner from separating off at an interface and being damaged, by a method wherein a uniform gas distribution region is formed on a trench, and an insulating layer of uniform density is grown.例文帳に追加

トレンチ上に均一のガス分布領域を形成して、均一の密度を有する絶縁層を成長することにより、シリコン窒化膜ライナー層上に形成された絶縁層が界面で剥れる損傷を防止するトレンチ隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

To provide a device and a method for machining a workpiece that allow quick and efficient machining and straightening of, for example, a workpiece such as a flange, constituting a base isolation member or the like, without requiring a skilled worker's technique, and further, achieve improvement in machining accuracy and the amount of straightening with respect to distortion and deflection of a steel material as a material to be machined compared with the conventional machining method.例文帳に追加

例えば免震部材等を構成するフランジ等のワークを熟練者の技術を必要とせず、短時間で効率的に加工・矯正することが可能であり、さらに、従来の加工方法に比べ、材料の鋼材の歪み・撓みに対する加工精度・矯正量が良好となるようなワーク加工装置およびワーク加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic carrier obtained by coating the surface of a carrier core material with a resin, wherein isolation of the coating resin is prevented by an easy method, stability of picture quality in an initial state is obtained, and changes in the picture quality are prevented after forming a large number of images, and to provide a method for manufacturing the electrophotographic carrier.例文帳に追加

簡単な方法で、キャリア心材の表面に樹脂を被覆した電子写真用キャリアにおける被覆樹脂の遊離を押さえ、初期状態での画質の安定性を得るとともに、多数枚の画像形成後における画質変化を防ぐことのできる電子写真用キャリア及びその製造方法を提供することが課題である。 - 特許庁

The production method has excellent characteristics such as (1) usable repeatedly of an ammonia-containing filtrate in production, (2) improving the yield of aminomalonamide without decreasing purity thereof and, further, (3) preventing isolation and volatilization of ammonia, and is useful as a commercial production method of high purity aminomalonamide with high yield and low in environmental load.例文帳に追加

本発明の製造法は、（１）アンモニア含有濾液を繰り返し製造に使用できる、（２）アミノマロンアミドの純度を低下させることなく、収率を向上させ、さらに（３）アンモニアの遊離および揮発を防ぐことができる、などの優れた特徴を有し、環境負荷が少なく、高純度、高収率なアミノマロンアミドの工業的製造法として有用である。 - 特許庁

When a nitride film using element isolation by the LOCOS method is to be eliminated in a method for manufacturing a semiconductor device for forming a gate oxide film with different film thickness on the same silicon substrate, first, only a nitride film at a part where the gate oxide film is provided thickly is eliminated selectively by a resist pattern, and the gate oxide film is formed at that part.例文帳に追加

同一シリコン基板上に異なる膜厚のゲート酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、ＬＯＣＯＳ法による素子分離に用いた窒化膜を除去する際に、先ずゲート酸化膜を厚く設ける部分の窒化膜のみをレジストパターンにより選択的に除去し、その部分にゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which elements 3 separated longitudinally and laterally by insulating members 2a in element, well, and circuit units, the semiconductor device having a high isolation breakdown voltage and being manufactured inexpensively without using an SOI substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子、ウェル、および回路単位で縦横方向が絶縁部材２ａで分離された構造の素子３が形成された半導体装置において、高い分離耐圧を有し、さらにＳＯＩ基板を使わずに低コストで製造できる半導体装置、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.例文帳に追加

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce an isolation width on the occasion of electrically isolating in distance between wells and between well and source or drain and thereby can reduce the size not only in the lateral direction but also in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、ウェルとウェルとの間またはウェルとソースまたはドレインとの間を距離的、電気的に分離するに際し、その分離幅を縮小することができ、その結果、横方向のみならず深さ方向の寸法の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave branching filter where which first and second surface acoustic wave filter chips are mounted by a flip-chip bonding method in a package member, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips is improved, and proper attenuation characteristics are achieved.例文帳に追加

フリップチップボンディング方式で第１，第２の弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、さらに第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションを改善することができ、良好な減衰特性を有する弾性表面波分波器を提供する。 - 特許庁

To provide an acoustic signal processing apparatus, method and program and recording medium with the acoustic signal processing program recorded thereon, for sound source normalization and sound source isolation, capable of dealing with sound sources as many as or more than the number of microphones, while relaxing the limitations on the sound sources.例文帳に追加

音源への制約を緩和しつつ、マイクロホン数以上の音源を扱うことのできる音源定位と音源分離のための音響信号処理装置、音響信号処理方法、音響信号処理プログラム、及び音響信号処理プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the restoration device to be used jointly with a base-isolating devise or a vibration-damping device for the base-isolation or the vibration- damping detached house, this method of execution is characterized by that a stretchable accouplement of the restoration device are provided between a footstall and a foundation with a gradient angle.例文帳に追加

免震あるいは減震戸建家屋の免震あるいは減震装置と併用する復元装置において、復元装置の伸縮性を有する連結材を土台、基礎間に斜度を持たせて設けることを特徴とする免震、減震戸建家屋の復元装置の施工方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on an SOI element forming region 13, and a boundary groove 14 is formed on the entire periphery along the boundary between the SOI element forming region 13 and an element isolation layer 12.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、まず、ＳＯＩ素子形成領域１３に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成するとともに、ＳＯＩ素子形成領域１３と素子分離層１２との境界に沿った全周に境界溝１４を形成する。 - 特許庁

The method for producing an indolylazaphthalide compound (6) comprises converting a quinolinecarboxylic acid derivative (1) to an quinolinecarboxylic anhydride (2), successively reacting the quinolinecarboxylic anhydride without isolation with an indole derivative (3) in one pot to obtain a pyridinecarboxylic acid derivative (4), and then reacting the pyridinecarboxylic acid derivative with an aniline derivative (5).例文帳に追加

キノリン酸誘導体（１）をキノリン酸無水物誘導体（２）に変換後、これを取り出すことなく引き続きワンポットでインドール誘導体（３）と反応させてピリジンカルボン酸誘導体（４）を得、次いでアニリン誘導体（５）と反応させることを特徴とするインドリルアザフタリド化合物（６）の製造方法。 - 特許庁

To provide a switching device that has almost no loss in a signal transmission circuit, enables to easily take impedance matching while allowing isolation during cut-off to be sufficiently obtained, and is capable of reducing manufacturing costs; and to provide a signal transmission circuit device using the switch device, and a switching method for the signal transmission circuit device.例文帳に追加

信号伝送回路での損失が少なく、かつ、カットオフ時のアイソレーションが十分に取れると共にインピーダンス整合がとり易く、製造コストを低減できるスイッチ装置、そのスイッチ装置を用いた信号伝送回路装置、そのスイッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an isolation film forming method in a semiconductor device capable of improving the reliability of a process and the electric characteristics of the device by forming a dual slant angle at the top corner of a trench during the forming process of the trench and preventing concentration of an electric field and occurrence of a moat.例文帳に追加

トレンチの形成過程でトレンチの上部コーナーに二重傾斜角を形成して電界の集中及びモウトの発生を防止することにより、工程の信頼性及び素子の電気的特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁

This isolating method of a trophoblast from a pregnant female individual includes acquisition of a mother-centered blood sample from the individual, contact of the blood sample with a specific affinity reagent to a trophoblast marker, and isolation of the trophoblast.例文帳に追加

妊娠している雌個体から栄養芽層細胞を単離する方法であって、該個体から母体中心血液サンプルを取得し、該血液サンプルを栄養芽層細胞マーカーに特異的なアフィニティ試薬と接触させ、栄養芽層細胞を単離すること、を含む上記方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which can enhance an isolation breakdown strength between a source region and a drain region of a planar gate type MOSFET and a semiconductor substrate without increasing an on resistance Ron of a trench gate type VDMOSFET.例文帳に追加

トレンチゲート型ＶＤＭＯＳＦＥＴのオン抵抗Ｒonを増大させることなく、プレーナゲート型ＭＯＳＦＥＴのソース領域およびドレイン領域と半導体基板との間の分離耐圧を向上させることができる、半導体装置およびその製造方法を提供するこ。 - 特許庁

In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上にパッド酸化膜９、ＳｉＮ膜１０を積層し、素子分離用溝（ＳＴＩ）６を形成した後、ＳＴＩ６内およびシリコン基板１表面に埋め込み酸化膜８を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層（ポリシリコン層）１２を形成する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing an oxidized type glutathion, producing a reduced type glutathion used for a food, medicine, cosmetic, etc., simply and industrially advantageously, without requiring a special equipment, progressing a reaction in a good yield even in an aqueous solution and easy for isolation/purification of an objective substance.例文帳に追加

食品、医薬品、化粧品等に使用される還元型グルタチオンを簡便で工業的に有利に製造できる、特殊な設備を必要とすることなく、水溶液中でも収率よく反応が進行し、目的物の単離・精製が容易な、酸化型グルタチオンの還元方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radio-active waste disposal container with its life extended for therein safely holding nuclides for a long time, a radio-active waste disposal container system excelling in external environment isolation property while having a corrosion progress diagnosis function for the disposal container without human approach, and a deterioration diagnosis method.例文帳に追加

長期間処分容器内に核種を安全に保持すること、放射性廃棄物処分容器の外部環境遮断性に優れ、かつ人が近づくことなく放射性廃棄物処分容器の腐食進行診断機能を有すること、容器の寿命を向上させること等を目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a semiconductor device for easy element isolation of a semiconductor device layer joined to the substrate for a semiconductor device even if the material itself of the substrate for semiconductor device does not have cleavage property, and to provide the semiconductor device and a method of manufacturing the substrate for the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子用基板の材料自体がへき開性を有していない場合にも、半導体素子用基板に接合された半導体素子層の素子分離を容易に行うことが可能な半導体素子用基板、半導体素子および半導体素子用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The base isolation method includes supporting the load of a building by means of a sphere 3 positioned between the building 1 and a base 2 supporting the building, and absorbing the energy of earthquake motion by means of the force of friction between a cylindrical member 4 positioned around the sphere and the sphere 3.例文帳に追加

建物１と建物を支持する基台２との間に配置した球体３によって建物の荷重を支持しつつ、前記球体の周囲に配置した円筒部材４と球体３との間の摩擦力によって震動エネルギーを吸収することを特徴とする免震方法。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a thermal oxide film on a substrate having a trench separation region, and characterized by covering a trench isolation region 2 with an anti-oxidation film 17 at the time of forming the thermal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ分離領域を有する基板上に熱酸化膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法であって、熱酸化膜の形成時に、トレンチ分離領域２を酸化防止膜１７で覆うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a lead damper such as a base isolation damper, and a vibration control damper especially provided with a mounting board at an end part of a damper main body of lead, which has strong coupling strength between the damper main body and the mounting board, and is manufactured easily and at low cost, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

免震ダンパや制振ダンパ等の鉛ダンパ、特に鉛製のダンパ本体の端部に取付板を備えた鉛ダンパにおいて上記ダンパ本体と取付板との結合強度が強く且つ容易安価に製作することのできる鉛ダンパおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an n-type well 13 on a surface region of an Si substrate 12, forming p-type first semiconductor regions 17a, 18a on the surface region of the well 13, and separating the first semiconductor regions 17a, 18a by an element isolation region 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２の表面領域にｎ型のウェル１３を形成し、このウェル１３の表面領域にｐ型の第１の半導体領域１７ａ，１８ａを形成し、この第１の半導体領域１７ａ，１８ａを素子分離領域１１で分離している。 - 特許庁

To reduce the cost and shorten the term of works by dispensing with press-in of a steel pipe pile in the conventional construction method to temporarily bear the weight of a building for executing under-foundation base isolation work for the existing building even under the ground condition where there is boulder stone.例文帳に追加

従来工法における鋼管杭の圧入がなくなることにより、転石等がある地盤条件でも、既存建物の基礎下免震化工事のための施工時建物重量の仮受けが可能となり、また、コスト低減や工期短縮に大きな効果が期待できる。 - 特許庁

To provide a method for industrially producing an epoxy triazole derivative useful as an intermediate for producing antimycotic agents through separately preparing a 1,2,4-triazole metal salt without using any water-prohibiting or anhydrous base and anhydrous solvent and without troublesome operations such as isolation.例文帳に追加

抗真菌剤製造中間体として有用なエポキシトリアゾール誘導体を、禁水性または無水の塩基、無水の溶媒を使用せず、１，２，４−トリアゾール金属塩を別途調製して単離等の煩雑な操作をすることなく工業的に製造する方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing methyl 4-(aminomethyl)benzoate by esterifying 4-(aminomethyl)benzoic acid and then obtaining the methyl 4-(aminomethyl)benzoate, capable of avoiding isolation of hydrochloride salt of the methyl 4-(aminomethyl)benzoate formed as an intermediate and therefore advantageous.例文帳に追加

４−（アミノメチル）安息香酸をエステル化し、その後、メチル４−（アミノメチル）ベンゾエートを得ることによって、メチル４−（アミノメチル）ベンゾエートを製造する方法であって、中間体として生成したメチル４−（アミノメチル）ベンゾエートの塩酸塩の分離を回避することができる有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a recess broadened toward a channel formation region by avoiding formation of the too deep recess, and can suppress abnormal epitaxial growth of an SiGe film upon its epitaxial growth or degradation of the element isolation characteristic of a transistor.例文帳に追加

リセスを形成する際に、できるだけ深くならないようにして、チャネル形成領域側に広げて形成でき、ＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長時の異常成長やトランジスタの素子分離特性の悪化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a binder resin for toners which has good fixability because of excellent thermal responsiveness in fixing, so that a high-glossiness image can be formed, and which excels also in anti-hot-offset properties, storage stability and mechanical strength and suppresses isolation of incorporating components in kneading, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

定着時の熱応答性に優れるために定着性が良好で光沢度の高い画像を形成でき、非ホットオフセット性、保存性、機械的強度にも優れ、混練時における含有成分の分離も抑制されたトナー用結着樹脂とその製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a toner which is a polymerized toner containing a polyester resin and a charge controlling agent, ensures stable charging property over a prolonged period of time, excels in thin line reproducibility, and can stably form high quality images over a prolonged period of time without presenting an isolation phenomenon of the charge controlling agent, and to provide a toner and an image forming method using the toner.例文帳に追加

ポリエステル樹脂および荷電制御剤を含有する重合トナーであって、長期間にわたって安定した帯電性が得られると共に細線再現性に優れ、荷電制御剤の遊離現象を発生させずに、高画質な画像を長期間にわたって安定的に形成することができるトナーの製造方法、およびトナー、並びに当該トナーを用いた画像形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a.例文帳に追加

本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.例文帳に追加

非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of defects in a semiconductor element operating at a high voltage by appropriately selecting the height of element isolation regions for the surface of a substrate when building the semiconductor elements operating at a high voltage and one operating at a low voltage in the same substrate, with respect to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、同一基板に低電圧動作及び高電圧動作の各半導体素子を作り込む場合、素子分離領域の高さを基板表面との間で適切に選択することで高電圧動作の半導体素子に於ける不良発生を抑止する。 - 特許庁

In a method of isolating an SOI transistor, by forming a trench and filling up the trench with an insulating film, there are provided a completely isolated region 157b where a trench is cut, until it reaches a ground insulating film and a partial isolation region 157a which is cut so as not to reach to the ground insulating film, leaving an SOI layer uncut.例文帳に追加

トレンチ形成及びトレンチへの絶縁膜の埋め込みによりＳＯＩトランジスタを分離する方法において、下地絶縁膜に達するまでトレンチを形成する完全分離領域と、下地絶縁膜まで達しないでＳＯＩ層を残すようトレンチを形成する部分分離領域１５７ａとを形成する。 - 特許庁

A method of forming an integrated circuit structure includes: a step of providing a wafer having a silicon substrate; a step of forming a plurality of shallow trench isolation (STI) areas in the silicon substrate; and a step of forming a recess by removing an upper part of the silicon substrate between both sides of the plurality of the STI areas.例文帳に追加

集積回路構造の形成方法は、シリコン基板を有するウェハを提供するステップ；シリコン基板中に、複数のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成するステップ；複数のＳＴＩ領域の両側間のシリコン基板の上部分を除去することにより、凹部を形成するステップ、からなる。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films, while suppressing dispersion of alignment and reducing magnetic cluster size in a magnetic recording layer, and exhibiting high recording density owing to thin film thickness of the underlayer.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

To provide a pneumatic engineering method and a pneumatic cover device allowing personnel and materials to be transported in and out of a manhole under a condition good in workability while keeping air compressed inside a manhole to suppress infiltration of ground water, during seismic isolation work of the joint between an existing manhole and a sewage pipe in ground with high water content.例文帳に追加

高含水地盤に既設のマンホールと下水道管との接合の耐震化工事中、地下水浸入抑制のためマンホール内部の空気を加圧した圧気状態としたまま、作業性の良い構成で人員や機材をマンホール内に搬入出可能とするマンホール作業用圧気工法と圧気蓋装置の提供。 - 特許庁

To provide a protection layer forming composition that does not adversely affect a semiconductor layer even if an acid is used to remove attachments generated when an isolation groove isolated in units of elements is formed, and excellent in resistance to the acid and cracking, and a method of manufacturing an optical semiconductor element using the composition.例文帳に追加

素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁