「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(260ページ目) - Weblio英語例文検索

A light emitting element includes: an anode 71 as one example of a first electrode, a cathode 73 as one example of a second electrode paired with the anode 71, a third electrode 79 not contributing to the light emission of a light emitting layer 72, and the light emitting layer 72 disposed between the anode 71 and the cathode 73.例文帳に追加

第１電極の一例としての陽極７１と、陽極７１と対をなす第２電極の一例としての陰極７３と、発光層７２の発光には寄与しない第３電極７９と、陽極７１と陰極７３との間に配置された発光層７２と、を備える。 - 特許庁

In a process for manufacturing the composite optical element 10 which is formed by laminating a photosetting resin layer 2 with an optical shape 4 on a glass substrate 1, a band reflection filter 3 for cutting light of a wavelength in a range between 270 nm and 410 nm is provided on the glass substrate 1 before laminating the photosetting resin layer 2 thereon.例文帳に追加

ガラス基板１に、光学形状４を有する光硬化樹脂層２を積層した複合型光学素子１０の製造工程において、光硬化樹脂層２を積層する前のガラス基板１に、２７０〜４１０ｎｍの範囲の波長の光をカットするバンド反射フィルター３を設けておく。 - 特許庁

For example, a specific metal layer 9 is formed on the surface of a resistor element 8, and the terminal electrode 1 composed of the specific metal layer 9 and the electronic component are formed into one piece, by interposing the conductive adhesive 3 between a circuit board 5 and an electrode 4 to package the electronic component.例文帳に追加

例えば抵抗体素子8の表面に前記特定金属層9を形成し、電子部品を実装する際には特定金属層9で構成された端子電極1と電子部品を回路基板5の電極4との間に導電性接着剤3を介在させて一体化する。 - 特許庁

An element region EA is zoned in a lattice shape, and also to each region zoned in the lattice shape, a source cell SC forming the source diffused layer and a drain cell DC forming the drain diffused layer are allocated with regard to a column and a row of the same lattice alternately, respectively.例文帳に追加

素子領域ＥＡが格子状に区画されるとともに、それら格子状に区画された各領域には、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソース拡散層が形成されるソースセルＳＣとドレイン拡散層が形成されるドレインセルＤＣとが割り当てられる。 - 特許庁

Although a plurality of pixels 100 of an organic EL device 1 correspond to red color (R), green color (G), and blue color (B) respectively, material qualities of organic function layers constituting an organic EL element 10 such as a hole injection layer 13 and a light emitting layer 14 are identical regardless of corresponding colors.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１において、複数の画素１００は各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応しているが、有機ＥＬ素子１０を構成する正孔注入層１３や発光層１４などの有機機能層の材質は、対応する色にかかわらず、共通である。 - 特許庁

This mold for forming an optical element uses an ultra-hard alloy metal essentially comprising tungsten carbide as a base material 9, and a predetermined surface of the base material 9 including at least a forming surface is irradiated with nitrogen ion to be infiltrated so that the outermost surface layer of the predetermined surface is converted to a modified layer 10 containing nitrogen.例文帳に追加

炭化タングステンを主成分とする超硬合金を光学素子成形型の基材９とし、基材９の少なくとも成形面を含む所定の面に窒素イオンを照射して注入し、基材９における上記所定の面の最表層を、窒素を含む改質層１０にする。 - 特許庁

The organic EL element 11 has a first electrode 13, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 successively laminated on a glass substrate 12, and the part excluding the face where the first electrode, the organic EL layer, and the second electrode are jointed to each other is covered by a protection film 16.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１２の表面に第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５が順に積層され、第１電極１３、有機ＥＬ層１４及び第２電極１５の互いに隣接する面以外の部分が保護膜１６で被覆されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 10 is configured with an interlayer dielectric 11 with a contact hole 11a, a lower electrode 12 provided in the contact hole 11a, an adhesive layer 14 provided on the interlayer dielectric 11 in this order, the recording layer 15, and an upper electrode 16.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０は、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１と、コンタクトホール１１ａ内に設けられた下部電極１２と、層間絶縁膜１１上にこの順に設けられた接着層１４、記録層１５及び上部電極１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

The photodetector 20 is constructed to include a pin diode having a p-type semiconductor layer 22, a sensitive area 24, and an n-type semiconductor layer 26, and out of these, the sensitive area 24 is formed at least in a region which adjoins and surrounds each light-emitting element 2 in plan view.例文帳に追加

光検出素子２０は、ｐ型半導体層２２、有感領域２４、ｎ型半導体層２６を有するｐｉｎダイオードを含んで構成され、このうち有感領域２４は、平面視で各発光素子２に隣接し、かつ囲む領域に少なくとも形成されている。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

This dosimetric measuring element 1 has a base member 11 constituted of the tissue equivalent plastic, the thin film layer 12 constituted of a semiconductor or an insulator formed on a surface of the base member 11, and at least one pair of electrodes 13, 13 provided in the thin-film layer 12.例文帳に追加

線量測定素子１は、組織等価プラスチックにより構成される基礎部材１１と、この基礎部材１１の表面に形成した半導体あるいは絶縁体からなる薄膜層１２と、この薄膜層１２に設けた少なくとも一対の電極１３，１３とを有している。 - 特許庁

The imaging element has a plurality of photoelectric conversion elements (a pixel electrode 3, a photoelectric conversion layer 4, an opposed electrode 5) arranged above a substrate 1, and light emitting elements 16 including a light emitting layer 8 having different emission wavelength region and absorption wavelength region formed above the plurality of photoelectric conversion elements.例文帳に追加

基板１上方に配設された複数の光電変換素子（画素電極３、光電変換層４、対向電極５）と、複数の光電変換素子上方に形成された発光波長域と吸収波長域の異なる発光層８を含む発光素子１６とを備える。 - 特許庁

A biased magnetic field Hb1 along the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero is applied to the MR element 51A by the magnetic substrate, thereby enhancing the unidirectional anisotropy of the free layer, without using shape anisotropy.例文帳に追加

ここでは、磁性基板によって電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａに沿ったバイアス磁界Ｈｂ１をＭＲ素子５１Ａに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 - 特許庁

According to such a constitution, when the wire bonding or the like is carried out on the upper electrode layer employing a wire, damage generated on the connection between the wire and the upper electrode layer will not affect whereby the highly reliable nitride semiconductor laser element can be realized without generating the leak path of current.例文帳に追加

このような構成によると、上部電極層上にワイヤを用いてワイヤボンディングなどを実施した場合、ワイヤと上部電極層との接合部発生するにダメージの影響を受けず、電流のリークパスが発生することのない、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を実現できる。 - 特許庁

The transparent gas barrier film is the gas barrier film having a gas barrier layer laminated thereon by using at least either one of or both of a metal oxide and an inorganic compound as a target to vapor-deposit the same and a transition element is mixed with the gas barrier layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の片面に、少なくとも、金属酸化物又は無機化合物のいずれかもしくは両方をターゲットとし、これを蒸着してなるガスバリア層を積層したガスバリアフィルムであって、前記ガスバリア層に、遷移元素が混合されている構成を有する透明ガスバリアフィルムとした。 - 特許庁

To improve coating of a protective layer for a structural body in an organic EL element which has a structural body at which an organic luminescent material is arranged between a pair of electrodes that mutually opposes on a substrate and which has the protective layer on the external surface of the structural body.例文帳に追加

基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体を備え、該構造体の外表面に有機発光材料を被覆する保護層を有する有機ＥＬ素子において、保護層の構造体に対する被覆性を向上させる。 - 特許庁

This solid electrolytic capacitor is constituted in such a way that a solid electrolyte layer and a cathode lead are formed on an anode on which a dielectric oxide film layer is formed and that a capacitor element 10 whose moisture is prescribed at 1 wt.% or less in terms of weight is covered with a packaging member.例文帳に追加

誘電体酸化皮膜層を形成した陽極電極上に固体電解質層ならびに陰極引き出し部を設け、かつ水分量を重量基準で１重量％以下に規定したコンデンサ素子１０を外装部材で被覆した構成とした固体電解コンデンサである。 - 特許庁

The second main surface of a lead frame 13 bonded to a resin insulating layer 14 is set larger in area than its first main surface where a semiconductor element 11 is mounted, and the lead frame is bonded to a base board 15 in one piece through the intermediary of the resin insulating layer 14.例文帳に追加

リードフレーム１３の半導体素子１１を載置する面である第１の主面に比較して、樹脂絶縁層１４に接着する面である第２の主面の面積をより大きく確保して、リードフレームを樹脂絶縁層１４を介してベース板１５と接着して一体化した構造を持つ。 - 特許庁

In this photovoltaic element, an intermediate layer 17 formed in an atmosphere containing hydrogen at a concentration of ≤5 vol.% is provided between a second transparent conductive film 12-2 and a p-type semiconductor layer 13, so as to cover first and second transparent conductive layers 12-1 and 12-2.例文帳に追加

第２の透明導電膜１２−２とＰ型半導体層１３との間に、水素濃度１５体積％以下の雰囲気中において形成されてなる中間層１７を、第１の透明導電膜１２−１及び第２の透明導電膜１２−２を覆うようにして設ける。 - 特許庁

Moreover, this is made as the photoelectric conversion element (dye-sensitized solar cell) 1 by pinching an electrolyte layer 6 at least to one part between this substrate for the action electrode and a counter electrode substrate 9 arranged opposing to the porous oxide semiconductor layer provided at the substrate for the action electrode.例文帳に追加

また、この作用極用基板と、作用極用基板に有する前記多孔質酸化物半導体層に対向して配置された対極基板９との間の少なくとも一部に、電解質層６を挟み込む構成することにより光電変換素子（色素増感太陽電池）１とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic EL element with the organic compound layers having at least a luminescent layer between a pair of electrodes facing each other, at least one layer within the organic compound layers is a film with a coating liquid applied thereto, and a Rotring method is used for the formation of the coating film.例文帳に追加

対向する一対の電極間に少なくとも発光層を有する有機化合物層を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機化合物層のうちの少なくとも１層が塗工液が塗布された膜であり、塗布膜の形成にロットリング法を用いる。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric element comprises a multilayer ceramic body 10, where a ceramic layer 11 and an inner electrode layer 12 are formed alternately in layers, and a pair of external electrodes bonded, respectively, to a pair of bonding faces 15 formed on the outer circumferential surface of the multilayer ceramic body 10.例文帳に追加

積層型圧電素子は、セラミック層１１と内部電極層１２とを交互に積層してなるセラミック積層体１０と、セラミック積層体１０の外周面に形成した一対の接合面１５にそれぞれ接合した一対の外部電極とを有するものである。 - 特許庁

The solid-state imaging element is configured to comprise a light blocking layer 17 provided between a sensor 11 for converting photoelectrically and a color filter 15 corresponding to the sensor 11, and the light blocking layer 17 is formed vertically or substantially vertically to the sensor 11 along a pixel separator.例文帳に追加

光電変換がなされるセンサ部１１と、センサ部１１に対応するカラーフィルタ１５との間に設けられた遮光層１７とからなり、遮光層１７が、画素分離部に沿ってセンサ部１１に対して垂直、又は、略垂直に形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

To provide an uniform and reliable thin film EL element and its manufacturing method without increasing its cost by restraining defects generated at a dielectric layer, especially, generation of cracks in burning the dielectric layer formed by a solution-coating burning method, and improving insulating pressure resistance.例文帳に追加

誘電体層に生じる欠陥、特に溶液塗布焼成法を用いて形成された誘電体層の焼成時のクラックの発生を抑制し、絶縁耐圧を向上させ、均一かつ信頼性の高い薄膜ＥＬ素子とその製造方法を高コスト化することなく提供する。 - 特許庁

Especially, this method is very useful for forming the optically functional layer sometimes used for an application as a coated sheet with a large area, an optical material having excellent characteristics, in an optical element having the optically functional layer thus obtained, and an image displaying device having them.例文帳に追加

特に、大面積の塗膜シートとしての用途が多い光学機能層やこうした光学機能層を有する光学素子では，優れた特性を有する光学材料として非常に有用であり、さらに、これらを搭載した画像表示装置については、特に有効である。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence display element including a positive electrode consisting of a transparent conductive film excellent in a function for effectively implanting holes to a hole carrying layer, the optical transparency for uncovering the light emitted at an EL light emission layer, and the electrical conductivity for functioning as an electrode.例文帳に追加

正孔を効率良く正孔輸送層へ注入する機能およびＥＬ発光層で発せられた光を取り出すための光透過性、さらには電極として機能するための電気伝導性に優れた透明導電膜からなる陽極を備えた有機ＥＬ表示素子を提供する。 - 特許庁

A configuration comprising a tantalum alloy film 11a containing at least one element selected from the group consisting of an iron, a nickel, and a chromium, with an oxide film formed in the surface layer part such that the oxide film can hardly be etched compared with the inner part thereof, formed in the uppermost layer of the semiconductor device, is provided.例文帳に追加

鉄、ニッケルおよびクロムから１種類以上選ばれた元素などを含み、表層部に酸化膜が形成されており、当該酸化膜がその内部部分よりもエッチングされにくいタンタル合金膜１１ａが、半導体装置の最上層などに形成されている構成とする。 - 特許庁

Since a capacitance element 22 for matching impedances of circuit parts 24, 25 is constituted by an insulating layer of a printed wiring board 11 itself and copper foils opposed to the insulating layer, no electrical part is required for matching the impedances.例文帳に追加

回路部品２４、２５のインピーダンス同士を整合させるための容量素子２２が、プリント配線板１１自体の絶縁層とこの絶縁層を介して対向している銅箔層１３、１４とで構成されているので、インピーダンスの整合のために別個の電気部品を搭載する必要がない。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is provided with the translucent positive electrode formed on the p-type semiconductor layer through the p-type contact layer and, in this case, the translucent positive electrode is constituted of a first semiconductor film, a metal film, and a second semiconductor film which are laminated in this sequence.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された透光性の正電極を備える半導体発光素子であって、前記透光性の正電極が、第１の半導体膜、金属膜、第２の半導体膜がこの順に積層されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

The organic EL element 13 is composed of a first electrode 17, a second electrode 19, an organic EL layer 21 which is disposed between the first electrode 17 and the second electrode 19 and has at least a light-emitting layer and a flexible substrate 23 disposed on the first electrode 17.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子１３は、第１電極１７と、第２電極１９と、第１電極１７と第２電極１９との間に設けられ、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層２１と、第１電極１７上に設けられた可撓性の基板２３とによって構成される。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

On both the surfaces 1a and 1b of the liquid crystal display element 1, light source units 13 are arranged respectively each of which has a light emission part 15, composed of an EL light emission layer 17 and transparent electrodes 16 and 18 applying voltage to the EL light emission layer 17, on the other transparent substrate 14.例文帳に追加

液晶表示素子１の両面１ａ，１ｂに、他の透明基板１４上に、ＥＬ発光層１７およびこのＥＬ発光層１７に電圧を印加する透明電極１６，１８からなる発光部１５が形成された光源ユニット１３をそれぞれ配設する。 - 特許庁

To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging hole transport properties, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic region or a liquid-repellent region having such properties.例文帳に追加

本発明は、親液性領域および撥液性領域を形成するための層が正孔輸送性等を有する場合にその正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能な有機ＥＬ素子用基板およびその製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a deposited film forming system by which a deposited film having excellent current/voltage characteristics and photoelectric conversion efficiency, in particular, a photovolatic element in which the joined boundary between an amorphous (i) type layer and an fine-crystal electrically conductive layer has good lattice consistency.例文帳に追加

優れた電流電圧特性と光電変換効率を有する堆積膜、特に非晶質ｉ型層と微結晶の導電型層との間の接合界面が良好な格子整合性を有する光起電力素子を形成することが可能となる堆積膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cold electron emitting element which enables preventing the leakage current flowing without going through the channel and allows a stable driving of the FET controlling the emitted electron weight and a manufacturing method which enables forming in the same process a semiconductor layer of the emitter and a semiconductor layer of the FET.例文帳に追加

チャネルを介さずに流れるリーク電流を防ぎ、放出電子量を制御するＦＥＴの安定駆動を可能とした冷電子放出素子、及びエミッタの半導体層とＦＥＴの半導体層を同一プロセスで形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The wavelength conversion element 20A includes: the substrate 1 for wavelength conversion; a first conductive layer 6A formed so as to contact the +Z surface 1a of the substrate 1 for wavelength conversion; and a second conductive layer 6B formed so as to contact the -Z surface 1b of the substrate 1 for wavelength conversion.例文帳に追加

波長変換素子２０Ａは、波長変換用基板１、波長変換用基板１の＋Ｚ面１ａに接触するように形成された第一の導電層６Ａ、および波長変換用基板１の−Ｚ面１ｂに接触するように形成された第二の導電層６Ｂを備えている。 - 特許庁

RF powder 11 is used in the mode of powder, and each particle 11a of powder is configured of an integrated circuit 13 formed on a substrate 12, an insulating layer 14 formed on the integrated circuit and an antenna element 15 formed on the insulating layer.例文帳に追加

ＲＦパウダー１１は、パウダーの態様で使用され、パウダーの各粒子１１ａは基板１２上に形成された集積回路１３とこの集積回路上に形成された絶縁層１４とこの絶縁層上に形成されたアンテナ素子１５とを有するように構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which emits low-coherence light having a center wavelength band of 0.90 to 1.15 μm, formation of a wide-band quantum well layer and formation of an upper clad layer of high crystal quality being compatibly achieved without removing a mask for selective growth.例文帳に追加

０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。 - 特許庁

The image pickup element 11 has a light receiving region 102 formed on a substrate 101, an insulator layer 104 laminated on the light receiving region 102, and a micro lens 106 which is formed on the insulator layer 104 and condenses incident light to the light receiving region 102.例文帳に追加

撮像素子１１は、基板１０１上に形成された受光領域１０２と、受光領域１０２上に積層された絶縁体層１０４と、絶縁体層１０４上に形成され入射光を受光領域１０２へ集光するマイクロレンズ１０６を有している。 - 特許庁

To obtain a semiconductor light emitting element which can increase an external quantization efficiency indicative of a rate of light externally extracted while maintaining an internal quantum efficiency high as a light emission efficiency of a luminous layer, by increasing the purity of wavelength of light emitted from the layer and by enhancing its crystallization.例文帳に追加

発光層で発光する光の波長の純度を高めると共に、結晶性をよくして発光層で発光する効率である内部量子効率を高く維持しながら外部に取り出す光の割合である外部量子効率を高くすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The optical modulating element 101 has a grating layer 3 where grating members 5 are cyclically arranged, and a first conductive member 2 and a second conductive member 4 to which a voltage is applied at right angles to a waveguide direction of the grating layer 3, on a substrate.例文帳に追加

本発明の光変調素子１０１は、基板１上に、格子部材５が周期的に配置される格子層３と、格子層３における導波方向に対して垂直の方向に電圧を印加するようになっている第１の導電性部材２と第２の導電性部材４とを備えている。 - 特許庁

The storage element comprises a dual structure including a storage layer 17 having magnetization perpendicular to a film surface with a magnetization direction varying corresponding to information, insulation layers 16U, 16L provided above and below the storage layer 17, and magnetization fixed layers 15U, 15L provided above and below the insulation layers 16U, 16L, respectively, and each having magnetization perpendicular to the film face.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層１７の上下に配される絶縁層１６Ｕ、１６Ｌと、さらに膜面に垂直な磁化を有する上下の磁化固定層１５Ｕ、１５Ｌを備えたデュアル構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a copper plated layer as an antenna conductor and having an integrated circuit and an antenna integrally formed, the copper plated layer having good adhesion thereto while preventing adverse effects on the electric property of a circuit element due to the diffusion of copper, the semiconductor device being free of defect with a failure in connecting the antenna to the integrated circuit.例文帳に追加

銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。 - 特許庁

The fuse element 5 is formed by connecting in series two or more sets of fuse units Fu1 to Fu3 connecting in parallel the fuses F1 to F3 consisting of a first conductive lead layer, and resistors R1 to R3 consisting of a second conductive lead layer, and is provided on a semiconductor substrate on which circuit elements are arranged.例文帳に追加

回路素子が設けられた半導体基板上に第１の導電線層からなるヒューズＦ１〜Ｆ３と第２の導電線層からなる抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを並列接続した２組以上のヒューズ単位Ｆｕ１〜Ｆｕ３を直列接続してなるヒューズ素子５を設ける。 - 特許庁

Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.例文帳に追加

マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁