「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(256ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor integrated circuit having on a principal surface of an SOI substrate a high breakdown voltage element formed on an island-shaped semiconductor layer surrounded by a dielectric, which prevents decrease in a breakdown voltage of the high breakdown voltage element due to influence on potential from a surrounding region thereby improving an output current density.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の主面に、誘電体によって囲まれた島状の半導体層に形成された高耐圧素子を有する半導体集積回路装置において、周辺領域の電位の影響による高耐圧素子の耐圧の低下を防いで、出力電流密度を向上する。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁

Chalcogen element-containing magnesium oxide powder 17 which contains a chalcogen element selected from a group composed of S, Se and Te in an amount in a range of 0.00015-0.0075 mole with respect to 1 mole of Mg, is scattered on the surface of a dielectric protective layer 16 of the front plate 10 of the plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの前面板１０の誘電体保護層１６の表面に、Ｍｇ１モルに対してＳ、Ｓｅ及びＴｅからなる群より選ばれるカルコゲン元素を０．０００１５〜０．００７５モルの範囲の量にて含有するカルコゲン元素含有酸化マグネシウム粉末１７を点在させる。 - 特許庁

A second-conductivity-type collector region 16 delimited by element isolation regions 20 is formed on a first-conductivity-type semiconductor substrate 10, and a first-conductivity-type first base semiconductor layer 40 extends from the top face of the collector region 16 to the top faces of the element isolation regions 20.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０上に素子分離領域２０によって限定される第２導電型のコレクタ領域１６が形成され、第１導電型の第１ベース半導体層４０がコレクタ領域１６の上面から素子分離領域２０の上面まで延びている。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

To reduce displacement between multiple retardation regions and multiple pixels arranged on a display element substrate when manufacturing a display device including a retardation layer having the retardation regions in which directions of slow axes are different from each other along the display element substrate.例文帳に追加

表示素子基板に沿って、互いに遅相軸の方向が異なる複数の位相差領域を有する位相差層を具備した表示装置を製造するとき、上記位相差領域と上記表示素子基板に配列された複数の画素との間の位置ずれを小さくすること。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element suitable to high recoding density etc., capable of improving PW50 (waveform half-value width) and an SN ratio compared to a conventional element without deteriorating reproduction characteristics represented by a resistance change value (ΔR/R) by improving, specifically a base layer.例文帳に追加

特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of attaining a high withstand voltage since a field plate part can be prevented from being peeled off by stress even if inherent stress is released when forming a groove in a portion where element separation of a semiconductor layer is carried out, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体層の素子分離される部分に溝を形成する際に内在する応力が開放されても、その応力によりフィールドプレート部が絶縁膜から剥離するのを防止でき、高耐圧化を可能にした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device where strong light is not made incident on an active layer of a pixel transistor even if adopting a system of reflecting light made incident from an element substrate side by a common electrode and emitting the light from an element substrate, and an electronic device provided with the liquid crystal device.例文帳に追加

素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

When a semiconductor element made of a nitride semiconductor layer is to be formed on such hexagonal system substrate as a sapphire substrate 1 and to be divided into each semiconductor element, a nitride metal thin film 1 is provided on the reverse side of the sapphire substrate 1, thus easily cutting the sapphire substrate 1 into an arbitrary direction.例文帳に追加

サファイア基板等の六方晶系基板上に窒化物半導体層からなる半導体素子を形成して各半導体素子に分割する場合、サファイア基板の裏面に窒化金属薄膜を設けることにより、任意の方向にサファイア基板を容易に切断できる。 - 特許庁

When the heating resistor element 30 in an element group 42 far from the electrode pad 20 is energized, the electric current is supplied thereto from a block 214 through a connection section 52 by passing through a connection section 50 and a second common electrode layer 410 from the electrode pad 20.例文帳に追加

これに対し、電極パッド２０から遠い素子群４２の発熱抵抗素子３０に通電する場合は、電極パッド２０から接続部５０介して第２共通電極層４１０を経由した後、接続部５２を介してブロック２１４から発熱抵抗素子３０に通電する。 - 特許庁

Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element having excellent characteristics and high reliability without causing separation or the like in dividing a chip nor causing a short circuit in a semiconductor layer, in a manufacturing process of a nitride-based compound semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for mounting the light emitting element includes a stage of forming a metal projection part 22b at the position where the light emitting element is mounted by selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 and a stage of forming an electrode 23a nearby the metal projection 22b.例文帳に追加

金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which has a light-emitting layer formed by using a liquid object containing phosphorescent blue light-emitting materials, this is the organic electroluminescent element in which the liquid object containing the phosphorescent blue light-emitting materials contains a halogen-free solvent.例文帳に追加

リン光性青色発光材料を含有する液状物を用いて形成された発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、リン光性青色発光材料を含有する液状物が非ハロゲン系溶媒を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Plural layers 5a-5c for constituting the GMR element 5 are formed on the shield gap layer 4a, a part of the thickness direction of the plural layers 5a-5c is etched by reactive ion etching, the remaining part is etched by ion milling and the GMR element 5 is formed.例文帳に追加

ＧＭＲ素子５を構成する複数の層５ａ〜５ｃはシールドギャップ膜４ａの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層５ａ〜５ｃの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、ＧＭＲ素子５が形成される。 - 特許庁

A capacitor element is formed, by winding an anode foil with a cathode foil and a separator, and the capacitor element is impregnated with EDT or an EDT solution, further impregnated with 30-50% oxidizer solution and heated at 20-180°C for 30 minutes or longer, to form a PEDT polymer layer on both electrodes.例文帳に追加

陽極箔を陰極箔及びセパレータと共に巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子にＥＤＴ又はＥＤＴ溶液を含浸し、さらに３０〜５０％の酸化剤溶液を含浸して、２０〜１８０℃、３０分以上加熱し、両電極間にＰＥＤＴポリマー層を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stacked photoelectromotive element with which shunting of the stacked photoelectromotive element where a transparent conductive layer is installed between a plurality of photoelectromotive elements having pin junction is solved and a stacked solar battery having a satisfactory characteristic and high yield is realized.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する複数の光起電力素子の間に透明導電層を設けた積層型光起電力素子のシャントを解決し、良好な特性及び高い歩留りを有する積層型太陽電池を実現しうる積層型光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL display capable of absorbing, by a stress relieving layer, stress generated when sticking a color conversion filter to an organic luminescent element or by changes of environment used for installing the display, thereby capable of preventing the luminescent element from being damaged, and having high reliability and high efficiency.例文帳に追加

色変換フィルターと有機発光素子を貼り合わせる時に、或いはディスプレイのおかれた環境の変化等により、発生する応力を応力緩和層にて吸収し発光素子へダメージが及ばない、信頼性が高く、且つ高効率である有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical element which can reduce contact resistance between an optical waveguide unit and an electrode, and to prevent the medium rupture of the electrode simultaneously in a structure in which a mesa shape optical waveguide unit including an active layer is embedded with a high resistance portion, and to provide the semiconductor optical element.例文帳に追加

活性層を含むメサ状の光導波路部を高抵抗部で埋め込んだ構造において、光導波路部と電極とのコンタクト抵抗を低減し、且つ電極の段切れを防ぐことができる半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The electrolytic capacitor manufactured by this method has an electrolytic capacitor element, and the capacitor element comprises an anode body formed of a porous sintered material, and a dielectric layer formed on the outer peripheral surface of the anode body and on the inner wall surfaces of plural holes existing in the anode body.例文帳に追加

ここで、該製造方法によって作製される電解コンデンサは、電解型のコンデンサ素子を具え、該コンデンサ素子は、多孔質焼結体からなる陽極体と、該陽極体の外周面上及び陽極体内に存在する複数の孔の内壁面上に形成された誘電体層とを有している。 - 特許庁

Then a gas barrier type transparent thin film layer which has a refractive index smaller than the refractive index of the compound semiconductor element and larger than the refractive index of the light-transmissive sealing material is formed on the compound semiconductor element and electrode by using vacuum thin-film formation technique such as sputtering, CVD, etc.例文帳に追加

その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。 - 特許庁

A flat layer 19 having a roughened surface on a microlens and a shading film is formed on a solid imaging element including a photoelectric conversion element 10, a multicolor filter 14, and the microlens 18 laminated in an effective screen, and including the shading film 17 provided outside the effective screen.例文帳に追加

有効画面内に光電変換素子１０と、複数色のカラーフィルタ１４と、マイクロレンズ１８とが積層され、有効画面外に遮光膜１７が設けられた固体撮像素子にて、マイクロレンズ上及び遮光膜上に粗化した表面を有する平坦層１９が形成されたこと。 - 特許庁

To provide a liquid crystal optical element, wherein the cell gap fluctuation of the liquid crystal layer caused by temperature variation of the liquid crystal optical element is suppressed, and the aberration is corrected over the whole operating temperature range, especially also in the case of mounted on an optical pickup device using a blue laser, and to provide the optical pickup device having it mounted thereon.例文帳に追加

液晶光学素子の温度変化による液晶層のセルギャップ変動を抑え、使用温度範囲全般にわたって、特に青色レーザーを用いた光ピックアップ装置においても収差補正が可能な、液晶光学素子およびそれを搭載した光ピックアップ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element allowing fine processing easily and certainly in the element manufacturing process by accurately forming film formation preventive layers in the desired shape and having a very small light emission probability of an organic light emission layer in the non-selected portion.例文帳に追加

所望の形状の成膜防止層を精度良く形成することにより、有機電界発光素子の製造工程における微細加工を容易かつ確実に行って、非選択部分の有機発光層の発光確率が著しく小さい有機電界発光素子を製造する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an optically active image element and a first supporting substrate 6 is formed on the first major surface of a semiconductor substrate 2 on which an active element region and a first wiring layer 4 are formed, whereas a second supporting substrate 10 is formed on the second major surface becoming the light receiving surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

光学的に活性な画像素子を含み、能動素子領域及び第１の配線層が形成された半導体基板の第１の主面上に第１の支持基板を形成し、前記半導体基板の受光面となる第２の主面上に第２の支持基板を設ける。 - 特許庁

A light-emitting element comprises at least a light-emitting layer between an anode and a cathode and emits a light by electrical energy, and the light-emitting element includes: a pyrene compound having a specific structure; and an organic fluorescent substance that has a fluorescence peak wavelength of not shorter than 500 nm and not longer than 680 nm.例文帳に追加

陽極と陰極との間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は特定の構造を有するピレン化合物と、蛍光ピーク波長が５００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の有機蛍光物質を含むことを特徴とする発光素子。 - 特許庁

A multi-chip module 1 or electronic semiconductor element has a multilayered substrate 9, and the bottom face of the bottom layer 15 of the substrate 9 works as a bonding surface when the module 1 or element is bonded to a printed wiring board with a heat-sensitive adhesive, solder, etc.例文帳に追加

多重チップモジュール（１）又は他の電子半導体素子は多重層基体（９）を有し、その底層（１５）の底表面は熱感応性接着剤又ははんだ等を用いて多重チップモジュール又は素子を印刷配線板（８）に接着するための接着表面として作用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic EL display element and an organic EL display element capable of preventing abnormal light emission caused by a leak of current to adjacent pixels with a hole transport layer formed on a pixel electrode in an organic EL display device and generating no short circuit between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置において、画素電極上に形成された正孔輸送層による隣接画素への電流のリーク等による異常発光を防止し、かつ陽極と陰極の短絡が発生しない有機ＥＬ表示素子の製造方法及び有機ＥＬ表示素子を提供する。 - 特許庁

The lens material layer is subjected to pattern exposure by using a photomask 24 with controlled transmittance distribution so that microlenses 22g, 22b and 22r may be formed on the corresponding photoelectric conversion element after development and then is subjected to development and hardening to form the microlens on the corresponding photoelectric conversion element.例文帳に追加

このレンズ材料層が、透過率分布を制御したフォトマスク２４を使用し、現像後に対応する光電変換素子上にマイクロレンズ２２ｇ，２２ｂ，２２ｒが形成されるようパターン露光された後に現像及び硬化され、光電変換素子上に対応してマイクロレンズが形成される。 - 特許庁

To provide a lens shape design method for minimizing the loss of incident light to a light receiving element of an imaging element used for an imaging device, which is suitably used when a layer below a lens is formed of a plurality of layers differed in refractive index.例文帳に追加

特に、撮像装置に用いられる撮像素子の受光素子への入射光のロスを少なくするためのレンズの形状設計方法であって、レンズ下の層が、屈折率の異なる複数の層からなる場合において、好適なレンズの形状設計方法を提供する。 - 特許庁

With the ceramic heater made up of a heating element on the surface of the circuit board, the heating element is constructed with non- sintering flitter or conductive ceramic membrane, either of which is bonded to the surface of the circuit board above via heat-resistant resin layer or the like.例文帳に追加

基板の表面に、発熱体を設けてなるセラミックヒータにおいて、その発熱体を非焼結型金属箔もしくは導電性セラミック薄膜にて構成すると共に、この金属箔もしくは導電性セラミック薄膜を前記基板表面に、耐熱性樹脂層等を介して接着してなるセラミックヒータ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The imaging device has a substrate 1 which has a wiring conductor 3 formed on its surface, an imaging element 2 which has an electrode joined to the wiring conductor 3 through a conductive bump 5, and an adhesive layer 8 which is formed between the imaging element 2 and substrate 1 to cover the conductive bump 5.例文帳に追加

表面に配線導体３が形成された基板１と、配線導体３に導電性バンプ５を介して接合された電極を有する撮像素子２と、導電性バンプ５を覆うように撮像素子２と基板１との間に設けられた接着剤層８とを有する。 - 特許庁

If this fluorescence enhancing element is used, emission efficiency only raised by about several% in a conventional fluorescence enhancing element can be enhanced up to about 50% and the emission of a coloring matter dispersed layer having relatively high emission properties can be further enhanced.例文帳に追加

本発明の蛍光増強素子によれば、従来の蛍光増強素子では数％程度しか上昇しなかった発光効率を50％程度にまで向上させることができ、また比較的強い発光性を有する色素分散層の発光をさらに強く増強することができる。 - 特許庁

Comma aberration of a spot formed on a recording layer is corrected by moving the lens element 33c in the direction orthogonal to the optical axis while the distance between the surface of an optical recording medium 28 and the S-SIL element 27b facing the surface is fixed.例文帳に追加

レンズ素子３３ｃを光軸と直交する方向に移動させることによって、光記録媒体２８の表面と、これに対向するＳ−ＳＩＬ素子２７ｂとの間隔を一定に維持した状態で、記録層上に形成されるスポットのコマ収差を補正することができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 2 flip chip mounted on a printed wiring board 1 with bumps 3, and a heat dissipating member, i.e., a heat spreader 7, bonded to the semiconductor element 2 through an adhesive layer 10 composing a ceramic plate having pores impregnated with thermosetting resin.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子２はバンプ３によりプリント配線板１上にフリップチップ実装され、放熱部材であるヒートスプレッダ７と半導体素子２は、接着層１０を介して接着され、接着層１０が、気孔を有するセラミックス板に熱硬化性樹脂を含浸したもので構成される。 - 特許庁

Hence, the use of the color filter c enables the manufacturing of the reliable, high-definition and large-area organic EL display element because lamination to the organic EL element e does not cause a stress concentration to the top surfaces a_1, a_2, a_3 to a_n of the spacers 6 and damage to an organic EL layer 82.例文帳に追加

このため、このカラーフィルタｃを用いれば、有機ＥＬ素子ｅとの貼り合わせにおいてもスペーサ６の頂面ａ１，ａ２，ａ３，・・・，ａｎに応力が集中しないため有機ＥＬ層８２を損傷せず、信頼性に優れた高精彩・大面積の有機ＥＬ表示素子を製造することができる。 - 特許庁

The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁

When using video device or an optical switching element array 50 as a picture display device, a silicon containing resist is applied on resin layers 35, 36 in order to separate an individual micro optical element 3 composing an individual pixel, then exposure and development are performed, and thus a resist layer 37 is formed.例文帳に追加

映像デバイスあるいは画像表示装置としての本例の光スイッチング素子アレイ５０を用いる場合に、個々の画素を構成する個々のマイクロ光学素子３を分離するため、樹脂層３５および３６の上にシリコン含有レジストを塗布し、露光及び現像を行いレジスト層３７を形成する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming an unevenness layer with uneven on the surface of the semiconductor substrate 1, including at least the element forming surface (front side) of the substrate 1, and a step of planarizing the unevenness formed on the surface of the semiconductor substrate excepting the element-forming surface.例文帳に追加

半導体基板１の少なくとも素子形成面（表面）を含む当該半導体基板表面に凹凸を有する凹凸層を形成する工程と、前記半導体基板の前記素子形成面を除く表面に形成された前記凹凸層の凹凸を平坦化する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element not impeding emission of a generated gas and preventing generation of cracks and the like in a grown semiconductor layer when removing a substrate for growth by an LLO (Laser Lift Off) method, and the semiconductor light emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

ＬＬＯ法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a film laminate with the adhesive resin layer of which an organic EL element is sealed by a lamination process, namely, the top emission type organic EL element is sealed in a solid state, while keeping a uniform gap between them without mixing air bubbles in the gap and to provide a sealing material and methods for producing the film laminate and the sealing material.例文帳に追加

上面発光型有機ＥＬ素子の固体封止において、接着性樹脂層をラミネート法にて、均一なギャップで、気泡の混入のなく有機ＥＬ素子を封止するためのフィルム積層体、封止材及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for light emitting element mounting such that when at least an insulating layer is laminated on a substrate having a projection part for a light emitting element mounting position, the projection part is easily exposed and there is neither a problem of positioning nor a problem of precision of opening processing.例文帳に追加

発光素子搭載位置の凸部が形成された基板に、少なくとも絶縁層を積層した際に、その凸部を容易に露出することができ、しかも位置合わせの問題や開口加工の精度の問題も生じにくい発光素子搭載用基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁