「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(254ページ目) - Weblio英語例文検索

The diffractive element is formed by; providing a substrate transmitting light having wavelengths of about 100nm to about 300nm; forming an amorphous isotropic layer which transmits the light of wavelengths in the range without substantial attenuation of the light; patterning the layer; and removing a part of the layer from the area of the substrate based on the patterning.例文帳に追加

約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの波長を有する光を透過する基板を提供し； 光の実質的な減衰なしに範囲における波長における光を透過する非晶質の等方性の層を基板上に形成し； 層をパターニングし、 パターニングに基づき基板の領域から層の一部を除去し、これにより回折素子が形成される。 - 特許庁

The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third translucent insulating substrate 21 sequentially.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の透光性絶縁基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

The magnetic memory has a magnetic resistance element 3 including a free magnetic layer 14, a word line 1 extended in an x-axial direction which is aslant to an easy axis of the free magnetic layer 14, a bit line 2 extended in a y-axial direction, and a write circuit (not illustrated) for writing data in the free magnetic layer by the toggle write method.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは，自由磁性層１４を含む磁気抵抗素子３と，自由磁性層１４の容易軸に対して斜めであるｘ軸方向に延設されているワード線１と，ｙ軸方向に延設されているビット線２と，トグル書き込み方式によって自由磁性層にデータを書き込む書き込み回路（図示されない）とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor element mounting substrate 10, a low-thermal expansion substrate 50 is sandwiched between an interlayer resin layer 14U on the top surface and an interlayer resin layer 14D on the underside, and a conductor circuit 26 of an organic substrate 30 and a first conductor circuit 80 of the low-thermal expansion substrate 50 are connected via a via conductor 22 formed on the interlayer resin layer 14U.例文帳に追加

半導体素子実装基板１０は、低熱膨張基板５０を上面側の層間樹脂層１４Ｕと下面側の層間樹脂層１４Ｄとで挟持し、有機基板３０の導体回路２６と低熱膨張基板５０の第１導体回路８０とを層間樹脂層１４Ｕに形成されたビア導体２２で接続する。 - 特許庁

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a process for forming seed titanium layer by coating Titanium (Ti) at least twice or more on a lower electrode formed on a substrate; and a process for forming a piezoelectric precursor film by coating piezoelectric material on the seed titanium layer, and thereafter calcining the piezoelectric precursor film so as to crystallize, thereby forming a piezoelectric material layer.例文帳に追加

基板上に形成した下電極上にチタン（Ｔｉ）を少なくとも２回以上塗布して種チタン層を形成する工程と、種チタン層上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成すると共に圧電体前駆体膜を焼成して結晶化させることで圧電体層を形成する工程とを設ける。 - 特許庁

The image display apparatus is provided which includes at least: a pair of transparent electrode layers; an optical shutter layer formed between the pair of transparent electrode layers; and a light absorption layer, and forms a reversible image, wherein the optical shutter layer is formed from a polymer dispersed liquid crystal or an element that has an electric-optical effect.例文帳に追加

少なくとも１対の透明電極層と、前記1対の透明電極層間に形成された光シャッター層と、光吸収層から構成される可逆性の画像を形成する装置であり、前記光シャッター層が電気光学効果を有する素子、もしくは高分子分散型液晶から形成されることを特徴とする画像表示装置。 - 特許庁

The insulation coating has a first insulation layer made of a first element-group comprising at least P and O, and made of second elements capable of generating cations having two or more valences whose six-coordination ion radiuses defined by Shannon are not smaller than 0.073 nm, and has a second insulation layer made of a silicone resin wherewith the first insulation layer is coated.例文帳に追加

本発明の絶縁被膜は、少なくともＰおよびＯからなる第１元素群とシャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素とからなる第１絶縁層と、この第１絶縁層を被覆するシリコーン樹脂からなる第２絶縁層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting element (100) includes an optical resonator structure having a cladding layer (103, 109) which sandwiches an activity layer (105), and a phosphor content layer (111) which absorbs stimulated emission light which is changed into a laser oscillation state in the optical resonator structure by current implantation, and emits visible light in parallel with the optical resonator structure.例文帳に追加

発光素子（１００）は活性層（１０５）を挟むクラッド層（１０３、１０９）を含む光共振器構造を備え、電流注入によって光共振器構造においてレーザ発振状態となった誘導放出光を吸収して可視光を発する蛍光体含有層（１１１）が光共振器構造に平行して設けられている。 - 特許庁

The cathode active material is provided with complex oxide particles, a coating layer fitted at least to a part of the complex oxide particles and made of oxide containing at least one coating element out of lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing zinc (Zn).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The power module 1 is provided with a first juncture (juncture, power module substrate) in which an insulating ceramic layer (ceramic layer) 5 including an ALN is sandwiched between two AL circuit substrates (AL layer) 2, 3 and bonded, a second juncture (juncture) 7 and a Si chip (large electric power semiconductor element) 8 wired to the AL circuit substrate 2 of the second juncture 7.例文帳に追加

パワーモジュール１は、二つのＡＬ回路基板（ＡＬ層）２、３の間に、ＡＬＮからなる絶縁セラミックス層（セラミックス層）５が挟まれて接合された第一接合体（接合体、パワーモジュール用基板）６及び第二接合体（接合体）７と、第二接合体７のＡＬ回路基板２に配線されたＳｉチップ（大電力半導体素子）８とを備えている。 - 特許庁

Moreover, the magnetoresistive effect device 5 is equipped with a pair of magnetization setting layers 24L, 24R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the base layer 21 and the perpendicularly biased magnetic field impression layer 22 and a pair of electrode layers 25L, 25R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the coupling layer 23 and the MR element 50.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は更に、下地層２１と縦バイアス磁界印加層２２からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の磁化設定層２４Ｌ，２４Ｒと、結合層２３とＭＲ素子５０からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の電極層２５Ｌ，２５Ｒを備えている。 - 特許庁

A display device according is characterized in that a first electrode, an insulating layer covering a peripheral edge of the first electrode, a layer containing an organic compound, which is formed on the first electrode, and a second electrode are formed in a display area, and that the first electrode and the insulating layer are doped with an impurity element imparting one conductivity type.例文帳に追加

本発明の表示装置の一は、第１の電極と、該第１の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第２の電極とが表示領域に形成され、第１の電極と、絶縁層とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする。 - 特許庁

This thin film magnetic head is provided with at least an inductive writing head element including an upper core layer magnetically coupled to an upper magnetic pole for its front end, a lower core layer magnetically coupled to a lower magnetic pole for its front end, a coil conductor inserted between the upper and lower core layers, and a coil insolating layer formed by sandwiching the coil conductor.例文帳に追加

前端部で上部磁極に磁気的に結合している上部コア層と、前端部で下部磁極に磁気的に結合している下部コア層と、上部コア層及び下部コア層間に挿通しているコイル導体と、コイル導体を挟んで形成されたコイル絶縁層とを含むインダクティブ型書込みヘッド素子を少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドである。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The insulating layer 9 is composed of a first insulating film 9a comprising a silicone oxide film patterned so as to spread over a strong electric field drift layer 6 and an element isolation layer 3b, and a second insulating film 9b comprising a silicone oxide film patterned so as to cover the converging electrode 8 on the first insulating film 9a and the first insulating film 9a.例文帳に追加

絶縁層９は、強電界ドリフト層６上と素子分離層３ｂ上とに跨ってパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜９ａと、第１の絶縁膜９ａと第１の絶縁膜９ａ上の収束電極８とを覆うようにパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜９ｂとで構成されている。 - 特許庁

In this hydrogen-gas detecting element, a sensitive layer 2 which covers a noble metal wire 1 and which is formed of a semiconductor composed mainly of indium oxide is formed, 0.4 to 10 mol% of the oxide of at least one kind of a metal selected from among lanthanide metals is added to the sensitive layer 2, and a dense silica this film 3 is formed on the surface of the sensitive layer.例文帳に追加

貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層にランタニド金属から選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を０．４〜１０ｍｏｌ％添加してあるとともに、感応層表面に緻密なシリカ薄膜を形成してある。 - 特許庁

In the lead storage battery wherein the battery case and the lid are integrated, a conductive layer is arranged on the battery case or the lid in the vicinity of the integrated section between the battery case and the lid, and generation of discharge sparks can be prevented by making a power generation element absorb static electricity from the conductive layer via a negative electrode terminal by connecting the conductive layer with the negative electrode terminal.例文帳に追加

電槽と蓋が一体化されてなる鉛蓄電池において、電槽と蓋との一体化部の周縁近傍の電槽又は蓋に導電層を設けるとともに、導電層は負極端子に接続することにより、静電気を導電層より負極端子を介し発電要素に吸収させることで放電火花の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element wherein optimal quality of material and thickness of a fixed magnetic layer are selected when an NOL (Nano Oxide Layer) having specular effect is used inside the fixed magnetic layer, and further, profile of the NOL is rationalized, so that high resistance change ratio (ΔR/R) and monodirective exchange bias magnetic field (Hex^* ) can be obtained.例文帳に追加

特に固定磁性層の内部に鏡面反射効果を有するＮＯＬを用いたときに、前記固定磁性層の最適な材質及び膜厚を選択し、さらには前記ＮＯＬの形状を適正化し、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）と一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ＊）を得ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing phosphorus (P).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、リン（Ｐ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

In this organic light emitting element having a pair of electrodes composed of an anode and a cathode and at least a layer between a pair of electrodes and containing one or a plurality of organic compounds, at least one layer of the layer containing the organic compounds contains at least one kind of spiro compound expressed by the general formula (I).例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層の少なくとも一層が下記一般式［Ｉ］で示されるスピロ化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which interposes an organic layer having at least an organic light-emitting layer between a pair of electrodes composed of a positive electrode and a negative electrode, the above organic compound layer contains a light-emitting material and a crystallization preventing substance made of a bis-fused aromatic ring compound.例文帳に追加

少なくとも有機発光層を有する有機化合物層を、陽極と陰極とで構成される一対の電極で挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層が発光材料とビス縮合芳香族環化合物からなる結晶化阻害物質とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing boron (B).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、ホウ素（Ｂ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The curable composition is used for adhering a heat conductor 2 having thermal conductivity of ≥10 W/m-K on an electroconductive layer 4 when a chip-on-board optical semiconductor device is obtained in which an optical semiconductor element 5 is directly mounted on the electroconductive layer 4 of a board having the heat conductor 2 and the electroconductive layer 4 instead of using a package.例文帳に追加

本発明に係る硬化性組成物は、パッケージを用いずに、熱伝導体２と導電層４とを有する基板の導電層４上に光半導体素子５を直接搭載したチップオンボード方式の光半導体装置１を得る際に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２を導電層４に接着するために用いられる。 - 特許庁

(2) The reversible thermosensitive recording medium has a reversible thermosensitive recording layer on one surface of a base material and keeps an antenna circuit and an electronic information recording element connected with the antenna circuit via an electrical connection part arranged in a coated state with the rear surface protective layer on the other surface of the base material, and the rear surface protective layer includes a silicone material.例文帳に追加

（２）基材の一方の面に可逆性感熱記録層を有し、前記基材の他方の面上には、アンテナ回路及び該アンテナ回路と電気的接続部を介して接続された電子情報記録素子が、裏面保護層により被覆された状態で設置され、該裏面保護層がシリコーン系材料からなる可逆性感熱記録媒体。 - 特許庁

A manner to use the photo-curing composition for forming a practically colorless transparent structural body mounted in a display region between a conductive layer and a liquid crystal layer in a liquid crystal display element constructed by interposing the liquid crystal layer in the display region between two sheets of substrates with the conductive layers on the surfaces opposite to each other etc. is preferable.例文帳に追加

互いに対向し合う側の表面に導電層を備える２枚の基板間の表示領域に液晶層が狭持されてなる液晶表示素子における前記導電層と前記液晶層との間の表示領域に設けられる実質的に無色透明な構造体の形成に用いられる態様、などが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor element includes a sapphire substrate 105 which has a principal surface 106 comprising a (c) plane, and also has a recessed portion 110a formed on the principal surface, a first buffer layer 110 which is provided on the principal surface of the sapphire substrate and made of crystalline AlN, and a semiconductor layer 190 which is provided on the first buffer layer and made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。 - 特許庁

This inkjet recording element includes a support having (a) at least one porous ink carrier accepting layer, (b) a fusible porous coloring matter scavenging layer including fine fusible polymer particles, a binder and a coloring matter mordant and (c) a fusible porous ink transporting layer including the fine fusible polymer particles and a film forming hydrophobic binder in the order named.例文帳に追加

ａ）少なくとも一つの多孔質インクキャリヤー受容層、ｂ）溶融性ポリマー微粒子、バインダー、および色素媒染剤を含んでなる溶融性多孔質色素捕捉層、ならびにｃ）溶融性ポリマー微粒子および被膜形成疎水性バインダーを含んでなる溶融性多孔質インク輸送層をこの順序で有する支持体を含んでなるインクジェット記録要素。 - 特許庁

In order to accomplish the above purpose, this application provides this functional element characterized by including a base material, the gas barrier layer formed on the base material and having a refractive index changing with change of a gas barrier property, and a marker part formed so as to contact the gas barrier layer for inspecting the refractive index of the gas barrier layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、かつガスバリア性の変化に伴い屈折率が変化するガスバリア層と、前記ガスバリア層と接触するように形成された前記ガスバリア層の屈折率を検査するためのマーカー部とを有することを特徴とする機能性素子を提供する。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁

The composition for the alignment layer is used for manufacturing an optical element composed of a support 1, an alignment layer 2, and an optical function layer consisting of the liquid crystalline compound and contains at least a polymer having one or more primary amino groups and/or secondary amino groups (A) and water and/or a lower alcoholic solvent (B).例文帳に追加

支持体１、配向膜２、及び液晶性化合物からなる光学機能層３で構成される光学素子の製作に使用される配向膜用組成物であって、配向膜用組成物はＡ）１級アミノ基及び／又は２級アミノ基を１個以上有するポリマー、及び、Ｂ）水及び／又は低級アルコール系溶剤を少なくとも含む。 - 特許庁

The operation method of phase change memory element, provided with a phase change layer and a means for applying a voltage to the phase change layer, includes a step of applying a reset voltage Vrecet to the phase change layer, wherein the reset voltage Vrecet may contain at least two pulse voltages continuously applied, for example, first to third pulse voltages V1-V3.例文帳に追加

相変化層と相変化層に電圧を印加する手段とを備える相変化メモリ素子の動作方法は、相変化層にリセット電圧Ｖｒｅｃｅｔを印加する段階を含み、リセット電圧Ｖｒｅｃｅｔは、連続印加される少なくとも２つのパルス電圧、例えば第１ないし第３パルス電圧Ｖ１〜Ｖ３を含むことができる。 - 特許庁

In the surface treated metallic sheet having excellent heat absorbability and the metal-made exothermic element cover obtained by using the same, the surface of the metallic sheet is provided with a plated layer comprising, by mass, 5 to 20% Fe, and the balance Zn with inevitable impurities, and the upper layer of at least one side thereof is provided with a heat absorbable film layer.例文帳に追加

金属板の表面に、質量％で、Ｆｅ：５〜２０％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなるめっき層を有し、その少なくとも片面の上層に熱吸収性皮膜層を有することを特徴とする熱吸収性に優れた表面処理金属板及びこれを用いた金属製発熱体カバー。 - 特許庁

The optical element 1 is constituted by laminating, on a substrate 2, a high refraction layer 3 formed by ditantalum pentaoxide or hafnium dioxide, a low refractive index layer 4 formed by silicon oxide, and a high refractive index layer 5 formed by ditantalum pentaoxide or halnium dioxide and by laminating a contamination-resisting coating (fluorine compound) 6 having such thickness that does not affect the optical characteristics adversely on them.例文帳に追加

本発明の光学素子１は、基板２に、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折層３と、酸化ケイ素からなる低屈折率層４と、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折率層５とを積層し、その上に光学特性に影響を与えない程度の厚さの防汚コート（フッ素化合物）６を積層してなる。 - 特許庁

In this light emitting element, the porous phosphor layer 3 is held by conductive films 2 between two substrates each having the conductive films 2 on their surfaces so that the respective conductive films face each other, the average pore diameters of the porous phosphor layer 3 are in a range of 0.02 - 10 μm, and the porous phosphor layer 3 are filled with gas.例文帳に追加

多孔質蛍光体層(3)が、表面に導電膜(2)を有する2枚の基板の間に、各導電膜が対峙するように、導電膜(2)によって狭持されてなる発光素子であって、 多孔質蛍光体層(3)の平均細孔径が０．０２〜１０μｍの範囲にあり、多孔質蛍光体層(3)にガスが封入されていることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

At least either of the bearing rings 2 and 3 and rolling element 1 of a rolling bearing 10 forming the rotor supporting structure of a turbo- charger is composed of steel whose surface layer has a compound layer 1a of at least any of Fe-B, VC and TiC and having high hardness of ≥1400 Hv in the surface layer and ≥700 Hv at the inside.例文帳に追加

ターボチャージャのロータ支持構造を構成する転がり軸受１０の起動輪２、３と転動体１との少なくともいずれかは、表面層にＦｅ−Ｂ、ＶＣ、ＴｉＣの少なくともいずれかの化合物層１ａを有する鋼よりなっており、表層においてＨｖ１４００以上、内部においてＨｖ７００以上の高硬度を有している。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes at least one organic layer having an luminescent layer between a pair of electrodes, and at least a kind of compound having a specific carbazole structure and at least a kind of complex system phosphorescence light emitting material having quadridentate ligand are contained in the organic layer.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、特定のカルバゾール構造を有する化合物の少なくとも一種と、４座配位子を有する錯体系燐光発光材料を少なくとも一種とを有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

The electroluminescent element manufactured by the method has the substrate, a layer doped with rare earth elements and rich in silicon formed on a gate oxide layer for radiating light at a prescribed wavelength, an upper end electrode formed on a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon, and a combined CMOS IC structure manufactured there.例文帳に追加

基板、所定の波長の光を放出するためのゲート酸化物層上に形成された、希土類がドープされ且つシリコンリッチな層、上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層上に形成された上端電極、およびそこに製造された連合されたＣＭＯＳ ＩＣ構造体を有する本発明の方法によって製造されたエレクトロルミネセンス素子に関する。 - 特許庁

With the photoelectric conversion element laminated with a conductive support body, a photosensitive layer consisting of charge transport material with the space filled with semiconductor fine particles absorbing dyestuff, a charge transport layer and a counter electrode, in that order, the voids of the photosensitive layer is made to be smaller toward the direction of the conductive support body.例文帳に追加

導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子及び当該半導体微粒子の間の空隙に充填された電荷輸送材料からなる感光層、電荷移動層及び対極の順に積層された光電変換素子において、導電性支持体方向へ向かって感光層の空隙率が小さくなるよう構成する。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。 - 特許庁

The organic EL element has an anode for injecting a hole; a cathode for injecting an electron; and at least one layer between the anode and the cathode, at least one of the anode and the cathode is transparent, at least one layer of layers is a hydrogen silicone layer and adjacent to the cathode, and the cathode is formed by electroless plating.例文帳に追加

正孔を注入する陽極と、電子を注入する陰極と、陽極と陰極間に１以上の層を有し、陽極もしくは陰極の少なくとも一が透明であり、１以上の層の少なくとも１がハイドロジェンシリコーンの層であって陰極に隣接し、かつ陰極が無電解めっきで形成したものである有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The electron accelerating layer 4 of this electron emitting element 1 contains insulator particulates 5 and conductive particulates 6a each having an average particle diameter smaller than that of the insulator particulate 5, and has a conductive particulate layer 16 containing conductive particulates 6b each having an average particle diameter smaller than that of the insulator particles 5 between the electron accelerating layer 4 and the electrode substrate 2.例文帳に追加

電子放出素子１の電子加速層４は、絶縁体微粒子５と、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ａとを含み、電子加速層４と電極基板２との間に、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ｂを含む導電微粒子層１６を有する。 - 特許庁

When an optical information recording and reproducing apparatus is used to record and reproduce a signal by forming a convergence spot in a target recording layer of an optical information recording medium including a plurality of information recording layers, spherical aberration which occurs in each light transmission protecting layer having thickness different for each information recording layer, is corrected by controlling an optical element for spherical aberration correction.例文帳に追加

光情報記録再生装置により複数の情報記録層を有する光情報記録媒体の目標の記録層に集光スポットを形成して信号を記録、再生する際に、前記情報記録層ごとに異なる厚さからなる光透過保護層で生じる球面収差を、球面収差補正用光学素子を制御して補正する。 - 特許庁

When an optical recording medium with at least a light transmissive substrate 2, a recording layer 4 subjected to heat-mode recording and a reflecting layer 5 comprising a metal or metalloid in this order is produced, a step for varying the bonding state of the constituent element of the reflecting layer 5 in at least the recording region is carried out.例文帳に追加

少なくとも、透光性基体２、ヒートモード記録がなされる記録層４、および金属または半金属から構成される反射層５をこの順で有する光記録媒体を製造するに際し、少なくとも記録対象領域において反射層５構成元素の結合状態を変化させる工程を設ける光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a laser radiating device capable of transferring an organic film layer pattern when forming it by using LITI (laser induced thermal imaging), capable of reducing damage to the organic film layer, and capable of enhancing the quality of the transferred organic film layer pattern, a patterning method, and a manufacturing method of an electroluminescent element using the patterning method.例文帳に追加

本発明は，ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する時，低い強度を有するレーザーで転写が可能であって，有機膜層の損傷を減らすことができ，転写される有機膜層パターンの質も向上させることができるレーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element having an active layer sandwiched by a pair of clad layers, hydrogen atoms are contained at least in the region close to the edge of its laser oscillator and the band gap of the active layer in the region close to the edge of the laser oscillator is larger than the band gap of the active layer in the inner region of the laser oscillator.例文帳に追加

一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。 - 特許庁