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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
The substrate is transparent or substantially transparent and plastic and/or flexible and is used for an external protection element in an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer, and is composed of a composite structure having a glass layer and a plastic layer of a thickness ≤200 μm.例文帳に追加
少なくとも1つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスにおける外側保護要素として使用するための、透明または実質的に透明な成形性かつ/または可撓性の基体であって、200μm以下の厚さのガラスの層とプラスチックの層とからなる複合構造体によって構成される。 - 特許庁
The optical element 100 comprises a semiconductor substrate 110 of a first conductivity type which is formed with a concave portion 220 with a bottom face 220a and a side wall 220b, a DBR mirror layer 101 of the first conductivity type which is installed on top of the bottom face 220a, and a layer 103 of a second conductivity type which is installed above the DBR mirror layer 101.例文帳に追加
本発明の光素子100は、底面220aおよび側壁220bを有する凹部220が設けられた第1導電型の半導体基板110と、底面220a上に設けられた第1導電型のDBRミラー層101と、DBRミラー層101の上方に設けられた第2導電型層103と、を含む。 - 特許庁
At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light.例文帳に追加
超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層22のΓ準位から障壁層21のX準位を介して次段の量子井戸層22のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。 - 特許庁
This certificate recording medium is issued through the steps to transfer/form an ink receiving layer 13 on an image receiving layer 22 recording information of a substrate 20 with the help of a transfer recording element 11; supply a curable resin liquid to the ink receiving layer 13 using an inkjet recording head 50; and cure the curable resin liquid by irradiating the curable resin liquid with an active ray.例文帳に追加
基材20の情報を記録した受像層22上に、転写記録体11を用いてインク受容層13を転写形成し、インク受容層13にインクジェット記録ヘッド50を用いて硬化性樹脂液を供給し、その後に、活性光線を照射して硬化性樹脂液を硬化させて認証記録媒体を発行する。 - 特許庁
A method for forming an insulating film of a semiconductor element substrate has an application process for forming a coated film 2 by applying a constitutional coat for the insulating film, a surface layer curing process for curing the surface layer side 2a of the coated film 2 after the application process, and a pore formation process for forming pores 4 in the coated film 2 after the surface layer curing process.例文帳に追加
半導体素子基板上に絶縁膜を形成する方法において、 前記絶縁膜の構成塗料を塗布して塗膜2を設ける塗布工程と、 前記塗布工程の後、前記塗膜2の表層側2aを硬化させる表層硬化工程と、 前記表層硬化工程の後、前記塗膜2にポア4を形成するポア形成工程とを具備する。 - 特許庁
The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加
本実施形態に係る固体撮像装置は、n型シリコン基板20と、n型シリコン基板20上に形成されたp型エピタキシャル層21と、p型エピタキシャル層21に形成されたn型センサ部22と、p型エピタキシャル層21に形成され、n型センサ部22により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁
The organic electroluminescence element containing a layer of or not less than two layers of organic polymer layers sandwiched between positive and negative electrodes contains a polymer (A) containing a structure unit derived from an iridium complex expressed by general formula 1 and specific organic silicon compound (B) in at least one layer in the organic polymer layer.例文帳に追加
陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層に(A)下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体、及び(B)特定の有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tin (Sn).例文帳に追加
正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム(Li)と、ニッケル(Ni)およびマンガン(Mn)のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、スズ(Sn)を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁
In the sound wave generator 10 having a thermally-conductive substrate 12, a thermal insulation layer 14 with prescribed thickness formed on one surface of the substrate and a heating element thin film 16 comprised of a resistor formed on the thermal insulation layer and electrically driven by AC signal current, a Helmholtz resonator 18 is provided on the heating element thin film.例文帳に追加
熱伝導性の基板12と、該基板上の一方の面に形成された所定の厚さの熱絶縁層14と、該熱絶縁層上に形成されて交流の信号電流により電気的に駆動される抵抗体よりなる発熱体薄膜16と、を有する熱励起型の音波発生装置10であって、前記発熱体薄膜上にヘルムホルツ共鳴器18を備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.例文帳に追加
本発明は、LOCOS酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、LOCOS酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To manufacture a high quality semiconductor light emitting element capable of effectively taking out the light from a light emitting layer of the semiconductor light emitting element, with an electrode comprising a silver or a silver alloy having a high reflection efficiency contacted and formed on a nitride semiconductor layer without lowering the reflection efficiency at the silver or the silver alloy electrode and with exerting further high reflection efficiency.例文帳に追加
窒化物半導体層上に高反射効率を有する銀又は銀合金の電極が接触して形成されている場合において、銀又は銀合金電極での反射効率を低下させず、さらに高い反射効率を発揮させ、発光層からの光を有効に取り出すことができる高品質の半導体発光素子を製造することを目的とする。 - 特許庁
Mechanical processing of a surface of a first electrode provided to a semiconductor element is performed to provide a microcrystal first layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing, and mechanical processing of a surface of a second electrode provided to a mounting member for mounting the semiconductor element is performed to provide a microcrystal second layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing (step S1).例文帳に追加
半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける(ステップS1)。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic EL element to form an organic luminescent medium layer in a pixel partitioned by a barrier plate, wherein the organic EL element having no defect and no unevenness is manufactured since damage to the organic luminescent layer is suppressed and a uniform film having no ink crawling in all of the organic luminescent medium layers is formed, and a display device manufactured by this method.例文帳に追加
隔壁によって区切られた画素内に、有機発光媒体層を形成する有機EL素子の製造方法において、有機発光媒体層へのダメージが抑えられ、また全ての有機発光媒体層でインキのはじき等がなく均一な膜形成を行うことで、欠陥やムラのない有機EL素子の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The electrooptic device has: a supporting substrate 10; a pixel electrode 9a formed on the supporting substrate 10; a semiconductor layer 1a formed between the supporting substrate 10 and the pixel electrode 9a and forming at least an element 30; and a capacitor 70 electrically connected to the pixel electrode 9a and the element 30, wherein the capacitor 70 is formed on the lower part of the semiconductor layer 1a.例文帳に追加
支持基板10と、支持基板10上に形成される画素電極9aと、支持基板10と画素電極9aとの間に形成され、少なくとも素子30を形成する半導体層1aと、画素電極9aおよび素子30に電気的に接続された容量70と、を有し、容量70が半導体層1aの下部に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing organic electroluminescence element provides an advantage that when forming the organic film layer pattern with LITI, the method for manufacturing organic electroluminescence element can adjust incident light having various modes with homogeneity by using the space light modulator, can produce the laser beam having a predetermined mode profile, and can form the organic film layer pattern without using a mask.例文帳に追加
LITIを用いて有機膜層パターンを形成するにおいて、空間光変調器を用いることで、多様な形態を持つ入射光を均質に調節することができ、所望の形態のプロファイルを持つレーザービームを形成することができ、マスクを使わなくても、有機膜層パターンを形成することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供するという利点がある。 - 特許庁
To provide a light-emitting layer forming solid material capable of adjusting the composition of an evaporated film, by changing the heating temperature of an evaporation source using one kind of solid material, obviating co-deposition that is difficult to control, reducing the variations in element performance, and improving repeating reproducibility, and to provide an organic electroluminescent element and a method for producing the layer.例文帳に追加
1種の固形材料を使用して、蒸着源の加熱温度を変化させることにより、蒸着膜の組成を調整でき、制御困難な共蒸着が不要になり、素子性能のばらつきが低減し、繰り返し再現性を向上できる発光層形成用固形材料、並びに有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a microelectronic device which has a top surface wide enough to make excellent electric connection between a first electric element and a second electric element distributed to a first layer and a second layer stacked one over the other on a substrate, and also has an interconnection having a cross section small enough not to cause damage due to thermal expansion.例文帳に追加
基板上に上下に積層された第1の階層と第2の階層とにそれぞれ分配された第1の電気素子と第2の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide an ion generating element as well as an ion generating device with the ion generating element and an electric apparatus, capable of restraining weakening of discharge and instability of discharge occurring when a thickness of a protective layer is larger than a dimension of a discharge electrode in a thickness direction of the protective layer covering a discharge electrode, and restraining unevenness of ion generation volumes due to weakening of discharge and instability of discharge.例文帳に追加
放電電極を覆う保護層の厚さ方向における放電電極の寸法より、保護層の厚さが厚い場合に起こる放電の弱化及び放電の不安定を抑制し、放電の弱化及び放電の不安定によるイオンの発生量のバラツキを抑制できるイオン発生素子並びに、該イオン発生素子を備えたイオン発生装置及び電気機器を提供することにある。 - 特許庁
The method of manufacturing the printed wiring board incorporating the resistor element includes at least a step (a) of forming a patterned resistance layer 2 on an insulating substrate 1, and a step (b) of manufacturing the printed wiring board incorporating the resistor element by forming a wiring pattern 3 which is brought into contact with the resistance layer 2 on the insulating substrate 1.例文帳に追加
抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法において、少なくとも(a)絶縁性基板1上にパターニングされた抵抗層2を形成する工程、(b)前記絶縁性基板上に前記抵抗層に接する配線パターン3を形成し、抵抗素子内蔵プリント配線板を作製する工程、を含むことを特徴とする抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。 - 特許庁
To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加
具体的にはAuにSiまたはGeのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、AuにSiまたはGeのうちから少なくとも一方の元素とAg、Cu、Ni、PdまたはPtのうちから少なくとも1種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁
This light emitting device includes: an organic EL element 8 including a pixel electrode 13, a light emitting functional layer 18 and a counter electrode 5; an auxiliary electrode 501 formed on the counter electrode to have a direct contact point with the counter electrode; and a barrier layer 40 formed to cover the auxiliary electrode and the counter electrode and for preventing water and oxygen from intruding into the organic EL element 8.例文帳に追加
発光装置は、画素電極13、発光機能層18、及び対向電極5を含む有機EL素子8と、対向電極の上に且つ当該対向電極と直接の接点をもつように形成される補助電極501と、補助電極及び対向電極を覆うように形成され、有機EL素子に対する水及び酸素の進入を防止するバリア層40と、を備える。 - 特許庁
The laminated chip varistor 11 comprises a varistor element 21 composed of a varistor layer, and of a plurality of internal electrodes disposed to sandwich the varistor layer; and first external electrodes 22, 23 and second external electrodes 25 to 28 formed on the outer surface of the varistor element 21, and respectively connected with the corresponding internal electrodes among the plurality of the internal electrodes.例文帳に追加
積層型チップバリスタ11は、バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有するバリスタ素体21と、バリスタ素体21の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される第1の外部電極22,23及び第2の外部電極25〜28と、を有している。 - 特許庁
This device is provided with at least one solar battery having an electrode (contact grid 28 and contact layer 27) in the form of a conductive contact and an antenna provided with at least one antenna element, and the antenna element is formed by either or both of the electrode (contact grid 28 and contact layer 27).例文帳に追加
導電性の接点の形態をした電極(接点格子28と接点層27)を有する少なくとも一つの太陽電池と、少なくとも一つのアンテナ要素を備えたアンテナとを具備しており、前記アンテナ要素は、太陽電池の前記電極(接点格子28と接点層27)のいずれか又は双方によって形成されていることを特徴とする装置によって課題を解決した。 - 特許庁
A bipolar transistor is provided with a polysilicon layer 21 connected to one of the emitter, collector, and base inside an element isolation region, and uses the polysilicon layer 21 as a resistance, so that although it is constituted with the resistance is connected to one of the emitter, collector; and base, the element area is prevented from increasing and the high integration can be actualized.例文帳に追加
本発明のバイポーラトランジスタは、素子分離領域の内側において、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか1つと接続されるようにポリシリコン層21を設け、このポリシリコン層21を抵抗として使用するように構成したので、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか1つに抵抗を接続するように構成しながら、素子面積が増えることを防止でき、高集積化を実現できる。 - 特許庁
With he watertight insulated wire provided with an insulated layer at an outer periphery of a stranded conducting wires composed of a plurality of element wires and filled with a watertight compound in a gap between element wires themselves of the stranded conducting wires and between the stranded conducting wires and the insulated layer, surface roughness (Ra) is larger than 0.1 μm.例文帳に追加
複数の素線が撚り合わせてなる撚線導体の外周に絶縁層が設けられて、前記撚線導体の素線相互間の空隙部および前記撚線導体と絶縁層間の空隙部に水密コンパウンドが満たされている水密絶縁電線において、前記素線の表面粗さ(Ra)が0.1μmより大きいことを特徴とする水密絶縁電線で解決される。 - 特許庁
Luminescence is generated as excitation light from an electroluminescent element 101, by a pressure sensitive material layer 102 containing a photo-excited substance having an oxygen quenching action, under a positional relation holding condition by a support structure 107, and the luminescence from the pressure sensitive material layer is transmitted selectively by a filter 105 via a pressure propagation medium 103 containing oxygen molecule, to be received by a light receiving element 106.例文帳に追加
支持構造体107による位置関係保持状態で、酸素消光作用を持つ光励起物質を含む感圧材層102により、エレクトロルミネッセンス素子101から励起光としてルミネッセンスを発生し、酸素分子を含む圧力伝播媒質103を介して感圧材層からのルミネッセンスを選択的にフィルタ105で透過し受光素子106で受光する。 - 特許庁
The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加
透明基板20上に、Al,Ga,Inから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層26と、前記透明半導体層26に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極28及び透明ドレイン電極30と、透明ゲート電極22と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁
A semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1 provided with a primary surface, an element isolating region 10 provided on the primary surface of the substrate 1, an insulating layer 6 provided on the primary surface of the substrate 1, and a first semiconductor layer 11 provided in a prescribed region of the element isolating region 10 which is cut when a contact hole 13 is formed.例文帳に追加
主表面を有する半導体基板1と、半導体基板1の主表面に設けられた素子分離領域10と、半導体基板1の主表面上に設けられた絶縁層6と、絶縁層6にコンタクトホール13を形成時に削られた素子分離領域10の所定領域に設けられた第1の半導体層11とを備えたものである。 - 特許庁
In the method of reforming the metallic material by using heating by a DC plasma vibrated in an AC magnetic field to melt the outer layer part on the surface of the metallic material, adding a solute element to the molten outer layer part and resolidifying the same, particles containing a prescribed amount of the solute element are supplied to the surface of the metallic material prior to melting.例文帳に追加
交流磁場で振動させられた直流プラズマによる加熱を用いて金属材料表面の表層部を溶融し、該溶融した表層部に溶質元素を添加し再凝固させることにより金属材料の表層を改質する方法において、溶融前の該金属材料表面に、所定量の溶質元素を含有する粒子を供給すること。 - 特許庁
This is the dispersion type electroluminescent element which has at least one light-emitting layer between a pair of electrodes composed of a rear electrode and a transparent electrode, and the luminous layer contains phosphor particles containing at least one kind of element out of gold, cesium, antimony, and bismuth, and heat conductivity of the rear electrode is 200 W/m×K or more.例文帳に追加
背面電極及び透明電極からなる一対の電極の間に少なくとも1層の発光層を有する分散型エレクトロルミネセンス素子であって、 前記発光層に、金、セシウム、アンチモンおよびビスマスのうち、少なくとも1種の元素を含有する蛍光体粒子を含み、 前記背面電極の熱伝導率が200W/m・K以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic EL element which can easily produce an organic EL element having a high brightness and an emission efficiency in a luminescence and long life, and having an organic luminescent film which contains at least an organic luminescence layer sandwiched between two electrodes, at the sametime preventing a degradation of the organic substance layer in the organic luminescence film in the process.例文帳に追加
二つの電極の間に少なくとも有機発光層を含む有機発光膜が挟持された有機EL素子の製造方法であって、製造過程における有機発光膜中の有機物層の劣化を抑制でき、それだけ高輝度、高効率の発光を行うことができ、長寿命な有機EL素子を容易に作製できる有機EL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The polarization splitting element is provided, in which the polarizing direction showing a high refractive index of the structural birefringence layer is arranged and laminated in the direction approximately perpendicular to each other between the adjacent layers in the polarization splitting element where a polarization splitting layer consisting of configuration by laminating a plurality of layers having a structural birefringence is provided between two optical members.例文帳に追加
構造複屈折を有する層を複数層積層した構成よりなる偏光分離層を、2つの光学部材の間に設けた偏光分離素子において、前記構造複屈折層の高い屈折率を示す偏光方向が、隣り合う層の間で互いにほぼ直交する方向に配置し積層した事を特徴とする偏光分離素子を提供する。 - 特許庁
This organic electroluminescent element comprises an electroluminescent element which is constructed of one or plural organic compound layers that are interposed between a pair of electrodes of which at least one is transparent or semi-transparent, and at least one layer of the organic compound layer contains at least one kind of polyurethane compound having a repeating unit as expressed by the general formula (1).例文帳に追加
少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に挾持された一つまたは複数の有機化合物層より構成される電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポリウレタン化合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁
The light emitting element having a structure of laminating a first light emitting mixture layer 4 composed of a hole transporting material, an electron transporting material, and a dopant for determining an emitting color; and a second light emitting mixture layer 5 composed of the hole transporting material, the electron transporting material, and the dopant for determining the emitting color, and a picture display device using the light emitting element is used.例文帳に追加
正孔輸送性材料,電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第1の発光混合層4と正孔輸送性材料,電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第2の発光混合層5を積層させた構造をとる、有機発光素子及びこの発光素子を用いた画像表示装置を用いる。 - 特許庁
To provide a magnetic detecting element capable of making proper a film structure between a laminate and a bias layer formed on opposite sides of the laminate in a direction of track width to improve coercive force of the bias layer and restrain element diffusion into the laminate from regions on the opposite sides of the laminate to stabilize regeneration characteristics.例文帳に追加
特に、積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されるバイアス層との間の膜構造を適正化して、前記バイアス層の保磁力を向上させるとともに、前記積層体の両側の領域から前記積層体内への元素拡散を抑制して、再生特性の安定化を図ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁
Disclosed are the light control element, having a macromolecular gel composition layer, containing a holding material, liquid held by the holding material, and stimulation reactive macromolecular gel held by the holding material and absorbing and desorbing the liquid by external stimulation to vary in volume, and its manufacturing method, the light control element being characterized in that the stimulation reactive macromolecular gel is arrayed in one layer in the holding material.例文帳に追加
保持材と、前記保持材に保持される液体と、前記保持材に保持される、外部刺激によって前記液体を吸脱して体積変化する刺激応答性高分子ゲルとを含有する高分子ゲル組成物層を備える調光素子であって、前記保持材中に前記刺激応答性高分子ゲルが1層に配列されていることを特徴とする調光素子及びその製造方法。 - 特許庁
The semiconductor device 40 comprises a wiring board 41 in which vias 53 are formed, a semiconductor element 42 arranged on the wiring board 41, a resist layer 49A covering the surface of the wiring board 41 while opening a part located above the via 53, and a sealing resin 46 covering the resist layer 49A above the opening and sealing the semiconductor element 42.例文帳に追加
半導体装置40は、ビア53が形成された配線基板41と、前記配線基板41上に配設された半導体素子42と、前記ビア53上に位置する部分は開口され、前記配線基板41の表面を被覆するレジスト層49Aと、前記開口部上、前記レジスト層49Aを覆い、前記半導体素子42を封止する封止樹脂46とを有する。 - 特許庁
The fishing rod comprises a main layer 20 formed by winding a fiber-reinforced prepreg obtained by impregnating reinforcing fibers with a synthetic resin, and a rod pipe 2 comprising a hole-formed part or an element-attaching part, wherein a reinforcing layer 26 comprising the fiber-reinforced prepreg of a bias reinforcing fiber direction is set on the hole-formed part or an element-attaching part.例文帳に追加
本発明の釣竿は、強化繊維に合成樹脂を含浸した繊維強化プリプレグを巻回して形成された本体層20と、孔形成部又は部品取付部とを備えた竿管2を有しており、前記孔形成部又は部品取付部に、強化繊維方向を傾斜方向とした繊維強化プリプレグを具備する補強層26を配設したことを特徴とする。 - 特許庁
The light-emitting substrate 1003 comprises a picture element region 110 that has a bank region 220 and a light-emitting region 230 divided by the bank region 220, a landing accuracy testing region 210 provided other than the picture element region 110, a function layer provided in the light-emitting region 230, and a landing accuracy testing layer 226 provided in the landing accuracy testing region 210.例文帳に追加
本発明の発光用基板1003は、バンク領域220およびバンク領域220によって区画された発光領域230を有する画素領域110と、画素領域110以外に設けられた着弾精度試験用領域210と、発光領域230に設けられた機能層と、着弾精度試験用領域210に設けられた着弾精度試験用層226と、を備える。 - 特許庁
The reflective liquid crystal panels 400R, 400G and 400B each has a transparent substrate, an element substrate having a plurality of pixel electrodes, a liquid crystal layer, sealed in between the transparent substrate and the element substrate, and a grating layer that is formed in a grating form in a plane view and reflects light of a predetermined wavelength region among the light incident to a region between a plurality of pixel electrodes.例文帳に追加
反射型液晶パネル400R,400G,400Bのそれぞれは、透明基板と、複数の画素電極を有する素子基板と、透明基板と素子基板との間に密閉封入された液晶層と、平面視格子状に形成され、複数の画素電極間の領域に入射する光のうち所定の波長域の光を反射する格子層とを有する。 - 特許庁
To provide an electrolytic capacitor in which ESR is further reduced compared with a conventional product by improving an adhesive force between a conductive polymer layer and a counter cathode foil, in the electrolytic capacitor formed in such a way that the conductive polymer layer is formed on a capacitor element formed by winding an anode formation foil and the counter cathode foil via a separator and then the capacitor element is impregnated with an electrolytic solution.例文帳に追加
陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを介して巻回してなるコンデンサ素子に、導電性ポリマー層を形成した後、該コンデンサ素子に電解液を含有する電解コンデンサにおいて、前記導電性ポリマー層と前記陰極箔との密着力が向上し、従来品に比べ更にESRを減少させた電解コンデンサを提供する。 - 特許庁
For the organic electronic device, having an organic LED element 4 and non-linear elements 1, 3 controlling the current flowing into the above on a substrate 100, the non-linear element has a structure of holding a metal layer 103 between organic layers 102, 104, and constructed so that a part of current flows between the organic layers 102, 104, through the metal layer 103.例文帳に追加
基板100上に、有機LED素子4と、これに流れる電流を制御する非線型素子1及び3を有する有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属層103を有機層102,104で挟持した構造を有し、一部の電流がこの金属層103を通して有機層102,104の間を流れるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁
To realize a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which can improve the leading-out efficiency of a light to the outside, and the external differential quantum efficiency of a green system semiconductor light emitting element using GaP semiconductor, by a method wherein, after a light emitting layer forming part is grown without using a GaP substrate of low light transmissivity, a GaP layer is subjected to liquid growth in another process.例文帳に追加
光の透過率の低いGaP基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でGaP層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、GaP半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁
In a heat shielding coating member 1 which has a base material 2 made of a metal, an intermetallic compound, ceramic or a composite material and a covered layer on the base material 2 surface, the covered layer consists of a ceramic phase made of ceramic and an alloy phase 5 made of a metal element or a metal element alloy in which a volume ratio dividing the metal oxide by the metal is one or more.例文帳に追加
金属、金属間化合物、セラミックスまたは複合材料からなる基材2と、この基材2表面に被覆層とを有する遮熱コーティング部材1において、被覆層がセラミックスからなるセラミック相4と、金属酸化物を金属で割り算した体積比が1以上となる金属元素または金属元素の合金からなる合金相5とから構成されることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a reflectively backed photosensitive element used for black-and-white and color reflective liquid crystal displays, etc., particularly a reflectively backed photosensitive element which improves resistance to the peeling of a metallic film caused at the interface between a reflectively backed photosensitive resin layer described in a claim and the metallic film vapor- deposited on the top of the layer and can enhance production yield in subsequent steps.例文帳に追加
白黒並びにカラー反射液晶表示装置等に用いられる反射下地感光性エレメント、詳しくは請求項記載の反射下地感光性樹脂層とこの上面に蒸着される金属膜との界面で発生する金属膜はがれの耐性を向上し、後工程での製造歩留りを向上することができる反射下地感光性エレメントを提供する。 - 特許庁
A semiconductor device includes: a HBT 130 which is formed on a GaAs substrate 101 and includes a group III-V compound semiconductor; and a semiconductor resistor element 120 which is formed on the GaAs substrate 101, and made of at least one layer included in a semiconductor epitaxial layer included in the HBT 130, and the semiconductor resistor element 120 includes helium impurities.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、GaAs基板101上に形成され、3−5族化合物半導体から構成されるHBT130と、GaAs基板101上に形成され、HBT130を構成する半導体エピタキシャル層の少なくとも1層から構成される半導体抵抗素子120とを備え、半導体抵抗素子120は、ヘリウム不純物を含む。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor element 11 having bumps 12 formed at least on the surface, a resin layer 13 sealing the surface of the semiconductor element 11 on which the bumps 12 are formed such that the forward end part of the bump 12 projects, and protrusion electrodes 90 for external connection formed at the forward end part of the bumps 12 projecting from the resin layer 13.例文帳に追加
少なくとも表面上にバンプ12が形成されてなる半導体素子11と、このバンプ12の先端部が突出するように半導体素子11のバンプ12が形成された面を封止する樹脂層13と、この樹脂層13から突出したバンプ12の先端部に形成された外部接続用突起電極90とを具備し、かつ、外部接続用突起電極90をバンプとする。 - 特許庁
With the electroluminescent element provided with a negative electrode, a positive electrode and a light-emitting layer, the light-emitting layer has a band gap pf 2.96 eV to 3.80 eV, contains at least a kind of organic compound with molecular weight of 600 to 2,000, and the element emits light in purplish blue or bluish purple of CIE chromaticity coordinates.例文帳に追加
陰極と、陽極と、発光層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、2.96eV〜3.80eVのバンドギャップを有し分子量が600〜2000である有機化合物を少なくとも1種含有し,CIE色度座標のPurplish Blue(紫青)又はBluish Purple(青紫)に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
The display element has an electrolyte containing silver or a compound containing silver in a chemical structure and a porous white scattering layer between counter electrodes, and drives the counter electrodes so as to dissolve and deposit silver, the display element being characterized in that the porous white scattering layer is formed of particles of titanium oxide having surfaces processed with acetate.例文帳に追加
対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質と、多孔質白色散乱層とを有し、銀の溶解析出を生じさせるように対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該多孔質白色散乱層が、表面を酢酸塩で処理した酸化チタン粒子により構成されていることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
On a flexible substrate, a display area 100 is formed, which consists of plural pixels, each of which being an electrophoretically dispersed liquid layer having an electrophoretically dispersed liquid, a capacitance element for storing the charge for holding the electrical polarization state of the electrophoretically dispersed liquid layer 10, and an organic transistor 12 for storing electric charges in a capacitance element 11 from the outside by being turned on.例文帳に追加
可撓性を有する基板に、電気泳動分散液を有する電気泳動分散液層と、その電気泳動分散液層10の電気分極状態保持用の電荷を蓄積する容量素子と、オン状態になることで外部から容量素子11に電荷を蓄積する有機トランジスタ12とをそれぞれ有する複数の画素からなる表示領域100を形成する。 - 特許庁
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