「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(253ページ目) - Weblio英語例文検索

The curable composition is used for adhering a heat conductor 2 having thermal conductivity of ≥10 W/m-K to an electroconductive layer 4 when a chip-on-board optical semiconductor device 1 is obtained in which an optical semiconductor element 5 is directly mounted on the electroconductive layer 4 of a board having the heat conductor 2 and the electroconductive layer 4 instead of using a package.例文帳に追加

本発明に係る硬化性組成物は、パッケージを用いずに、熱伝導体２と導電層４とを有する基板の導電層４上に光半導体素子５を直接搭載したチップオンボード方式の光半導体装置１を得る際に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２を導電層４に接着するために用いられる。 - 特許庁

This multilayer analysis element for liquid specimen analysis is a multilayer analysis material for liquid specimen analysis made by layering/unifying at least one functional layer and at least one granular structure developing layer in this order on one side of a water-impermeable and light-transmissive planar support body and is characterized in that the functional layer comprises a not-yet-cross-linked water-soluble polymer.例文帳に追加

水不透過性光透過性平面支持体の片面上に、少なくとも１つの機能層と少なくとも１つの粒状構造物展開層がこの順に積層一体化された液体試料分析用多層分析材料において、該機能層が未架橋の水溶性ポリマーから成ることを特徴とする液体試料分析用多層分析要素。 - 特許庁

In the compound semiconductor light emitting element provided with a gallium nitride-based compound semiconductor which is formed by successively laminating the n-type layer and p-type layer upon a sapphire substrate in this order and etching the layers so that the electrode forming surface of the n-type layer may be exposed, the surface of the sapphire substrate on the same side as that of the electrode forming surface is exposed.例文帳に追加

サファイア基板上にｎ型層及びｐ型層が順に積層されて、予めｎ型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。 - 特許庁

The optical element comprises a resin layer and a preform having a lower coefficient of linear expansion than that of the resin layer, wherein the resin layer is formed on at least part of the surface of the preform as a single body by photo-curing a photo-curing resin disposed in the gap between a mold member and the preform with light projected through the mold member.例文帳に追加

本発明の光学素子は、樹脂層と前記樹脂層よりも線膨張係数が低い母材とを具え、樹脂層が、型部材と母材との間隙に配置された光硬化型樹脂を前記型部材を通して照射された光により光硬化させ、母材表面上の少なくとも一部に一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

An optical element 10 comprises: a light transmission layer in which one major face contains an interface section in which a plurality of concave or convex sections arranged in one dimension or two dimensions are prepared with a distance between centers of 200 to 500 nm; and a light transmission reflection layer of a single layer structure, in which at least a part of the interface section is covered.例文帳に追加

本発明の光学素子１０は、一次元的又は二次元的に配列した複数の凹部又は凸部が２００ｎｍ乃至５００ｎｍの中心間距離で設けられた界面部を一方の主面が含んだ光透過層と、前記界面部の少なくとも一部を被覆した単層構造の光透過性反射層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element 11 that clamps an organic layer 14 having a light emitting layer 14c between a negative electrode 13 and a positive electrode 15 and emits red light, the light emitting layer 14c contains a red light emitting guest material and a host material composed of a polycyclic aromatic series hydrocarbon compound having a mother skeleton of 4-7 rings.例文帳に追加

陽極１３と陰極１５との間に発光層１４ｃを備えた有機層１４を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子１１において、発光層１４ｃは、赤色の発光性ゲスト材料と共に、ホスト材料として母骨格が環員数４〜７の多環式芳香族炭化水素化合物を含有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element wherein, when dividing a substrate product into multiple semiconductor elements, the substrate product being a nitride semiconductor layer formed on a GaN based compound substrate, a damage at a side face of the nitride semiconductor layer can be controlled and the shape of the nitride semiconductor layer and the side face of the GaN based compound substrate can be well controlled.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物基板上に窒化物半導体層が形成された基板生産物を複数の半導体素子に分割する際に、窒化物半導体層の側面の損傷を抑えるとともに窒化物半導体層及びＧａＮ系化合物基板の側面形状を良好に制御可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing magnesium (Mg).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The electrooptical device 1 has an electrode 21 formed on a substrate 12a, a liquid crystal layer 16 formed on the electrode 21, a switching element 18 to switch between voltages to be applied to the electrode 21, the photo spacer 22 to regulate layer thickness of the liquid crystal layer 16, and a spacer light shielding film 19 disposed between the photo spacer 22 and the substrate 12a.例文帳に追加

基板１２ａ上に形成された電極２１と、電極２１上に形成された液晶層１６と、電極２１に印加する電圧を切換えるスイッチング素子１８と、液晶層１６の層厚を規制するフォトスペーサ２２と、フォトスペーサ２２と基板１２ａとの間に設けられたスペーサ遮光膜１９とを有する電気光学装置１である。 - 特許庁

The semiconductor has a semiconductor substrate 11, including an element, an interlayer insulating film (silicon oxide film 20, BPSG film 30) formed on the semiconductor substrate 11, a contract hole formed in the interlayer insulating film, the barrier layer 33 formed on the interlayer insulating film and the surface of the contact hole, and a wiring layer 40 formed on the barrier layer 33.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁膜（シリコン酸化膜２０，ＢＰＳＧ膜３０）、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、層間絶縁膜およびコンタクトホールの表面に形成されたバリア層３３、およびバリア層３３の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging element has a filter layer between a photoelectric conversion part and a microlens, and the filter layer is configured to be provided with a convex shape having a center of curvature at the photoelectric conversion part side from the filter layer and have a lattice arranged at one-dimensional or two-dimensional period so as to be at a fixed angle from the center of curvature.例文帳に追加

光電変換部とマイクロレンズの間に、フィルタ層を備えた固体撮像素子であって、 前記フィルタ層は、該フィルタ層より前記光電変換部側に曲率の中心を有する凸型形状を備え、該曲率の中心からの角度が一定となるように１次元または２次元の周期で配列された格子を有する構成とする。 - 特許庁

The light emitting device is provided with the substrate, a 1st insulating layer provided on the substrate, the transistor provided on the 1st insulating layer, and a 2nd insulating layer having a 1st opening provided so that the transistor is covered and the substrate is exposed, a light emitting element being provided inside the 1st opening.例文帳に追加

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを覆うと共に前記基板が露出するように設けられた第１の開口部を有する第２の絶縁層とを有し、前記第１の開口部の内側に発光素子が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

In molding a layer of the optical element by a forming mold 70 using an epoxy resin 35 added with an optical latent polymerization initiator in the layer of the actuator 6 manufactured by a photolithography technique, the temperature of the resin 35 is controlled to ≥60 to ≤500°C by a heater 105 and the light from a light source 125 is partially cast thereto to temporary fix the layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により製造したアクチュエータ６の層に光学素子の層に光潜在性重合開始剤添加エポキシ樹脂３５を用いて成形型７０で成形して製造する際に、樹脂３５の温度を６０℃以上５００℃以下の温度にヒータ１０５で制御すると共に、光源１２５からの光を部分的に当てて仮止めする。 - 特許庁

The radiograph detector consists of a radiation detection layer 2 formed by dispersing radiation detecting grains capable of generating charge by the irradiation of recording radioactive rays into a polymer and an electric signal detection layer 3 obtained by forming a detection element 35 for detecting the charge generated on the radiation detection layer 2 as an electric signal on the surface of a plastic substrate 34 in each pixel.例文帳に追加

記録用の放射線の照射により電荷を発生する放射線検出粒子がポリマーに分散されてなる放射線検出層２と、放射線検出層２において発生した電荷を電気信号として検出する検出素子３５がプラスチック基板３４の表面に画素毎に形成された電気信号検出層３とから形成する。 - 特許庁

Thereby, light going toward a region superposed on the active layer (semiconductor layer 1a) of the pixel transistor 30 in the counter substrate 20 in plan view in light made incident obliquely from the element substrate 10 side is transmitted by the counter substrate 20 through a non-forming region 21f of the light reflective common electrode 21 and is not reflected toward the active layer of the pixel transistor 30.例文帳に追加

従って、素子基板１０側から斜めに入射した光のうち、対向基板２０において画素トランジスター３０の能動層（半導体層１ａ）と平面視で重なる領域に向かった光は、光反射性共通電極２１の非形成領域２１ｆを通って対向基板２０を透過し、画素トランジスター３０の能動層に向けて反射しない。 - 特許庁

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently.例文帳に追加

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。 - 特許庁

A second clad layer having a refractive index smaller than that of a core is formed between the core and a first clad layer, and an optical waveguide element 51 is manufactured by forming a parallel optical waveguide 47 wherein a diffraction grating 52 is provided in the light incident end surface side of the second clad layer, a tapered optical waveguide 48 connected to it and a parallel optical waveguide 49 connected to it.例文帳に追加

コアと第一クラッド層の間にコアより屈折率が小さい第２クラッド層を形成し、第２クラッド層の光入射端面側に回折格子52を設けた平行光導波路47と、これに連続してテーパ状の光導波路48と、これに連続した平行光導波路49とを形成して光導波路素子51を作製する。 - 特許庁

A protection film is formed so as to cover the whole surface of a panel substrate after forming the organic EL element, and a laser beam absorbed in the layer composed of the organic insulation material is irradiated on the terminal covered by the protection film to generate abrasion in those layers, and the layer composed of the organic insulation material and the protection layer formed thereon are simultaneously removed and the terminal is exposed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の形成後パネル基板全面を覆うように保護膜を形成し、保護膜で覆われた端子上の有機絶縁材料ならなる層に吸収されるレーザを照射し、この層にアブレーションを発生させて、この有機絶縁材料からなる層とその上の保護膜を同時に除去し、端子を露出させる。 - 特許庁

The print 3 of the electroconductive material is formed on a valuable printed matter 1 such as a document of value or a passport, thereafter the optical changeable element 2 constituted of a resin layer 5 having fine unevenness diffracting light and a commonly used foil including a metal layer 7 on the uneven face of the resin layer is pasted so as to be overlapped on the print 3 of the electroconductive material.例文帳に追加

有価証券または旅券冊子等の貴重印刷物１に、導電体の印刷３後、前記導電体の印刷３上に重なるように、光を回折する微小な凹凸を有する樹脂層５と前記樹脂層の凹凸面上に金属層７が含まれる一般的な箔から構成される光学的変化素子２を貼付する。 - 特許庁

The light emitting element has a layer containing an organic matter between a first electrode and a second electrode, and furthermore has a layer containing a metal oxide between the second electrode and the layer containing the organic matter, and these electrodes and layers are laminated so that the second electrode may be formed later than the first electrode.例文帳に追加

本発明の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に有機物を含む層を有し、前記第２の電極と前記有機物を含む層との間には、さらに金属酸化物を含む層を有し、これらの電極および層は、第１の電極よりも第２の電極の方が後に形成されるように積層されていることを特徴としている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic photoelectric conversion element 10 having the photoelectric conversion layer 14 between a first electrode and a second electrode, a step of forming the photoelectric conversion layer includes a step in which a solution for photoelectric conversion layer formation is jetted from a plurality of nozzles of an inkjet device.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極の間に光電変換層１４を有する有機光電変換素子１０の製造方法において、前記光電変換層の形成工程がインクジェット装置の複数のノズルから光電変換層形成の溶液が射出される工程を含むことを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The thin film AC-driven electroluminescence element 10 comprises at least one dielectric layer 18 and a luminous layer 20 on a conductive substrate 12, the luminous layer containing a continuous phase consisting of a first semiconductor and particulates of a second semiconductor having an average particulate size of 10 nm or smaller.例文帳に追加

導電性基板１２上に少なくとも一つの誘電体層１８と発光層２０とを有する薄膜型交流駆動エレクトロルミネッセンス素子１０において、前記発光層が、第一の半導体からなる連続相と、平均粒子サイズが１０ｎｍ以下の第二の半導体の微粒子とを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has at least one light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, where the light-emitting layer has an organic layer comprising at least one iridium or platinum complex having a partial structure represented by a phenanthridine skeleton bearing a bulky amino substituent group on its end.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、末端に嵩高いアミノ置換基を有するフェナンスリジン骨格で表される部分構造を含むイリジウム、白金錯体を少なくとも１つ含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The photovoltaic element has such a structure as an electron acceptor organic layer 3 and an electron donor organic layer 4 generating an internal electric field by bonding are laid in layers between two electrodes 2 and 5 including at least one translucent electrode wherein the electron donor organic layer 4 contains a polymer material having a specific chemical structure.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性である二つの電極２、５の間に、接合により内部電界を生じる電子受容性有機物層３と電子供与性有機物層４とが積層された構成を有し、前記電子供与性有機物層４に、所定の化学構造を有する高分子材料を含有させた光起電力素子を提供する。 - 特許庁

The optical element is formed as follows; at least a birefringent layer having a structure fixed while liquid crystalline monomers having polymerizable group on the terminals are homeotropically aligned is formed on the upper surface of the substrate having light transparency and an additive layer formed on the upper surface of the birefringent layer is removed.例文帳に追加

本発明は、光透過性を有する基材上面に、末端に重合性基を有する液晶性モノマーをホメオトロピック配向させた状態で固定化してなる構造を有する複屈折率層を少なくとも形成し、さらに上記複屈折率層上面に形成される添加剤層を除去することにより形成される光学素子である。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical deflecting element has a process of forming the optical waveguide layer 4 on the substrate and a process of forming electrodes for exciting or detecting the elastic waves on the optical waveguide layer and a process step of directly forming the diamond-like carbon film 5 on the optical waveguide layer 4 covering the electrode.例文帳に追加

また、本発明光偏向素子の製造方法は、基板上に光導波層４を形成する工程と、該光導波層上に、弾性波を誘起または検出するための電極を形成する工程と、該電極を覆って前記光導波層上にダイヤモンド様炭素膜５を直接形成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In this ink jet recording element having a hydrophilic material- containing base layer, a binder, a mordant and a polymer particle-containing non-porous ink acceptable upper layer in the order named on a support, the diameter of the particle is below 5 μm and the particles occupy 20 to 50 mass % of the ink acceptable upper layer.例文帳に追加

記載した順に、親水性材料を含むベース層、並びにバインダー、媒染剤及びポリマー粒子を含む非多孔性のインク受容性上部層を支持体上に有してなるインクジェット式記録要素であって、前記粒子が、０．５μｍ未満の粒径を有し、そして前記インク受容性上部層の２０〜５０質量％の量で存在するインクジェット式記録要素。 - 特許庁

The light emitting element comprises: a first electrode (12a), a porous layer (15) composed of an aggregate of titania particulates which is laid on the first electrode, a second electrode (12b) insulated from the first electrode, and a light emitting layer (13) composed of electrolyte which is arranged in contact with the porous layer and the second electrode.例文帳に追加

第一の電極（１２ａ）と、前記第一の電極上に設けられ、チタニア微粒子の集合体で形成された多孔質層（１５）と、前記第一の電極から絶縁された第二の電極（１２ｂ）と、前記多孔質層および前記第二の電極に接触して配置された電解質で形成された発光層（１３）とを具備する発光素子である。 - 特許庁

To reduce the occurrence of inferior goods, after making it formulation with little impedance property by thermal load, in a manufacturing method of a capacitor element which is provided with a process wherein a dielectric film 3, a solid electrolyte layer 4 of manganese dioxide , a graphite layer 5 and a metal layer 6 are formed in this order on an anode chip body 1 by valve-acting metal.例文帳に追加

弁作用金属による陽極チップ体１に、誘電体膜３、二酸化マンガンの固体電解質層４、グラファイト層５及び金属層６を、その順番で形成する工程を備えて成るコンデンサ素子の製造方法において、熱負荷によるインピーダンス特性が少ない形態にした上で、不良品の発生を低減できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a first conductivity-type semiconductor layer 14, a second conductivity-type semiconductor layer 13, a light-transmitting first electrode 15 which is formed on the first conductivity-type semiconductor layer 14 and comprises a recess 16 with its upper surface opened, and a second electrode 17 which is formed along the inside surface of the recess 16 to reflect light.例文帳に追加

第１導電型の半導体層１４と、第２導電型の半導体層１３と、第１導電型の半導体層１４の上に形成された、上面が開口された窪み１６を有する透光性の第１の電極１５と、窪み１６の内面に沿って形成された、光を反射する第２の電極１７と、を備えている。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, wherein a pair of ferromagnetic layers face each other with an intermediate layer in between them and a variation in magnetoresistance is achieved by carrying an electric current in the direction vertical to the layer surfaces, at least one of the two ferromagnetic layers has a crystalline ferromagnetic layer containing FeCoB or FeCoNiB.例文帳に追加

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、その強磁性層のうちの少なくとも一方が、ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢを含有する結晶質の強磁性層を有する構成とする。 - 特許庁

A first paste electrode layer 21 covering a long side face 13 and the ridge part 17 in the chip element body 1 is formed in the first conductive paste imparting process, and a second paste electrode layer 22 further covering the part covering the long side face 13 and the ridge part 17 in the first paste electrode layer 21 is formed in the second conductive paste imparting process.例文帳に追加

第１の導電ペースト付与工程では、チップ素体１における長側面１３及び稜部１７を覆う第１のペースト電極層２１を形成し、第２の導電ペースト付与工程では、第１のペースト電極層２１において長側面１３及び稜部１７を覆う部分を更に覆う第２のペースト電極層２２を形成する。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has at least one organic layer including a luminescent layer between a pair of electrodes, and is characterized in that the luminescent layer contains a metal complex including a multidentate ligand of a tridentate or more ligand; and the metal center in the metal complex contains a metal-free compound which can be coordinated as a multidentate ligand of a tridentate or more ligand.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層が３座以上の多座配位子を含む金属錯体を含有し、さらに該金属錯体の中心金属に３座以上の多座で配位可能な無金属化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element 11 that clamps an organic layer 14, having a luminous layer 14c between a positive electrode 13 and a negative electrode 15, and emits a red color, the luminous layer 14c contains a red radiative guest material and a polycyclic aromatic series hydrocarbon compound having 4-7 membered rings for a mother skeleton.例文帳に追加

陽極１３と陰極１５との間に発光層１４ｃを備えた有機層１４を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子１１において、発光層１４ｃは、赤色の発光性ゲスト材料と共に、母骨格が環員数４〜７の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有している。 - 特許庁

The non-volatile memory element is provided with the recording medium including a lower electrode, a ferroelectric film which is formed on the lower electrode and in which data are recorded, a barrier layer formed on the ferroelectric film and a semiconductor layer formed on the barrier layer and with a probe used for recording/reproducing data in/from the recording medium.例文帳に追加

下部電極、この下部電極上に形成され、データが記録される強誘電膜、この強誘電膜上に形成された障壁層およびこの障壁層上に形成された半導体層を含む記録媒体と、この記録媒体に／からデータを記録／再生するために使われる探針とを備える不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

An organic solar cell element includes a substrate 1, a power-generating laminate 2 and a barrier laminate 5 provided on at least one side of the power-generating laminate, wherein the power-generating laminate includes a pair of electrodes and an organic layer disposed between the electrodes, and the barrier laminate includes at least one organic polymer layer and at least one inorganic layer.例文帳に追加

基板１と、発電積層体２と、該発電積層体の少なくとも一方の上に設けられたバリア性積層体５とを有し、前記発電積層体は、一対の電極と、該電極間に設けられた有機層とを有し、前記バリア性積層体は、少なくとも１層の有機ポリマー層と少なくとも１層の無機層を含む、有機太陽電池素子。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element having at least one organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, a compound is contained in the organic layer, and the compound has the main chain part and the side chain part, and carbon atom contained in the main chain part is bonded to the atomic group of the side chain part and constitutes a ring.例文帳に追加

一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一つの有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層に化合物を含有し、前記化合物が主鎖部と側鎖部とを有し、前記主鎖部に含まれる炭素原子は前記側鎖部の原子団と結合して環を構成する有機電界発光素子。 - 特許庁

The optical element comprises a columnar part 130 having an upper surface 132 with a light emitted and entered; and an electrode 150 comprising a plurality of layers including at least a first conductive layer 160 and a second conductive layer 170 laminated over the first conductive layer 160, and electrically connected to the upper surface 132 of the columnar part 130.例文帳に追加

光素子は、光が出射又は入射する上面１３２を有する柱状部１３０と、少なくとも第１の導電層１６０及び該第１の導電層１６０の上方に積層された第２の導電層１７０を含む複数層からなり、柱状部１３０の上面１３２と電気的に接続された電極１５０と、を含む。 - 特許庁

The organic EL element at least has a pair of electrodes facing each other, and the hole transport layer and an organic emitting layer which are sandwiched between the electrodes, where the hole transport layer is in a solution or dispersion solution state, and is made of the hole transport material of pH 5 to 7 as a hydrogen index showing neutrality or weak acidity.例文帳に追加

一対の対向電極と、これらによって挟持された正孔輸送層と有機発光層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子において、上記正孔輸送層が、溶液または分散液状態で、水素指数値ｐＨ５〜７の中性または弱酸性を示す正孔輸送性材料からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁

The composition for the alignment layer is used for manufacturing an optical element comprising a plastics support material 1, an alignment layer 2, and a one or more-layered optical function layer 3 consisting of the liquid crystalline compound and contains at least a nonionic water-soluble etherificated polysaccharides (A) and water and/or a lower alcoholic solvent (B).例文帳に追加

プラスチック製支持体１、配向膜２、及び液晶性化合物からなる１層以上の光学機能層３で構成される光学素子の製作に使用される配向膜用組成物であって、該配向膜用組成物は、Ａ）非イオン性の水溶性エーテル化多糖類、及び、Ｂ）水及び／又は低級アルコール系溶剤、を少なくとも含む。 - 特許庁

To provide a high-quality nitride semiconductor layer as well as a gallium nitride layer, a semiconductor element and a semiconductor device, which are capable of manufacturing a high performance device by the nitride semiconductor layer, and to provide the manufacturing method of them by reducing the occurrence of strain and stress due to the difference of thermal expansion coefficient between the nitride semiconductor and a substrate.例文帳に追加

窒化物半導体と基板の熱膨張係数の差に由来する歪と応力の発生を低減し、高品質の窒化物半導体層並びに前記窒化物半導体層により高性能なデバイスを作製することが可能な窒化ガリウム層、半導体素子及び半導体デバイスおよびそれらの作製方法を提供すること。 - 特許庁