「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(263ページ目) - Weblio英語例文検索

In the photoelectric conversion element 100 including an organic photoelectric conversion layer 102 between a first electrode 101 and a second electrode 104, the purity measured by liquid chromatography of a material used to form the photoelectric conversion layer 102 is ≥96.5%.例文帳に追加

第１の電極１０１と第２の電極１０４との間に有機光電変換層１０２を備える光電変換素子１００であって、有機光電変換層１０２の形成に用いる材料の液体クロマトグラフィを用いて測定した純度が、９６．５％以上とする。 - 特許庁

An LED wafer 10A having a semiconductor crystal layer 30 formed on a single-crystal substrate 22 by crystal growth includes a rough surface portion 50 formed by making a part of an element formation region on the surface of the semiconductor crystal layer 30 rougher than the crystal growth surface.例文帳に追加

単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。 - 特許庁

In the hologram recording element 1, at least one layer 3 containing a photorefractive material and at least one layer 4 containing an electron-ion mixture conductor between a pair of transparent electrode substrates 2a and 2b are stacked in the thickness direction of the transparent electrode substrates 2a and 2b.例文帳に追加

ホログラム記録素子１は、一対の透明電極基板２ａ，２ｂの間に、フォトリフラクティブ材料を含んだ少なくとも一つの層３と、電子・イオン混合伝導体を含んだ少なくとも一つの層４と、が透明電極基板２ａ，２ｂの厚さ方向に積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is provided with a power generation element including a unit cell with a positive electrode, an electrolyte layer, and a negative electrode laminated in this order, and a reference electrode with an reference electrode active material layer containing graphite fluoride in which lithium is doped formed on a current collector.例文帳に追加

正極、電解質層、および負極がこの順に積層されてなる単電池を含む発電要素とリチウムがドープされたフッ化黒鉛を含む参照極活物質層が集電体上に形成された参照極とを備えたリチウムイオン二次電池に関する。 - 特許庁

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method.例文帳に追加

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。 - 特許庁

The element 3 comprises a conductor 10 formed in a through hole passing through a first insulating layer having a supporting part and the semiconductor substrate, and electrically connected to the semiconductor film 12 having the vibration film; and a second insulating layer 9 insulating the conductor 10 from the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

エレメント３は、支持部を含む第一の絶縁層と半導体基板とを貫通する貫通孔内に形成された、振動膜を含む半導体膜１２と電気的に接続する導体１０と、導体１０と半導体基板７との間を絶縁する第二の絶縁層９を有する。 - 特許庁

The electron emitting element 1 includes the electron acceleration layer 4 between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3, and the electron acceleration layer 4 contains a binder component 15 in which insulating particulates 5 and conductive particulates 6 having the average particle diameter smaller than the average particle diameter of the insulating particulates 5 are dispersed.例文帳に追加

電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、絶縁体微粒子５と絶縁体微粒子５の平均粒径よりも小さい平均粒径の導電微粒子６とが分散されたバインダー成分１５を含んでいる。 - 特許庁

This inkjet recording element includes a micro-void containing layer dispersed with a crosslinked organic microbead and a noncrosslinked polymer particle in a polyester matrix forming a continuous phase, and the noncrosslinked polymer particle is immiscible with the polyester matrix of the micro-void containing layer.例文帳に追加

連続相をなすポリエステル系マトリックス内に架橋有機ミクロビーズと非架橋ポリマー粒子とを分散させてなるミクロボイド含有層を含んでなり、該非架橋ポリマー粒子が該ミクロボイド含有層の該ポリエステル系マトリックスと不混和性であることを特徴とする、インクジェット記録要素。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises a substrate 1 and a semiconductor layer 5 disposed so as to overlap on the substrate 1, wherein the semiconductor layer 5 comprises a binder resin 2 and first fine particles 3 dispersed in the binder resin 2 and made of at least one or more kinds of oxide semiconductors.例文帳に追加

基板１と、基板１に重ねて配された半導体層５とからなる半導体素子１０であって、半導体層５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に分散された少なくとも１種類以上の酸化物半導体からなる第一微粒子３とから構成されていること。 - 特許庁

An organic electroluminescent element 10 includes: a cathode 2; a lamination substance 3 formed over the cathode 2 by laminating an organic layer including an organic light-emitting layer; and a transparent anode 5 including a metal oxide and a conductive polymer formed over the lamination substance 3.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１０において、陰極２と、陰極２上に形成された、有機発光層を含む有機層が積層されてなる積層体３と、積層体３上に形成された、金属酸化物と導電性高分子とを含む透明な陽極５とを有する。 - 特許庁

The organic EL element is formed including a stage of forming an anode electrode 5 on an organic flattening layer 4 formed on a matrix array substrate, and a stage of forming an SiO anode flattening layer 11 between adjacent anode electrodes 5 using a vacuum ultraviolet chemical vapor deposition growth method.例文帳に追加

マトリクスアレイ基板上に形成された有機平坦化層４上にアノード電極５を形成する工程と、隣り合うアノード電極５の間に真空紫外光化学気相成長法を用いてＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する工程と、を含んで有機ＥＬ素子を形成する。 - 特許庁

This photographic element comprises a transparent polymer base having rigidity of 20-100 milli-Newton and at least one layer of a biaxially stretched polyolefin sheet having spectral transmissivity of <15% and being substantially opaque and containing a white pigment and at least one image forming layer.例文帳に追加

透明ポリマーベース、少なくとも１層の二軸延伸ポリオレフィンシート及び少なくとも１層の画像層を含んでなる写真要素であって、前記ポリマーベースが２０〜１００ミリニュートンの剛性を有し、且つ前記二軸延伸ポリオレフィンシートが１５％未満の分光透過率を有する写真要素。 - 特許庁

An HFET 10 has a source electrode 16, a drain electrode 17, and a gate electrode 18 formed on an electron supply layer 14, an insulating film 19 to insulate between these electrodes, and a mesa structure 23 formed in the portion where element separation of the semiconductor layer 22 is carried out.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１０は、電子供給層１４上に形成されたソース電極１６、ドレイン電極１７およびゲート電極１８と、各電極間を絶縁する絶縁膜１９と、半導体層２２の素子分離される部分に形成されたメサ構造２３を有する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

The constricted oxide layer surface light-emitting semiconductor laser element has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors, and an active layer that is arranged between the pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors on a substrate, and then emits laser beams in a direction that orthogonally crosses the substrate.例文帳に追加

本素子は、基板上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する、酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

The first electrode is similarly composed of a metal having a small work function, but composed of a material having an oxide generation free energy higher than that of an element composing the control layer in order to suppress thermal diffusion of oxygen from the control layer.例文帳に追加

第１電極は、当該金属と同様に仕事関数が小さい金属で構成されるが、尚且つ、制御層からの酸素の熱拡散を抑制するために、その酸化物生成自由エネルギーが、制御層を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーよりも大きな材料で構成される。 - 特許庁

The self-light-emitting element 1 creates hot electron by accelerating electron in the electron acceleration layer 4 when voltage is impressed between the electrode substrate 2 and the thin-film electrode 3, and surfaces of the silicon fine particles 5 in the electron acceleration layer 4 are excited by the hot electron to emit light.例文帳に追加

そして、自発光素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧が印加されると、電子加速層４で電子を加速させてホットエレクトロンを生成し、該ホットエレクトロンにより電子加速層４中のシリコン微粒子５表面が励起して発光する。 - 特許庁

To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible.例文帳に追加

上部電極形成時のスパッタに与えられる有機ＥＬ発光層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

This organic luminescent element comprising an anode and a cathode and a layer comprising an organic compound and nipped between the anode and the cathode is characterized in that the layer comprising an organic compound comprises at least one benzo[a]fluoranthene compound represented by general formula [I].例文帳に追加

陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成され、該有機化合物からなる層に、下記一般式［Ｉ］に示されるベンゾ［ａ］フルオランテン化合物が少なくとも１種類含まれることを特徴とする、有機発光素子。 - 特許庁

This organic luminescent element comprising an anode and a cathode and a layer comprising an organic compound and nipped between the anode and the cathode is characterized in that the layer comprising an organic compound comprises at least one benzo[a]fluoranthene compound represented by general formula [I].例文帳に追加

陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成され、該有機化合物からなる層に、下記一般式［Ｉ］で示されるベンゾ［ａ］フルオランテン化合物が少なくとも１種類含まれることを特徴とする、有機発光素子。 - 特許庁

A nitride light emitting element according to this invention includes: a silicon substrate; a seed layer for nitride growth which is formed on the silicon substrate; and a light emitting structure formed on the seed layer for the nitride growth and formed by laminating multiple nitride layers.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a first conductive type semiconductor substrate 101, a second conductive type first semiconductor layer 102 formed on the semiconductor substrate 101, and a receiving element 104 formed on the first semiconductor layer 102 via an insulating film 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された第２導電型の第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２上に、絶縁膜１０３を介して形成された受動素子１０４とを備える。 - 特許庁

This organic electroluminescent element having an organic emission layer between a cathode and an anode is characterized by containing a fluorescent material containing either or both of a perylene compound having a specific structure and an anthanthrene having a specific structure as a material for forming the organic emission layer.例文帳に追加

正極と負極との間に有機発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機発光層が、特定の構造のペリレン化合物とアンサンスレン化合物のいずれかまたはその両方を含んでなる蛍光材料を、有機発光層形成材料として含有する。 - 特許庁

Around a laser light emission plane 34 of the surface-emitting semiconductor laser, electrodes 26 connected to an n-type semiconductor layer of the surface-emitting semiconductor laser, and electrodes 35 connected to a p-type semiconductor layer of the light detecting element, are alternately formed.例文帳に追加

面発光型半導体レーザから射出されるレーザ光の射出面３４の周囲には、面発光型半導体レーザが備えるｎ型の半導体層に接続される電極２６と、光検出素子が備えるｐ型の半導体層に接続される電極３５とが交互に形成されている。 - 特許庁

The reflection on the boundary of the glass and the resin is reduced or prevented by providing a cyclic fine structure 40 having an antireflection function at least at a part of the boundary between the glass base body 20 and the resin layer 30 of the composite type optical element which is composed by laminating the resin layer on the glass base body.例文帳に追加

ガラス基体に樹脂層を積層してなる複合型光学素子の、ガラス基体２０と樹脂層３０との界面の少なくとも一部に、反射防止機能を持つ周期的な微細構造４０を有することで、ガラスと樹脂の界面における反射を軽減あるいは防止する。 - 特許庁

To provide a surface finishing agent suitable for a liquid crystal display element provided with a vertical alignment layer consisting of an obliquely deposited film of an inorganic oxide and capable of enhancing temporal stability and light resistance of alignment by surface finishing of the alignment layer and to provide its finishing method.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を備えた液晶表示素子に好適で、配向膜の表面処理により配向の経時安定性及び耐光性を向上させることが可能な表面処理剤及びその処理方法を提供する。 - 特許庁

Although a plurality of pixels 100 of an organic EL device 1 correspond to red color (R), green color (G), and blue color (B) respectively, material qualities of organic function layers constituting an organic EL element 10 such as a hole injection layer 13 and a light emitting layer 14 is identical regardless of corresponding colors.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１において、複数の画素１００は各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応しているが、有機ＥＬ素子１０を構成する正孔輸送層１３や発光層１４などの有機機能層の材質は、対応する色にかかわらず、共通である。 - 特許庁

To rapidly detect a defective pattern in a manufacturing method of an organic EL element for forming an organic layer by using a non-vacuum process such as an ink jet method or a letterpress reversing offset print method by using a polymer material for the organic layer.例文帳に追加

有機層に高分子材料を用いインクジェット法や凸版反転オフセット印刷法などの非真空プロセスを用いて有機層の形成を行う有機ＥＬ素子の製造方法において、パターン不良の検出を迅速に行う有機ＥＬ素子の製造方法を提供こと。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coating liquid for forming a dielectric film, wherein the coating liquid with high preservative characteristics and high stability is suitable for a dielectric layer used for an inorganic EL element, for obtaining the dielectric layer having superior flatness and a fine surface with fewer air gaps.例文帳に追加

保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機ＥＬ素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the photosensitive element comprising a support film, a photosensitive resin composition layer disposed on the support film and a protective film disposed on the photosensitive resin composition layer, the support film and/or the protective film has light shielding effect.例文帳に追加

支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた感光性樹脂組成物層と、該感光性樹脂組成物層上に設けられた保護フィルムと、を備える感光性エレメントにおいて、前記支持フィルム及び／又は前記保護フィルムが遮光性を有することを特徴とする感光性エレメント。 - 特許庁

To minimize a transmission loss by shortening the length of a bonding wire as much as possible and shortening line length from a lead terminal to a semiconductor element and to make it unnecessary to shift a bonding position on a metalized wiring layer correspondingly to the positional deviation of the metalized wiring layer.例文帳に追加

ボンディングワイヤの長さを可能な限り短くしてリード端子から半導体素子までの線路長を短くして伝送損失を最小限に抑え、またメタライズ配線層におけるボンディング位置をメタライズ配線層の位置ずれに対応してずらす必要がないものとすること。 - 特許庁

An electric contact between the magnetic substance layer 160# and the nodes 190, 195 also has the same structure as that between the tunnel magnetoresistance element in the MTJ memory cell and wiring provided in the same metal wiring layer as that of each of the nodes 190, 195.例文帳に追加

磁性体層１６０♯とノード１９０、１９５の間の電気的コンタクトも、ＭＴＪメモリセルにおける、トンネル磁気抵抗素子と、ノード１９０および１９５のぞれぞれと同一の金属配線層に設けられた配線との間の電気的コンタクトと同様の構造を有する。 - 特許庁

In the electron emission element which is formed by stacking the cathode electrode, the insulating layer, and the gate electrode, and in which the through hole is formed by removing a part of the gate electrode so as to expose the cathode electrode, only the vicinity of the center of an electron emission layer on the cathode electrode is connected to the cathode electrode.例文帳に追加

カソード電極、絶縁層、ゲート電極が積層され、ゲート電極の一部分がカソード電極が露出するように取り除かれた貫通孔が形成された電子放出素子において、カソード電極上の電子放出層の中心付近のみがカソード電極と接続されている。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element, a metal which is in ohmic contact with an n-type nitride semiconductor is used in a p-side electrode for injecting hole to a p-type nitride semiconductor layer, and a contact layer forming the p-side electrode is formed of an n-type nitride semiconductor.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。 - 特許庁

The semiconductor device according to a claim 1 includes a conductive metal layer pattern having a semiconductor element mounted and sealed with a sealing material, wherein the conductive metal layer pattern is partly protruded and exposed in a thickness direction on the side opposite to the semiconductor device mounting surface.例文帳に追加

半導体素子が搭載されている導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、半導体素子搭載面と反対側で導電性金属層パターンが厚さ方向で一部突出して露出している半導体装置。 - 特許庁

The color thermal transfer element comprises (a) a light-heat conversion layer, (b) a color transfer layer and (c) a thermal transfer infrared ray sensible bonding agent top coat stuck on a base material in this order, wherein the infrared ray sensible bonding agent top coat is transparent or semitransparent and contains an infrared ray absorbent and a thermoplastic material.例文帳に追加

(a) 光- 熱変換層 (b) カラー転写層、および、 (c) 赤外線吸収剤および熱可塑性材料を含む、透明又は半透明である熱転写性赤外線感受性接着剤トップコート、の順序で基材上に付着した、前記基材を含むカラー熱転写要素。 - 特許庁

This PTC planar heating element with a fuse function has a heating layer with a PTC property on a sheet-like base body, and one face or both faces of the heating layer are provided with thermally expansive layers containing thermally expansive spherical bodies or a pyrolytic compound.例文帳に追加

ヒューズ機能を有するＰＴＣ面状発熱体は、シート状基体上にＰＴＣ特性を有する発熱層を有するものであって、その発熱層の片面または両面に、熱膨張性球状体または熱分解性化合物を含有する熱膨張性層を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the reflective liquid crystal device 100, first contact holes 41a and 41b comprising a lower layer side light reflecting film and connecting a data line 5a and a relay electrode 5b and a field effect transistor 30 are formed at positions to overlap with an upper layer side light reflecting film 7a.例文帳に追加

反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。 - 特許庁

To provide a retardation optical element including a negative C-plate (retardation layer) and an A-plate (retardation layer), which does not produce bright-dark pattern on a display image to thereby effectively suppress a degradation in display quality even when disposed between a liquid crystal cell and a polarizing plate.例文帳に追加

液晶セルと偏光板との間に配置した場合でも、表示画像に明暗模様を発生させることがなく、表示品位が低下してしまうことを効果的に抑制することができる、負のＣプレート（位相差層）とＡプレート（位相差層）とを含んでなる位相差光学素子を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitive element comprises the steps of forming a trench on the surface of a base, forming a separate insulation film 2 in the trench, and forming a lower electrode 23 in the bottom of a recess provided at an opposite side to the base, a dielectric layer 24 on the lower electrode and an upper electrode 25 on the dielectric layer.例文帳に追加

基体の表面にトレンチを形成、トレンチ内に分離絶縁膜２を形成し、前記基体と反対側に設けた凹部の底部上に下部電極２３を、前記下部電極上に誘電体層２４を、前記誘電体層上に上部電極２５を、それぞれ形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上にパッド酸化膜９、ＳｉＮ膜１０を積層し、素子分離用溝（ＳＴＩ）６を形成した後、ＳＴＩ６内およびシリコン基板１表面に埋め込み酸化膜８を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層（ポリシリコン層）１２を形成する。 - 特許庁

An organic electroluminescence element is configured 89 that a first electrode film 2 and film formation preventive layers 3a and 3b are formed on a board 1 and an organic light emission layer 4 and a second electrode film 5 are laminated one over another on that surface area of the first electrode film 2 where no film formation preventive layer is provided.例文帳に追加

基板１上に、第１の電極膜２と、成膜防止層３ａ，３ｂとが形成され、第１の電極膜２上の成膜防止層３ａ，３ｂ非形成面に有機発光層４及び第２の電極膜５が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer of layered structure which is capable of restraining a dopant from diffusing from both a p-type clad layer and a p-type cap layer at the same time, and preventing element resistance from increasing so as to improve a light emitting device in output power; and to provide a semiconductor light emitting device.例文帳に追加

発光素子の高出力化のため、ｐ型クラッド層からのドーパントの拡散を抑制しつつ、ｐ型キャップ層よりのドーパントの拡散も抑制し、かつ素子抵抗を増大させない層構造の半導体エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetoresistive effect thin film magnetic head, the magnetoresistive effect element 2, a first magnetic domain controlling layer 3A, a second magnetic domain controlling layer 3B, a first electrode 4A and a second electrode 4B are formed by self coordination using a mask 5 formed on a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果膜上に形成したマスク５を使用して、磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ、第２の磁区制御層３Ｂ、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂを自己整合で形成する。 - 特許庁