「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(267ページ目) - Weblio英語例文検索

The article includes: a retardation layer 104 including a liquid material or its polymer or bridge element, and an immobilized mesogen; first and second polarizers facing each other through the retardation layer 104; and a mechanism for moving one of the retardation layer 104 and the first and second polarizers in the direction perpendicular to a normal of a main surface of the retardation layer 104.例文帳に追加

本発明によると、液晶物質又はその重合体若しくは架橋体を含み且つメソゲンが固定化された位相差層１０４と、前記位相差層１０４を間に挟んで対向した第１及び第２偏光子と、前記位相差層１０４、前記第１偏光子及び前記第２偏光子の少なくとも１つを前記位相差層１０４の主面の法線と交差する方向に移動可能とする機構とを具備したことを特徴とする物品が提供される。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises a substrate on which a first electrode is provided, a hydrophilic surface provided on the substrate on which hydrophilic graft chains exist, an organic luminous layer or a plurality of organic compound layers including the organic luminous layer locally provided on the hydrophilic surface, and a second electrode provided on the organic luminous layer or the plurality of organic compound layers including the organic luminous layer, in sequence.例文帳に追加

第一の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられた親水性グラフト鎖が存在する親水性表面と、該親水性表面上に局所的に設けられた有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層と、該有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層上に設けられた第二の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

The organic EL element comprises a transparent substrate 1, a transparent electrode 3 provided on the substrate, an organic light emitting layer 4 provided on the transparent electrode, a back electrode 5 provided on the organic light emitting layer, and a terminal electrode 6 provided on the substrate, wherein the terminal electrode has an oxidation protective layer 7 formed by plasma treatment and electrically contacts with the back electrode via the oxidation protective layer.例文帳に追加

透明基板１と、該基板の上に設けられた透明電極３と、該透明電極の上に設けられた有機発光層４と、該有機発光層の上に設けられた背面電極５と、該基板の上に設けられた端子電極６であって、プラズマ処理により設けられた酸化保護層７を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極とを有する有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor element 21 having a bottom electrode and a top electrode, a metal block 26 located on the bottom side of the semiconductor element, an element fixing layer 23 disposed between and in contact with the bottom electrode and the metal block, a bottom electrode-side lead 30 conductive to the bottom electrode, a top electrode-side lead 29 conductive to the top electrode, and a sealing resin 24.例文帳に追加

底面電極と上面電極を有する半導体素子２１と、半導体素子の底面側に位置する金属ブロック２６と、底面電極と金属ブロックとの間に接して配置された導電性を有する素子固着層２３と、底面電極と導通する底面電極側リード３０と、上面電極と導通する上面電極側リード２９と、封止樹脂２４とを備える。 - 特許庁

An infrared sensor 8 for detecting infrared rays emitted by the pot has a sensor base material 20, a first thermal element 22 for detecting the temperature change of the sensor base material 20 and a second thermal element 23 for detecting the atmospheric temperature of the sensor base material 20, and is provided with an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23.例文帳に追加

鍋が放射する赤外線を検出する赤外線センサ８は、センサ基材２０と、センサ基材２０の温度変化を検出する第１の感熱素子２２と、センサ基材２０の雰囲気温度を検出する第２の感熱素子２３とを有するとともに、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５を設けたものである。 - 特許庁

To provide an organic TFT element which has small unevenness in luminance and light emission color in a pixel region by stabilizing function characteristics of the organic TFT element by uniforming the drying speed of an organic semiconductor material solution (organic semiconductor layer) applied to an organic TFT element region and then uniforming the degree of crystallization of the organic semiconductor material solution, and an organic EL display panel using the same.例文帳に追加

有機ＴＦＴ素子領域に塗布された有機半導体材料溶液（有機半導体層）の乾燥速度を均一にすることで有機半導体材料溶液の結晶化の度合いを均一化し、有機ＴＦＴ素子の機能特性を安定させ、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

The resistance temperature fuse is provided with a base body, made by laminating a plurality of substrates of which the uppermost layer includes a concave part; a temperature fuse element fitted inside the concave part; and a heating resistor fitted, inside the base body and fitted with a space provided to the temperature fuse element, in a region overlapped with the temperature fuse element, in a plan fluoroscopic view.例文帳に追加

抵抗温度ヒューズであって、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有する基体と、前記凹部内に設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域であって、前記温度ヒューズエレメントと間を空けて設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a wiring board in which a probe for electrical inspection can be properly contacted to a semiconductor element connection pad, an electrode of a semiconductor element can be properly connected to the semiconductor element connection pad, and a wiring conductor tightly fits to a resin layer for protection, with both of them effectively prevented from peeling from each other.例文帳に追加

電気検査用のプローブを半導体素子接続パッドに良好に接触させることが可能であるとともに、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを良好に接続することが可能であり、かつ配線導体と保護用の樹脂層とが強固に密着し、両者間に剥がれが発生することが有効に防止された配線基板を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate 10 having an element forming region 12 containing impurities of a first conductivity type; a gate electrode 15 formed on the element forming region 12 with a gate insulating film 14 interposed therebetween; and a silicon mixed crystal layer 22 formed outside the gate electrode 15 in the element forming region 12 and containing impurities of a second conductivity type.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含む素子形成領域１２を有する半導体基板１０と、素子形成領域１２の上にゲート絶縁膜１４を介在させて形成されたゲート電極１５と、素子形成領域１２におけるゲート電極１５の外側方に形成され、第２導電型の不純物を含むシリコン混晶層２２とを備えている。 - 特許庁

In the liquid crystal display 70 having an element substrate 9 whose alignment layer is subjected to rubbing treatment by a rubbing roller and a substrate 3 opposed to the element substrate, a dummy electrode 15 is formed in the outer position of a display region opposed to two sides of at least one corner part of the display region where pixel electrodes 90 of the element substrate 9 are formed.例文帳に追加

ラビングローラにより配向膜にラビング処理が施された素子基板９及び該素子基板に対向する基板３を有する液晶表示装置７０において、素子基板９の画素電極９０が形成された表示領域の少なくとも１つの角部の２辺に対向する前記表示領域外の位置に、ダミー電極１５が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材２０は、Ｃｒを含有する合金からなる集電本体２０１の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第４周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第４周期金属元素とＣｒとの複合酸化物からなるＣｒ拡散防止層２０２が設けられたことを特徴とする集電部材２０である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device provided with a heat conduction plate 2 and a semiconductor element 1 joined to this heat conduction plate via a solder layer 8, includes the steps of melting a solder intervening between the heat conduction plate 2 and the semiconductor element 1 and cooling a portion of the heat conduction plate 2 opposite to a center part of the semiconductor element 1 more gently than the other portion.例文帳に追加

伝熱板２と、この伝熱板にはんだ層８を介して接合される半導体素子１を備えた半導体装置の製造方法において、前記伝熱板２と前記半導体素子１との間に介在するはんだを溶融するステップと、前記伝熱板２のうち前記半導体素子１の中央部に対向する部分を他の部分に比し緩やかに冷却するステップと、を設ける。 - 特許庁

The element includes: the polarization diffraction element including a translucent substrate having a diffraction grating constructed by alternately formed concave parts and convex parts and a birefringent liquid crystal filled in the translucent substrate; and at least one phase delay layer formed by a material having birefringence and successively laminated on the liquid crystal of the polarization diffraction element.例文帳に追加

交互に形成された凹部と凸部とで構成される回折格子を有する透光性基板と、上記透光性基板上に充填された複屈折性液晶とを含む偏光性回折素子、及び上記偏光性回折素子の液晶上に連続して積層され、複屈折性を有する物質で形成された少なくとも一つの位相遅延層、を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

The elliptically polarizing plate comprises: a transmissive protection film; a polarizing element; and an optically anisotropic element, stacked in this order, wherein the optically anisotropic element includes a hybrid-nematic alignment liquid crystal layer in which a liquid crystalline composition at least exhibiting an optically positive uniaxiality is subjected to hybrid-nematic alignment in the liquid crystalline state and thereafter the alignment is fixed.例文帳に追加

透光性保護フィルム、偏光素子および光学異方素子とが、この順に積層されている楕円偏光板であって、該光学異方素子が少なくとも正の一軸性を示す液晶性組成物を液晶状態においてハイブリッドネマチック配向させた後、該配向を固定化したハイブリッドネマチック配向液晶層を含むことを特徴とする楕円偏光板。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar cell module comprising a photovoltaic element having at least one semiconductor photoactive layer formed on a flexible substrate, the solar cell module is molded into a desired shape while detecting short circuit state of the photovoltaic element by projecting light at least to a part of the photovoltaic element thereby measuring the characteristics thereof.例文帳に追加

可撓性基板上に半導体光活性層を少なくとも一層備えた光起電力素子を有する太陽電池モジュールの製造方法において、前記光起電力素子の少なくとも一部に光を当て該光起電力素子の特性を測定することで、該光起電力素子の短絡状態を検出しながら、前記太陽電池モジュールを所望の形状に成形加工する。 - 特許庁

According to the drive device 1, the weight 7 and the electromechanical conversion element 4 are insulated certainly by the insulating layer 9 provided between the weight 7 made of metal and the electromechanical conversion element 4, and a current flowing through the electromechanical conversion element 4 can be prevented certainly from short-circuiting through the weight 7, thereby the reliability of the drive device 1 can be enhanced.例文帳に追加

この駆動装置１によれば、金属製の錘７と電気機械変換素子４との間に設けられた絶縁層９によって、錘７と電気機械変換素子４とが確実に絶縁されるため、電気機械変換素子４に流れる電流が錘７を通じて短絡することを確実に防止でき、駆動装置１の信頼性の向上を図ることができる。 - 特許庁

In a full dot matrix display type liquid crystal display element which is constituted by disposing a first transparent electrode substrate having a plurality of lines of row electrodes and a second transparent electrode substrate having a plurality of lines of column electrodes opposite to each other across a liquid crystal layer and by using each intersection of the row electrodes and the column electrodes as a display element, each display element D is made to be a hexagonal dot pattern.例文帳に追加

複数本の行電極を有する第１透明電極基板と、複数本の列電極を有する第２透明電極基板とを液晶層を挟んで対向的に配置し、行電極と列電極の交点部の各々を表示画素としてなるフルドットマトリクス表示型の液晶表示素子において、各表示画素Ｄを六角形のドットパターンとする。 - 特許庁

In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.例文帳に追加

シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁

Infrared rays emitted from an inner lid 4 are detected by an infrared sensor 8, it is provided with a sensor base material 20, a first thermal element 22, a second thermal element 23 and an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23, and the infrared sensor 8 of the configuration is arranged inside a lid equipped with the inner lid 4.例文帳に追加

赤外線センサ８で内蓋４より放射される赤外線を検出するようにし、これはセンサ基材２０と、第１の感熱素子２２と、第２の感熱素子２３と、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５とを有するとともに、これら構成の赤外線センサ８を、内蓋４を装備した蓋内に配置したものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an EL element capable of greatly reducing defects when performing transfer such as excessive transfer and defective transfer at a comparatively low transfer temperature and obtaining high-quality EL element when manufacturing the EL element by transferring an organic EL layer on a substrate like a pattern by a transfer method.例文帳に追加

本発明は、転写法により有機ＥＬ層を基板上にパターン状に転写させてＥＬ素子を製造する際に、比較的低い転写温度を用い、かつ過剰転写や転写不良といった転写に際しての不具合を大幅に低減させることができ、高品質のＥＬ素子を得ることができるＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

To provide a package for storing an electronic element 4 in which no air is contained in a joining layer 3 and the base 1 and frame 2 are tightly joined together when a base 1 and a frame 2 are joined together.例文帳に追加

基体１と枠体２とを接合する際に、接合層３に空気が内包されることがなく、基体１と枠体２とが強固に接合された電子素子４収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a reproducing head which can stabilize the magnetic status of a bias application layer and thereby can stabilize reproduction output, in relation to the reproducing head equipped with a magneto-resistance effect type reproducing element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層の磁性状態を安定させ、再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, if the upper surface 21a of the insulating layer 21 is a flat surface, variations of a resonant frequency and an anti-resonant frequency with a temperature change of the surface acoustic wave element are reduced.例文帳に追加

また、絶縁層２１の上面２１ａが平坦面であると、弾性表面波素子の温度変化に伴う共振周波数及び反共振周波数の変動を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a blanket for offset printing which enables printing of a polymeric luminescence medium layer with the thickness thereof made uniform and of which the smoothness of the surface is ensured, a polymeric EL element and also method for manufacturing them.例文帳に追加

高分子発光媒体層の厚さを均一に印刷できる、表面の平滑性を確保したオフセット印刷用ブランケット及び高分子ＥＬ素子並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Source/drain diffused layers 17 and 18 are formed so as to be separated from the edge of the element isolation region 12 by prescribed distances d1, d2, d3, and d4 around their parts which are connected to (or overlap with) an impurity diffused layer 142.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層１７、１８に関し、不純物拡散層１４２と繋がる（あるいは重なる）部分付近は素子分離領域１２縁部から所定距離ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４だけ離間して形成している。 - 特許庁

A reinforcing belt 5 actually radially arranged and made of at least one cord layer constituted by applying rubber on a reinforcing element initial elongation of which is 0.2% or more is arranged between the carcass 2 and the main belt 4.例文帳に追加

カーカス２と主ベルト４との間に、実質上ラジアル配列した、初期伸びが０．２％以上の補強素子をゴム被覆してなる少なくとも１層のコード層からなる補強ベルト５を配設する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal aligning agent with which a liquid crystal alignment layer exhibiting a high voltage holding property is obtained, and which is superior in application properties and in printability, and to provide a high-performance liquid crystal display element.例文帳に追加

高い電圧保持性を示す液晶配向膜を与えることができ、かつ塗布性ないし印刷性に優れる液晶配向剤および高性能の液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

The elastic element 130 is arranged on the second surface 110b and further encloses the second patterned metal layer 114, while being brought into contact with the lower mold chase 220 and arranged between it and the substrate 110.例文帳に追加

弾性要素１３０は、第２表面１１０ｂ上に配置されるとともに、第２のパターン化金属層１１４を囲み、下側モールドチェイス２２０と接触させ、基板１１０との間に配置される。 - 特許庁

Each of the light receiving element chip 5_1, 5_2 is bonded to the outer circumference of the clad 12 of the downstream side optic fiber 1 through a transparent adhesive layer 4 which is transparent to the light leaked from the light-leak generating unit 3.例文帳に追加

各受光素子チップ５_１，５_２は、漏光発生部３から漏れる光に対して透明な透明接着層４を介して下流側の光ファイバ１のクラッド１２の外周面に接着されている。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser element which can suppress leakage of electrons in the well layer of a multi-quantum structural part, when electric field is applied and obtain large refractive index variations in a high electric field.例文帳に追加

電界印加時の多重量子井戸構造部の井戸層からの電子のリークを抑制し、高電界下にわたって大きな屈折率変化を得ることの可能な面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated ceramic element, which is capable of suppressing reduction of Pb by removing remaining carbon which is produced from a binder component included in a piezoelectric ceramic layer during calcination, to the outside of a system.例文帳に追加

焼成時に圧電セラミック層に含まれるバインダ成分から生じる残留カーボンを系外に除去し、Ｐｂの還元を抑制することができる積層型セラミック素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion function element which uses a laminated structure having an ZnTe-based semiconductor contact layer as a substrate, where ohmic contact with an electrode can be realized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電極とオーミック接触をとれるＺｎＴｅ系半導体コンタクト層を少なくとも有する積層構造を基体として用いた光電変換機能素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The second pseudo-memory cell transistor 10 comprises a fifth gate 2, formed on the element separation layer 21; and a sixth gate 3 formed on the side of the fifth gate 2 to face the fourth gate 3.例文帳に追加

第２擬似メモリセルトランジスタ１０は、素子分離層２１上に形成された第５ゲート２と、第５ゲート２の側面に第４ゲート３と対向するように形成された第６ゲート３とを備える。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask for an organic EL element, allowing the formation of a luminous layer having a uniform shape in a highly precise and well reproductive manner and being inexpensive to manufacture, and its manufacturing method.例文帳に追加

均一な形状を有する発光層を高精度に再現性良く形成することができ、さらに安価に製造可能な有機ＥＬ素子用蒸着マスクとその製造方法を得るにある。 - 特許庁

To provide a method for forming a resin layer in which a substrate with a deposition film, e.g. a photovoltaic element substrate, exhibiting excellent durability even in a severe outdoor environment can be obtained by an inexpensive and convenient method.例文帳に追加

屋外の厳しい環境においても優れた耐久性を有する光起電力素子基板等の堆積膜付き基板を、安価且つ簡易な手法で実現し得る樹脂層形成方法を提供する。 - 特許庁

According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2.例文帳に追加

この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。 - 特許庁

The strain gage circuits 201, 202 measure a strain amount in an area near the power semiconductor elements 151, 152 generated by a thermal stress of a junction part solder layer of the power semiconductor element 151, 152.例文帳に追加

このひずみゲージ回路２０１，２０２は、パワー半導体素子１５１，１５２の接合部半田層の熱応力などによって発生したパワー半導体素子１５１，１５２の近傍のひずみ量を測定する。 - 特許庁

Since the accumulation of electric charges in the liquid crystal display element using the liquid crystal alignment layer, even an image with high contrast is continuously displayed without causing sticking or the like.例文帳に追加

また、本発明により形成した液晶配向膜を用いた液晶表示素子は電荷の蓄積が少ないため、コントラストの高い画像でも焼き付きなどを起こさずに表示させ続けることができる。 - 特許庁

The photoconductive element for generating or detecting a terahertz wave includees: a carrier generation layer 2801; an electrode 2802; antennas 2804; and two adjusting stubs 2806 for adjusting a propagation state of the terahertz wave generated or detected by the carrier.例文帳に追加

キャリア発生層2801と、電極部2802と、アンテナ部2804と、キャリアから発生されるテラヘルツ波或はキャリアが検出するテラヘルツ波の伝搬状態を調整するための2つの調整スタブ2806と、を有する。 - 特許庁