「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(265ページ目) - Weblio英語例文検索

A cavity part provided in the clad layer at the core proximity part 13 is charged with a filling material 25 which has larger temperature dependence of the refractive index than the clad layer, and a Peltier element 40 for variably controlling the branch ratio of light is installed at the core proximity part 13.例文帳に追加

そして、コア近接部１３においてクラッド層に設けられた空洞部内に、クラッド層よりも大きい屈折率の温度依存性を有する充填材料２５を充填するとともに、光の分岐比を可変に制御するためのペルチェ素子４０をコア近接部１３に対して設置する。 - 特許庁

The optical deflecting element 1 has a pair of transparent substrates 3, a spacer 4, a plurality of transparent line electrodes 5, a dielectric layer 6, a liquid crystal layer 7 which can form a chiral smectic C phase, and a resistance film 8 which electrically connects a group of the plurality of line electrodes 5 in series.例文帳に追加

光偏向素子１は、一対の透明な基板３と、スペーサー４と、複数本の透明なライン電極５と、誘電体層６と、キラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層７と、複数本のライン電極５群を電気的に直列に接続する抵抗膜８を有している。 - 特許庁

On the main surface side of a silicon substrate 1 of which the main surface is a {100} surface, a sacrifice layer 2 consisting of a polysilicon layer is formed along one diagonal line DG of a recess forming rectangular region DA, except the opposite end parts of the one diagonal line DG, and a membrane part 3 and the temperature-sensitive element 4 are formed sequentially.例文帳に追加

主表面が｛１００｝面のシリコン基板１の主表面側に凹所形成矩形領域ＤＡの１つの対角線ＤＧの両端部を除いて当該１つの対角線ＤＧに沿ったポリシリコン層からなる犠牲層２を形成し、メンブレン部３、感温素子４を順次形成する。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

To provide a counter electrode substrate for a dye-sensitized solar cell which is used for manufacturing a dye-sensitized solar cell element, in which a solid electrolyte layer is used and which has excelling adhesion with respect to the electrolyte layer.例文帳に追加

固体の電解質層が用いられる色素増感型太陽電池素子を作製するために用いられる色素増感型太陽電池用対極基板であって、当該電解質層に対して優れた接着性を有する色素増感型太陽電池用対極基板を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The inductance element 1 has a magnetic body coating layer 3 formed through self fusion of magnetic powder having a self-fusing film around a coil 4 wound around a core 2 wherein the opposite ends 4b and 4b of the coil 4 are exposed to the outside of the magnetic body coating layer 3.例文帳に追加

コア２に巻装されたコイル４の周囲に、自己融着性皮膜を有する磁性粉の自己融着によって形成された磁性体被覆層３を有し、前記コイル４の両端部４ｂ，４ｂが磁性体被覆層３の外側に露出されているインダクタンス素子１を用いる。 - 特許庁

For the wiring board 100 with the built-in resistor, the resistance element 70a is incorporated in a 4-layer wiring board for which a wiring pattern 41a and a pad electrode 41b are formed on both surfaces of a double sided wiring board 10 through an insulation layer 31.例文帳に追加

抵抗体内蔵配線基板１００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子７０ａが内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curing adhesive agent composition which can form an adhesive agent layer improved in adhesiveness of ≥2 members, particularly a polarization element and a transparent protective film layer, as well as durability and water resistance, and provide a polarization plate, an optical film and an image display device.例文帳に追加

２以上の部材、特には偏光子と透明保護フィルム層との接着性を向上し、かつ耐久性および耐水性を向上した接着剤層を形成できる活性エネルギー線硬化型接着剤組成物、偏光板、光学フィルムならびに画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hollow structure, a manufacturing method for an MEMS element, and a manufacturing method for an electron beam mask capable of easily and inexpensively manufacturing by using a metallic film as a sacrificial layer and optimally combining a film material constituting the structure and an etchant of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層に金属膜を用い、且つ、構造体を構成する薄膜材料、及び犠牲層のエッチング液を最適に組み合わせて、容易且つ安価に製造し得る中空構造体の製造方法、ＭＥＭＳ素子の製造方法及び電子線マスクの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In a process for forming a semiconductor thin film 13 having the same element as a burial substrate 11 at the upper portion of a porous layer 12 after forming the porous layer 12 on the substrate 11, the semiconductor thin film 13 is formed in a chemically active hydrogen atmosphere.例文帳に追加

基板１１に多孔質層１２を形成後、多孔質層１２の上部を埋め基板１１と同じ元素を有する半導体薄膜１３を形成する工程において、半導体薄膜１３の形成が化学的に活性な水素雰囲気中で行われることを特徴とする。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, the light emitting layer has an organic layer which contains a compound including: a transition metal complex (Ir complex or Pt complex as a representative) having a specified phenyl-imidazole-based or phenyl-pyrazole-based ligand; and a carbazole-based partial structure.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、特定のフェニルイミダゾール系またはフェニルピラゾール系配位子含有遷移金属錯体（代表的にはＩｒ、Ｐｔ錯体）、かつカルバゾール系部分構造を含む化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the photosensitive element, a photosensitive resin composition layer comprises a binder polymer, a photopolymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated group in one molecule and a photopolymerization initiator and the absorbance of the photosensitive resin composition layer to light having 365 nm wavelength is 0.15-0.8.例文帳に追加

感光性樹脂組成物層が、バインダーポリマーと、分子内に少なくとも１つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有し、該感光性樹脂組成物層の波長３６５nmの光に対する吸光度が０．１５〜０．８である感光性エレメント。 - 特許庁

An insulating gate type element is formed on the semiconductor substrate, and an a collector layer functioning as a collector at IGBT operation and a cathode/anode layer functioning as a cathode or anode of a reflux diode at reverse bias are formed adjacently to each other on the backside of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板には、絶縁ゲート型の素子部が形成されており、半導体基板の裏面側には、ＩＧＢＴ動作時にコレクタとして機能するコレクタ層と、逆バイアス時に還流ダイオードのカソードもしくはアノードとして機能するカソード／アノード層が、互いに隣接して形成されている。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element includes a semiconductor layer supporting at least the sensitized dye on a semiconductor, and an electrolyte layer between a pair of opposite electrodes, and contains a compound expressed by general formula (1) as the sensitized dye.例文帳に追加

対向する一対の電極間に、少なくとも増感色素を半導体に担持してなる半導体層及び電解質層が設けられている色素増感型の光電変換素子において、前記増感色素として下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The silver halide photographic element is provided with a nonflat silver halide emulsion layer on a reflective support and the emulsion layer comprises silver chloride as a main component and the emulsion is in a state of capable of reacting with the thiol compound of the formula in which H is an optionally substituted aromatic or heteroaromatic group, and EW is an electron withdrawing group.例文帳に追加

反射性支持体の上に非平板状ハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀写真要素であって、前記乳剤層が塩化銀を主体とし且つ下式のチオール系化合物と反応し得る関係にあることを特徴とするハロゲン化銀写真要素。 - 特許庁

In this method for producing a phosphor layer of a prescribed pattern on an inner surface of a transparent panel 12 to be a display screen of the cathode-ray tube, the phosphor layer is exposed as an outer surface of the transparent panel 12 is pressurized at a constant pressure by a pressure element 30 toward the inner surface of the panel.例文帳に追加

陰極線管の表示画面となる透明パネル１２の内面に所定パターンの蛍光体層を作製する方法において、透明パネル１２の外面をパネルの内面に向けて加圧子３０により一定圧力で加圧した状態で、蛍光体層に対して露光を行う。 - 特許庁

This organic electric field light-emitting element has a positive electrode 2 formed on a transparent substrate 1, an organic light-emitting layer 4 having an organic electric field light-emitting compound as the main component, and a negative electrode 5 arranged and installed so as to pinch an organic light-emitting layer 4 together with the positive electrode 2.例文帳に追加

透明基板１上に形成された陽極電極２と、有機電界発光性化合物を主体としてなる有機発光層４と、陽極電極２とともに有機発光層４を挟み込むように配設された陰極電極５とを有する有機電界発光素子である。 - 特許庁

The adhesion preventive material which contains either a mixture of a water absorbing agent and a hydrophobic lubricant, with their mixing weight ratio ranging from 1:100 to 100:1, or both a water absorbing lubricating layer and a hydrophobic lubricating layer, is interposed between the surface of the support and the hydraulic composition (hardened element).例文帳に追加

吸水剤と疎水性潤滑剤との混合重量比が１：１００〜１００：１の範囲である混合物を含む接着防止材または吸水性潤滑層と疎水性潤滑層とを含む接着防止材を、支持体表面と水硬性組成物（硬化体）との間に介在させる。 - 特許庁

This perpendicular magnetic head is constituted by stacking a main magnetic pole 30 or a stacked body of the main magnetic pole and an auxiliary magnetic pole 31 on an under layer 11 formed on a substrate 1 so as to contact the layer 11, and laminating a coil 35, a return magnetic pole 33, and a reproducing element 2 on it in this order.例文帳に追加

主磁極３０もしくは主磁極と補助磁極３１との積層体を，基板１上に形成された下地層１１の上に接するように積層し，その上にコイル３５，リターン磁極３３，再生素子２の順に積層して垂直磁気ヘッドを構成する。 - 特許庁

A layer 116 having a higher refractive index which is larger than that of a clad 211 is formed above, under or at the side of respective waveguides 102 to 108 of an array waveguide element, so that emitted light leaked from a curved portion of the waveguides 102 to 108 is enclosed in the layer 116 having a high refractive index.例文帳に追加

アレイ導波路素子の各導波路１０２〜１０８の上、下あるいは側部にクラッド２１１よりも高屈折率層１１６が形成されているので、導波路１０２〜１０８の湾曲部等から漏れた放射光が高屈折率層１１６に閉じ込められる。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film transistor element for liquid crystal displays includes a step to form the gate electrode on the transparent insulating substrate, a step to form the gate insulating layer with the glass composite, a step to form the semiconductor layer, and a step to form the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極を形成する段階、ガラス組成物でゲート絶縁膜を形成する段階、半導体層を形成する段階及びソース電極とドレーン電極を形成する段階を含む。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient on the surface of the wiring layer can be set at a value corresponding to that of an electronic component, e.g. a semiconductor element, being mounted or it can be set at a value close to the thermal expansion coefficient of the electronic component by selecting the glass transition point Tg of an insulation resin layer.例文帳に追加

また、絶縁樹脂層のガラス転移温度Ｔｇを選択することにより、配線層表面の熱膨張係数を搭載される半導体素子等の電子部品に対応した値、すなわち電子部品の熱膨張係数に近い値に設定することができる。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises an underlying resin layer 13, a resin lens 14, a mixture oxide film 15 and a transparent resin film 16 formed on a photoelectric conversion element 17 wherein the mixture oxide film is composed of a mixture of indium oxide and a recess 20 is formed in the underlying resin layer between resin lenses.例文帳に追加

光電変換素子１７上に下地樹脂層１３、樹脂レンズ１４、混合酸化物膜１５及び透明樹脂膜１６を備える固体撮像素子において、混合酸化物膜が酸化インジウム混合酸化物であって、下地樹脂層に樹脂レンズ間で凹部２０があること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an element or particularly a transistor has excellent operating characteristics and reliability by forming a domain structure or a single crystal metal oxide insulating layer extremely strongly oriented in a normal direction to a board in the insulating layer on a silicon plane (001).例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）面上の金属酸化物絶縁層において、基板法線方向に極めて強く配向したドメイン構造あるいは単結晶の金属酸化物絶縁層を形成することにより素子、特にトランジスタの動作特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 employing a ZnO single crystal substrate 12 has an active layer 15 constituted of a nitride semiconductor containing In, and a semiconductor layer formed by being laminated in a laser element structure on the substrate surface of the ZnO single crystal substrate 12, and the end surface of a resonator is (1_100).例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、ZnO単結晶基板１２を用いており、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層１５を有し、ZnO単結晶基板１２の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が（１＿１００）になっている。 - 特許庁

A fixing layer 4 for fixing a surface acoustic wave element 2 on which at least a pair of interdigital transducers are provided on the surface of a piezoelectric substrate on a base substrate 3 is connected to the rear surface 29 of the piezoelectric substrate, and the layer 4 has a thickness set in a range of 100 μm-200 μm.例文帳に追加

圧電基板の表面に少なくとも一対の櫛歯電極が設けられる表面弾性波素子２をベース基板３に固定する固定層４が、圧電基板の裏面２９に接続され、この固定層４の厚みが１００μｍ〜２００μｍの範囲に設定される。 - 特許庁

To provide a coating liquid for color filter for forming a colored layer or a light-shielding layer which hardly generates gas, to provide a substrate for an organic electroluminescence (EL) element capable of excellent image display without a defect such as dark spot, and to provide an organic EL display device.例文帳に追加

本発明は、ガスの発生が少ない着色層や遮光部を形成するためのカラーフィルタ用塗工液、ならびに、ダークスポット等の欠陥のない良好な画像表示が可能な有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ表示装置を提供することを主目的とする。 - 特許庁

In this semiconductor layer 60, a semiconductor laser, whose light receiving sensitivity with reference to visible light is high, is used as a light receiving element 65, for monitoring, at a laser diode 63 which generates short wavelength light, and a layer 68 which converts the short wavelength light into visible light and which contains a phosphor substance is formed on its light receiving face.例文帳に追加

半導体レーザ装置６０にあっては短波長光を発生するレーザダイオード６３のモニタ用の受光素子６５として可視光に対する受光感度の高いものを用い、その受光面に短波長光を可視光に変換する蛍光体物質を含む層６８を設ける。 - 特許庁

Each light-emitting element has a transparent pixel electrode 26, a translucent counter electrode 36 opposed to the pixel electrode 26 further away from the dielectric layer 24 than the pixel electrode 26, and a light-emitting layer 32 intercalated between the pixel electrode 26 and the counter electrode 36.例文帳に追加

発光素子の各々は、透明な画素電極２６と、画素電極２６よりも誘電体層２４から離れており画素電極２６に対向する半透明な対向電極３６と、画素電極２６と対向電極３６の間に介在する発光層３２とを有する。 - 特許庁

The magnetic RAM using the Schottky diode includes a stacked structure of word lines, a resistance variation pattern, and bit lines and is characterized by that a resistance variation element pattern and the semiconductor layer pattern or the semiconductor layer pattern and bit lines form the Schottky diode.例文帳に追加

ワードライン、抵抗変化素子パターン、半導体層パターン及びビットラインの積層構造を含み、抵抗変化素子パターンと半導体層パターン又は半導体層パターンとビットラインはショットキーダイオードを形成することを特徴とするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭである。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element having at least a light-emitting layer sandwitched between an anode and a cathode, the light-emitting layer includes at least one metal complex polymer compound having a partial structure represented by a specific general formula.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が特定の一般式で表される部分構造を含む金属錯体高分子化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the solid-state image pickup element sequentially provided with an undercoat layer 13 and multiple micro lenses, the microlens has a resin layer 12 which is selectively made thin on a microlens pattern 11 selectively thick on the gap between the microlens patterns and has an infrared ray absorbing function applied, and disposed thereon.例文帳に追加

アンダーコート層１３、複数のマイクロレンズを順次に備えた固体撮像素子において、マイクロレンズパターン１１上では選択的に薄く、マイクロレンズパターン間ギャップ上では選択的に厚く赤外線吸収機能を有する樹脂層１２を被覆配設したマイクロレンズであること。 - 特許庁

An organic thin film photoelectric conversion element 10 is configured of a porous layer 12 of oxide particles 16 of n type oxide semiconductor materials having an electron acceptor 20 for conducting electrons and a p type organic semiconductor layer 14 having electron donor for transporting a hole as primary configuring elements.例文帳に追加

有機薄膜光電変換素子１０は、電子を伝導する、電子アクセプター２０を有するｎ型酸化物半導体材料の酸化物微粒子１６の多孔質層１２と、ホールを輸送する、電子ドナーを有するｐ型有機半導体層１４を主要な構成要素とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises at least a hole injecting anode, a luminous layer with luminous area, an electron injecting cathode on a transparent or semitransparent macromolecular film, and the macromolecular film has an antistatic layer.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明または半透明の高分子フィルム上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記高分子フィルムは、帯電防止層を有する事を特徴する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least two layers for absorbing light of different wavelength regions and performing photoelectric conversion, and also includes a different photoelectric conversion material for each layer wherein a substantially different bias voltage is applied to each different photoelectric conversion material layer.例文帳に追加

少なくとも２層の異なる波長領域の光を吸収し、光電変換する光電変換層を含み、かつ、該層ごとに異なる光電変換材料を含む光電変換素子において、異なる光電変換材料層ごとに実質的に異なるバイアス電圧を印加する光電変換素子。 - 特許庁

In the electroluminescence element having a cathode and an anode on a substrate and a plurality of organic layers between them, at least one organic layer is formed using dispersion solution and one of the organic layer contains a planar molecule.例文帳に追加

基板上に陰極と陽極を有し、その間に複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１層が分散液を用いて形成される層であり、且つ該有機層のいずれかに平板状分子を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The method of forming the carbon nanotube on a catalytic layer containing a metal element capable of being carburized includes a step for growing the carbon nanotube upward from one or more projecting parts provided on the catalytic layer.例文帳に追加

浸炭可能な金属元素を含む触媒層上にカーボンナノチューブを形成させる方法であって、前記触媒層上に設けられた１又は２以上の突起部から上方に向かってカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

This light-emitting element comprises an organic compound layer between an positive electrode and a negative electrode, and the organic compound layer contains 50 mass % or more of an ionic transition metal complex containing a transition metal ion selected from a group of iridium ion, platinum ion and rhenium ion.例文帳に追加

本発明の発光素子は陽極と陰極の間に有機化合物層を有する素子であり、有機化合物層がイリジウムイオン、白金イオン及びレニウムイオンからなる群から選ばれる遷移金属イオンを含むイオン性遷移金属錯体を50質量％以上含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film.例文帳に追加

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown.例文帳に追加

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

An array waveguide 201 is composed of a plate-shaped waveguide element 203 in which an optical waveguide layer 211 is formed on a silicone base plate 212, a first correction base plate 204 stuck on the side of the optical waveguide layer 211 and a second correction base plate 205 stuck on the side of the silicone base plate 212.例文帳に追加

アレイ導波路２０１は、光導波路層２１１をシリコン基板２１２上に形成した平板状の導波路素子２０３と、その光導波路層２１１側に接着された第１の補正基板２０４と、シリコン基板２１２側に接着された第２の補正基板２０５から構成される。 - 特許庁

A metal/insulator thin film heterostructure is used for a cold- cathode material forming a field emission element, one of diamond, AIN, and c-BN is used for an insulator layer, and one of Cu, Sn-Pb, Al, Ag, Au, W is used for a metal layer.例文帳に追加

電界放出素子を構成する冷陰極材料に金属／絶縁体薄膜ヘテロ構造を用いるにあたり、絶縁体層としてダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃ−ＢＮのいずれか一種を用い、金属層としてＣｕ、Ｓｎ−Ｐｂ，Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗのいずれか一種を用いる。 - 特許庁

In a lead frame 10 on which a Ni-plated layer is formed, the Ni-plated layer has a thick-film part 12b formed at the backside in connection with an external substrate, and a thin-film part 12a formed entirely or partially at the mounting side of a semiconductor element.例文帳に追加

Ｎｉめっき層が形成されたリードフレーム１０において、該Ｎｉめっき層は外部基板と接続する裏面側に形成されている厚膜部分１２ｂと、半導体素子の搭載面側の全面あるいは一部に形成されている薄膜部分１２ａとを有している。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element equipped with an organic layer containing an organic light-emitting material between a pair of counter electrodes, ultraviolet rays are irradiated to the organic layer, the irradiation amount is changed, and formation of light emission pattern having the contrast caused by the light emission brightness corresponding to the irradiation amount of the ultraviolet rays is applied.例文帳に追加

一対の対向電極間に有機発光材料を含む有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層に紫外線を照射し、該照射量を変化させて、紫外線照射量に対応した発光輝度によるコントラストを有する発光パターン形成を施す。 - 特許庁