「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(262ページ目) - Weblio英語例文検索

In the organic electroluminescence element including at least a light emitting layer held between an anode and a cathode, the light emitting layer has at least one metal complex compound including a partial structure represented by a specified general formula.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が特定の一般式で表される部分構造を含む金属錯体化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In a spiral ferroelectric liquid crystal cell 10 provided with a ferroelectric liquid crystal layer 15 of known thickness between a plurality of electrodes one of which is at least transparent or semi-transparent, the optical anisotropy of the element is changed by applying voltage across the electrodes via this layer.例文帳に追加

少なくとも一方が透明または半透明である複数の電極板間に既知の厚みの強誘電性液晶層１５が設けられたねじれらせん強誘電性液晶セル１０では、この層を介して電極板に電圧を印加することにより、素子の光学的異方性が変化する。 - 特許庁

Damage due to ion milling is not applied on both the side end parts S of the free magnetic layer 26, magnetization of the free magnetic layer 26 can be controlled properly by the ferromagnetic coupling, and a magnetic detecting element which can cope with narrow tracks can be manufactured.例文帳に追加

本発明では、前記フリー磁性層２６の両側端部Ｓにイオンミリングによるダメージが与えられず、上記の強磁性的な結合により前記フリー磁性層２６の磁化制御を適切に行うことができ、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。 - 特許庁

A power module according to the present invention comprises a surface side solder layer 45 formed between a surface electrode 25 and a second electrode pad 5a of a semiconductor element 20, and a rear face side solder layer 43 formed between a back electrode 23 and a first electrode pad 3a.例文帳に追加

本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。 - 特許庁

To stabilize resistivity of a high resistant layer limiting a discharge current within a surface and to reduce resistance of a low resistant layer pattern supplying a current for a gate electrode without affecting the element area.例文帳に追加

放電電流を制限する高抵抗層の抵抗率を面内において安定させ、かつ、素子面積に影響を与えずに、ゲート電極へ電流を供給する低抵抗層のパターンの抵抗を下げることが可能な電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the write-once type optical recording medium wherein information is recorded by irradiating a recording layer with light, the recording layer is constituted mainly of In and Te and at least one element selected from Ti, Zr and Al is added thereto.例文帳に追加

記録層に光を照射することにより情報記録するライトワンス型光記録媒体において、該記録層がＩｎとＴｅとを主成分とし、これにＴｉとＺｒとＡｌから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent(EL) element in which the recombination of electron and hole in the luminescent layer is made in the vicinity of the interface to the electron transport layer, and a high luminescence efficiency and sufficient luminance are obtained with a low applied voltage even in a case using a hole transport material with a shallow HOMO level.例文帳に追加

発光層における電子とホールとの再結合が電子輸送層との界面近傍においてなされ、ＨＯＭＯ準位が浅いホール輸送材料を用いた場合でも、発光効率が高く、低い印加電圧で十分な輝度が得られる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The device for forming a stress relaxation layer 100 is provided with a resin-discharging head 126 for discharging resin onto the region intended for forming the stress relaxation layer 250 on a semiconductor chip 200 through the use of a piezoelectric element 126e and a head control section 125 for controlling the operation of the resin-discharging head.例文帳に追加

半導体チップ２００の応力緩和層２５０形成領域に対して圧電素子１２６ｅを用いて樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッド１２６と、この樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部１２５と、を有することで応力緩和層形成装置１００を構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting element which roughens a surface to reduce reflectivity of a surface of a light extraction layer of light emitted from a light emitting layer as compared with a conventional one, in order to improve light extraction efficiency further as compared with the conventional one.例文帳に追加

発光層で発光した光の光取り出し層表面での反射率を従来より減らすことができる程度に表面を粗面化することができる、すなわち従来よりも更に光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method for semiconductor device with which the number of processes is reduced by using an amphoteric, the quantity of an expensive solvent to be used can be reduced, and a liquid phase epitaxial growing layer is formed so that the light emitting element of high light emitting efficiency can be formed from a shallow dispersion layer.例文帳に追加

両性不純物を用いて工程数を削減し、高価な溶媒の使用量を削減できると共に、浅い拡散層による発光効率の高い発光素子を形成し得る液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the insulation layer 13 is solidified, lower surface of the LED element 12 and the bumps 12a and 12b are secured by the insulation layer 13 and since the pressing force does not act on the bumps 12a and 12b when the sealing member 14 is sealed by press, the bumps 12a and 12b can be prevented from deformation.例文帳に追加

絶縁層１３が固化すると、ＬＥＤ素子１２の下面及びバンプ１２ａ，１２ｂが絶縁層１３によって固定され、封止部材１４が加圧プレスによって封止されても、その加圧力はバンプ１２ａ，１２ｂに及ばず、バンプ１２ａ，１２ｂに変形等が生じるのを防止できる。 - 特許庁

This capsule-like micro light emitting element comprises a light emitting part having at least a light emitting layer 13 and constituting one pixel, a capsule-like sealing layer 17 independently sealing the light emitting part, and a first electrode 11 and a second electrode 15 for applying a voltage to the light emitting part.例文帳に追加

発光層１３を少なくとも有し且つ一画素を構成する発光部と、前記発光部を個別に封止するカプセル状の封止層１７と、前記発光部に電圧を印加するための第一電極１１及び第二電極１５とを備えることを特徴とするカプセル状マイクロ発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which even after undergoing a repetitive cold cycle, still has high bonding reliability of a first solder layer bonding a circuit-side metal plate and a semiconductor element together and a second solder layer bonding a heat-dissipation-side metal plate and a heat dissipation base plate together.例文帳に追加

繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を有する半導体モジュールを提供することである。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element which includes a positive-hole injection layer obtained by forming a film of a polymer positive-hole transport material by a wet method and a light-emitting layer obtained by forming a film of a low-molecular light-emitting material by a wet method, and is improved in driving voltage.例文帳に追加

高分子正孔輸送材料を湿式成膜して得られる正孔注入層および低分子発光材料を湿式成膜して得られる発光層を有する有機電界発光素子において、駆動電圧の改善された素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head for reproducing the information recorded on a disk medium by the perpendicular magnetic recording method, a magneto-resistive element having a free layer 1, the resistance value of which is varied in response to a change of an external magnetization, and hard bias layers 9, 10 for making the free layer 1 to form a single magnetic domain are provided.例文帳に追加

垂直磁気記録方式によりディスク媒体に記録された情報を再生する磁気再生ヘッドにおいて、外部磁化の変化に感応して抵抗値の変化するフリー層１を備える磁気抵抗効果素子と、フリー層１を単磁区化するハードバイアス層９，１０とを具備する。 - 特許庁

To offer an organic luminescent element and its manufacturing method having a simple layer composition which attains high performance such as high efficiency and long-life by improving a hole-injection efficiency between an anode and a carbon film, and a luminescence layer that is an organic film.例文帳に追加

本発明は、陽極及び炭素膜と、有機膜である発光層との間の正孔注入効率を向上させ、高効率化、長寿命化といった高性能化を図った簡単な層構成の有機発光素子及びその製造方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device 100 in which an insulating layer 105 having an overhung section 109 protruded from the end face of a silicon substrate 101 is formed on the element forming surface of the substrate 101, the overhung section 109 has Cu wiring 107 buried in the insulating layer 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１の素子形成面に絶縁層１０５が設けられ、絶縁層１０５がシリコン基板１０１の端面から突出した張出部１０９を有する半導体装置１００において、張出部１０９は絶縁層１０５中に埋設されたＣｕの配線１０７を有する。 - 特許庁

To provide an optical element which can be made thin entirely and is physically and chemically stable even in the case that a phase difference layer comes in contact with a liquid crystal layer for display, and is free from problems such as melting-out of a part of materials.例文帳に追加

全体として厚みを薄くすることが可能であり、位相差層が表示用の液晶層と接触する等の場合にも、物理的および化学的に安定であって、素材の一部が溶出する等の問題の生じない光学素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the transparent adhesive layer 4, the area contacting to the clad 12 of the other optic fiber 1 is restricted so that the leaked light from the light-leak generating unit 3 does not leak between the light receiving element chip 5 and the light-leak generating unit 3 through the transparent adhesive layer 4 to the air.例文帳に追加

受光素子チップ５と漏光発生部３との間で漏光発生部３からの漏れ光が透明接着層４を通して空気中へ漏れないように、透明接着層４において上記他方の光ファイバ１のクラッド１２と接する領域を制限してある。 - 特許庁

The inhibitor of H_2S generation is comprised of a plurality of nuclei 1 comprised of an oxide of at least one element selected from alkali earth metal elements and rare earth elements, a porous oxide layer 2 whose average pore diameter is 0.5 nm to 10 nm formed on the surface of each of the nuclei 1, and noble metals 3, 4 deposited on the porous oxide layer 2.例文帳に追加

アルカリ土類金属及び希土類元素の中から選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物よりなる核体１と、核体１の表面に形成された平均細孔径が 0.5nm〜10nmの多孔質酸化物層２と、多孔質酸化物層に担持された貴金属３，４と、からなる。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element 1 is also equipped with piezoelectric material layers 5, the inner surface 13a of the TH 13 provided to the piezoelectric material layer 5 has a curved surface R that continues from the surface 5a of the piezoelectric material layer 5 on an upper opening side, and the conductive member 14 inside the TH 13 is formed integrally with the inner electrode 16 on the opening side.例文帳に追加

また、圧電体層５のＴＨ１３の内面１３ａは、上側の開口側で圧電体層５の表面５ａから連続する曲面Ｒを有し、そのＴＨ１３内の導電部材１４は、当該開口側で内部電極１６と一体的に形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

The circuit device includes a circuit board 11 having its surface covered with an insulating layer 12; a conductive pattern 13 formed on a surface of the insulating layer 12; a circuit element electrically connected to the conductive pattern 13; and a lead 25 connected to a pad 13A formed of the conductive pattern 13.例文帳に追加

本発明の回路装置は、表面が絶縁層１２により被覆された回路基板１１と、絶縁層１２の表面に形成された導電パターン１３と、導電パターン１３に電気的に接続された回路素子と、導電パターン１３から成るパッド１３Ａに接続されたリード２５とを具備する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is prepared by using an organic material which is used for the organic electroluminescent elements and comprises a copolymer comprising carrier conveying property or light-emitting property-having conjugated units and bulky units each having the structure of a saturated cyclic compound in the main chain, to form a carrier conveying layer or a light-emitting layer.例文帳に追加

キャリア輸送性または発光性を有する共役ユニットと、飽和環状化合物の構造を有するバルキーユニットとを主鎖に含むコポリマーからなる有機エレクトロルミネッセント素子用有機材料を、キャリア輸送層または発光層の形成に用いることを特徴としている。 - 特許庁

In the element substrate 10 of the organic EL device 1, a heat dissipating layer 8 having thermal conductivity higher than that of a barrier rib 5 is formed in both end parts 100e, 100f in the longitudinal direction of a pixel region 100, and the heat dissipating layer 8 projects upward from the upper end face of the barrier rib 5.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１の素子基板１０では、画素領域１００の長手方向における両端部１００ｅ、１００ｆには、隔壁５より熱伝導性の高い放熱層８が形成され、放熱層８は、隔壁５の上端面より上方に突出している。 - 特許庁

The method of forming the nitride-based semiconductor layer comprises a step of forming a plane (000-1) nearly vertical to a plane (1-100) as the main surface of an n-type GaN substrate 1, and a step of forming a semiconductor laser element layer 2 on the plane (1-100) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体層の形成方法は、ｎ型ＧａＮ基板１の（１−１００）面からなる主表面と略垂直に（０００−１）面を形成する工程と、ｎ型ＧａＮ基板１の（１−１００）面上に半導体レーザ素子層２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

When a liquid crystal layer of the reflective liquid crystal element A6 is driven and turned on with the image data to be displayed, the analyzer A7 transmits the incident light and when the liquid crystal layer is not driven and is in a turned-off state, the analyzer A7 absorbs the incident light and does not transmit the incident light.例文帳に追加

表示する画像データにより反射型液晶素子Ａ６の液晶層が駆動されてオンとされたときには、検光手段Ａ７は入射光を透過し、液晶層が駆動されずオフのときには、検光手段Ａ７は入射光を吸収し、通過させない。 - 特許庁

A pregrouted PC steel material 10 includes: a PC steel wire material 1 for which a plurality of element wires 1a are stranded; a pregrout layer 2 of an epoxy resin or the like disposed on the outer periphery of the PC steel wire material 1 so as to store the PC steel wire material 1; and a sheath 3 which covers the outer periphery of the pregrout layer 2.例文帳に追加

複数の素線１ａを撚り合わせたＰＣ鋼線材１と、そのＰＣ鋼線材１の外周にそのＰＣ鋼線材１を収納するように配されたエポキシ樹脂等のプレグラウト層２と、そのプレグラウト層２の外周を被うシース３を有するプレグラウトＰＣ鋼材１０である。 - 特許庁

The substrate 1 for the display element is composed of a pair of extremely thin glass sheets 2 and 3 facing each other and a layer 4 of a material consisting of a resin held between the glass sheets 2 and 3 and is made immanent with the compressive stress occurring in the layer 4 in the segments of the glass sheets 2 and 3.例文帳に追加

表示素子用基板１を、対向する一対の極薄ガラス板２，３と、ガラス板２，３の間に挟持された、樹脂からなる材料の層４とから構成するとともに、ガラス板２，３部分に層４に起因する圧縮歪みを内在させるようにする。 - 特許庁

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

A sensing electrode forming step forms a sensing electrode 6 for sensing changes in electrical characteristics of a gas sensing layer 4, on a substrate 15, and a subsequent thin film forming step forms a thin film of a metal element forming a principal component of the gas sensing layer 4, over the sensing electrode 6.例文帳に追加

まず、検知電極形成工程にて、基体１５上にガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための検知電極６を形成し、続く薄膜形成工程にて、ガス検知層４の主成分をなす金属元素からなる薄膜を、検知電極６を覆うよう形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which can be improved in the condensing efficiency by reducing a level difference between an effective pixel region including an inner-layer lens and the other light-blocked region while reducing the distance between the inner-layer lens and the light receiving surface of a photoelectric conversion element, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層内レンズと光電変換素子の受光面との距離の低減を図りながら、層内レンズを含めた有効画素領域とそれ以外の遮光された領域との段差を低減し、集光効率を高めることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

A functional element 120 comprises a piezoelectric body layer 121, and an upper electrode 122 and a lower electrode 123 formed in a way of holding the layer 121 therebetween, and is formed via an insulating film (not shown) or the like, on a board 110 formed with a cavity 113 provided so as not to hinder the mechanical vibration of the functional section.例文帳に追加

機能素子１２０は、圧電体層１２１とそれを挟むように形成された上部電極１２２、下部電極１２３とからなり、機能部の機械振動を阻害しないように備えられた空洞１１３が形成された基板１１０に、絶縁膜（図示せず）等を介して形成される。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 1 with a membrane 2, and a cathode electrode layer 3 as well as an anode electrode layer 4 arranged at either side of the membrane 2 in a thickness direction, and a load granting element 6 for applying a load to the membrane electrode assembly 1 along a thickness direction of the assembly 1 are provided.例文帳に追加

膜２と膜２の厚み方向の両側に配置されたカソード電極層３およびアノード電極層４とを備える膜電極接合体１と、前記膜電極接合体１の厚み方向に沿う荷重を膜電極接合体１にかけるための荷重付与要素６とを用意する。 - 特許庁

The organic EL device 100 comprises, on a support substrate 2 in the direction of taking out light as shown by an arrow, a TFT 6 embedded in the electric insulating membrane 4, an insulating membrane between the layers 8, an organic EL element 16, an oxygen cut-off layer 20, an oxygen supply layer 22, and a color conversion membrane 28.例文帳に追加

有機ＥＬ発光装置１００は、支持基板２上に、矢印が示す光を取り出す方向に、電気絶縁膜４に埋設したＴＦＴ６、層間絶縁膜８、有機ＥＬ素子１６、酸素遮断層２０、酸素供給層２２及び色変換部材２８を備えている。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is constituted by installing at least a base, a first electrode made of amorphous metal oxide, the photoelectric conversion layer containing a semiconductor material having adsorbed photosensitizing coloring matter, a hole transport layer, and a second electrode arranged opposite the first electrode in this order.例文帳に追加

少なくとも、基体、非晶質金属酸化物からなる第１電極、光増感色素を吸着させた半導体材料を含有してなる光電変換層、ホール輸送層、第１電極に対向させて配置した第２電極を、この順に設置してなる光電変換素子。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor light-emitting element 1 comprising an MQW 14 using a group III nitride semiconductor, a first well layer 21 to a fourth well layer 24 constituting the MQW 14 are respectively formed under a growth condition in which light-emitting wavelengths conform to one another.例文帳に追加

III族窒化物半導体を用いたＭＱＷ１４を備えたIII族窒化物半導体発光素子１において、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The organic light-emitting element, and its manufacturing method, contains a substrate, a barrier layer, a first electrode, a second electrode, and an organic film intercalated between the first and the second electrodes, with the barrier layer containing a laminated structure of an SiO inorganic film and an SiON inorganic film.例文帳に追加

基板と、バリア層と、第１電極と、第２電極と、第１電極及び第２電極間に介在された有機膜とを含む有機発光素子において、バリア層がＳｉＯ無機膜及びＳｉＯＮ無機膜の積層構造を含む有機発光素子及びその製造方法である。 - 特許庁

Disclosed is the organic electroluminescence element which has an anode and a cathode on a support substrate, has at lest one light emitting layer between the anode and cathode, and contains an adduct or a polymer obtained by subjecting any of organic layers including the light emitting layer to addition reaction of carbene.例文帳に追加

支持基板上に陽極、陰極を有し、陽極と陰極間に少なくとも１層の発光層を有し、該発光層を含む有機層のいずれかにカルベンの付加反応によって得られる付加体または重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

This invention relates also to an imaging element having at least one photosensitive or thermosensitive imaging layer on a support comprising a biaxially-stretched semi-crystalline multilayer film base, and the film base comprises at least two support layers and at least one tie layer.例文帳に追加

二軸延伸された半結晶性多層フィルムベースを含む支持体の上に少なくとも１層の感光性又は感熱性の画像形成層を含む画像形成要素であって、前記フィルムベースが少なくとも２層の支持層と少なくとも１層の結合層とを含む画像形成要素。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

On the manufacturing method of the organic EL light emitting element provided with at least an organic compound layer between a pair of electrodes facing each other, when forming the organic compound layer by a printing method, ink agent 201 containing at least identical organic compound is applied plural times on an identical pixel.例文帳に追加

対向する一対の電極間に少なくとも有機化合物層を備えた有機ＥＬ発光素子の作製方法であって、有機化合物層を印刷法によって形成する際に、同一画素上に、少なくとも同一の有機化合物を含有するインク剤２０１を複数回印刷する。 - 特許庁